非易失性存储器装置及包括该非易失性存储器装置的存储器系统

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0007401的韩国申请的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种非易失性存储器装置以及包括该非易失性存储器装置的存储器系统。

背景技术

存储器系统可以被配置成响应于从主机装置接收到的写入请求而存储从主机装置提供的数据。而且，存储器系统可以被配置成响应于从主机装置接收到的读取请求而将存储在其中的数据提供给主机装置。主机装置是能够处理数据的电子装置，并且可以包括计算机、数码相机、移动电话或其他计算装置。此外，存储器系统可以被嵌入在主机装置中，或者是与主机装置分开的(例如，单独制造的)装置并且连接到或通信地联接到主机装置。

发明内容

所公开技术的各个实施例涉及一种非易失性存储器装置以及包括该存储器装置的存储器系统，该存储器装置被配置成校正或修改不正确的和/或不合适的命令，例如写入命令。因此，非易失性存储器装置可以提高装置或存储器系统的数据可靠性和操作性能，还有其他优点。

在实施例中，一种非易失性存储器装置可以包括：多个存储器区域；以及控制逻辑，被配置成：基于确定写入命令与多个存储器区域中的目标存储器区域的检查信息不匹配来校正该写入命令，该写入命令从外部装置传输；并且使用校正后的写入命令对多个存储器区域中的目标存储器区域执行写入操作。

在实施例中，一种非易失性存储器装置可以包括：多个存储器区域；以及控制逻辑，该控制逻辑包括：检查信息存储器，存储多个存储器区域中的每个存储器区域的检查信息；以及命令检查器，从检查信息存储器中读取多个存储器区域中的目标存储器区域的检查信息；其中该控制逻辑响应于从外部装置接收到写入命令，基于目标存储器区域的检查信息对目标存储器区域执行写入操作。

在实施例中，一种存储器系统可以包括：非易失性存储装置，包括多个存储器区域；以及控制器，被配置成：将包括多个存储器区域的检查信息的检查信息表传输到非易失性存储器装置；以及将写入命令和写入命令的写入模式传输到非易失性存储器装置；其中当非易失性存储器装置基于检查信息表确定写入命令的写入模式是不正确的时，非易失性存储器装置在校正后的写入模式下执行写入操作。

提供一种非易失性存储器装置以及包括该非易失性存储器装置的存储器系统，其能够通过校正不合适的命令来提高数据可靠性和操作性能。

附图说明

图1示出根据实施例的存储器系统。

图2示出根据实施例的由命令检查器执行的方法。

图3示出根据实施例的由存储器系统执行的方法。

图4示出根据实施例的由非易失性存储器装置执行的方法。

图5示出根据实施例的由非易失性存储器装置执行的方法。

图6示出根据实施例的由存储器系统执行的方法。

图7示出根据实施例的包括固态驱动器(SSD)的数据处理系统。

图8示出根据实施例的包括存储器系统的数据处理系统。

图9示出根据实施例的包括存储器系统的数据处理系统。

图10示出根据实施例的包括存储器系统的网络系统。

图11示出根据实施例的包括在存储器系统中的非易失性存储器装置。

具体实施方式

将参照附图通过以下实施例来描述本公开的优点和特征以及用于实现该优点和特征的方法。然而，本公开不限于本文所描述的实施例，而是可以以不同方式来实现。提供本实施例仅是为了详细描述本公开，使得本公开所属领域的技术人员可以容易地实施本公开的技术构思。

本实施例不限于附图中所示出的特定形状，但是为了清楚起见可能被夸大。在本说明书中，使用了特定术语。然而，这些术语仅用于描述本公开，并不用于限制权利要求书中所描述的本公开的含义或范围。

在本说明书中，诸如“和/或”的表述可以指示包括在该表述之前/之后所列出的一个或多个组件。此外，诸如“连接/联接”的表述可以指示一个元件直接地连接/联接到另一元件或通过又一元件间接地连接/联接到另一元件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，“包含”和“包括”或“包含有”和“包括有”的含义可以指定组件、步骤、操作和元件，并且不排除一个或多个其他组件、步骤、操作和元件的存在或添加。

以下，将参照附图详细描述实施例。

图1示出根据实施例的存储器系统10。

存储器系统10可以被配置成响应于从主机装置发送到存储器系统10的写入请求，存储从外部主机装置(未示出)提供的数据以及由外部主机装置(未示出)接收到的数据。此外，存储器系统10可以被配置成响应于从主机装置接收到的读取请求，将存储在存储器系统10中的数据提供到主机装置。

存储器系统10可以被配置为PCMCIA(个人计算机存储卡国际协会)卡、CF(紧凑型闪存)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(MMC(多媒体卡)、eMMC(嵌入式MMC))、RS-MMC(缩小尺寸的MMC)和微型MMC)、SD(安全数字)卡(SD、迷你SD、微型SD)、UFS(通用闪存)、SSD(固态驱动器)或其他存储卡。

存储器系统10可以包括控制器100和非易失性存储器装置200。在实施例中，控制器100是数字电路，该数字电路管理进出非易失性存储器装置200的数据流。控制器可以独立地形成在芯片上，或者与一个或多个其他电路集成。

控制器100可以控制存储器系统10的全部操作。控制器100可以根据从主机装置接收到的指令来控制非易失性存储器装置200以执行前台操作。前台操作可以包括根据从主机装置接收到的指令将数据写入非易失性存储器装置200的操作或从非易失性存储器装置200读取数据的操作。示例指令可以是从主机装置发送并由存储器系统10接收的写入请求或读取请求。

控制器100可以在没有从主机装置接收指令的情况下控制非易失性存储器装置200以对非易失性存储器装置200执行后台操作。后台操作可以包括对非易失性存储器装置200执行的损耗均衡操作、垃圾收集操作、擦除操作、读取回收操作和/或刷新操作。此外，类似于本文中所描述的前台操作，后台操作可以包括将数据写入非易失性存储器装置200以及从非易失性存储器装置200读取数据的操作。

例如，控制器100可以将写入命令(WCMD)传输到非易失性存储器装置200，以便将数据写入非易失性存储器装置200。如本文中所描述的，写入命令(WCMD)可以包括关于或标识数据待存储的目标存储器区域的信息，其中目标存储器区域是多个存储器区域MR1至MRn中的一个。写入命令(WCMD)还可以包括关于或识别数据的写入模式的信息。

在控制器100的控制下，非易失性存储器装置200可以存储从控制器100传输到非易失性存储器装置200的数据，并且读取存储器装置200中存储的数据，并且将所读取的数据传输到控制器100。

非易失性存储器装置200可以包括控制逻辑210和存储器区域MR1至MRn。

控制逻辑210可以控制非易失性存储器装置200的全部操作。控制逻辑210可以响应于从控制器100传输的命令来控制非易失性存储器装置200的内部操作。

具体地，控制逻辑210可以响应于从控制器100传输并由控制逻辑210接收的写入命令(WCMD)，对目标存储器区域(从存储器区域MR1至MRn中选择的)执行写入操作(WRT)。写入命令(WCMD)可以指示控制逻辑210将遵循的写入模式，该写入模式选自用于将数据写入目标存储器区域的各种可用的写入模式。

例如，写入模式可以包括SLC(单层单元)写入模式、MLC(多层单元)写入模式、TLC(三层单元)写入模式和强SLC写入模式。SLC写入模式可以是在每个存储器单元中存储一个位的写入模式。MLC写入模式可以是在每个存储器单元中存储两个位的写入模式。TLC写入模式可以是在每个存储器单元中存储三个位的写入模式。强SLC写入模式可以是在每个存储器单元中存储一个位的同时形成在阈值电压分布之间具有较宽间隔的存储器单元的阈值电压分布的写入模式。与正常的SLC写入模式相比，强SLC写入模式可以保持更长时间的数据可靠性。

在实施例中，写入模式可以包括用于存储四个位或更多位的写入模式。

控制器100可以根据与写入命令(WCMD)相关联的数据的类型来指定写入命令(WCMD)的写入模式。例如，可以在强SLC写入模式下写入固件，以保证数据的高可靠性。作为另一示例，可以在TLC写入模式下写入冷数据，以提高数据的存储效率。

因此，在从主机装置接收数据之前，控制器100可以确定待存储在存储器区域MR1至MRn的每一个中的数据的类型。根据数据类型的确定，控制器100可以预先或独立地为存储器区域MR1至MRn中的每一个指定写入模式。例如，当决定将固件存储在某个存储器区域中时，控制器100可以将相应存储器区域的写入模式指定为强SLC写入模式。

在一些情况下，由于操作期间的错误，控制器100可生成具有错误的或不正确的写入模式的写入命令(WCMD)，并且将该写入命令(WCMD)传输到非易失性存储器装置200。例如，即使应在强SLC写入模式下来写入固件，控制器100也可以生成写入命令(WCMD)以在TLC写入模式下写入固件。在这种情况下，相应的固件可能会在不合适的写入模式下被写入，并且因此很有可能遭到破坏。

为了避免在不合适的写入模式下写入数据，控制逻辑210可以直接地或独立地确定从控制器100传输的写入命令(WCMD)的适合性。根据确定结果，控制逻辑210可以校正写入命令(WCMD)，并利用校正后的写入命令(WCMD)执行写入操作(WRT)。

具体地，控制逻辑210可以确定接收到的写入命令(WCMD)是否正确或准确地指示先前为目标存储器区域所指定的写入模式，以便确定写入命令(WCMD)的适合性。当写入命令(WCMD)指示或包括先前为目标存储器区域所指定的写入模式时，控制逻辑210可以基于接收到的写入命令(WCMD)执行写入操作(WRT)，而无需校正接收到的写入命令(WCMD)。

另一方面，当接收到的写入命令(WCMD)未指示先前为目标存储器区域所指定的写入模式时，控制逻辑210可以校正写入命令(WCMD)以指示先前为目标存储器指定的写入模式，并且基于校正后的写入命令(WCMD)执行写入操作(WRT)。

在实施例中，控制逻辑210可以包括命令检查器211和检查信息存储器212。

命令检查器211可以基于检查信息存储器212中存储的检查信息表(CIT)，确定从控制器100传输到控制逻辑210的写入命令(WCMD)的适合性或准确性。命令检查器211可以根据写入命令(WCMD)的适合性的确定来校正写入命令(WCMD)。

具体地，命令检查器211可以响应于接收到写入命令(WCMD)而首先从检查信息存储器212读取目标存储器区域的检查信息(TCI)。命令检查器211可以基于目标存储器区域的检查信息(TCI)来确定写入命令(WCMD)的写入模式是否与为目标存储器区域所指定的写入模式匹配。

当确定写入命令(WCMD)的写入模式与为目标存储器区域所指定的写入模式匹配时，命令检查器211可以不校正写入命令(WCMD)。另一方面，当确定写入命令(WCMD)的写入模式与为目标存储器区域所指定的写入模式不匹配时，命令检查器211可以将写入命令(WCMD)校正、修改或更新为与为目标存储器区域所指定的写入模式匹配的写入模式。

检查信息存储器212可以存储检查信息表(CIT)，该检查信息表包括或包含存储器区域MR1至MRn的检查信息(TCI)。

存储器区域MR1至MRn中的每一个的检查信息(TCI)可以包括关于或有关为每个存储器区域所指定的写入模式的信息，诸如待针对存储到每个存储器区域的数据待执行的写入模式。例如，目标存储器区域的检查信息(TCI)可以包括关于或有关为目标存储器区域所指定的写入模式的信息。

在实施例中，检查信息存储器212可以被配置为非易失性存储器或易失性存储器。

在实施例中，检查信息存储器212可以位于非易失性存储器装置200中，作为独立于控制逻辑210的单元。

在实施例中，检查信息存储器212可以被实施为缓冲存储器的一部分。缓冲存储器可以是在数据被存储到存储器区域MR1至MRn之前用于临时存储从控制器100传输的数据的缓冲器。例如，缓冲存储器可以是页面缓冲器。

在实施例中，可以从控制器100传输检查信息表(CIT)并且将其存储在检查信息存储器212中。参照图3详细描述该过程。

存储器区域MR1至MRn中的每一个可以被配置为包括多个存储器单元的存储器单元阵列。

如上所述，可以将存储器区域MR1至MRn中的每一个用于或指定用于特定目的，例如用于存储特定类型的数据。因此，可以为每个存储器区域指定特定的写入模式。

存储器区域可以对应于非易失性存储器装置200对其执行擦除操作的存储器单元。换言之，非易失性存储器装置200可以对存储器区域级别执行擦除操作。然而，本实施例不限于存储器区域级别擦除操作。

非易失性存储器装置200可以包括诸如NAND闪存或NOR闪存的闪速存储器装置、FeRAM(铁电随机存取存储器)、PCRAM(相变随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)或ReRAM(电阻式随机存取存储器)。

非易失性存储器装置200可以包括一个或多个平面、一个或多个存储器芯片、一个或多个存储器管芯和/或一个或多个存储器封装。

尽管图1描绘了包括一个非易失性存储器装置200的存储器系统10，但是存储器系统10可以包括多个非易失性存储器装置，并且存储器系统10中包括的非易失性存储器装置的数量不限于图1中所描绘的。

图2示出根据实施例的由命令检查器211执行的方法。图2还示出图1的检查信息存储器212中存储的检查信息表(CIT)。

参照图2，检查信息表(CIT)可以包括关于为存储器区域MR1至MRn中的每一个指定或与存储器区域MR1至MRn中的每一个相关联的写入模式的信息，诸如图1中所描绘的那些。例如，存储器区域MR1的写入模式可以是强SLC写入模式，存储器区域MR2的写入模式可以是普通SLC写入模式，存储器区域MR3的写入模式可以是MLC写入模式，存储器区域MR4的写入模式可以是TLC写入模式，并且存储器区域MRn的写入模式可以是TLC写入模式。

命令检查器211可以从控制器100接收写入命令(WCMD1)。接收到的写入命令(WCMD1)可以指示目标存储器区域是存储器区域MR4，并且写入模式是SLC写入模式。

命令检查器211可以响应于接收到的写入命令(WCMD1)从检查信息存储器212读取目标存储器区域MR4的检查信息(TCI)。命令检查器211可以检查该检查信息(TCI)，以便确认或验证为目标存储器区域MR4所指定的写入模式是TLC写入模式。

命令检查器211可以确定接收到的写入命令(WCMD1)的写入模式(在该示例中为SLC写入模式)与为目标存储器区域MR4所指定的写入模式(其为TLC写入模式)不一致。响应于该确定，命令检查器211可以将接收到的写入命令(WCMD1)校正或修改为校正后或修改后的写入命令(WCMD2)，以使得接收到的写入命令WCMD1此刻或随后指示TLC写入模式，TLC写入模式被指定给目标存储器区域MR4。

当接收到的写入命令(WCMD1)指示目标存储器区域MR4的正确写入模式为TLC写入模式时，命令检查器211可以确定接收到的写入命令(WCMD1)是合适的或准确的(基于目标存储器区域MR4的检查信息(TCI))，并且不校正接收到的写入命令(WCMD1)。

因此，非易失性存储器装置200可以确定从控制器100传输的、接收到的写入命令(WCMD1)的适合性或准确性，并且基于确定结果将接收到的写入命令(WCMD1)直接校正、修改或更新为校正后的写入命令(WCMD2)。因此，非易失性存储器装置200可以在合适的或正确的写入模式(例如，TLC写入模式)下将数据写入目标存储器区域MR4。因此，非易失性存储器装置200可以为控制器100的操作错误做好准备并减轻该操作错误，防止由非易失性存储器装置200存储的数据的损坏。

图3示出根据实施例的由存储器系统10执行的方法。

参照图3，控制器100可以将检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。非易失性存储器装置200可以将从控制器100传输的检查信息表(CIT)存储在检查信息存储器212中。

在实施例中，控制器100可以将在存储器系统10被制造之前先前生成或更新的检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。

在实施例中，控制器100可以为存储器区域MR1至MRn中的每一个指定写入模式，基于所指定的写入模式生成检查信息表(CIT)，并且将所生成的检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。控制器100可以通过为存储器区域MR1至MRn中的每一个指定原始写入模式和/或改变存储器区域MR1至MRn中的每一个的写入模式来为存储器区域MR1至MRn中的每一个指定写入模式。

在实施例中，控制器100可以在非易失性存储器装置200的启动操作期间将检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。在实施例中，控制器100可以在存储器系统10的操作期间将检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。

在实施例中，控制器100可以改变存储器区域MR1至MRn中的至少一些的检查信息，并且将改变后的检查信息传输到非易失性存储器装置200。非易失性存储器装置200可以从控制器100接收改变后的检查信息，并且更新检查信息表(CIT)以包括改变后的检查信息。

图4示出根据实施例的由非易失性存储器装置200执行的方法。

参照图4，在步骤S110中，非易失性存储器装置200可以从控制器100接收写入命令(WCMD)。

在步骤S120中，响应于接收到写入命令(WCMD)，非易失性存储器装置200可以从检查信息存储器212读取目标存储器区域的检查信息(TCI)。

在步骤S130中，非易失性存储器装置200可以基于从目标存储器区域读取的检查信息(TCI)来确定写入命令(WCMD)的适合性或准确性。换言之，非易失性存储器装置200可以基于与存储器区域相关联的检查信息(TCI)来确定写入命令(WCMD)是否是针对目标存储器区域的正确写入命令。当确定写入命令(WCMD)是合适的时，该方法进行到步骤S140。当确定写入命令(WCMD)是不合适的时，该方法进行到步骤S150。

在步骤S140中，非易失性存储器装置200可以基于写入命令(WCMD)对目标存储器区域执行写入操作(WRT)。也就是说，非易失性存储器装置200可以在由非易失性存储器装置200接收到的写入命令WCMD所指示的写入模式下对目标存储器区域执行写入操作WRT(例如，不校正该写入命令)。

在步骤S150中，非易失性存储器装置200可以基于校正后的写入命令(WCMD)对目标存储器区域执行写入操作(WRT)。也就是说，非易失性存储器装置200可以校正写入命令(WCMD)，以便在为目标存储器区域所指定的写入模式下执行写入操作(WRT)。因此，非易失性存储器装置200可以基于校正后的写入命令使用合适的或正确的写入模式对目标存储器区域执行写入操作(WRT)。

图5示出根据实施例的由非易失性存储器装置200执行的方法。在实施例中，图5的步骤S131至S133可以是图4的步骤S130的一部分。

参照图5，在步骤S131中，非易失性存储器装置200可以基于目标存储器区域的检查信息(TCI)，确定写入命令(WCMD)的写入模式是否与先前为目标存储器区域所指定的写入模式匹配。当写入命令(WCMD)的写入模式与为目标存储器区域所指定的写入模式匹配时，该方法进行到步骤S132。当写入命令(WCMD)的写入模式与为目标存储器区域所指定的写入模式不匹配时，该方法进行到步骤S133。

在步骤S132中，非易失性存储器装置200可以确定写入命令(WCMD)是合适的或正确的。

在步骤S133中，非易失性存储器装置200可以确定写入命令(WCMD)是不合适的或不正确的。

图6示出根据实施例的由存储器系统10执行的方法。

参照图6，在步骤S210中，控制器100可以将存储器区域MR1至MRn的检查信息表(CIT)传输到非易失性存储器装置200。检查信息表(CIT)可以包括存储器区域MR1至MRn中的每一个的检查信息。存储器区域中的每一个的检查信息可以包括关于为每个存储器区域所指定的写入模式的信息。

在步骤S220中，非易失性存储器装置200可以将从控制器100传输的检查信息表(CIT)存储在检查信息存储器212中。然后，每当从控制器100接收到写入命令(WCMD)时，非易失性存储器装置200可以通过参考检查信息表(CIT)来确定写入命令(WCMD)的适合性。

图7示出根据实施例的包括固态驱动器(SSD)1200的数据处理系统1000。参照图7，数据处理系统1000可以包括主机装置1100以及SSD1200。

SSD 1200可以包括控制器1210、缓冲存储器装置1220、多个非易失性存储器装置1231至123n、电源1240、信号连接器1250和电源连接器1260。

控制器1210可以控制SSD 1200的一般操作。控制器1210可以包括图1所示的控制器100。

控制器1210可以包括主机接口单元1211、控制单元1212、随机存取存储器1213、错误校正码(ECC)单元1214和存储器接口单元1215。

主机接口单元1211可以通过信号连接器1250与主机装置1100交换信号(SGL)。信号(SGL)可以包括命令、地址、数据等。根据主机装置1100的协议，主机接口单元1211可接口连接主机装置1100和SSD1200。例如，主机接口单元1211可以通过诸如以下的标准接口协议中的任意一种与主机装置1100通信：安全数字、通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)、并行高级技术附件(PATA)、串行高级技术附件(SATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、串列SCSI(SAS)、外围组件互连(PCI)、高速PCI(PCI-E)和/或通用闪存(UFS)。

控制单元1212可以分析和处理从主机装置1100接收的信号(SGL)。控制单元1212可以根据用于驱动SSD 1200的固件或软件来控制内部功能块的操作。随机存取存储器1213可以用作用于驱动该固件或软件的工作存储器。

ECC单元1214可以生成用于待被传输到非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个的数据的奇偶校验数据。所生成的奇偶校验数据可以与该数据一起存储在非易失性存储器装置1231至123n中。ECC单元1214可以基于奇偶校验数据检测从非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个读取的数据中的错误。如果检测到的错误在可校正的范围内，则ECC单元1214可以校正所检测到的错误。

存储器接口单元1215可以根据控制单元1212的控制，将诸如命令和地址的控制信号提供到非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个。此外，存储器接口单元1215可以根据控制单元1212的控制，与非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个交换数据。例如，存储器接口单元1215可以将缓冲存储器装置1220中存储的数据提供到非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个，或将从非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个读取的数据提供到缓冲存储器装置1220。

缓冲存储器装置1220可以临时存储待存储在非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个中的数据。进一步，缓冲存储器装置1220可以临时存储从非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个中读取的数据。临时存储在缓冲存储器装置1220中的数据可以根据控制器1210的控制被传输到主机装置1100或非易失性存储器装置1231至123n中的至少一个。

非易失性存储器装置1231至223n可以用作SSD 1200的存储介质。非易失性存储器装置1231至123n可以通过多个通道CH1至CHn分别与控制器1210联接。一个或多个非易失性存储器装置可以联接到一个通道。联接到每个通道的非易失性存储器装置可以联接到相同的信号总线和数据总线。非易失性存储器装置1231至123n中的每一个可以以与图1所示的非易失性存储器装置200相同的方式来配置。

电源1240可以将通过电源连接器1260输入的电力(PWR)提供到SSD 1200的内部。电源1240可包括辅助电源1241。辅助电源1241可以在发生突然断电时供应电力以允许SSD1200正常地终止。辅助电源1241可包括大容量电容器。

根据主机装置1100和SSD 1200之间的接口方案，信号连接器1250可以由各种类型的连接器来配置。

根据主机装置1100的供电方案，电源连接器1260可以由各种类型的连接器来配置。

图8示出根据实施例的包括存储器系统2200的数据处理系统2000。参照图8，数据处理系统2000可以包括主机装置2100和存储器系统2200。

主机装置2100可以以诸如印刷电路板的板的形式来配置。虽然未示出，但是主机装置2100可以包括用于执行主机装置的功能的内部功能块。

主机装置2100可以包括连接端子2110，诸如插座、插槽或连接器。存储器系统2200可以安装到连接端子2110。

存储器系统2200可以以诸如印刷电路板的板形式来配置。存储器系统2200可以被称为存储器模块或存储卡。存储器系统2200可以包括控制器2210、缓冲存储器装置2220、非易失性存储器装置2231和2232、电源管理集成电路(PMIC)2240以及连接端子2250。

控制器2210可以控制存储器系统2200的一般操作。控制器2210可以与图7所示的控制器1210相同的方式来配置。

缓冲存储器装置2220可以临时存储待存储在非易失性存储器装置2231和2232中的数据。此外，缓冲存储器装置2220可以临时存储从非易失性存储器装置2231和2232读取的数据。临时存储在缓冲存储器装置2220中的数据可以根据控制器2210的控制被传输到主机装置2100或非易失性存储器装置2231和2232。

非易失性存储器装置2231和2232可以用作存储器系统2200的存储介质。

PMIC 2240可以将通过连接端子2250输入的电力提供到存储器系统2200的内部。PMIC 2240可以根据控制器2210的控制来管理存储器系统2200的电力。

连接端子2250可以联接到主机装置2100的连接端子2110。通过连接端子2250，可以在主机装置2100和存储器系统2200之间传送诸如命令、地址、数据等的信号以及电力。根据主机装置2100和存储器系统2200之间的接口方案，连接端子2250可以被配置为各种类型。连接端子2250可以设置在存储器系统2200的任意一侧上。

图9示出根据实施例的包括存储器系统3200的数据处理系统3000。参照图9，数据处理系统3000可以包括主机装置3100和存储器系统3200。

主机装置3100可以以诸如印刷电路板的板的形式来配置。虽然未示出，但是主机装置3100可以包括用于执行主机装置的功能的内部功能块。

存储器系统3200可以以表面安装类型封装的形式来配置。存储器系统3200可以通过焊球3250安装到主机装置3100。存储器系统3200可以包括控制器3210、缓冲存储器装置3220和非易失性存储器装置3230。

控制器3210可以控制存储器系统3200的一般操作。控制器3210可以以与图7所示的控制器1210相同的方式来配置。

缓冲存储器装置3220可以临时存储待存储在非易失性存储器装置3230中的数据。此外，缓冲存储器装置3220可以临时存储从非易失性存储器装置3230读取的数据。临时存储在缓冲存储器装置3220中的数据可以根据控制器3210的控制被传输到主机装置3100或非易失性存储器装置3230。

非易失性存储器装置3230可以用作存储器系统3200的存储介质。

图10示出根据实施例的包括存储器系统4200的网络系统4000。参照图10，网络系统4000可以包括通过网络4500联接的服务器系统4300和多个客户端系统4410至4430。

服务器系统4300可以响应于从多个客户端系统4410至4430接收的请求来服务数据。例如，服务器系统4300可以存储从多个客户端系统4410至4430提供的数据。作为另一示例，服务器系统4300可以将数据提供、发送或传输到多个客户端系统4410至4430。

服务器系统4300可以包括主机装置4100和存储器系统4200。存储器系统4200可以被配置为图1所示的存储器系统10、图7所示的固态驱动器(SSD)1200、图8所示的存储器系统2200和/或图9所示的存储器系统3200。

图11示出根据实施例的包括在存储器系统中的非易失性存储器装置300。参照图11，非易失性存储器装置300可以包括存储器单元阵列310、行解码器320、数据读取/写入块330、列解码器340、电压生成器350和控制逻辑360。

存储器单元阵列310可以包括存储器单元(MC)，存储器单元(MC)布置在字线WL1至WLm与位线BL1至BLn彼此相交的区域处。

行解码器320可以通过字线WL1至WLm与存储器单元阵列310联接。行解码器320可以根据控制逻辑360的控制进行操作。行解码器320可以对从外部装置(未示出)提供的地址进行解码。行解码器320可以基于解码结果选择并驱动字线WL1至WLm。例如，行解码器320可以将从电压生成器350提供的字线电压提供到字线WL1至WLm。

数据读取/写入块330可以通过位线BL1至BLn与存储器单元阵列310联接。数据读取/写入块330可以包括分别对应于位线BL1至BLn的读取/写入电路RW1至RWn。数据读取/写入块330可以根据控制逻辑360的控制进行操作。数据读取/写入块330可以根据操作模式操作为写入驱动器或读出放大器。例如，在写入操作中，数据读取/写入块330可以操作为将从外部装置提供的数据存储在存储器单元阵列310中的写入驱动器。又例如，在读取操作中，数据读取/写入块330可以操作为从存储器单元阵列310读出数据的读出放大器。

列解码器340可以根据控制逻辑360的控制进行操作。列解码器340可以对从外部装置提供的地址进行解码。列解码器340可以基于解码结果，将分别与位线BL1至BLn对应的数据读取/写入块330的读取/写入电路RW1至RWn与数据输入/输出线或数据输入/输出缓冲器联接。

电压生成器350可以生成待用于非易失存储器装置300的内部操作的电压。电压生成器350所生成的电压可以被施加到存储器单元阵列310的存储器单元。例如，编程操作中生成的编程电压可以被施加到待对其执行编程操作的存储器单元的字线。又例如，擦除操作中生成的擦除电压可以被施加到待对其执行擦除操作的存储器单元的阱区。在另一示例中，读取操作中生成的读取电压可以被施加到待对其执行读取操作的存储器单元的字线。

控制逻辑360可以基于从外部装置提供的控制信号控制非易失性存储器装置300的一般操作。例如，控制逻辑360可以控制非易失性存储器装置300的操作，诸如非易失性存储器装置300的读取操作、写入操作和擦除操作。控制逻辑360可以以与图1所示的控制逻辑210相同的方式来配置。控制逻辑360可以包括图1所示的命令检查器211和检查信息存储器212。

虽然上面已经描述了各个实施例，但是本领域技术人员将理解的是，所描述的实施例仅是示例。因此，不应基于所描述的实施例来限制本文中所描述的非易失性存储器装置和存储器系统。