显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光显示)面板的组件结构较简单、生产成本较低、较为节能，且具有可弯曲的特性，应用范围极广。

目前，OLED面板通过柔性基底实现可弯曲的特性，柔性基底中存在的大量可极化电荷极易被极化形成大量的极化电荷，从而对像素电路中的晶体管的有源层产生极化作用，造成晶体管工作的可靠性较低，降低了OLED面板显示画面的质量。

因此，现有的OLED面板中像素电路中的晶体管的可靠性较低，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供显示面板，以解决现有的OLED面板中因柔性基底对于像素电路中的晶体管的有源层的极化作用，而造成的晶体管的可靠性较低问题。

本发明实施例提供显示面板，包括：

衬底；

薄膜晶体管层，位于所述衬底上，所述薄膜晶体管层包括多个晶体管；

辅助层，位于所述衬底和所述薄膜晶体管层之间，所述辅助层包括第一辅助层、至少位于所述第一辅助层靠近所述衬底的一侧的第二辅助层，所述第二辅助层包括多个辅助部，相邻两所述辅助部之间具有间隙；

其中，所述第一辅助层的组成材料的介电常数小于所述衬底的介电常数，且大于所述第二辅助层的组成材料的介电常数。

在一实施例中，所述第一辅助层包括极化材料，所述第二辅助层包括导电材料。

在一实施例中，所述第一辅助层的透光率大于所述辅助部的透光率。

在一实施例中，所述第一辅助层包括非晶硅，所述第二辅助层包括金属导体。

在一实施例中，多个所述辅助部在所述衬底上均匀排布，并与所述衬底表面直接接触。

在一实施例中，所述第一辅助层覆盖多个所述辅助部并填充所述间隙，且所述第一辅助层还与所述衬底表面直接接触。

在一实施例中，所述第一辅助层的厚度小于或等于10埃。

在一实施例中，所述辅助部靠近所述第一辅助层的一侧包括凸起部、凹陷部中的至少一者。

在一实施例中，所述第一辅助层对应所述辅助部处靠近所述薄膜晶体管层的表面到所述衬底表面的第一距离，大于所述第一辅助层对应所述间隙处靠近所述薄膜晶体管层的表面到所述衬底表面的第二距离。

在一实施例中，所述第二辅助层还位于所述第一辅助层远离所述衬底的一侧，位于所述第一辅助层远离所述衬底的一侧的所述第二辅助层中的多个所述辅助部、位于所述第一辅助层靠近所述衬底的一侧的另一所述第二辅助层中的多个所述辅助部一一对应，且一一对应的两所述辅助部相对设置。

本发明提供了显示面板，包括：衬底；薄膜晶体管层，位于所述衬底上，所述薄膜晶体管层包括多个晶体管；辅助层，位于所述衬底和所述薄膜晶体管层之间，所述辅助层包括第一辅助层、至少位于所述第一辅助层靠近所述衬底的一侧的第二辅助层，所述第二辅助层包括多个辅助部，相邻两所述辅助部之间具有间隙；其中，所述第一辅助层的组成材料的介电常数小于所述衬底的组成材料的介电常数，且大于所述第二辅助层的组成材料的介电常数。其中，本发明通过设置介电常数小于所述衬底的介电常数的第一辅助层，减少了对有源层中的电荷移动的影响，以及通过设置介电常数更小的第二辅助层，但第二辅助层包括间隔排布的多个辅助部，可以进一步减少对有源层中的电荷移动的影响。

附图说明

下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图。

图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。

图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。

图4为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的场景示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“靠近”、“远离”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“两端”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接或者间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。

本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例之间的组合。

在一实施例中，如图1和图2所示，所述显示面板100包括：衬底10；薄膜晶体管层，位于所述衬底10上，所述薄膜晶体管层包括多个晶体管20；辅助层，位于所述衬底10和所述薄膜晶体管层之间，所述辅助层包括第一辅助层30、至少位于所述第一辅助层30靠近所述衬底10的一侧的第二辅助层40，所述第二辅助层40包括多个辅助部401，相邻两所述辅助部401之间具有间隙；其中，所述第一辅助层30的组成材料的介电常数小于所述衬底10的组成材料的介电常数，且大于所述第二辅助层40的组成材料的介电常数。

其中，衬底10的组成材料可以包括聚酰亚胺。进一步的，如图1和图2所示，衬底10可以包括第一衬底101、位于第一衬底101靠近薄膜晶体管层的第二衬底102、位于第一衬底101和第二衬底102之间的第一缓冲层103，第一衬底101的组成材料和第二衬底102的组成材料可以包括聚酰亚胺，第一缓冲层103的组成材料可以包括氧化硅、氮化硅中的至少一者，例如采用氧化硅制作的第一缓冲层103具有吸水、保温的作用，可以延长显示面板100的寿命。

具体的，如图1和图2所示，晶体管20可以包括有源层201、位于有源层201远离衬底10的一侧的栅极层202、位于栅极层202远离衬底10的一侧的源漏极层，源漏极层包括与有源层201的一端部相对设置且电性连接的源极部203，与有源层201的一端部相对设置且电性连接的漏极部204。进一步的，显示面板100还包括位于有源层201和栅极层202之间且覆盖有源层201的第一绝缘层205、覆盖于栅极层202远离衬底10的一侧的第二绝缘层206、位于第二绝缘层206远离衬底10的一侧的金属层207、位于金属层207和源漏极层之间且覆盖金属层207的层间介质层208。

其中，有源层201的组成材料可以包括非晶硅、多晶硅中的至少一者，多晶硅可以包括低温多晶硅，进一步的，有源层201的组成材料还可以包括氧化物。可以理解的，例如采用低温多晶硅技术制备有源层201可以具备较高的电子迁移率，这样当晶体管20给对应的像素充电时，可以产生较大的驱动电流，以提高充电速度；例如采用非晶硅或者氧化物制备的有源层201可以具备低漏电流，以防止曝光情况下晶体管20的漏电对信号造成干扰。具体的，例如有源层201的组成材料包括非晶硅时，有源层201中电性连接至源漏极层的两端可以掺杂粒子以形成两个参杂区域，掺杂粒子可以包括磷离子，参杂区域内掺杂粒子的浓度可以根据实际情况设置；例如有源层201的组成材料包括氧化物时，可以避免设置掺杂粒子以形成参杂区域。

进一步的，结合上文论述，如图1和图2所示，源漏极层可以通过贯穿层间介质层208、第二绝缘层206、部分第一绝缘层205的过孔以延伸至电性连接于有源层201，具体的，第一过孔连通于有源层201的一端部远离衬底10的一侧和层间介质层208远离衬底10的一侧，第二过孔连通于有源层201的另一端部远离衬底10的一侧和层间介质层208远离衬底10的一侧，源极部203填充于第一过孔并延伸至层间介质层208远离衬底10的一侧，漏极部204填充于第二过孔并延伸至层间介质层208远离衬底10的一侧。其中，金属层207可以与栅极层202相对设置以形成对应的像素电路中的电容。

具体的，第一绝缘层205的组成材料、第二绝缘层206的组成材料和层间介质层208的组成材料可以包括无机介电材料、有机介电材料中的至少一种，无机介电材料可以为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，有机介电材料可以为聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或者压克力系树脂材料。具体的，栅极层202的组成材料、金属层207的组成材料和源漏极层的组成材料可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等导电材料中的至少一种，金属可以为铜、铝、钼或者钛。

需要注意的是，结合图1和图2所示，衬底10中存在的大量可极化电荷极易受到外界影响或者显示面板100内部电场影响，被极化形成大量的极化电荷，若未设置辅助层，则衬底10内位于衬底10靠近薄膜晶体管层一侧的大量的极化电荷会对有源层201产生极化作用，造成有源层201中的电荷移动受到影响，降低了晶体管20工作的可靠性。

可以理解的，本实施例中的第一辅助层30的组成材料的介电常数小于衬底10的介电常数，由“介电常数越大，越容易产生极化”这一规律可知，第一辅助层30相对于衬底10被极化的难度较大，因此即使衬底10中形成有大量的极化电荷以及显示面板100内部存在电场影响，位于衬底10和晶体管20之间的第一辅助层30被极化形成的极化电荷的数量还是可以远小于未设置第一辅助层30时衬底10被极化形成的极化电荷的数量，因此有源层201中的电荷移动的影响可以减小，提高了晶体管20工作的可靠性。

进一步的，本实施例中的第二辅助层40的组成材料的介电常数小于第一辅助层30的组成材料的介电常数，同理，根据上文分析，至少位于第一辅助层30靠近衬底10的一侧的第二辅助层40被极化形成的极化电荷的数量还是可以远小于未设置第二辅助层40时第一辅助层30被极化形成的极化电荷的数量，因此有源层201中的电荷移动的影响可以进一步减小，进一步提高了晶体管20工作的可靠性。

本实施例中的通过将第二辅助层40设置为由间隔排列的多个辅助部401构成，可以避免第二辅助层40完全覆盖衬底10，当显示面板100包括位于辅助层下方或者衬底10下方的感光器件、显示面板100为底发光显示器件两者中至少一者情况存在时，第二辅助层40的设置方式可以保证显示面板100的透光率，以避免遮挡较多的光线，提高了显示面板100的亮度、感光器件的工作的可靠性两者中的至少一者。其中，本实施例对于辅助部401的形状和尺寸不作限制。

需要注意的是，第二辅助层40的组成材料的介电常数虽然较小，但是透光率相对于第一辅助层30而言一般较小，即第二辅助层40虽然可以更大地弱化有源层201内的极化现象，但存在透光率较小的劣势；但是结合上文论述，本实施例中，将第二辅助层40设置为由间隔排列的多个辅助部401构成，可以基于“第二辅助层40的组成材料的介电常数较小”这一方面，结合于相邻两辅助部401之间填充组成材料的透光率较大的第一辅助层30，以避免第二辅助层40所处平面的透光率过小。

在一实施例中，所述第一辅助层30填充所述间隙。结合上文论述可知，一方面，本实施例通过设置间隙，且采用透光率较大的第一辅助层30填充间隙可以有效提高显示面板100的透光率，另一方面，基于多个间隙，多个辅助部401无法实现与衬底10重合设置，以至于无法作用于整个衬底10，本实施例通过采用介电常数小于衬底的介电常数的第一辅助层30填充间隙以作用于衬底10，结合上文论述，即第一辅助层30被极化形成的极化电荷的数量还是可以远小于未设置第一辅助层30时衬底10被极化形成的极化电荷的数量，可以在第二辅助层40作用于衬底10的基础上，通过第一辅助层30进一步减小对有源层201中的电荷移动的影响。

在一实施例中，所述第二辅助层40为导体。可以理解的，一方面，导体的介电常数接近于0，结合上文论述，可以极大地降低有源层201中的电荷移动的影响；另一方面，导体的电阻率很小且易于传导电流，导体中存在大量可自由移动的带电粒子，可以吸引介电常数相对较大的第一辅助层30被极化形成的极化电荷，以均匀化带正电的极化电荷、带负电的极化电荷的分布，进一步还可以使得带正电的极化电荷、带负电的极化电荷复合以减少极化电荷的数量，减弱极化的方向性，同样极大地降低有源层201中的电荷移动的影响。

其中，第二辅助层40的组成材料可以包括金属导体，由于金属导体的电导率通常比其他导体材料的大，且金属导体的电阻率一般随温度降低而减小，在极低温度下，某些金属导体与合金的电阻率将消失而转化为“超导体”，可以进一步降低有源层201中的电荷移动的影响。具体的，本实施例中的金属导体可以为但不限于氧化铟锡、银单质、钼单质、铝单质、石墨烯、超导金属、超导合金，可以理解的，以上列举的金属导体相对于其它的金属导体，具有较高的透光率以避免较多地降低显示面板100的透光率，且具有较小的弹性模量以满足显示面板100所需的应力、应变需求。

在一实施例中，如图1和图2所示，多个所述辅助部401均匀排布，并与所述衬底表面直接接触。可以理解的，结合上文论述，一方面，第二辅助层40被极化形成的极化电荷的数量极少，且第二辅助层40靠近有源层201而设置，即每一辅助部401可以削弱衬底10中相应位置以及第一辅助层30中相应位置对于有源层201的极化作用，因此均匀排布的多个辅助部401可以均匀化有源层201中电荷移动的影响被削弱的区域，进一步优化有源层201中电荷移动的影响削弱的方式；另一方面，均匀排布的多个辅助部401可以均匀化对应的多个间隙的排布，以均匀化显示面板100中各个区域的透光率，优化对于显示面板100的透光率的提高方式。

进一步的，当第二辅助层40为导体时，本实施例中均匀排布的多个辅助部401也可以均匀化第二辅助层40中用于吸引第一辅助层30的极化电荷的区域，进一步均匀化第一辅助层30的电荷分布，同时也可以进一步均匀化第二辅助层40中用于复合第一辅助层30中的极化电荷的区域，以进一步减弱第一辅助层30极化的方向性，因此，本实施例可以进一步极大地降低有源层201中的电荷移动的影响。

在一实施例中，所述第一辅助层30覆盖多个所述辅助部401靠近所述薄膜晶体管层的一侧。具体的，本实施例中的多个辅助部401靠近第一辅助层30的一侧可以包裹于第一辅助层30之内，使得在多个辅助部401形成于衬底10之上的基础上，且当辅助部401的表面积一定的情况下，可以使得辅助部401未接触于衬底10的其它表面均接触于第一辅助层30而充分作用于第一辅助层30中的可极化电荷，以减少极化电荷的数量，从而减少对于有源层201中电荷移动的影响。进一步的，结合上文论述，第一辅助层30可以覆盖多个所述辅助部401并填充相邻两辅助部401之间的间隙，且第一辅助层30还与衬底10表面直接接触。

在一实施例中，如图1和图2所示，所述辅助部401靠近所述第一辅助层30的一侧包括凸起部、凹陷部中的至少一者。具体的，所述辅助部401靠近所述第一辅助层30的一侧呈现为不平坦的状态，且结合上文论述，第一辅助层30靠近第二辅助层40的一侧的形状与多个所述辅助部401靠近第一辅助层30的一侧的形状相匹配，即第一辅助层30靠近第二辅助层40的一侧也包括凸起部、凹陷部中的至少一者。可以理解的，本实施例中的辅助部401靠近第一辅助层30的一侧呈凸出状，且两者靠近彼此的一侧的形状相匹配，即包括极少数的极化电荷的第二辅助层40与第一辅助层30接触于第一辅助层30的面积较大，可以作用第一辅助层30中的电荷的比例较多，对应的，第一辅助层30中可被衬底10极化的电荷的数量较少，可以减少对于有源层201的极化作用。

进一步的，当第二辅助层40为导体时，本实施例中具有较大相对设置的面积的第二辅助层40与第一辅助层30，增大了第二辅助层40中用于吸引第一辅助层30的极化电荷的区域面积，进一步增大了对于第一辅助层30的电荷分布的均匀化作用，同时也增大了第二辅助层40中用于复合第一辅助层30中的极化电荷的区域面积，以进一步减弱第一辅助层30极化的方向性，因此，本实施例可以进一步极大地降低有源层201中的电荷移动的影响。

其中，所述第一辅助层30对应所述辅助部401处靠近所述薄膜晶体管层的表面到所述衬底10表面的第一距离，大于所述第一辅助层30对应所述间隙处靠近所述薄膜晶体管层的表面到所述衬底10表面的第二距离。可以理解的，结合上文论述，第一辅助层30上还设有多个晶体管，本实施例中限定第一距离大于第二距离，以对第一辅助层30靠近薄膜晶体管层的一侧进行了平坦化处理，可以便于后期形成稳固的多个晶体管，提高制程的良率，进一步的，第一辅助层30靠近薄膜晶体管层的一侧可以平行于衬底10。

在一实施例中，所述第一辅助层30的厚度小于10埃。可以理解的，由于第一辅助层30的作用为降低衬底10中的极化电荷对有源层201中电荷移动的影响，而本不希望第一辅助层30的厚度较大，故本实施例中限定第一辅助层30的厚度小于10埃，可以在维持第一辅助层30的作用的同时，避免第一辅助层30的厚度过大而增加显示面板100的厚度或者影响显示面板100的应力。当然，辅助部401的厚度也可以大于第一辅助层30的厚度。

在一实施例中，如图2所示，所述第二辅助层40还位于所述第一辅助层30远离所述衬底10的一侧，位于所述第一辅助层30远离所述衬底10的一侧的所述第二辅助层40中的多个所述辅助部401、位于所述第一辅助层30靠近所述衬底10的一侧的另一所述第二辅助层40中的多个所述辅助部401一一对应，且一一对应的两所述辅助部401相对设置。

具体的，形成第一辅助层30后，可以通过但不限于黄光制程以形成多个凹槽，多个凹槽可以与位于第一辅助层30靠近衬底10的一侧的第二辅助层40中的多个辅助部401一一对应，再于多个凹槽内通过但不限于物理气相沉积的方式形成多个辅助部401，以构成位于第一辅助层30靠近衬底10的一侧的另一第二辅助层40。可以理解的，在第一辅助层30的厚度大于靠近衬底10的一侧的第二辅助层40的厚度时，可以形成远离衬底10的一侧的多个辅助部401，以进一步作用于第一辅助层30中的极化电荷，从而进一步减小对于有源层201中电荷移动的影响，同时由于一一对应的两所述辅助部401相对设置，也避免了额外减小显示面板100的透光率。

在一实施例中，所述第一辅助层30的组成材料包括极化材料。其中，极化可以理解为电流的移动而最终导致电位偏离电极开路电位的现象，此处的“极化材料”可以理解为具有极化特性的材料，例如可以对衬底10产生极化作用，也可以第一辅助层30本身被极化。具体的，第一辅助层30的组成材料可以包括非晶硅。其中，非晶硅与衬底10之间的吸附力较大，有利于第一辅助层30的形成，提高了辅助层和衬底10之间的稳固性。具体的，非晶硅可以由天然的硅的氧化物制取，成本较低，且非晶硅为半导体，可以实现降低衬底10中的极化电荷对于有源层201的电荷移动的影响的作用。

在一实施例中，如图1和图2所示，所述显示面板100还包括：缓冲层50，位于所述辅助层靠近所述薄膜晶体管层的一侧，所述缓冲层50的组成材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一者。需要注意的是，采用化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺形成的辅助层靠近薄膜晶体管层的一侧会较为粗糙，本实施例中可以采用但不限于化学气相沉积工艺形成具有一定厚度的缓冲层50，即可以理解为缓冲层50靠近薄膜晶体管层的一侧会较为平坦，有利于形成薄膜晶体管层。

其中，采用氮化硅、氧化硅中的至少一者形成的缓冲层50可以具有吸水的作用以防止外界水汽浸入以损伤发光器件，也可以具有保温的作用以防止制程工艺中强烈的温度变化以降低有源层201的可靠性。具体的，缓冲层50可以包括第二缓冲层501、位于第二缓冲层501上的第三缓冲层502，第二缓冲层501、第三缓冲层502中的一者的组成材料可以包括氮氧化硅、第二缓冲层501、第三缓冲层502中的另一者的组成材料可以包括氧化硅；再进一步的，缓冲层50还可以包括采用氮氧化硅制作的第三缓冲层。进一步的，缓冲层50和薄膜晶体管层之间还可以设置介电层，介电层用于绝缘有源层201和其它膜层，介电层的组成材料可以参考上文关于缓冲层50的组成材料的相关说明。

本发明还提供显示面板的制作方法，所述方法包括但不限于以下实施例以及以下实施例之间的组合。

在一实施例中，结合图3和图4所示，所述显示面板的制作方法包括但不限于如下步骤。

S10，提供一衬底。

具体的，结合图1至图4所示，衬底10可以包括第一衬底101、位于第一衬底101靠近薄膜晶体管层的第二衬底102、位于第一衬底101和第二衬底102之间的第一缓冲层103，第一衬底101的组成材料和第二衬底102的组成材料可以包括聚酰亚胺，第一缓冲层103的组成材料可以包括氧化硅、氮化硅中的至少一者，例如采用氧化硅制作的第一缓冲层103具有吸水、保温的作用，可以延长显示面板100的寿命。

S20，在所述衬底上形成辅助层，所述辅助层包括第一辅助层、至少位于所述第一辅助层靠近所述衬底的一侧的第二辅助层，所述第二辅助层包括多个辅助部，相邻两所述辅助部之间具有间隙，所述第一辅助层的组成材料的介电常数小于所述衬底的介电常数，且大于所述第二辅助层的组成材料的介电常数，所述第一辅助层的透光率大于所述第二辅助层的透光率。

需要注意的是，结合上文论述，若未设置辅助层，衬底10中大量可极化电荷极被极化形成大量的极化电荷后，会对有源层201产生极化作用，造成有源层201中的电荷移动受到影响。

其中，结合图1至图4所示，第二辅助层40至少位于第一辅助层30靠近衬底10的一侧，即可以在形成第一辅助层30之前形成第二辅助层40。具体的，可以至少在第二衬底102上通过物理气相沉积的方式形成第二辅助层40，例如将第二辅助层40的组成材料的材料源表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过等离子体过程，在第二衬底102表面沉积以形成第二辅助层40。需要注意的是，用于沉积第二辅助层40的能量可以较小，以避免第二辅助层40的组成材料溅入至衬底10内，甚至造成衬底10翘起。

在此基础上，进一步的，可以通过具有多个开口的掩模版，结合物理气相沉积的方式以在第二衬底102表面沉积形成与多个开口一一对应的多个辅助部401，以构成第二辅助层40。具体的，此处对多个辅助部401的数量、排布方式不作限制，可以参考上文关于辅助部401的相关描述。

其中，结合图1至图4所示，在形成第二辅助层40之后，可以通过化学沉积的方式于第二辅助层40上形成第一辅助层30，第一辅助层30可以覆盖第二辅助层40的部分或者全部。具体的，如图1、图2和图4所示，此处以第二辅助层40包括间隔设置的多个辅助部401为例进行说明，可以与衬底10和多个辅助部401上沉积第一辅助层30的组成材料，以形成第一辅助层30。其中，第一辅助层30的厚度可以小于10埃。

可以理解的，本实施例中的第一辅助层30的组成材料的介电常数小于衬底10的介电常数，由“介电常数越大，越容易产生极化”这一规律可知，第一辅助层30相对于衬底10被极化的难度较大，因此即使衬底10中形成有大量的极化电荷以及显示面板100内部存在电场影响，位于衬底10和晶体管20之间的第一辅助层30被极化形成的极化电荷的数量还是可以远小于未设置第一辅助层30时衬底10被极化形成的极化电荷的数量，因此有源层201中的电荷移动的影响可以减小，提高了晶体管20工作的可靠性。

进一步的，本实施例中的第二辅助层40的组成材料的介电常数小于第一辅助层30的组成材料的介电常数，同理，根据上文分析，至少位于第一辅助层30靠近衬底10的一侧的第二辅助层40被极化形成的极化电荷的数量还是可以远小于未设置第二辅助层40时第一辅助层30被极化形成的极化电荷的数量，因此有源层201中的电荷移动的影响可以进一步减小，进一步提高了晶体管20工作的可靠性。

需要注意的是，第二辅助层40的介电常数虽然较小，但是透光率相对于第一辅助层30而言较大，即第二辅助层40虽然可以更大地弱化有源层201内的极化现象，但存在透光率较小的劣势。可以理解的，本实施例中的通过将第二辅助层40设置为由间隔排列的多个辅助部401构成，可以避免第二辅助层40完全覆盖于衬底10，当显示面板100包括位于辅助层下方或者衬底10下方的感光器件、显示面板100为底发光显示器件两者中至少一者情况存在时，第二辅助层40的设置方式可以保证显示面板100的透光率，以避免遮挡较多的光线，提高了显示面板100的亮度、感光器件的工作的可靠性两者中的至少一者。其中，本实施例对于辅助部401的形状和尺寸不作限制。

S30，在所述辅助层远离所述衬底的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个晶体管。

其中，结合图1、图2和图4所示，晶体管20可以包括有源层201、位于有源层201远离衬底10的一侧的栅极层202、位于栅极层202远离衬底10的一侧的源漏极层，源漏极层包括与有源层201的一端部相对设置且电性连接的源极部203，与有源层201的一端部相对设置且电性连接的漏极部204。进一步的，显示面板100还包括位于有源层201和栅极层202之间且覆盖有源层201的第一绝缘层205、覆盖于栅极层202远离衬底10的一侧的第二绝缘层206、位于第二绝缘层206远离衬底10的一侧的金属层207、位于金属层207和源漏极层之间且覆盖金属层207的层间介质层208。具体的，关于晶体管20中具体结构的相关描述可以参考上文中关于晶体管20中具体结构的相关描述。

进一步的，结合图1、图2和图4以及上文论述，在形成薄膜晶体管层之前，可以于辅助层远离衬底10的一侧形成缓冲层50，例如可以先于辅助层远离衬底10的一侧形成第二缓冲层501、再于第二缓冲层501远离衬底10的一侧形成第三缓冲层502，第二缓冲层501的组成材料和第三缓冲层502的组成材料可以参考上文的相关描述。

具体的，例如有源层201的组成材料包括非晶硅时，可以直接于缓冲层50远离衬底10的一侧采用非晶硅材料形成有源层201，当然，也可以采用准分子激光退火工艺处理非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜，再通过图案化形成有源层201。具体的，对于采用非晶硅制作的有源层201而言，可以向有源层201的两端注入掺杂粒子以形成两个参杂区域后，再形成覆盖有源层201的第一绝缘层205；也可以先形成覆盖有源层201的第一绝缘层205，再通过向第一绝缘层205中注入掺杂粒子以间接流入至有源层201的两端以形成两个参杂区域。具体的，可以于第一绝缘层205远离衬底10的一侧通过但不限于蒸镀工艺或者物理气相沉积工艺，并且结合图案化以形成栅极层202，进一步的，栅极层202在有源层201所在平面上的正投影可以位于有源层201的边界之内，可以以栅极层202为阻挡部，向有源层201超出于栅极层202的部分注入掺杂粒子以促进两个参杂区域的形成，本次掺杂的浓度可以高于前一次掺杂的浓度。具体的，可以形成覆盖栅极层202的第二绝缘层206，再于第二绝缘层206上通过但不限于蒸镀工艺或者物理气相沉积工艺，并且结合图案化以形成金属层207，金属层207和栅极层202相对设置以形成电容。具体的，可以形成覆盖金属层207的层间介质层208，再形成贯穿于层间介质层208、第二绝缘层206和部分第一绝缘层205的两过孔，两过孔连通于有源层201的两端和层间介质层208远离衬底10的一侧，再于过孔内填充源漏极层的组成材料并延伸至层间介质层208远离衬底10的一侧，结合图案化以形成源极部203和漏极部204。再进一步的，可以于层间介质层208远离衬底10的一侧、源漏极层远离衬底10的一侧形成发光层、像素定义层、封装层等膜层。

本发明提供了显示面板，包括：衬底；薄膜晶体管层，位于所述衬底上，所述薄膜晶体管层包括多个晶体管；辅助层，位于所述衬底和所述薄膜晶体管层之间，所述辅助层包括第一辅助层、至少位于所述第一辅助层靠近所述衬底的一侧的第二辅助层，所述第二辅助层包括多个辅助部，相邻两所述辅助部之间具有间隙；其中，所述第一辅助层的组成材料的介电常数小于所述衬底的组成材料的介电常数，且大于所述第二辅助层的组成材料的介电常数。其中，本发明通过设置介电常数小于所述衬底的介电常数的第一辅助层，减少了对有源层中的电荷移动的影响，以及通过设置介电常数更小的第二辅助层，但第二辅助层包括间隔排布的多个辅助部，可以进一步减少对有源层中的电荷移动的影响。

以上对本发明实施例所提供的显示面板的结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。