一种用于低频晶片的电极

技术领域

本发明涉及晶体电性能技术领域，具体是一种用于低频晶片的电极。

背景技术

晶片通常由一个集成电路芯片组成，包括一个存储器和一个射频收发器。晶片可以嵌入到标签、卡片或其他设备中，并通过无线射频技术与读写器进行通信。

晶片的种类分为高频晶片和低频晶片。高频晶片为规则的长方体状，能够稳定牢固地安装在电极的长方体状的安装槽中。但是对应低频晶片来说，由于其形状并不是规则的长方体状，而是在长方体状的基础之上，上下底面均为圆台状结构；并且长方体状的四角处均为圆角，这就导致低频晶片在安装时，其圆台状结构无法完全适配现有的长方体状的安装槽，导致低频晶片与安装槽的接触面积变小，容易出现接触不良和安装不稳定，进而无法通电工作的情况。此外，为了使低频晶片和电极之间实现电连接，需要在低频晶片与安装槽接触的接触面上镀银，但是由于安装槽和低频晶片的形状不相适配，容易导致低频晶片上的镀银层扩散，进而导致低频晶片和电极之间的电性能的稳定性降低，最终导致低频晶片的工作性能下降。

发明内容

为了避免和克服现有技术中存在的技术问题，本发明提供了一种用于低频晶片的电极。本发明提高低频晶片安装在电极上的稳定性，同时能够减少银层扩散，保证镀膜电极与设计电极保持一致，从而维持电性能的稳定。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种用于低频晶片的电极，所述电极贴附布置在低频晶片与晶片安装座相配合的安装面上，晶片安装座上开设有用于安装固定低频晶片的内凹的安装槽，电极的外侧面与安装槽的槽壁彼贴合；安装槽的槽口为四角为四分之一圆的长方形，安装槽槽口的面积为S，S的计算公式如下：

S＝L*W-(R

其中，L为安装槽槽口的长度，W为安装槽槽口的槽宽，R为四分之一圆的半径。

作为本发明再进一步的方案：所述电极为曲面导电片结构，安装槽的槽壁为与电极相适配的内凹的曲面。

作为本发明再进一步的方案：所述低频晶片为由中间向边缘逐渐变薄的长方体状结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、安装槽和低频晶片的形状彼此适配，确保低频晶片能够牢固稳定的安装在电极上，以此提高低频晶片安装的稳定性。

2、低频晶片与内凹的安装槽彼此嵌合在一起，提高低频晶片安装稳定性的同时，能够有效的避免低频晶片上的镀银层扩散，进而提高低频晶片和电极之间的电性能的稳定，以此提高低频晶片的工作性能。

附图说明

图1为本发明的俯视图。

图2为本发明的侧视图。

图3为本发明的剖视图。

图中：10、晶片安装座；11、安装槽；20、低频晶片；21、电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1～图3，本发明实施例中，一种用于安装低频晶片20的电极21，包括低频晶片20为由中间向边缘逐渐变薄的长方体状结构，低频晶片20的上下表面均形成凸圆结构。从低频晶片20的侧面和正面，低频晶片20的形状为对称的梭形结构，可以沿着中间的水平面上下对称。

电极21贴附布置在低频晶片20的外侧面上，且电极21为曲面导电片结构。低频晶片20在铅垂方向上的投影为长方体状，且长方体的四角处均为分之一圆。

晶片安装座10的上表面开设有一个形状与电极21相适配的内凹的安装槽11，且安装槽11的槽壁为弧形面。

低频晶片20嵌入安装槽11中，且电极21与安装槽11的槽壁彼此贴合并形成电连接。

安装槽11的槽壁面积可以和电极21的外侧面形状相同，或者是安装槽11的槽壁面积大于电机的外侧面，即电机位于安装槽11的内部。

安装槽11的槽口为长为L、宽为W的长方形状，且槽口的四角处均为半径为R的四分之一圆，则该槽口的面积为S，S的计算公式如下：

S＝L*W-(R

其中，L为安装槽11的槽长，W为安装槽11的槽宽。

在实际的生产过程中，主要有如下表1中所示的两种规格的安装槽11。

表1安装槽11规格

通过上表，可以准确地计算出安装槽11的槽口面积。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。