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用于干燥半导体基材的改进装置

文献发布时间:2023-06-19 16:08:01



发明内容

本发明的目的是一种用于干燥盘形半导体基材的装置。

背景技术

本发明涉及一种用于处理半导体晶片的装置,在其中将半导体晶片浸入含有液体的槽(bath)中一段时间,然后缓慢地从中取出,使得实际上全部量的液体保留在槽中。

现有技术/问题

这种方法例如可以用于在所有类型的基材上制造电路,例如在半导体晶片(例如硅的)上的集成电路,在玻璃或石英的透明板上的液晶显示器的驱动器或在合成材料板(电路板)上的电路。所述方法还可以用于制造电视显像管的掩模板,或者用于制造CD或VLP唱片。在所有这些情况下,将基材多次浸入含有液体的槽中一段时间,例如在用于沉积金属的电镀槽中,在用于将图案蚀刻到金属层或半导体材料中的蚀刻槽中,在用于显影曝光的光漆层的显影槽中和在用于清洁基材的冲洗槽中。在液体槽中处理后,从液体中取出基材并干燥。基材可以从液体中取出,因为它们被提升或从液体中取出,但当然也因为使液体流出槽。

当从槽中取出时,位于器件上的半导体晶片用于将半导体晶片保持在适当位置。在这个过程中,可能出现液体残留物残留在基材边缘的问题。这会在基材的边缘上产生不希望的颗粒,这些颗粒随后影响半导体晶片的质量。

在CN1045539A(EP0385536A1)中描述了由此利用的物理效应,在某种程度上适用于实施该方法的装置也是如此。

在DE 102014207266A1中给出了一种相对于半导体晶片的残留颗粒改进清洁质量的装置和方法。然而,使用这种方法仍然会留下降低半导体晶片质量的颗粒。

本发明的目的是改进所述装置,且更具体地显示如何通过使用该装置减少在干燥的基材上发现的颗粒的数量。

发明详述

图1示出了本发明的装置(盘托(disc holder))。

用于干燥盘形基材的装置包括细长本体(1),该细长本体向上逐渐变细以形成在两个上表面和上边缘(2)之间具有角度α的楔形物。上边缘(2)适于支撑在其上的盘形基材。

L1是楔形物的高度,L2是支撑部分的长度。

上表面(3)包括凹槽(4),凹槽(4)具有随着距上边缘(2)的距离增加而增加的凹槽深度。优选地,凹槽是三角形凹槽。

优选地,楔形物开口角度α大于30°且小于90°,优选地大于50°且小于70°。

优选地,用于该装置的材料包括陶瓷填充的聚醚醚酮(CFM PEEK)。

优选地,上边缘的曲率半径不小于0.1mm且不大于1mm。

优选地,两个表面是疏水性的。

优选地,最大凹槽深度不小于1mm且不大于5mm。

优选地,上表面(3)包括不少于3个凹槽(4)。

优选地,凹槽(4)具有三角形形状。

优选地,凹槽的三角形形状的开口角度不小于80mm且不大于100mm。

使用的附图标记列表

L1 在细长本体顶部形成的楔形物高度

L2 支撑部分的高度

1 细长本体

2 细长本体的上边缘

3 上表面

4 细长本体的倒角直径

α 楔形物开口角度,上两个表面与上边缘之间的角度

技术分类

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