一种高能效的放大器

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体涉及一种高能效的放大器。

背景技术

运算放大器是模拟集成电路和数模混合集成电路中最重要的基本电路单元之一，可以实现信号的放大与传输，同时，通过加入适当的外围元器件，还可以实现信号的运算、滤波等功能。

随着半导体工艺不断向前发展，半导体工艺特征尺寸也在不断缩小，芯片的集成度也越来越高，功耗也随之成为制约模拟集成电路和数模混合集成电路发展的因素之一，集成电路芯片的电源电压及其静态电流共同决定芯片的功耗。

现如今，在一些电子系统的应用中，诸如便携式产品等，为了满足长时间工作的要求，就需要其要有较低的电源电压以及较低的功耗，同时低功耗也响应了绿色节能减排的环保理念，顺应了时代发展的潮流。

近几年来，国内外学者针对低功耗放大器这一课题做出了许多的研究，总而言之放大器正朝着高增益、低功耗的方向不断向前发展。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明公开了一种高能效的放大器，用于实现放大器的高增益和低功耗。

本发明通过以下技术方案予以实现：

本发明提供一种高能效的放大器，包括集成在同一电路的一个以上晶体管、一个以上开关及一个以上电容，其中，该晶体管、开关及电容连接构成该放大器的输出端V

在该放大器处于复位状态时，该放大器的输出端V

在放大器处于放大状态时，对差分输入信号进行放大，并在该放大器的输出端V

更进一步的，所述晶体管包括M1，M2，M3，M4，M5，M6，M7和M8；所述开关包括S1和S2；所述电容包括C

更进一步的，所述晶体管M1、M2的源极相连并经过开关连至电容C

更进一步的，所述晶体管M3、M4的栅极相连并连至偏置电压V

更进一步的，所述电容C

更进一步的，所述晶体管M5，M6的栅极相连并连至偏置电压V

更进一步的，所述晶体管M7、M8的源极相连并经过开关连至电容C

更进一步的，所述放大器处于复位状态时，电容C

更进一步的，所述放大器处于放大状态时，电容C

更进一步的，所述放大器工作时，对差分输入信号进行放大，并在放大器的输出端V

更进一步的，放大器包括了复位和放大两个工作状态，当φreset为高电平，φamp为低电平时，放大器处于复位状态，当φreset为低电平，φamp为高电平时，放大器处于放大状态。

本发明的有益效果为：

本发明在放大器结构中引入了一个储能电容C

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种高能效的放大器电路原理图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

本实施例公开如图1所示的一种高能效的放大器，具体电路结构如下：由晶体管M1，M2，M3，M4，M5，M6，M7，M8，开关S1，S2和电容C

本实施例中晶体管M1，M2的源极相连并经过开关连至电容C

本实施例中晶体管M3，M4的栅极相连并连至偏置电压V

本实施例将两个电容C

本实施例晶体管M5，M6的栅极相连并连至偏置电压V

本实施例中晶体管M1，M7的栅极相连作为该放大器的输入端V

本实施例在放大器结构中引入了一个储能电容C

本实施例在放大过程中，储能电容C

实施例2

在具体应用层面，本实施例提供一种高能效的放大器工作的两种状态，并以此进行原理阐述，具体如下：放大器有复位和放大两种工作模式：

本实施例中，当φreset为高电平，φamp为低电平时，放大器处于复位状态，当φreset为低电平，φamp为高电平时，放大器处于放大状态。

本实施例中，当φreset为高电平，φamp为低电平时，放大器处于复位状态。电容C

本实施例中，当φreset为低电平，φamp为高电平时，放大器处于放大状态。电容C

在差分输入信号的作用下，晶体管M1～M8均工作在弱反型区，节点V

实施例放大器也是基于反相器的放大器结构，实现了电流的复用，同样提升了该放大器的能效。

综上，本发明通过使用一个储能电容C

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。