逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，具体地涉及一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法。

背景技术

高精度逐次逼近式模拟数字转换器，由于功耗低，转换速率高，及时性好，逐渐成为热门研究领域。限制高精度逐次逼近式模拟数字转换器发展的最主要原因是电容和比较器等组成的系统误差失配。导致电容和比较器等失配的主要原因是工艺制造精度差和电路设计不规范。后者可以避免但前者必然存在。

实际电路生产过程中，不仅仅是电容，MOS器件由于不同的工艺角，不同的版图位置和布线也会存在不同程度的失配现象。这使得想设计高精电容电路变得格外的依赖生产工艺和设计师们的水平，变相的增加了生产成本和设计时长。比较器自调零技术也有缺点，它需要电容的高匹配度。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法，能够对逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列进行精确校准。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统，所述电容阵列包括第一电容组和第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括多个待校准电容和多个参考电容，所述第一电容组和所述第二电容组的电容对应设置，其特征在于，该系统包括：第一比较器、数字逻辑控制器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组，其中，所述采样开关组中的一个采样开关连接在所述第一电容组的上极板和地之间，另一个采样开关连接在所述第二电容组的上极板和地之间；所述第一开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第一电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第二电容组的上极板之间；所述第二开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第二电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第一电容组的上极板之间；针对所述第一电容组或所述第二电容组的任一待校准电容，所述数字逻辑控制器用于：控制所述采样开关组闭合，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第一开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息；控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第二开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息；根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括：控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。

优选地，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。

优选地，该系统还包括：数字校准寄存器，用于存储所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述逐次逼近式模拟数字转换器包括：第二比较器，与所述第一电容组和所述第二电容组的上极板连接，以在所述第一电容组和所述第二电容组的每个待校准电容校准完成后，所述逐次逼近式模拟数字转换器进入正式工作时使用。

本发明还提供一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法，所述电容阵列包括第一电容组和第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括多个待校准电容和多个参考电容，所述第一电容组和所述第二电容组的电容对应设置，其特征在于，该方法基于第一比较器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组，其中，所述采样开关组中的一个采样开关连接在所述第一电容组的上极板和地之间，另一个采样开关连接在所述第二电容组的上极板和地之间；所述第一开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第一电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第二电容组的上极板之间；所述第二开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第二电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第一电容组的上极板之间；针对所述第一电容组或所述第二电容组的任一待校准电容，该方法包括：控制所述采样开关组闭合，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第一开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息；控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第二开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息；根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括：控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。

优选地，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。

通过上述技术方案，采用本发明提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法，使用第一比较器、数字逻辑控制器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组，利用参考电容的翻转，使比较器输出翻转，从而两次得到待校准电容和翻转的参考电容的关系，从而对逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列进行精确校准。

本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：

图1是本发明一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统的结构示意图；

图2是本发明一实施例提供的第一开关组和第二开关组的控制信号示意图；

图3是本发明另一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统的结构示意图；

图4是本发明一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法的流程图。

附图标记说明

W1 第一开关组 W2 第二开关组

1 第一比较器 2 第二比较器

3 数字逻辑控制器 4 数字校准寄存器

具体实施方式

以下结合附图对本发明实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明实施例，并不用于限制本发明实施例。

图1是本发明一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统的结构示意图。如图1所示，所述电容阵列包括第一电容组和第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括多个待校准电容和多个参考电容，所述第一电容组和所述第二电容组的电容对应设置，该系统包括：第一比较器1、数字逻辑控制器3、采样开关组(sample)以及第一开关组(W1)，其中，所述采样开关组(sample)中的一个采样开关连接在所述第一电容组的上极板和地之间，另一个采样开关连接在所述第二电容组的上极板和地之间；所述第一开关组(W1)的一个开关连接在所述第一比较器1的正端和所述第一电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器1的负端和所述第二电容组的上极板之间。

所述第一电容组和所述第二电容组可以分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。例如，第一电容组可以包括电容Cp1-Cpn，共n个电容，其中理论电容比Cp1：Cp2：Cp3……Cpn为1：2：4……2

针对所述第一电容组或所述第二电容组的任一待校准电容，所述数字逻辑控制器3用于：控制所述采样开关组(sample)闭合，并控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地；控制所述第一开关组(W1)闭合，所述采样开关组(sample)断开，并控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器1的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；根据所记录的第一信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

例如，本发明实施例可以先校准最小的待校准电容，即针对电容Cp7，首先，数字逻辑控制器3会控制sample闭合，W1断开，这会让所有电容(包括参考电容和待校准电容)的上极板都接地(VSS)。同时数字控制逻辑器会控制Cp0-Cp6的下极板接参考电压(VREF)，Cp7的下极板接VSS，Cn0-Cn6的下极板接VSS。至于其它电容，可以一直接VSS，也可以一直接VREF保持不变。

采样结束后，数字逻辑控制器3会控制sample断开，W1闭合。数字逻辑控制器3控制将Cp7的下极板从接VSS切换到接VREF，然后翻转Cp0-Cp6的至少一个电容，即从接VREF翻转到接VSS，并且Cn0-Cn6中对应设置的电容相反翻转，即从接VSS翻转到接VREF。基于此，使用逐次逼近的方式进行翻转，例如，假设Cp7的权重从64偏差到63，首先验证64是否大于32(C6首先翻转)，如果大于32(第一比较器1结果为1)，则下次验证是否大于32+16(C6和C5一起翻转)比较，如此类推，直到第一比较器1输出翻转，即结果从1到0为止。当第一比较器1翻转时，即认为带校准电容的权重和其余电容中翻转过的电容的总和相等。此时，记录Cp7所在电容组翻转的所有参考电容的信息(即第一信息)，例如权重。这些翻转的所有参考电容的权重的和，就是Cp7的权重。

但是，在实际情况中，可能在第一比较器1的输入端产生失调电压影响校准的精度，例如，在Cp7侧翻转生成的模拟电压输送到第一比较器1的正端，电压为U

该系统还包括：第二开关组(W2)，所述第二开关组(W2)的一个开关连接在所述第一比较器1的正端和所述第二电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器1的负端和所述第一电容组的上极板之间。

所述数字逻辑控制器3在记录所述第一信息之后，还用于：控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组(W1)断开，并控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地；控制所述第二开关组(W2)闭合，所述采样开关组(sample)断开，并控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器1的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息；根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

例如，本发明实施例在得到上文所述的第一信息之后，数字逻辑控制器3会控制sample闭合，W1和W2都断开，这会让所有电容(包括参考电容和待校准电容)的上极板都VSS。同时数字控制逻辑器会控制Cp0-Cp6的下极板接VREF，Cp7的下极板接VSS，Cn0-Cn6的下极板接VSS。至于其它电容，可以一直接VSS，也可以一直接VREF保持不变。

采样结束后，数字逻辑控制器3会控制sample断开，W2闭合。数字逻辑控制器3控制将Cp7的下极板从接VSS切换到接VREF，然后使用逐次逼近的方式翻转Cp0-Cp6和Cn0-Cn6，直到第一比较器1输出翻转为止。此时，记录Cp7所在电容组翻转的所有参考电容的信息(即第二信息)，例如权重。这些翻转的所有参考电容的权重的和，也是Cp7的权重。但是不同的是，此次校准中，Cp7侧翻转生成的模拟电压输送到第一比较器1的负端，电压为U

在Cp7的校准完成后，还可以以同样的方式校准Cn7，随后可以将校准后的电容作为参考电容，继续校准更高位电容，也可以适用上述使用W1和W2校准结果加和取平均的方式进行校准，在此不再赘述。

图2是本发明一实施例提供的第一开关组和第二开关组的控制信号示意图。如图2所示，W1和W2是两对不交叠交替切换开关，严格保证W1信号与W2信号不能出现同时为高的情况，即W1和W2不同时关闭。

图3是本发明另一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统的结构示意图。如图3所示，该系统还包括：数字校准寄存器4，用于存储所针对的待校准电容的实际信息。所述逐次逼近式模拟数字转换器包括：第二比较器2，与所述第一电容组和所述第二电容组的上极板连接，以在所述第一电容组和所述第二电容组的每个待校准电容校准完成后，所述逐次逼近式模拟数字转换器进入正式工作时使用。

第二比较器2与第一比较器1完全相同，在版图设计时也严格匹配。在正常工作时，第二比较器2投入工作，可以直接使用数字校准寄存器4中的待校准电容的实际信息。本发明使用了第一比较器1以及其相关电路进行电容校准，从而不影响正常工作状态下的信号通路。

图4是本发明一实施例提供的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法的流程图。如图4所示，所述电容阵列包括第一电容组和第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括多个待校准电容和多个参考电容，所述第一电容组和所述第二电容组的电容对应设置，其特征在于，该方法基于第一比较器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组，其中，所述采样开关组中的一个采样开关连接在所述第一电容组的上极板和地之间，另一个采样开关连接在所述第二电容组的上极板和地之间；所述第一开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第一电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第二电容组的上极板之间；所述第二开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第二电容组的上极板之间，另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第一电容组的上极板之间；针对所述第一电容组或所述第二电容组的任一待校准电容，该方法包括：

步骤S41，控制所述采样开关组闭合，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；

步骤S42，控制所述第一开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息；

步骤S43，控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；

步骤S44，控制所述第二开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息；

步骤S45，根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括：控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地；

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。

优选地，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。

上文所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法与上文所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统的实施例类似，在此不再赘述。

本发明实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现所述逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法。

本发明实施例提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行所述逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正方法。

本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现以下步骤：

控制所述采样开关组闭合，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第一开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息；控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第二开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息；根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括：控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地；

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。

优选地，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。

本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有如下方法步骤的程序：

控制所述采样开关组闭合，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第一开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息；控制所述采样开关组闭合，所述第一开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样；控制所述第二开关组闭合，所述采样开关组断开，并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息；根据所记录的第一信息和第二信息，得到所针对的待校准电容的实际信息。

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括：控制所针对的待校准电容的下极板接地，所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压，另一电容组的多个参考电容的下极板接地；

优选地，所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第一信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息；所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作，记录所针对的待校准电容的第二信息包括：控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压；以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转，另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转，直到所述第一比较器的输出翻转时，记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。

优选地，所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容，其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。存储器是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。