叶片部件、结构部件

技术领域

本发明例如涉及涡轮叶片等叶片部件及结构部件的技术领域。

背景技术

作为叶片部件及结构部件的一例，可列举用于涡轮的涡轮叶片。例如，专利文献1中记载有在表面形成有槽结构的涡轮叶片。在该叶片部件及结构部件中要求在表面形成适当的槽结构。

背景技术文献

专利文献

专利文献1：欧州专利第2283169号

发明内容

根据第一实施方式，提供一种叶片部件，在表面形成有槽结构，所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，多个所述第一槽结构以在第一方向上延伸的方式形成，多个所述第二槽结构以在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的方式形成，所述第三槽结构沿与所述第一方向及所述第二方向不同的第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

根据第二实施方式，提供一种叶片部件，在表面形成有槽结构，所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，多个所述第二槽结构是在第二方向上延伸的第二波形状，且沿与所述第二方向交叉的方向以与所述第一排列间距不同的第二排列间距排列的方式形成，所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

根据第三实施方式，提供一种叶片部件，在表面形成有槽结构，具备：第一区域，形成有在第一方向上延伸的槽结构；第二区域，未形成所述槽结构；及第三区域，位于所述第一区域与所述第二区域之间，且形成有与所述第一区域的槽结构连接的槽结构；形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域向所述第二区域接近而变浅。

根据第四实施方式，提供一种结构部件，在表面形成有槽结构，所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，多个所述第一槽结构以在第一方向上延伸的方式形成，多个所述第二槽结构以在第二方向上延伸的方式形成，所述第三槽结构沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

根据第五实施方式，提供一种结构部件，在表面形成有槽结构，所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，多个所述第二槽结构是在第二方向上延伸的第二波形状，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列的方式形成，所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

根据第六实施方式，提供一种结构部件，在表面形成有槽结构，所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，多个所述第二槽结构在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列的方式形成，所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

根据第七实施方式，提供一种结构部件，在表面形成有槽结构，具备：第一区域，形成有在第一方向上延伸的槽结构；第二区域，未形成所述槽结构；及第三区域，位于所述第一区域与所述第二区域之间，且形成有与所述第一区域的槽结构连接的槽结构；形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域向所述第二区域接近而变浅。

附图说明

图1是示意性表示本实施方式的加工系统的整体结构的截面图。

图2是表示本实施方式的加工系统的系统构成的系统构成图。

图3是表示涡轮的外观的立体图。

图4是表示涡轮叶片的外观的立体图。

图5是表示涡轮叶片的外观的立体图。

图6(a)是表示脊状结构的立体图，图6(b)是表示脊状结构的截面图(图6(a)的VI-VI'截面图)，图6(c)是表示脊状结构的顶视图。

图7是示意性表示涡轮叶片的表面上的流线的一例的俯视图。

图8是示意性表示根据与流线相关的信息来形成的脊状结构的一例的俯视图。

图9是表示根据与流线相关的信息来形成脊状结构的动作的一例的流程的流程图。

图10示意性表示流线信息的一例。

图11示意性表示间距信息的一例。

图12示意性表示脊状线。

图13是表示形成有脊状结构的涡轮叶片的俯视图。

图14是表示形成有脊状结构的涡轮叶片的俯视图。

图15是表示形成有脊状结构的涡轮叶片的俯视图。

图16是示意性表示具备波纹槽结构的脊状结构的俯视图。

图17是示意性表示具备波纹槽结构的脊状结构的俯视图。

图18是示意性表示具备波纹槽结构的脊状结构的俯视图。

图19是示意性表示具备波纹槽结构的脊状结构的俯视图。

图20(a)是表示包含实施了终端处理的槽结构的脊状结构的立体图，图20(b)是表示包含实施了终端处理的槽结构的脊状结构的截面图。

图21(a)是表示槽结构的截面的截面图(尤其是图20(a)的B-B'截面图)，图21(b)是表示槽结构的截面的截面图(尤其是图20(a)的C-C'截面图)。

图22(a)是表示槽结构的截面的截面图(尤其是图20(a)的B-B'截面图)，图22(b)是表示槽结构的截面的截面图(尤其是图20(a)的C-C'截面图)。

图23表示加工光对形成区域的照射次数。

图24表示形成区域中的照射区域的移动速度。

图25表示形成区域中的加工光的强度。

图26是表示不包含槽结构的脊状结构的截面图。

图27是表示包含实施了终端处理的槽结构的另一例的脊状结构的截面图。

图28是表示包含实施了终端处理的槽结构的另一例的脊状结构的截面图。

图29是表示包含实施了终端处理的槽结构的另一例的脊状结构的截面图。

图30是表示包含实施了终端处理的槽结构的另一例的脊状结构的截面图。

图31是表示包含实施了终端处理的槽结构的另一例的脊状结构的截面图。

图32是表示修正前的脊状信息所示的脊状结构与修正后的脊状信息所示的脊状结构的截面图。

图33是表示修正前的脊状信息所示的脊状结构与修正后的脊状信息所示的脊状结构的截面图。

图34是表示修正前的脊状信息所示的脊状结构与修正后的脊状信息所示的脊状结构的截面图。

图35是表示修正前的脊状信息所示的脊状结构与修正后的脊状信息所示的脊状结构的截面图。

[符号的说明]

1加工装置

3控制装置

8山结构

9槽结构

EL加工光

SYS加工系统

W工件

BL涡轮叶片

RB脊状结构

RL脊状线

具体实施方式

以下，参照附图对叶片部件、结构部件、加工系统及加工方法的实施方式进行说明。以下，使用加工系统SYS对叶片部件、结构部件、加工系统及加工方法的实施方式进行说明，该加工系统SYS使用加工光EL进行加工处理。但，本发明并不限定于以下说明的实施方式。

此外，以下说明中，使用由相互正交的X轴、Y轴及Z轴定义的XYZ正交坐标系统，对构成加工系统SYS的各种构成要素的位置关系进行说明。另外，以下说明中，为便于说明，设X轴方向及Y轴方向的各者为水平方向(即，水平面内的特定方向)，设Z轴方向为铅垂方向(即，为与水平面正交的方向，实质上为上下方向)。此外，将绕X轴、Y轴及Z轴的旋转方向(换言之，倾斜方向)分别称为θX方向、θY方向及θZ方向。此处，也可将Z轴方向设为重力方向。此外，也可将XY平面设为水平方向。

(1)加工系统SYS的结构

首先，参照图1及图2对本实施方式的加工系统SYS的结构进行说明。图1是示意性表示本实施方式的加工系统SYS的结构的截面图。图2是表示本实施方式的加工系统SYS的系统构成的系统构成图。

如图1及图2所示，加工系统SYS具备加工装置1、加工光源2及控制装置3。加工装置1的至少一部分收容在壳体4的内部空间中。壳体4的内部空间可利用氮气体等冲洗气体进行冲洗，也可不利用冲洗气体进行冲洗。壳体4的内部空间可抽真空，也可不抽真空。其中，加工装置1也可不收容在壳体4的内部空间中。即加工系统SYS也可不具备收容加工装置1的壳体4。

加工装置1可在控制装置3的控制下对作为加工对象物(也称为母材)的工件W进行加工。工件W例如可为金属，可为合金(例如杜拉铝等)，可为半导体(例如硅)，可为树脂，可为CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic，碳纤维增强塑料)等复合材料，可为涂料(作为一例而为涂布于基材上的涂料层)，可为玻璃，也可为由除此以外的任意材料构成的物体。

工件W的表面也可利用与工件W不同的材质的膜来涂布。该情况下，涂布在工件W的表面上的膜的表面也可为通过加工装置1来加工的面。即便在该情况下，也可视为加工装置1对工件W进行加工(即，对涂布有膜的工件W进行加工)。

加工装置1对工件W照射加工光EL以对工件W(例如上述涡轮叶片BL)进行加工。加工光EL只要可通过照射至工件W来对工件W进行加工，则可为任意种类的光。本实施方式中，使用加工光EL为激光的光的例来进行说明，但加工光EL也可为与激光的光不同种类的光。进而，加工光EL的波长只要可通过照射至工件W来对工件W进行加工，则可为任意波长。例如，加工光EL可为可见光，也可为不可见光(例如红外光、紫外光及极紫外光等的至少一种)。加工光EL可包含脉冲光(例如发光时间为皮秒以下的脉冲光)。或者，加工光EL也可不包含脉冲光。换言之，加工光EL可为连续光。

加工装置1也可进行通过对工件W照射加工光EL来将工件W的一部分去除的去除加工。本实施方式中，加工装置1通过进行去除加工，而在工件W的表面形成其后参照图6所详述的脊状结构RB。脊状结构RB也可包含降低工件W的表面对流体的阻力(尤其是摩擦阻力及扰流摩擦阻力的至少一者)的结构。脊状结构RB也可包含降低流体相对于工件W的表面相对性地移动时产生的噪声的结构。另外，此处所说的“流体”是指相对于工件W的表面流动的媒介(例如气体及液体的至少一者)。例如，当在媒介自身静止的状况下工件W的表面相对于媒介移动时，也可将该媒介称为流体。另外，媒介静止的状态也可是指媒介相对于特定的基准物(例如地表面)不移动的状态。

作为形成脊状结构RB的工件W的一例，可列举涡轮叶片BL。该情况下，加工装置1也可通过对涡轮叶片BL进行加工而在涡轮叶片BL的表面形成脊状结构RB。涡轮叶片BL是用于作为流体机械的一例的涡轮T的部件。具体而言，涡轮叶片BL是构成涡轮T的叶片的叶片状的部件。即，涡轮叶片BL是构成涡轮T的叶片的结构体。因此，涡轮叶片BL也可称为叶片部件或结构部件。图3及图4中表示涡轮T的一例。图3是表示涡轮T的外观的立体图。图4是表示涡轮叶片BL的外观的立体图。如图3及图4所示，涡轮T具备多个涡轮叶片BL。涡轮叶片BL包含柄91、及与柄91结合且从柄91向涡轮T的半径方向外侧延伸的叶片本体92。柄91及叶片本体92的至少一者也可由单一金属构成。柄91及叶片本体92的至少一者也可由多种金属构成。柄91及叶片本体92的至少一者也可通过现有的制造方法(例如使用铸造、锻造、附加加工、去除加工及机械加工中的至少一者的制造方法)来制造。也可将柄91及叶片本体92一体地制造。或者，也可将分开制造的柄91及叶片本体92通过现有的结合方法(例如使用焊接、钎焊及粘着等中的至少一者的结合方法)来结合。也可将多个涡轮叶片BL各自具备的多个柄91相互结合。结合的多个柄91也可构成可旋转的转动件RT的至少一部分。也可将转动件RT与涡轮叶片BL一体地形成。

叶片本体92从柄91的平台911向涡轮T的半径方向外侧延伸。平台911包含正压侧平台9111与负压侧平台9112。叶片本体92包含正压面921、朝向正压面921的相反侧的负压面922、与柄91结合的根部923、及构成根部923的相反侧的端部的前端部924。叶片本体92进而包含位于正压面921与负压面922之间的前缘面925、及在前缘面925的相反侧位于正压面921与负压面922之间的后缘面926。正压面921、负压面922、前缘面925及后缘面926中的至少一者的表面也可包含曲面。例如，图4所示的例中，至少正压面921及负压面922的各者的表面包含曲面。

涡轮T可利用供给至涡轮T的流体的流动来旋转。具体而言，对涡轮T供给流体(例如水、蒸气、空气及气体中的至少一者)。供给至涡轮T的流体沿多个涡轮叶片BL各自的表面流动。因此，涡轮叶片BL在流体中使用。其结果，流体的运动能量通过多个涡轮叶片BL而转换为涡轮T的旋转能量。作为该涡轮T的一例，可列举使用蒸气作为流体的蒸气涡轮及使用气体作为流体的气体涡轮中的至少一者。作为该涡轮T的另一例，可列举使用水作为流体的水力涡轮及使用空气作为流体的浮力涡轮中的至少一者。此外，涡轮T也可为通过其旋转而产生流体的流动的涡轮。

另外，图3及图4所示的涡轮T具备轴流型的涡轮叶片BL。即，图3及图4所示的涡轮T为轴流涡轮。然而，涡轮T如图5所示也可为径流式涡轮(即，径向涡轮)。径流式涡轮中，如图5的箭头F1及F2所示，流体相对于涡轮叶片BL的旋转轴120平行地侵入涡轮叶片BL，并从出口部分160向与旋转轴120交叉的方向流出。

以下说明中，为便于说明，对工件W为涡轮叶片BL的例进行说明。但，工件W并不限定于涡轮叶片BL。即，脊状结构RB也可形成在与涡轮叶片BL不同的工件W上。作为形成脊状结构RB的工件W的另一例，可列举相对于媒介(例如，流体)相对性地移动的任意部件。例如，工件W也可为风扇或螺旋浆的至少一部分(例如，构成风扇或螺旋浆的叶片的部件)。风扇是用于送风机等来形成气体的流动的部件(典型的是，旋转体)。螺旋浆例如是将从包含引擎及电动机的至少一者的原动机输出的旋转力转换为包含飞机及船舶等的至少一者的移动体的推进力的部件(典型的是，旋转体)。例如，工件W也可为叶轮的至少一部分(例如，构成风扇或螺旋浆的叶片的部件)。叶轮例如是用于泵的部件，且为能够以产生使泵送出(或者，吸出)流体的力的方式旋转的叶轮。例如，工件W也可为配置在叶轮的周围的静止的分离板的至少一部分。例如，工件W也可为包含飞机及船舶等的至少一者的移动体的壳体(例如，机体或船体)的至少一部分。例如，工件W也可为飞机等飞行体的翼部分(所谓的翼(wing))的至少一部分。

工件W也可包含外壳。即，脊状结构RB也可形成在外壳的至少一部分。例如，在外壳用于涡轮T的情况下，脊状结构RB也可形成在面向收容涡轮叶片BL(即，可动翼)的收容空间及流体流动的通路中的至少一者的外壳的内壁面的至少一部分。例如，在外壳用于泵的情况下，脊状结构RB也可形成在面向收容叶轮的收容空间及流体流动的通路中的至少一者的外壳的内壁面的至少一部分。例如，在外壳用于用来收容空调机(例如，构成空调机的室内机及室外机中的至少一者)的风扇的情况下，脊状结构RB也可形成在面向收容风扇的收容空间、流体(例如，冷媒)流动的通路、及空调机的通风路中的至少一者的外壳的内壁面的至少一部分。

工件W也可为用于风力发电的风车的叶片(即，叶片(blade))。即，脊状结构RB也可形成在风车的叶片上。特别地，脊状结构RB也可形成在用来获得环境负载较低的清洁能源(或者，自然能源或可再生能源)的风车的叶片。该情况下，可谋求能量效率的提高。

或者，加工装置1除进行去除加工以外或其它可代替的方式，也可进行附加加工，该附加加工是通过对工件W照射加工光EL来对工件W附加新的结构物。该情况下，加工装置1也可通过进行附加加工而在工件W的表面形成上述脊状结构RB。或者，加工装置1除进行去除加工及附加加工的至少一者以外或其它可代替的方式，也可进行机械加工，该机械加工是通过使工具接触于工件W来对工件W进行加工。该情况下，加工装置1也可通过进行机械加工而在工件W的表面形成上述脊状结构RB。

加工光EL从产生加工光EL的加工光源2经由未图示的光传输部件(例如，光纤及镜片的至少一者)而供给至加工装置1。加工装置1将从加工光源2供给的加工光EL照射至工件W。

为了对工件W进行加工，加工装置1具备加工头11、头驱动系统12、载台13、及载台驱动系统14。

加工头1将来自加工光源2的加工光EL照射至工件W。为了将加工光EL照射至工件W，加工头11具备加工光学系统111。加工头11经由加工光学系统111而将加工光EL照射至工件W。加工光学系统111例如也可将加工光EL聚光于工件W的表面。加工光学系统111例如也可控制加工光EL的光学特性。作为加工光EL的光学特性的一例，可列举加工光EL的强度、加工光EL的强度的经时性变化、加工光EL的聚光位置、加工光EL相对于工件W的入射角度、与加工光学系统111的光轴交叉的光学面内的加工光EL的形状、该光学面内的加工光EL的强度分布、及加工光的脉冲数(其中，加工光为脉冲光的情况下)中的至少一者。

头驱动系统12在控制装置3的控制下，使加工头11沿X轴方向、Y轴方向及Z轴方向的至少一者移动。另外，头驱动系统12除X轴方向、Y轴方向及Z轴方向的至少一者以外或其它可代替的方式，也可使加工头11沿θX方向、θY方向及θZ方向的至少一者移动。当加工头11移动时，载台13(进而，载置于载台13的工件W)与加工头11的位置关系发生改变。进而，当载台13及工件W与加工头11的位置关系发生改变时，工件W上的加工光EL的照射位置会发生改变。

在载台13上载置工件W。载台13也可不保持载置于载台13的工件W。即，载台13也可不对载置于载台13的工件W施加用来保持该工件W的保持力。或者，载台13也可保持载置于载台13的工件W，即，载台13也可对载置于载台13的工件W施加用来保持该工件W的保持力。例如，载台13也可通过对工件W进行真空吸附及/或静电吸附来保持工件W。

载台驱动系统14在控制装置3的控制下使载台13移动。具体而言，载台驱动系统14使载台13相对于加工头11移动。例如，载台驱动系统14在控制装置3的控制下，使载台13沿X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、θX方向、θY方向及θZ方向的至少一者移动。另外，使载台13沿θX方向、θY方向及θZ方向的至少一者移动，也可视为与变更载台13(进而，载置于载台13的工件W)的绕X轴、Y轴及Z轴的至少一者的姿势等效。或者，使载台13沿θX方向、θY方向及θZ方向的至少一者移动，也可视为与使载台13绕X轴、Y轴及Z轴的至少一者旋转(或旋转移动)等效。

当载台13移动时，载台13(进而，载置于载台13的工件W)与加工头11的位置关系发生改变。进而，当载台13及工件W与加工头11的位置关系发生改变时，工件W上的加工光EL的照射位置发生改变。

控制装置3控制加工系统SYS的动作。例如，控制装置3也可产生用来对工件W进行加工的加工控制信息，并且以根据产生的加工控制信息来对工件W进行加工的方式，基于加工控制信息来控制加工装置1。即，控制装置3也可控制工件W的加工。

控制装置3也可包含例如运算装置与存储装置。运算装置也可包含例如CPU(Central Processing Unit，中央处理器)及GPU(Graphics Processing Unit，图形处理器))的至少一者。控制装置3作为如下装置发挥功能，即，通过运算装置执行电脑程序来控制加工系统SYS的动作。该电脑程序是用来使控制装置3(例如，运算装置)进行(即，执行)控制装置3应进行的下述动作的电脑程序。即，该电脑程序是用来以使加工系统SYS进行下述动作的方式使控制装置3发挥功能的电脑程序。运算装置执行的电脑程序可记录在控制装置3所具备的存储装置(即，记录介质)中，也可记录在可内置于控制装置3或外接于控制装置3的任意存储介质(例如，硬盘、半导体存储器)。或者，运算装置也可经由网络接口从控制装置3的外部的装置下载应执行的电脑程序。

控制装置3也可不设置在加工系统SYS的内部。例如，控制装置3也可作为服务器等设置在加工系统SYS外。该情况下，控制装置3与加工系统SYS也可经由有线和/或无线网络(或者，数据总线和/或通信线路)连接。作为有线网络，也可使用例如利用IEEE(Instituteof Electrical and Electronic Engineers，电气与电子工程师协会)1394、RS-232x、RS-422、RS-423、RS-485及USB的至少一者所代表的串行总线方式的接口的网络。作为有线网络，也可使用利用并行总线方式的接口的网络。作为有线网络，也可使用利用依据10BASE-T、100BASE-TX及1000BASE-T的至少一者所代表的以太网络(注册商标)的接口的网络。作为无线网络，也可使用利用电波的网络。作为利用电波的网络的一例，可列举依据IEEE802.1x的网络(例如，无线LAN及Bluetooh(蓝牙)(注册商标)的至少一者)。作为无线网络，也可使用利用红外线的网络。作为无线网络，也可使用利用光通信的网络。该情况下，控制装置3与加工系统SYSs也可构成为能经由网络来收发各种信息。此外，控制装置3也可经由网络向加工系统SYS发送指令、控制参数等信息。加工系统SYS也可具备接收装置，该接收装置经由所述网络来接收控制装置3的指令、控制参数等信息。或者，也可将进行控制装置3进行的处理中的一部分的第一控制装置设置在加工系统SYS的内部，另一方面，将进行控制装置3进行的处理中的另一部分的第二控制装置设置在加工系统SYS的外部。

另外，作为记录运算装置执行的电脑程序的记录介质，也可使用CD-ROM、CD-R、CD-RW、软盘、MO、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW及Blu-ray(注册商标)等光盘、磁带等磁介质、磁光盘、USB存储器等半导体存储器、及其他可存储程序的任意介质中的至少一种。记录介质也可包含可记录电脑程序的机器(例如，以能够用软件及固件等的至少一方式执行的状态安装有电脑程序的通用机器或专用机器)。进而，电脑程序中所包含的各处理、功能，可通过由控制装置3(即，电脑)执行电脑程序来在控制装置3内实现的逻辑性处理区块而实现，也可通过控制装置3具备的特定的门阵列(FPGA(field-programmable gatearray，现场可编程门阵列)、ASIC(application specific integrated circuit，特定用途集成电路))等硬件而实现，也可以逻辑性处理区块与实现硬件的一部分要素的部分性的硬件模块混存的形式实现。

(2)脊状结构RB

继而，参照图6(a)至图6(c)对通过加工系统SYS而形成在工件W的脊状结构RB进行说明。图6(a)是表示脊状结构RB的立体图，图6(b)是表示脊状结构RB的截面图(图6(a)的VI-VI'截面图)，图6(c)是表示脊状结构RB的顶视图。另外，以下，对形成在作为工件W的一具体例的涡轮叶片BL的脊状结构RB进行说明。但，形成在与涡轮叶片BL不同的工件W的脊状结构RB，也可具有以下说明的结构。

如图6(a)至图6(c)所示，脊状结构RB也可包含如下结构：沿着沿涡轮叶片BL的表面的第一方向延伸的槽沿涡轮叶片BL的表面，且沿与第一方向交叉的第二方向排列多个。即，脊状结构RB也可包含如下结构：以沿第一方向延伸的方式形成的槽结构9沿第二方向排列。图6(a)至图6(c)所示的例中，脊状结构RB包含如下结构：沿X轴方向延伸的槽结构9沿Y轴方向排列多个。

槽结构9是沿与槽结构9延伸的方向及槽结构9排列的方向的双方交叉的方向凹陷的结构。槽结构9是从涡轮叶片BL的表面凹陷的结构。图6(a)至图6(c)所示的例中，槽结构9是沿Z轴方向凹陷的结构。

在相邻的槽结构9之间形成有与周围相比突出的山结构8。因此，脊状结构RB也可包含多个山结构8，这些山结构8沿着沿涡轮叶片BL的表面的第一方向延伸，且沿涡轮叶片BL的表面并沿与第一方向交叉的第二方向排列。即，脊状结构RB也可包含如下结构：以沿第一方向延伸的方式形成的山结构8沿第二方向排列。山结构8是沿与山结构8延伸的方向及山结构8排列的方向的双方交叉的方向突出的结构。山结构8是从涡轮叶片BL的表面突出的结构。图6(a)至图6(c)所示的例中，山结构8是沿Z轴方向突出的结构。另外，山结构8也可包含相对于涡轮叶片BL的表面突起的突起形状的结构。山结构8也可包含相对于涡轮叶片BL的表面凸出的凸形状的结构。山结构8也可包含相对于涡轮叶片BL的表面成为山形的山形状的结构。

另外，山结构8也可视为从槽结构9突出的结构。山结构8也可视为在相邻的两个槽结构9之间形成突起形状的结构、凸形状的结构及山形状的结构中的至少一结构。槽结构9也可视为从山结构8凹陷的结构。槽结构9也可视为在相邻的两个山结构8之间形成槽形状的结构的结构。

如上所述，本实施方式的加工系统SYS通过进行去除加工而形成脊状结构RB。因此，加工系统SYS也可通过进行去除涡轮叶片BL中形成槽结构9的部分的去除加工而形成脊状结构RB。即，加工系统SYS也可通过进行以残留涡轮叶片BL中形成山结构8的部分的方式去除涡轮叶片BL的一部分的去除加工而形成脊状结构RB。例如，加工系统SYS也可以对涡轮叶片BL的表面中的形成槽结构9的部分照射加工光EL的方式，对涡轮叶片BL照射加工光EL。具体而言，加工系统SYS也可通过重复扫描动作与步进动作而形成脊状结构RB，该扫描动作是一边使照射加工光EL的照射区域EA(参照图1)沿槽结构9延伸的X轴方向移动，一边对涡轮叶片BL的表面照射加工光EL，该步进动作是不对涡轮叶片BL的表面照射加工光EL而使加工光EL的照射区域EA沿槽结构9排列的Y轴移动。该情况下，也可说加工系统SYS通过形成槽结构9而形成脊状结构RB(即，形成山结构8)。

(3)形成脊状结构RB的动作的具体例

继而，对形成脊状结构RB的动作的具体例进行说明。

(3-1)形成脊状结构RB的动作的第一具体例

第一具体例中，加工系统SYS也可根据与涡轮叶片BL的流线相关的信息来形成脊状结构RB。例如，图7是示意性表示涡轮叶片BL的表面上的流线的一例的俯视图。另外，本实施方式的流线也可是指流体相对于涡轮叶片BL(即，工件W)的表面流动的状况下的、涡轮叶片BL的表面的各部上的以流体的速度矢量为切线的曲线。即，本实施方式的流线也可是指涡轮叶片BL(即，工件W)的表面上的以流场的速度矢量为切线的曲线。

第一具体例中，加工系统SYS也可根据与该涡轮叶片BL的流线相关的信息来在涡轮叶片BL的表面形成脊状结构RB。例如，图8是示意性表示根据与流线相关的信息来形成的脊状结构RB的一例的俯视图。如图8所示，加工系统SYS也可以多个槽结构9中的至少一者沿流线延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以某一个槽结构9的至少一部分沿流线延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以多个山结构8中的至少一者沿流线延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以某一个山结构8的至少一部分沿流线延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以多个槽结构9中的至少一者沿根据流线来规定的方向延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以某一个槽结构9的至少一部分沿根据流线来规定的方向延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以多个山结构8中的至少一者沿根据流线来规定的方向延伸的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以某一个山结构8的至少一部分沿根据流线来规定的方向延伸的方式形成脊状结构RB。

以下，参照图9对根据与流线相关的信息来形成脊状结构RB的动作的一例进行说明。图9是表示根据与流线相关的信息来形成脊状结构RB的动作的一例的流程的流程图。

如图9所示，控制装置3获取与流线相关的信息(以下，称为“流线信息”)(步骤S101)。流线信息也可包含表示流线的方向(即，流场的速度矢量的方向)的信息。例如，图10示意性表示流线信息的一例。如图10所示，流线信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的各位置中的流线的方向的信息。特别地，流线信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的多个位置(即，至少两个位置)的各者中的流线的方向的信息。例如图10所示，流线信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的第一位置P11中的流线的方向的信息、与表示涡轮叶片BL的表面上的第二位置P12中的流线的方向的信息。但，流线信息除表示流线的方向的信息以外或其它可代替的方式，也可包含与流线相关的任意信息。

例如，在控制装置3具备的存储装置存储有流线信息的情况下，控制装置3也可读出存储装置中存储的流线信息。例如，控制装置3也可使用加工系统SYS具备的未图示的记录介质读出装置，从可外接于加工系统SYS的记录介质获取流线信息。例如，控制装置3也可使用加工系统SYS具备的通信装置，从可经由通信网络与加工系统SYS通信的加工系统SYS的外部装置获取(即，下载)流线信息。

控制装置3也可通过产生流线信息而获取流线信息。具体而言，例如控制装置3也可根据表示涡轮叶片BL的三维模型的模型信息、及与在涡轮叶片BL的表面流动的流体的特性相关的特性信息，来算出因流体的粘性而作用于涡轮叶片BL的表面的剪应力(例如，壁面剪应力)。其后，控制装置3也可根据算出的壁面剪应力来算出涡轮叶片BL的表面上的各位置中的流线。

再次在图9中，控制装置3除流线信息以外，还获取与槽结构9的排列间距相关的间距信息(步骤S102)。槽结构9的排列间距相当于相邻的两个槽结构9之间的间隔。另外，如上所述，相邻的两个槽结构9之间形成有山结构8，故而槽结构9的排列间距实质上也可视为与山结构8的排列间距等效。山结构8的排列间距相当于相邻的两个山结构8之间的间隔。

图11示意性表示间距信息的一例。如图11所示，间距信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的各位置中的排列间距的信息。特别地，间距信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的多个位置(即，至少两个位置)的各者中的排列间距的信息。例如图11所示，间距信息也可包含表示涡轮叶片BL的表面上的第一位置P11中的排列间距的信息、表示涡轮叶片BL的表面上的第二位置P12中的排列间距的信息、表示涡轮叶片BL的表面上的第三位置P13中的排列间距的信息、及表示涡轮叶片BL的表面上的第四位置P14中的排列间距的信息。例如，图11所示的例中，间距信息表示涡轮叶片BL的表面上的第一位置P11中的排列间距为60微米，涡轮叶片BL的表面上的第二位置P12中的排列间距为60微米，涡轮叶片BL的表面上的第三位置P13中的排列间距为70微米，涡轮叶片BL的表面上的第四位置P14中的排列间距为110微米。

例如，在控制装置3具备的存储装置存储有间距信息的情况下，控制装置3也可读出存储装置中存储的间距信息。例如，控制装置3也可使用加工系统SYS具备的未图示的记录介质读出装置，从可外接于加工系统SYS的记录介质获取间距信息。例如，控制装置3也可使用加工系统SYS具备的通信装置，从可经由通信网络与加工系统SYS通信的加工系统SYS的外部装置获取(即，下载)间距信息。

控制装置3也可通过产生间距信息而获取间距信息。具体而言，例如控制装置3也可根据表示涡轮叶片BL的三维模型的模型信息、及与在涡轮叶片BL的表面流动的流体的特性相关的特性信息，来算出可降低涡轮叶片BLW的表面对流体的阻力(尤其是摩擦阻力及扰流摩擦阻力中的至少一者)的适当的排列间距。

再次在图9中，其后，控制装置3设定(即，决定或算出)在涡轮叶片BL的表面形成槽结构9的位置(步骤S103)。如上所述，槽结构9在涡轮叶片BL的表面上以线状延伸。因此，控制装置3也可设定表示槽结构9延伸的轨迹的线作为形成槽结构9的位置。以下说明中，为便于说明，将表示槽结构9延伸的轨迹的线称为“脊状线RL”。

另外，如上所述，在相邻的两个槽结构9之间形成有山结构8，故而形成槽结构9的位置实质上也可视为间接表示形成有山结构8的位置。因此，脊状线RL也可为表示山结构8延伸的轨迹的线。控制装置3除设定表示槽结构9延伸的轨迹的线即脊状线RL以外或其它可代替的方式，也可设定表示山结构8延伸的轨迹的线即脊状线RL。另外，以下，为便于说明，对表示槽结构9延伸的轨迹的线即脊状线RL进行说明。然而，以下说明可通过将“槽结构9”这一语句置换为“山结构8”这一语句而用作关于脊状线RL的说明，该脊状线RL相当于表示山结构8延伸的轨迹的线。

控制装置3根据步骤S101中获取的流线信息与步骤S102中获取的间距信息来设定脊状线RL。具体而言，控制装置3根据流线信息来指定涡轮叶片BL的表面的各位置中的流线的方向。进而，控制装置3根据间距信息来指定形成在涡轮叶片BL的表面的各位置的槽结构9的排列间距。其后，控制装置3将沿指定的流线方向延伸、且沿与指定的流线方向交叉的方向以指定的排列间距相互平行排列的多个脊状线RL设定在涡轮叶片BL的表面上的各位置。即，控制装置3在涡轮叶片BL的表面上的各位置，以多个脊状线RL延伸的方向与流线信息所示的流线方向一致，且脊状线RL的排列间距与间距信息所示的排列间距一致的方式设定相互平行的多个脊状线RL。

具体而言，如示意性表示脊状线RL的图12所示，控制装置3在涡轮叶片BL的表面上的第一位置P11，以多个脊状线RL延伸的方向与流线信息所示的第一位置P11中的流线方向一致，且脊状线RL的排列间距与间距信息所示的第一位置P11中的排列间距一致的方式设定相互平行的多个脊状线RL。例如，控制装置3也可在包含第一位置P11的涡轮叶片BL的表面上的区域，以多个脊状线RL延伸的方向与流线信息所示的第一位置P11中的流线的方向一致，且脊状线RL的排列间距与间距信息所示的第一位置P11中的排列间距一致的方式设定相互平行的多个脊状线RL。同样，控制装置3也可在涡轮叶片BL的表面上的第二位置P12，以多个脊状线RL延伸的方向与流线信息所示的第二位置P12中的流线方向一致，且脊状线RL的排列间距与间距信息所示的第二位置P12中的排列间距一致的方式设定相互平行的多个脊状线RL。例如，控制装置3也可在包含第二位置P12的涡轮叶片BL的表面上的区域，以多个脊状线RL延伸的方向与流线信息所示的第二位置P12中的流线方向一致，且脊状线RL的排列间距与间距信息所示的第二位置P12中的排列间距一致的方式设定相互平行的多个脊状线RL。但，控制装置3也可设定包含不相互平行(即，也可为非平行)的至少两个脊状线RL的多个脊状线RL。

控制装置3也可以构成脊状线RL的线段的尺寸(具体而言，为脊状线RL延伸的方向上的脊状线RL的线段的尺寸，实质上为长度)，大于槽结构9的排列间距(即，脊状线RL的排列间距)的方式设定脊状线RL。控制装置3也可以构成脊状线RL的线段的长度成为槽结构9的排列间距(即，脊状线RL的排列间距)的数倍至数十倍的方式设定脊状线RL。作为一例，在槽结构9的排列间距为数十微米的情况下，控制装置3也可以构成脊状线RL的线段的长度为数百微米至数毫米的方式设定脊状线RL。

如上所述，在涡轮叶片BL的表面上的各位置设定多个脊状线RL，这些脊状线RL分别由沿流线信息所示的各位置中的流线方向延伸的多个线段构成，且以间距信息所示的各位置中的排列间距排列。因此，控制装置3也可在涡轮叶片BL的表面上的各位置设定脊状线RL，该脊状线RL由比间距信息所示的各位置中的排列间距长且沿流线信息所示的各位置中的流线方向延伸的线段构成。例如，控制装置3也可在涡轮叶片BL的表面上的第一位置P11设定脊状线RL，该脊状线RL由比间距信息所示的第一位置P11中的排列间距长且沿流线信息所示的第一位置P11中的流线方向延伸的线段构成。例如，控制装置3也可在涡轮叶片BL的表面上的第二位置P12设定脊状线RL，该脊状线RL由比间距信息所示的第二位置P12中的排列间距长且沿流线信息所示的第二位置P12中的流线方向延伸的线段构成。

涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的流线方向，不限于与邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的流线方向一致。因此，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL延伸的方向，不限于与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL延伸的方向一致。图12表示设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域(图12所示的例中，为包含第一位置P11的区域)的脊状线RL延伸的方向，与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域(图12所示的例，为包含第二位置P12的区域)内的脊状线RL延伸的方向不同的例。即，图12表示设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL不与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL平行的例。但，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL延伸的方向，也可与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL延伸的方向一致。即，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL也可与设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL平行。

形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的槽结构9的排列间距，不限于与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的槽结构9的排列间距一致。因此，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL的排列间距，不限于与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL的排列间距一致。图12表示设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL的排列间距，与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL的排列间距不同的例。该情况下，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个脊状线RL中的至少一者，也可不与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个脊状线RL的任一者连接。但，设定在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的脊状线RL的排列间距，也可与设定在涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的脊状线RL的排列间距一致。

其后，控制装置3以形成脊状结构RB的方式产生用来控制加工装置1的加工控制信息(步骤S104)，该脊状结构RB包含沿步骤S103中设定的脊状线RL延伸的槽结构9。加工控制信息也可包含例如表示工件W的表面上的加工光EL的照射区域EA相对于工件W的相对性的移动轨迹的加工路径信息。其后，控制装置3根据步骤S104中产生的加工控制信息，以形成沿设定的脊状线RL延伸的脊状结构RB的方式控制加工装置1(步骤S105)。即，加工装置1根据步骤S104中产生的加工控制信息，以形成沿设定的脊状线RL延伸的脊状结构RB的方式对涡轮叶片BL(即，工件W)进行加工(步骤S105)。其结果，如作为表示形成有脊状结构RB的涡轮叶片BL的俯视图的图13所示，形成有沿设定的脊状线RL延伸的脊状结构RB。即形成包含如下多个槽结构9的脊状结构RB，这些槽结构9沿设定的脊状线RL延伸的方向延伸，且以与设定的脊状线RL的排列间距相同的排列间距排列。

图13所示的例中，在包含第一位置P11的涡轮叶片BL的表面上的区域，形成有沿流线信息所示的第一位置P11中的流线方向延伸且以间距信息所示的第一位置P11中的排列间距排列。进而，在包含第二位置P12的涡轮叶片BL的表面上的区域(即，与包含第一位置P11的区域邻接的区域)，形成有沿流线信息所示的第二位置P12中的流线方向延伸且以间距信息所示的第二位置P12中的排列间距排列的多个槽结构9。另外，以下说明中，将形成在第一位置P11的槽结构9称为“槽结构9#1”，将形成在第二位置P12的槽结构9称为“槽结构9#2”。

加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个槽结构9中的至少一者，与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个槽结构9中的至少一者平滑地连接。具体而言，加工系统SYS也可形成包含第三槽结构9的脊状结构RB，该第三槽结构9连接形成在第一区域内的第一槽结构9与形成在第二区域内的第二槽结构9。即，加工系统SYS也可以形成包含如下第三槽结构9的脊状结构RB，该第三槽结构9在形成在第一区域内的第一槽结构9与形成在第二区域内的第二槽结构9之间，与一槽结构9及第二槽结构一起构成一连串的槽结构9。另外，以下说明中，将用来连接分别形成在相邻的两个区域的第一及第二槽结构9的第三槽结构9称为“槽结构9_connect”。例如图13所示，加工系统SYS也可形成包含槽结构9_connect的脊状结构RB，该槽结构9_connect连接槽结构9#1与槽结构9#2。

槽结构9_connect延伸的方向，也可与槽结构9_connect连接的两个槽结构9延伸的方向不同。例如图13所示，加工系统SYS也可形成包含槽结构9#1、槽结构9#2及槽结构9_connect的脊状结构RB，该槽结构9#2沿与槽结构9#1延伸的方向不同的方向延伸，该槽结构9_connect沿与槽结构9#1及9#2延伸的方向不同的方向延伸。例如，加工系统SYS也可形成包含槽结构9#1、槽结构9#2及槽结构9_connect的脊状结构RB，该槽结构9#2沿与槽结构9#1延伸的方向相同的方向延伸，该槽结构9_connect沿与槽结构9#1及9#2延伸的方向不同的方向延伸。但，槽结构9_connect延伸的方向，也可与槽结构9_connect连接的两个槽结构9中的至少一者延伸的方向相同。例如，加工系统SYS也可形成包含槽结构9#1、槽结构9#2及槽结构9_connect的脊状结构RB，该槽结构9#2沿与槽结构9#1延伸的方向相同或不同的方向延伸，该槽结构9_connect沿与槽结构9#1及9#2的至少一者延伸的方向相同的方向延伸。

加工系统SYS也可形成满足以下说明的角度条件的槽结构9_connect。对连接槽结构9#1与槽结构9#2的槽结构9_connect也可满足的角度条件进行说明。角度条件也可包含关于槽结构9#1与槽结构9_connect所成的角度θ1、槽结构9#2与槽结构9_connect所成的角度θ2、及槽结构9#1与槽结构9#2所成的角度θ3的条件。角度θ1也可为沿槽结构9#1延伸的方向的轴与沿槽结构9_connect延伸的方向的轴所成的角度。角度θ1也可为槽结构9#1与槽结构9_connect所成的两个角度(例如，成为90度以上的角度及成为90度以下的角度)中的较大的角度(例如，成为90度以上的角度)。角度θ2也可为沿槽结构9#2延伸的方向的轴与沿槽结构9_connect延伸的方向的轴所成的角度。角度θ2也可为槽结构9#2与槽结构9_connect所成的两个角度(例如，成为90度以上的角度及成为90度以下的角度)中的较大的角度(例如，成为90度以上的角度)。角度θ3也可为沿槽结构9#1延伸的方向的轴与沿槽结构9#2延伸的方向的轴所成的角度。角度θ3也可为槽结构9#1与槽结构9#2所成的两个角度(例如，成为90度以上的角度及成为90度以下的角度)中的较大的角度(例如，成为90度以上的角度)。该情况下，角度条件也可包含角度θ1及θ2分别大于角度θ3的条件。角度条件也可包含角度θ1与θ2之和成为对角度θ3加上180度所得的角度的条件。

加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个第一槽结构9中的至少一者，不与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个第二槽结构9的任一者连接。加工系统SYS也可以形成在第一区域内的多个第一槽结构9中的至少一者不与槽结构9_connect连接的方式形成脊状结构RB。例如图14所示，加工系统SYS也可以多个槽结构9#1中的至少一者不与多个槽结构9#2的任一者连接(尤其是，不在槽结构9#1与槽结构9#2的边界、即不在第一区域与第二区域的边界附近连接)的方式形成脊状结构RB。加工系统SYS也可以多个槽结构9#1中的至少一者不与槽结构9_connect连接的方式形成脊状结构RB。

但，加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个第一槽结构9，分别与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个第二槽结构9连接。即，加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，第一槽结构9与槽结构9_connect以一对一对应，且第二槽结构9与槽结构9_connect以一对一对应。

加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个第一槽结构9的排列间距，与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个第二槽结构9的排列间距不同。例如图15所示，加工系统SYS也可以多个槽结构9#1的排列间距PT1#1与多个槽结构9#2的排列间距PT1#2不同的方式形成脊状结构RB。该情况下，如图15所示，将多个第一槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#1)与多个第二槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#2)分别连接的多个槽结构9_connect中的至少两者也可不相互平行(即，也可为非平行)。即，将多个第一槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#1)与多个第二槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#2)分别连接的多个槽结构9_connect中的至少两者也可在互不相同的方向(即，一方向及与一方向不同或交叉的另一方向)延伸。典型的是，将多个第一槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#1)与多个第二槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#2)分别连接的多个槽结构9_connect也可不相互平行(即，也可为非平行)。即，将多个第一槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#1)与多个第二槽结构9(例如，图15中的多个槽结构9#2)分别连接的多个槽结构9_connect也可在互不相同的方向上延伸。该情况下，槽结构9_connect的排列间距(例如，图15所示的排列间距PT1_conect)，也可根据槽结构9_connect延伸的方向(图15所示的例中为Y轴方向)上的位置来变化。作为一例，如图15所示，在多个槽结构9#1的排列间距PT1#1大于多个槽结构9#2的排列间距PT1#2的情况下，也可为在第一区域中，随着接近第一区域与第二区域的边界而槽结构9_connect的排列间距慢慢变小，在第二区域中，随着远离第一区域与第二区域的边界而槽结构9_connect的排列间距慢慢变小。作为另一例，虽未图示，但在多个槽结构9#1的排列间距PT1#1小于多个槽结构9#2的排列间距PT1#2的情况下，也可为在第一区域，随着接近第一区域与第二区域的边界而槽结构9_connect的排列间距慢慢变大，在第二区域，随着远离第一区域与第二区域的边界而槽结构9_connect的排列间距慢慢变大。

但，加工系统SYS也可以如下方式形成脊状结构RB，即，形成在涡轮叶片BL的表面上的第一区域内的多个第一槽结构9的排列间距，与形成在邻接于第一区域的涡轮叶片BL的表面上的第二区域内的多个第二槽结构9的排列间距相同。该情况下，槽结构9_connect的排列间距(例如，图15所示的排列间距PT1_connect)，也可不管槽结构9_connect延伸的方向(图15所示的例中为Y轴方向)上的位置而均为一定。另外，在形成槽结构9_connect的情况下，控制装置3也可预先设定与槽结构9_connect对应的脊状线RL。例如，控制装置3也可设定如下脊状线RL来代替图12所示的脊状线RL，该脊状线RL与设定在第一区域的脊状线RL及设定在邻接于第一区域的第二区域的多个脊状线RL中的至少一者平滑连接。例如，控制装置3也可设定如下另一脊状线RL(具体而言，用来形成槽结构9_connect的脊状线RL)来代替图12所示的脊状线RL，另一该脊状线RL用来连接分别设定在相邻的两个区域的两个脊状线RL。该情况下，加工装置1也可根据控制装置3产生的脊状线RL来形成槽结构9_connect。

另外，涡轮叶片BL(或者，任意工件W)的表面有时包含曲面。该情况下，沿相互平行的多个脊状线RL延伸的多个槽结构9，有可能在涡轮叶片BL(或者，任意工件W)的表面上并不严格地平行。然而，即便在该情况下，沿相互平行的多个脊状线RL延伸的多个槽结构9，也可视为在涡轮叶片BL(或者，任意工件W)的表面上相互平行。或者，当将在涡轮叶片BL的表面上延伸的多个槽结构9投影至特定平面上(即，射影)时在特定平面上多个槽结构9相互平行的情况下，也可视为形成在涡轮叶片BL(或者，任意工件W)的表面上的多个脊状线RL相互平行。

如此，第一具体例中，加工系统SYS根据流线信息来形成脊状结构RB。其结果，形成包含沿根据流线来规定的方向(典型的是，流线方向)延伸的槽结构9(进而，山结构8)的脊状结构RB。因此，可形成能适当降低工件W的表面对流体的阻力的脊状结构RB。

尤其是，第一具体例中，形成连接相互邻接的第一槽结构9及第二槽结构9的槽结构9_connect。因此，与未形成槽结构9_connect的情况相比，由第一槽结构9及第二槽结构9与槽结构9_connect构成的一连串的槽结构9平滑地延伸。其结果，可形成能适当降低工件W的表面对流体的阻力的脊状结构RB。

另外，上述说明中，加工系统SYS具备的控制装置3设定脊状线RL。然而，加工系统SYS的外部的信息处理装置也可设定脊状线RL。即，加工系统SYS的外部的信息处理装置也可进行图9的步骤S101至步骤S105的动作。该情况下，控制装置3也可从外部的信息处理装置获取与脊状线RL相关的信息，根据所获取的与脊状线RL相关的信息来产生加工控制信息。或者，外部的信息处理装置也可设定脊状线RL且产生加工控制信息。即，加工系统SYS的外部的信息处理装置也可进行图9的步骤S101至步骤S105的动作。该情况下，控制装置3也可从外部的信息处理装置获取加工控制信息，根据所获取的加工控制信息来控制加工装置1。

(3-2)形成脊状结构RB的动作的第二具体例

继而，第二具体例中，加工系统SYS也可形成包含波形状的槽结构9的脊状结构RB。即，加工系统SYS也可形成包含以形状成为波形状的方式延伸的槽结构9的脊状结构RB。在槽结构9的形状为波形状的情况下，位于相邻的两个槽结构9之间的山结构8也以形状成为波形状的方式延伸。因此，加工系统SYS也可形成包含波形状的山结构8(即，以形状成为波形状的方式延伸的山结构8)的脊状结构RB。因此，以下说明通过将“槽结构9”这一语句置换为“山结构8”这一语句，而可用作与以形状成为波形状的方式延伸的山结构8相关的说明。此外，以下说明中，为便于说明，将以形状成为波形状的方式延伸的槽结构9称为“波纹(wavy)槽结构9w”。

包含波纹槽结构9w的脊状结构RB的一例示于图16。如图16所示，波纹槽结构9w也可指在包含波纹槽结构9w延伸的第一方向(图16所示的例中，Y轴方向)及多个波纹槽结构9w排列的第二方向(图16所示的例中，X轴方向)的平面(图16所示的例中，XY平面)上以描画波形状的轨迹的方式延伸的槽结构9。波纹槽结构9w也可为一边沿多个波纹槽结构9w排列的第二方向摆动一边沿第一方向延伸的槽结构9。波纹槽结构9w也可为形状成为正弦波状的槽结构9。

波纹槽结构9w也可如将波纹槽结构9w放大所示的图17所示，与沿波纹槽结构9w延伸的第一方向延伸的轴AX至少在三处交叉。图17所示的例中，波纹槽结构9w在位置P21、位置P22及位置P23分别与轴AX交叉。进而，位置P21与位置P22之间的波纹槽结构9w的位置P24也可位于轴AX的一方向侧(图17所示的例为-X侧)。进而，位置P22与位置P23之间的波纹槽结构9w的位置P25也可位于轴AX的另一方向侧(具体而言为一方向的相反侧，图17所示的例中为+X侧)。

脊状结构RB也可具备以第一排列间距排列的多个波纹槽结构9w、及以第二排列间距排列的多个波纹槽结构9w。以下说明中，为便于说明，将以第一排列间距排列的多个波纹槽结构9w分别称为“波纹槽结构9w#a”，将以第二排列间距排列的多个波纹槽结构9w分别称为“波纹槽结构9w#b”。

波纹槽结构9w#a也可满足图17所示的条件。即，波纹槽结构9w#a也可与沿波纹槽结构9w#a延伸的方向延伸的第一轴分别在第一位置、第二位置及第三位置交叉。进而，第一位置与第二位置之间的波纹槽结构9w#a的第四位置，也可位于第一轴的第一方向侧。进而，第二位置与第三位置之间的波纹槽结构9w#a的第五位置，也可位于第一轴的第二方向侧(具体而言为第一方向的相反侧)。

波纹槽结构9w#b也可满足图17所示的条件。即，波纹槽结构9w#b与沿波纹槽结构9w#b延伸的方向延伸的第二轴分别在第六位置、第七位置及第八位置交叉。进而，第六位置与第七位置之间的波纹槽结构9w#b的第九位置，也可位于第二轴的第三方向侧。进而，第七位置与第八位置之间的波纹槽结构9w#b的第十位置，也可位于第二轴的第四方向侧(具体而言为第三方向的相反侧)。

在脊状结构RB具备波纹槽结构9w#a及9w#b的情况下，脊状结构RB也可具备连接波纹槽结构9w#a与波纹槽结构9w#b的波纹槽结构9w。以下说明中，为便于说明，将连接波纹槽结构9w#a与波纹槽结构9w#b的波纹槽结构9w称为“波纹槽结构9w_connect”。典型的是，波纹槽结构9w_connect形成在波纹槽结构9w#a与波纹槽结构9w#b之间。如上所述，在脊状结构RB具备多个波纹槽结构9w#a与多个波纹槽结构9w#b的情况下，脊状结构RB也可具备分别连接多个波纹槽结构9w#a与多个波纹槽结构9w#b的多个波纹槽结构9w_connect。即，脊状结构RB也可具备多个连接多个波纹槽结构9w#a中的一波纹槽结构9w#a与多个波纹槽结构9w#b中的一波纹槽结构9w#b的一波纹槽结构9w_connect。

波纹槽结构9w_connect也可满足图17所示的条件。即，波纹槽结构9w_connect与沿波纹槽结构9w_connect延伸的方向延伸的第三轴分别在第十一位置、第十二位置及第十三位置交叉。进而，第十一位置与第十二位置之间的波纹槽结构9w_connect的第十四位置，也可位于第三轴的第五方向侧。进而，第十二位置与第十三位置之间的波纹槽结构9w_connect的第十五位置，也可位于第三轴的第六方向侧(具体而言为第五方向的相反侧)。

以下，参照图18对具备波纹槽结构9w#a、9w#b及9w_connect的脊状结构RB进行说明。图18是示意性表示具备波纹槽结构9w#a、9w#b及9w_connect的脊状结构RB的俯视图。另外，以下，对波纹槽结构9w#a的排列间距与波纹槽结构9w#b的排列间距不同的情况下形成的波纹槽结构9w_connect进行说明。但，对于波纹槽结构9w#a的排列间距与波纹槽结构9w#b的排列间距相同的情况下形成的波纹槽结构9w_connect也可说相同。

如图18所示，连接一波纹槽结构9w#a与一波纹槽结构9w#b的一波纹槽结构9w_connect的一端部，连接于一波纹槽结构9w#a的端部。此时，在一波纹槽结构9w#a与一波纹槽结构9w_connect的边界BD#a，也可平滑地连接一波纹槽结构9w#a与一波纹槽结构9w_connect。例如，在边界BD#a，也可以一波纹槽结构9w#a的切线方向(即，切线延伸的方向)与一波纹槽结构9w_connect的切线方向一致的方式，连接一波纹槽结构9w#a与一波纹槽结构9w_connect。该情况下，与一波纹槽结构9w#a的切线方向和一波纹槽结构9w_connect的切线方向不一致的情况相比，也可视为平滑地连接一波纹槽结构9w#a与一波纹槽结构9w_connect。

进而，一波纹槽结构9w_connect的另一端部连接于一波纹槽结构9w#b的端部。此时，在一波纹槽结构9w#b与一波纹槽结构9w_connect的边界BD#b，也可平滑地连接一波纹槽结构9w#b与一波纹槽结构9w_connect。例如，在边界BD#b，也可以一波纹槽结构9w#b的切线方向与一波纹槽结构9w_connect的切线方向一致的方式，连接一波纹槽结构9w#b与一波纹槽结构9w_connect。该情况下，与一波纹槽结构9w#b的切线方向和一波纹槽结构9w_connect的切线方向不一致的情况相比，也可视为平滑地连接一波纹槽结构9w#b与一波纹槽结构9w_connect。

多个波纹槽结构9w_connect中的至少一者，也可沿与该至少一个波纹槽结构9w_connect所连接的波纹槽结构9w#a及9w#b延伸的方向交叉的方向延伸。该情况下，多个波纹槽结构9w_connect也可全部沿与波纹槽结构9w#a及9w#b延伸的方向交叉的方向延伸。或者，多个波纹槽结构9w_connect中的至少一者，也可沿与该至少一个波纹槽结构9w_connect所连接的波纹槽结构9w#a及9w#b延伸的方向平行的方向延伸。图18所示的例中，脊状结构RB具备：波纹槽结构9w_connect-1，连接波纹槽结构9w#α-1及9w#b-1，且在与波纹槽结构9w#α-1及9w#b-1延伸的方向不同的方向上延伸；波纹槽结构9w_connec-2，连接波纹槽结构9w#α-2及9w#b-2，且在与波纹槽结构9w#α-2及9w#b-2延伸的方向不同的方向上延伸；波纹槽结构9w_connect-3，连接波纹槽结构9w#α-3及9w#b-3，且在与波纹槽结构9w#α-1及9w#b-1延伸的方向平行的方向上延伸；波纹槽结构9w_connect-4，连接波纹槽结构9w#α-4及9w#b-4，且在与波纹槽结构9w#α-4及9w#b-4延伸的方向不同的方向上延伸；及波纹槽结构9w_connect-5，连接波纹槽结构9w#α-5及9w#b-5，且在与波纹槽结构9w#α-5及9w#b-5延伸的方向不同的方向上延伸。

多个波纹槽结构9w_connect也可包含沿不同的方向延伸的至少两个波纹槽结构9w_connect。即，也可为多个波纹槽结构9w_connect中的至少一者沿一方向延伸，多个波纹槽结构9w_connect中的至少另一个沿与该方向不同的另一方向延伸。图18所示的例中，波纹槽结构9w_connect-1至9w_connect-5延伸的方向互不相同。

另外，图18所示的例中，多个波纹槽结构9w#a及多个波纹槽结构9w#b沿相同的方向(图18所示的例中为Y轴方向)延伸。然而，多个波纹槽结构9w#a也可包含沿不同的方向延伸的至少两个波纹槽结构9w#a。多个波纹槽结构9w#b也可包含沿不同的方向延伸的至少两个波纹槽结构9w#b。多个波纹槽结构9w#a中的至少一者，也可沿与多个波纹槽结构9w#b中的至少一者延伸的方向交叉的方向延伸。

在多个波纹槽结构9w_connect包含沿不同的方向延伸的至少两个波纹槽结构9w_connect的情况下，波纹槽结构9w_connect的排列间距PT2_connect，也可根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置来变化。但，排列间距PT2_connect也可不管波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置而为一定。该情况下，典型的是，多个波纹槽结构9wconnect沿相同的方向延伸。

另外，波纹槽结构9w#a的排列间距PT2#a，也可根据波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置来变化。或者，排列间距PT2#a也可不管波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置而为一定。此外，波纹槽结构9w#b的排列间距PT2#b也可根据波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置来变化。或者，排列间距PT2#b也可不管波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置而为一定。

波纹槽结构9w_connect的振幅周期(即，波的周期)，也可根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置来变化。例如在波纹槽结构9w#a的振幅周期与波纹槽结构9w#b的振幅周期不同的情况下，波纹槽结构9w_connect的振幅周期也可以从波纹槽结构9w#a的振幅周期变化(例如，连续性地或阶段性地变化)为波纹槽结构9w#b的振幅周期的方式，沿波纹槽结构9w_connect延伸的方向来变化。例如在波纹槽结构9w#a的振幅周期与波纹槽结构9w#b的振幅周期不同的情况下，波纹槽结构9w_connect的振幅周期也可以在边界BD#a处波纹槽结构9w_connect的振幅周期与波纹槽结构9w#a的振幅周期一致，且在边界BD#b处波纹槽结构9w_connect的振幅周期与波纹槽结构9w#b的振幅周期一致的方式，沿波纹槽结构9w_connect延伸的方向来变化。或者，波纹槽结构9w_connect的振幅周期也可不管波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置而为一定。

另外，波纹槽结构9w#a的振幅周期，也可根据波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置来变化。或者，波纹槽结构9w#a的振幅周期，也可不管波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置而为一定。此外，波纹槽结构9w#b的振幅周期，也可根据波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置来变化。或者，波纹槽结构9w#b的振幅周期，也可不管波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置而为一定。

波纹槽结构9w_connect的振幅(即，波的振幅)，也可根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置来变化。例如，在波纹槽结构9w#a的振幅与波纹槽结构9w#b的振幅不同的情况下，波纹槽结构9w_connect的振幅也可以从波纹槽结构9w#a的振幅变化(例如，连续性地或阶段性地变化)为波纹槽结构9w#b的振幅的方式，沿波纹槽结构9w_connect延伸的方向变化。例如在波纹槽结构9w#a的振幅与波纹槽结构9w#b的振幅不同的情况下，波纹槽结构9w_connect的振幅也可以在边界BD#a处波纹槽结构9w_connect的振幅与波纹槽结构9w#a的振幅一致，且在边界BD#b处波纹槽结构9w_connect的振幅与波纹槽结构9w#b的振幅一致的方式，沿波纹槽结构9w_connect延伸的方向来变化。或者，波纹槽结构9w_connect的振幅，也可不管波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置而为一定。

另外，波纹槽结构9w#a的振幅，也可根据波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置来变化。或者，波纹槽结构9w#a的振幅，也可不管波纹槽结构9w#a延伸的方向上的位置而为一定。此外，波纹槽结构9w#b的振幅，也可根据波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置来变化。或者，波纹槽结构9w#b的振幅，也可不管波纹槽结构9w#b延伸的方向上的位置而为一定。

加工装置1也可在控制装置3的控制下，以如下方式形成具备波纹槽结构9w#a、9w#b及9w_connect的脊状结构RB。具体而言，加工装置1首先也可形成波纹槽结构9w#a。其后，加工装置1也可形成与波纹槽结构9w#a连接的波纹槽结构9w_connect。此时，加工装置1也可以平滑地连接波纹槽结构9w#a与波纹槽结构9w_connect的方式，一边调整波纹槽结构9w_connect的特性一边形成波纹槽结构9w_connect。例如，加工装置1也可以在边界BD#a处波纹槽结构9w#a的切线方向与波纹槽结构9w_connect的切线方向一致的方式，一边调整波纹槽结构9w_connect的特性一边形成波纹槽结构9w_connect。波纹槽结构9w_connect的特性也可包含例如波纹槽结构9w_connect的振幅周期、振幅、相位及长度中的至少一者。其后，加工装置1也可形成与波纹槽结构9w_connect连接的波纹槽结构9w#b。此时，加工装置1也可以平滑地连接波纹槽结构9w#b与波纹槽结构9w_connect的方式，一边调整波纹槽结构9w#b的特性一边形成波纹槽结构9w#b。例如，加工装置1也可以在边界BD#b处波纹槽结构9w#b的切线方向与波纹槽结构9w_connect的切线方向一致的方式，一边调整波纹槽结构9w#b的特性一边形成波纹槽结构9w#b。波纹槽结构9w#b的特性也可包含例如波纹槽结构9w#b的振幅周期、振幅、相位及长度中的至少一者。

如此，第二具体例中，加工系统SYS形成具备波纹槽结构9w的脊状结构RB。尤其是，加工系统SYS以平滑地连接排列间距等特性不同的波纹槽结构9w#a及9w#b的方式形成具备波纹槽结构9w_connect的脊状结构RB，该波纹槽结构9w_connect形成在波纹槽结构9w#a及9w#b之间。其结果，与将排列间距等特性不同的波纹槽结构9w#a及9w#b直接(即，不经由波纹槽结构9w_connect)连接的情况相比，可形成更平滑地延伸的波纹槽结构9w。因此，可形成能适当地降低工件W的表面对流体的阻力的脊状结构RB。

另外，上述说明中，波纹槽结构9w_connect连接波纹槽结构9w#a与波纹槽结构9w#b。然而，波纹槽结构9w_connect也可连接波纹槽结构9w#a与直线状延伸(即，不为波形状)的槽结构9。另外，以下说明中，将与波纹槽结构9w_connect连接的直线状延伸的槽结构9称为“非波纹槽结构9n#b”。非波纹槽结构9n#b在不为波形状的方面与波形状的波纹槽结构9w#b不同。非波纹槽结构9n#b的其他特征与波纹槽结构9w#b的其他特征相同。

该情况下，如表示连接波纹槽结构9w#a与非波纹槽结构9n#b的波纹槽结构9w_connect的图19所示，在一非波纹槽结构9n#b与一波纹槽结构9w_connect的边界BD#b处，也可平滑地连接一非波纹槽结构9n#b与一波纹槽结构9w_connect。例如，在边界BD#b处，也可以一非波纹槽结构9w#b的切线方向与一波纹槽结构9w_connect的切线方向一致的方式，连接一非波纹槽结构9n#b与一波纹槽结构9w_connect。

与非波纹槽结构9n#b连接的波纹槽结构9w_connect的振幅，也可根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向上的位置来变化。例如，波纹槽结构9w_connect的振幅也可以随着接近边界BD#b而变小的方式，根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向来变化。例如，波纹槽结构9w_connect的振幅以在边界BD#b处波纹槽结构9w_connect的振幅为零的方式，根据波纹槽结构9w_connect延伸的方向来变化。

(3-3)形成脊状结构RB的动作的第三具体例

继而，第三具体例中，加工系统SYS也可形成包含实施了终端处理的槽结构9的脊状结构RB。以下，一边参照图20(a)及图20(b)，一边对包含实施了终端处理的槽结构9的脊状结构RB的一例进行说明。图20(a)是表示包含实施了终端处理的槽结构9的脊状结构RB的立体图，图20(b)是表示包含实施了终端处理的槽结构9的脊状结构RB的截面图(尤其是图20(a)的A-A'截面图)。

如图20(a)及图20(b)所示，实施了终端处理的槽结构9是包含槽的深度根据槽结构9延伸的方向上的位置而发生变化的终端结构93的槽结构9。该情况下，加工系统SYS也可形成包含如下槽结构9的脊状结构RB，该槽结构9包含槽的深度根据槽结构9延伸的方向上的位置而发生变化的终端结构93。因此，终端处理也可包含用来在槽结构9的终端根据槽结构9延伸的方向上的位置而改变槽结构9的深度的处理。另外，此处所说的“槽结构9的深度(即，槽结构9形成的槽的深度)”，也可表示槽结构9的底相对于山结构8的顶点的位置(图20(a)及图20(b)所示的例中为z轴方向上的位置)。

具体而言，工件W具备形成脊状结构RB(即，形成槽结构9)的形成区域W1、与未形成脊状结构RB(即，未形成槽结构9)的非形成区域W2。进而，形成区域W1包含沿槽结构9延伸的方向相邻的形成区域W11与形成区域W12。在形成区域W11形成槽结构9的一部分。以下，为便于说明，将形成在形成区域W11的槽结构9称为“槽结构91”。形成区域W12沿槽结构9延伸的方向而位于形成区域W11与非形成区域W2之间。在形成区域W12形成与形成在形成区域W11的槽结构9的一部分(即，槽结构91)连接的槽结构9的另一部分。以下，为便于说明，将形成在形成区域W12的槽结构9称为“槽结构92”。

加工系统SYS根据槽结构9延伸的方向上的位置来改变形成在形成区域W12的槽结构92的深度。即，加工系统SYS以形成在形成区域W12的槽结构92的深度根据槽结构9延伸的方向上的位置来变化的方式，在形成区域W12形成槽结构92。因此，槽结构92也可构成上述终端结构93。

本实施方式中特别地，加工系统SYS以随着槽结构92沿槽结构92延伸的方向从形成区域W11接近非形成区域W2而槽结构9的深度变浅的方式，改变槽结构92的深度。具体而言，加工系统SYS以比第一位置更靠近非形成区域W2的第二位置上的槽结构92的深度比第一位置上的槽结构92的深度浅的方式，根据槽结构9延伸的方向上的位置来改变槽结构92的深度。因此，终端处理也可包含随着槽结构92沿槽结构92延伸的方向从形成区域W11接近非形成区域W2而使槽结构9的深度变浅的处理。

加工系统SYS也可如表示槽结构91的截面的截面图(尤其是图20(a)的B-B'截面图)即图21(a)及表示槽结构92的截面的截面图(尤其是图20(a)的C-C'截面图)即图21(b)所示，以槽结构92的宽度WD小于槽结构91的宽度WD的方式形成槽结构92。该情况下，加工系统SYS也可以槽结构92的深度越浅则槽结构92的宽度WD越小的方式形成槽结构92。加工系统SYS也可以随着槽结构92沿槽结构92延伸的方向从形成区域W11接近非形成区域W2而槽结构92的宽度WD变小的方式形成槽结构92。或者，加工系统SYS也可如表示槽结构91的截面的截面图(尤其是图20(a)的B-B'截面图)即图22(a)及表示槽结构92的截面的截面图(尤其是图20(a)的C-C'截面图)即图22(b)所示，以槽结构92的宽度WD与槽结构91的宽度WD相同的方式形成槽结构92。该情况下，加工系统SYS也可以不管槽结构92的深度而槽结构92的宽度WD为一定的方式形成槽结构92。加工系统SYS也可以不管槽结构92延伸的方向上的位置而槽结构92的宽度WD为一定的方式形成槽结构92。另外，此处的“槽结构91的宽度WDJ，也可是指与槽结构91延伸的方向交叉的方向上的槽结构91的尺寸(即，多个槽结构91排列的方向上的槽结构91的尺寸)。同样，此处的“槽结构92的宽度WDJ，也可是指与槽结构92延伸的方向交叉的方向上的槽结构92的尺寸(即，多个槽结构92排列的方向上的槽结构92的尺寸)。

另一方面，加工系统SYS也可不在形成区域W11形成随着接近非形成区域W2而深度变浅的槽结构91。即，形成在形成区域W11的槽结构91的深度，也可不随着槽结构91接近非形成区域W2而变浅。该情况下，加工系统SYS也可不根据槽结构9延伸的方向上的位置来改变形槽结构91的深度。例如，加工系统SYS也可以槽结构91的深度不管槽结构9延伸的方向上的位置而为一定的方式，在形成区域w11形成槽结构91。

在形成区域W11与形成区域W12的边界BD31处连接槽结构92与槽结构91。此时，在边界BD31处，槽结构92的深度与槽结构91的深度也可相同。即，在槽结构9延伸的方向上，连接于形成区域W11的端部的形成区域W12的端部处的槽结构92的深度，也可与连接于形成区域W12的端部的形成区域W11的端部处的槽结构91的深度相同。

在形成区域W12与非形成区域W2的边界BD32处也可无槽结构92。即，加工系统SYS也可以在边界BD32处无槽结构92的方式，在形成区域W12形成槽结构92。该情况下，在边界BD32处，形成区域W12的高度与非形成区域W2的高度也可相同。即，在槽结构9延伸的方向上，连接于非形成区域W2的端部的形成区域W12的端部的高度，也可与连接于形成区域W12的端部的非形成区域W2的端部的高度相同。

为了形成深度发生变化的槽结构92，加工系统SYS也可在控制装置3的控制下控制加工光EL的照射次数。例如，通常，加工系统SYS为了形成一定深度的槽结构92而对工件W的相同位置多次照射加工光EL。具体而言，加工系统SYS在照射1次加工光EL而可从工件W去除厚度为d的结构部分的情况下，为了形成深度为D的槽结构92而对工件W的相同位置照射D/d次加工光EL。此时，加工光EL的照射次数越少，所形成的槽结构92的深度越浅。因此，如表示加工光EL对形成区域W12的照射次数的图23所示，加工系统SYS也可以加工光EL的照射位置越接近非形成区域W2，则加工光EL对形成区域W12的照射次数越少的方式对形成区域W12照射加工光EL。即，加工系统SYS也可以每次将加工光EL照射至工件W时，在形成区域W12内照射加工光EL的范围就会慢慢变窄的方式对形成区域W12照射加工光EL。加工系统SYS也可以每次将加工光EL照射至工件W时，在形成区域W12内照射加工光EL的范围的非形成区域W2侧的端部会慢慢离开非形成区域W2的方式对形成区域W12照射加工光EL。

为了形成深度发生变化的槽结构92，加工系统SYS也可在控制装置3的控制下控制加工光EL的照射区域EA的移动速度(即，加工光EL的扫描速度)。例如，照射区域EA的移动速度越快，从加工光EL在每单位面积或每单位时间传递至工件W的能量的量越少。其结果，照射1次加工光EL可从工件W去除的结构部分的厚度变薄。即，照射1次加工光EL在工件W形成的槽结构9的深度变浅。因此，如表示形成区域W12中的照射区域EA的移动速度的图24所示，加工系统SYS也可以加工光EL的照射位置越接近非形成区域W2，则形成区域W12中的照射区域EA的移动速度越快的方式对形成区域W12照射加工光EL。

为了形成深度发生变化的槽结构92，加工系统SYS也可在控制装置3的控制下控制加工光EL的强度。例如，加工光EL的强度越低，从加工光EL在每单位面积或每单位时间传递至工件W的能量的量越少。其结果，照射1次加工光EL可从工件W去除的结构部分的厚度变薄。即，照射1次加工光EL在工件W形成的槽结构9的深度变浅。因此，如表示形成区域W12中的加工光EL的强度的图25所示，加工系统SYS也可以加工光EL的照射位置越接近非形成区域W2，则形成区域W12中的加工光EL的强度越低的方式对形成区域W12照射加工光EL。

在形成包含深度如此发生变化的槽结构92的脊状结构RB的情况下，可享有以下说明的技术性效果。首先，在形成不包含槽结构92的脊状结构RB的比较例中，如表示不包含槽结构92的脊状结构RB的截面图即图26所示，沿槽结构9流动的流体，在形成槽结构9的形成区域W1(W11)的端部被非形成区域W2形成的壁(典型的是，以阻挡流体的流动的方式立起的壁)阻挡。因此，沿槽结构9流动的流体难以从槽结构9顺利排出。其结果，流体的流动紊乱，故而降低工件W的表面对流体的阻力的效果变差。另一方面，在形成包含深度发生变化的槽结构92的脊状结构RB的本实施方式中，如图20(b)所示，沿槽结构9流动的流体经由构成槽结构9的终端结构93的槽结构92而从槽结构9顺利排出。因此，本实施方式中，流体的流动不易紊乱。其结果，本实施方式中，可形成能适当降低工件W的表面对流体的阻力的脊状结构RB。

另外，图20(a)及图20(b)所示的例中，槽结构92的深度以随着槽结构92接近非形成区域W12而槽结构9的深度的变化率变大的方式发生变化。然而，如图27所示，槽结构92的深度也可以随着槽结构92接近非形成区域W12而槽结构9的深度的变化率变小的方式发生变化。或者，也可如图28所示，槽结构92的深度不管槽结构92延伸的方向上的位置而为一定。

此外，图20(a)至图20(b)及图27至图28所示的例中，槽结构92的深度随着槽结构92接近非形成区域W12而连续性地变浅。然而，也可如图29及图30所示，槽结构92的深度随着槽结构92从形成区域W11接近非形成区域W12而阶段性地变浅。该情况下，也可如图29及图30所示，槽结构92包含底面921、侧面922及侧面923。底面921也可为与槽结构91的底面911平行的面。侧面922也可如图29所示为沿相对于底面921倾斜的方向从底面921的非形成区域W2侧的端部向上方(图29所示的例中为+Z侧)延伸的面。或者，侧面922也可如图30所示为沿与底面921正交的方向从底面921的非形成区域W2侧的端部向上方(图30所示的例中为+Z侧)延伸的面。侧面923也可如图29所示为沿相对于底面921倾斜的方向从底面921的形成区域W11侧的端部向下方(图29所示的例中为-Z侧)延伸的面。或者，侧面923也可如图30所示为沿与底面921正交的方向从底面921的形成区域W11侧的端部向下方(图29所示的例中为-Z侧)延伸的面。即便在槽结构92的深度如此阶段性地变浅的情况下，与槽结构92的深度连续性地变浅的情况相同，如果与形成不包含槽结构92的脊状结构RB的比较例相比，则可形成能适当降低工件W的表面对流体的阻力的脊状结构RB。

但，在槽结构92的深度阶段性地变浅的情况下，如上所述会形成侧面922及923，该侧面922及923有可能作为阻挡流动在槽结构9中的流体的流动的壁发挥功能。尤其是，在侧面922及923沿与底面921正交的方向延伸的情况下，侧面922及923作为阻挡流动在槽结构9中的流体的流动的壁发挥功能的可能性相对性地升高。由此，在槽结构92的深度阶段性地变浅的情况下，也可如图31所示，以侧面922及923的高度(即，Z轴方向上的尺寸)相对性地变低的方式形成槽结构92。即，也可以阻挡流动在槽结构9中的流体的流动的壁(即，级差)的高度相对性地变低的方式形成槽结构92。该情况下，典型的是，也可以形成有多个侧面922及923形成的级差(即，形成多个高度较低的级差)的方式形成槽结构92。

(4)变化例

(4-1)第一变化例

控制装置3也可根据与应形成在工件W的脊状结构RB相关的脊状信息来产生加工控制信息(例如，加工路径信息)。另外，与脊状结构RB相关的脊状信息，也可包含例如与脊状线RL相关的信息、与槽结构9延伸的方向相关的信息、与槽结构9的尺寸(例如，槽的深度及宽度中的至少一者)相关的信息、与山结构8延伸的方向相关的信息、与山结构8的尺寸(例如，山的高度及宽度中的至少一者)相关的信息、与槽结构9的排列间距相关的信息及与山结构8的排列间距相关的信息中的至少一者。

控制装置3也可从加工系统SYS的外部获取脊状信息，根据所获取的脊状信息来产生加工控制信息。此时，控制装置3也可对获取的脊状信息进行修正，根据修正的脊状信息来产生加工控制信息。例如，控制装置3也可根据起因于加工装置1的限制条件(即，起因于用来加工工件W的动作的限制条件)来对获取的脊状信息进行修正。例如，控制装置3也可根据起因于工件W的限制条件来对获取的脊状信息进行修正。以下，对脊状信息的修正例进行说明。

如上所述，加工装置1通过将加工光EL照射至工件W来对工件W进行加工。因此，当在想对工件W的所需位置进行加工的状况下却无法对该所需位置照射加工光EL时，加工装置1无法适当地加工工件W。例如，为了对工件W的第一部分进行加工而照射至工件W的第一部分的加工光EL，有可能被工件W的第二部分阻挡。该情况下，加工装置1无法通过对工件W的第一部分进行加工来形成获取的脊状信息所示的脊状结构RB。由此，该情况下，加工装置1也可形成如下脊状结构RB来代替获取的脊状信息所示的脊状结构RB，该脊状结构RB可通过从未被工件W的第二部分阻挡的方向照射至工件W的第一部分的加工光EL来形成。该情况下，控制装置3也可通过对获取的脊状信息进行修正而产生与如下脊状结构RB相关的脊状信息，该脊状结构RB可通过从未被工件W的第二部分遮挡的方向照射至工件W的第一部分的加工光EL来形成。作为一实施例，在为了对工件W的第一部分进行加工而以垂直入射至工件W的第一部分的方式照射的加工光EL被工件W的第二部分阻挡的情况下，控制装置3也可通过对获取的脊状信息进行修正而产生与如下脊状结构RB相关的脊状信息，该脊状结构RB可通过以斜入射至工件W的第一部分的方式照射的加工光EL来形成。即，如图32所示，控制装置32也可通过对与利用垂直入射至工件W的加工光EL来形成的脊状结构RB(参照图32的上侧)相关的脊状信息进行修正，而产生与利用斜入射至工件W的加工光EL来形成的脊状结构RB(参照图32的下侧)相关的脊状信息。

控制装置3也可以变更脊状信息所示的槽结构9的排列间距(或者，山结构8的排列间距，以下在第一变化例中相同)的方式对脊状信息进行修正。例如，排列间距越大，为了形成脊状结构RB所需的时间越长。因此，如图33所示，控制装置3也可以脊状信息所示的槽结构9的排列间距变小的方式对脊状信息进行修正。其结果，用来形成脊状结构RB所需要的时间变短。即，用来形成脊状结构RB的产能提高。或者，根据加工装置1的特性，加工装置1有可能无法形成以脊状信息所示的排列间距排列的多个槽结构9。其原因在于，排列间距越小，对加工装置1要求越高的加工精度，故而加工装置1可加工的槽结构9的排列间距存在起因于加工装置1的特性(例如，加工精度)的下限值(下限间距)。因此，在获取的脊状信息所示的槽结构9的排列间距小于下限间距的情况下，控制装置3也可以脊状信息所示的槽结构9的排列间距成为下限间距(或者，大于下限间距)的方式对脊状信息进行修正。其结果，加工装置1无需用来提高加工精度的高价的光学系统等，可适当地在工件W形成脊状结构RB。但，在获取的脊状信息所示的槽结构9的排列间距始终小于下限间距(例如，未达下限间距的N(另外，N为大于0且小于100的变数，例如为未达60的变数)％)的情况下，即便形成有以下限间距排列的多个槽结构9，降低工件W的表面对流体的阻力的效果也有可能变差或消失。因此，在获取的脊状信息所示的槽结构9的排列间距始终小于下限间距的情况下，加工装置1也可不在工件W形成脊状结构RB。该情况下，控制装置3也可输出无法形成脊状结构RB的警告。

控制装置3也可以变更脊状信息所示的槽结构9的尺寸(或者，山结构8的尺寸，以下在第一变化例中相同)的方式对脊状信息进行修正。例如，构成槽结构9的槽的深度越深，用来形成脊状结构RB所需的时间越长。因此，如图34所示，控制装置3也可以脊状信息所示的槽结构9的深度变浅的方式对脊状信息进行修正。其结果，用来形成脊状结构RB所需的时间变短。即，用来形成脊状结构RB的产能提高。或者，根据工件W的特性(例如，尺寸)，加工装置1有可能无法形成具有脊状信息所示的尺寸(例如，深度)的槽结构9。即便可在工件W形成具有脊状信息所示的尺寸(例如，深度)的槽结构9，工件W的品质也有可能过度恶化(例如，工件W的强度或合成过度恶化)。因此，控制装置3也可以脊状信息所示的槽结构9的深度成为可形成在工件W上的现实的深度的方式对脊状信息进行修正。其结果，加工装置1可维持工件W的品质，并且可适当地在工件W形成脊状结构RB。

另外，控制装置3在变更槽结构9的排列间距的情况下，也可一并变更槽结构9的尺寸(例如，槽的宽度及深度中的至少一者)。例如，控制装置3在变更槽结构9的排列间距的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸满足特定的数值条件的方式一并变更槽结构9的尺寸。例如，控制装置3在变更槽结构9的排列间距的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸的比率成为特定比率的方式一并变更槽结构9的尺寸。例如，控制装置3在变更槽结构9的排列间距的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸的比率成为2：1的方式一并变更槽结构9的尺寸。

同样，控制装置3在变更槽结构9的尺寸的情况下，也可一并变更槽结构9的排列间距。例如，控制装置3在变更槽结构9的尺寸的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸满足特定的数值条件的方式一并变更槽结构9的排列间距。例如，控制装置3在变更槽结构9的尺寸的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸的比率成为特定比率的方式一并变更槽结构9的排列间距。例如，控制装置3在变更槽结构9的尺寸的情况下，也可以变更后的排列间距与变更后的尺寸的比率成为2：1的方式一并变更槽结构9的排列间距。

控制装置3也可以变更脊状信息所示的槽结构9的截面形状(或者，山结构8的截面形状，以下在第一变化例中相同)的方式对脊状信息进行修正。例如，根据加工装置1的特性，加工装置1有可能无法形成具有脊状信息所示的截面形状的槽结构9。作为一例，如图35的上侧所示，当在获取了表示由截面形状为倒三角形的V字型的槽构成的槽结构9的脊状信息的状况下，起因于加工装置1的加工精度而存在加工装置1可形成的槽的宽度的最小值(最小宽度)的情况下，加工装置1无法形成脊状信息所示的槽结构9。由此，控制装置3也可以脊状信息所示的槽结构9的截面形状成为加工装置1可形成的现实的截面形状的方式对脊状信息进行修正。作为一例，如图35的下侧所示，加工装置1也可以脊状信息所示的槽结构9的宽度不低于加工装置1可形成的最小宽度的方式对脊状信息进行修正。其结果，加工装置1无需用来提高加工精度的高价的系统等，可适当地在工件W形成脊状结构RB。

控制装置3也可以变更脊状信息所示的槽结构9的接缝(或者，山结构8的接缝，以下在第一变化例中相同)的方式对脊状信息进行修正。例如，当槽结构9的长度超过特定长度时，加工装置1有可能无法一次形成槽结构9。该情况下，加工装置1也可形成槽结构9中的第一结构部分，其后以连接于第一结构部分的方式形成槽结构9中的第二结构部分。但，有可能在第一结构部分与第二结构部分的接缝(即，槽结构9的接缝)处形成级差。由此，控制装置3也可以在工件W的表面中允许存在槽结构9的级差的位置存在槽结构9的接缝的方式对脊状信息进行修正。其结果，加工装置1可适当地在工件W形成脊状结构RB。

如上所述，脊状信息(尤其是与上述脊状线RL相关的信息)也可根据流线方向来产生。另一方面，根据工件W的形状，有可能在工件W的表面上流线方向极其复杂地分布。在该流线方向极其复杂地分布的状况下产生的脊状信息，表示在工件W的表面上以极其复杂的图案分布的槽结构9(或者，山结构8)。其结果，加工装置1有可能无法适当地形成该槽结构9。由此，控制装置3也可以槽结构9(或者，山结构8)延伸的方向均匀化的方式对脊状信息进行修正。控制装置3也可以槽结构9(或者，山结构8)沿以复杂的图案分布的槽结构9(或者，山结构8)均匀延伸的方向延伸的方式对脊状信息进行修正。其结果，加工装置1可适当地在工件W形成脊状结构RB。

(4-2)其他变化例

加工装置1也可通过对工件W进行加工而形成由经加工的工件W构成的模具。该情况下，加工装置1也可在控制装置3的控制下形成具有脱模斜度的模具。即，加工装置1也可在控制装置3的控制下，形成具有向模具打开的方向(即，使用模具形成的成形品脱模的方向)倾斜的面的模具。

上述说明中，加工装置1具备头驱动系统12。然而，加工装置1也可不具备头驱动系统12。即，加工头11也可无法移动。此外，上述说明中，加工装置1具备载台驱动系统14。然而，加工装置1也可不具备载台驱动系统14。即，载台13也可无法移动。

上述说明中，说明了加工装置1在金属性的工件W(即，母材)形成脊状结构RB的例、及加工装置1在涂布于工件W的表面的膜上形成脊状结构RB的例。然而，加工装置1进行的加工并不限定于上述例。例如，加工装置1也可在工件W的表面形成脊状结构RB，并利用膜来涂布形成有脊状结构RB的工件W的表面。例如，在加工装置1在涂布于工件W的表面的膜上形成脊状结构RB的情况下，也可进而利用其它膜来涂布形成有脊状结构RB的膜。任一例中，均可利用膜来涂布脊状结构RB。该情况下，也可以不因涂布于脊状结构RB的膜而降低脊状结构RB的功能的方式决定膜的厚度。例如，在脊状结构RB被膜填埋的情况下有可能因膜而降低脊状结构RB的功能，因此也可以脊状结构RB不被膜填埋的方式决定膜的厚度。也可以不因涂布于脊状结构RB的膜而降低脊状结构RB的功能的方式，沿脊状结构RB的形状(例如，沿槽结构9或山结构8)形成膜。

加工装置1也可使用表面覆有薄膜的工件W来在薄膜的表面形成脊状结构RB。薄膜可为树脂性的薄膜，也可为金属性的薄膜，也可为由其它材料构成的薄膜。

上述膜(或者，薄膜)的材料可为包含CrN、TiN、TiLN、Y2O3、ZrO2、MCrALY(或者，MCrAlY)、NiCr、Wc(或者，WC)、Al2O3-TiO2、Cr2O3及水溶性铝中的至少一种的材料，也可为其它材料。此外，涂布在金属制的工件W的表面上的膜4也可具备多个层。该情况下，多个层中的第一层的材料可与多个层中的和第一层不同的第二层的材料相同，也可不同。例如，第一层及第二层中的至少一者的材料可包含也可不包含CrN、TiN、TiLN、Y2O3、ZrO2、MCrALY(或者，MCrAlY)、NiCr、Wc(或者，WC)、Al2O3-TiO2、Cr2O3及水溶性铝中的至少一种。

通过对工件W涂布膜而产生的效果(尤其是在工件W产生的效果)，也可包含保护工件W的效果、提高工件W的隔热性的效果、提高工件W的耐热性的效果、提高工件W的耐腐蚀性的效果、提高工件W的耐磨损性的效果、及提高工件W的耐氧化特性的效果中的至少一者。通过在脊状结构RB形成膜而产生的效果(即，由膜实现的效果)，也可包含保护脊状结构RB的效果、提高脊状结构RB的隔热性的效果、提高脊状结构RB的耐热性的效果、提高脊状结构RB的耐腐蚀性的效果、提高脊状结构RB的耐磨损性的效果、及提高脊状结构RB的耐氧化特性的效果中的至少一者。通过在工件W上形成多个不同材料的层(例如，形成包含多个不同材料的层的膜)而产生的效果，也可包含防剥离效果。例如，也可考虑靠近工件W的膜与工件W之间的热膨胀特性的差、及远离工件W的膜与工件W之间的热膨胀特性的差来选择形成在工件W上的膜。在靠近工件W的膜与工件W之间的热膨胀特性的差，小于远离工件W的膜(例如，形成脊状结构RB的膜)与工件W之间的热膨胀特性的差的情况下，可抑制因热而膜扩展所导致的脊状结构RB的剥离。

上述说明中，加工系统SYS形成具有降低工件W的表面对流体的阻力的功能的脊状结构RB。然而，加工系统SYS也可在工件W形成具有与降低工件W的表面对流体的阻力的功能不同的功能的结构。例如，加工系统SYS也可在工件W形成用来降低流体与工件W的表面相对性地移动时产生的噪声的脊状结构。例如，加工系统SYS也可在工件W形成使工件W的表面上的流体的流动产生涡旋的脊状结构。例如，加工系统SYS也可在工件W形成用以对工件W的表面赋予疏水性的结构。

上述说明中，加工系统SYS在工件W的表面形成脊状结构RB。然而，加工系统SYS也可在工件W的表面上形成具有任意形状的任意结构。作为任意结构的一例，可列举使工件W的表面上的流体的流动产生涡旋的结构。作为任意结构的另一例，可列举用来对工件W的表面赋予疏水性的结构。作为任意结构的另一例，可列举规则地或不规则地形成的微米、纳米级的微细纹理结构(典型的是，包含山结构及槽结构的凹凸结构)。微细纹理结构也可包含具有降低流体(气体及/或液体)的阻力的功能的鲨鱼皮结构及小凹坑结构中的至少一个。微细纹理结构也可包含具有拨液功能及自净功能的至少一者(例如，具有莲花效果)的莲叶表面结构。微细纹理结构也可包含具有液体输送功能的微细突起结构(参照美国专利公开第2017/0044002号公报)、具有亲液性功能的凹凸结构、具有防污功能的凹凸结构、具有反射率降低功能及拨液功能的至少一种的蛾眼结构、利用干涉仅增强指定波长的光而呈现结构色的凹凸结构、具有利用范德华力的粘着功能的柱阵列结构、具有气动噪声降低功能的凹凸结构、具有液滴捕集功能的蜂巢结构、以及提高与形成在表面上的层的密接性的凹凸结构、用来降低摩擦阻力的凹凸结构等的至少一者。该情况下，构成凹凸结构的槽结构也可具有与构成上述脊状结构RB的槽结构9相同的结构。构成凹凸结构的山结构，也可具有与构成上述脊状结构RB的山结构8相同的结构。另外，微细纹理结构也可不具有指定的功能。

上述说明中，加工系统SYS对工件W照射加工光EL来加工工件W。然而，加工系统SYS也可将与光不同的任意能量束照射至工件W来对工件W进行加工。该情况下，加工系统SYS除加工光源2以外或其它可代替的方式，也可具备可照射任意能量束的束照射装置。作为任意能量束的一例，可列举带电粒子束及电磁波中的至少一种。作为带电粒子束的一例，可列举电子束及离子束中的至少一种。

(5)附记

关于以上说明的实施方式，进而揭示以下附记。

[附记1]

一种叶片部件，在表面形成有槽结构，且

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，

多个所述第一槽结构以在第一方向上延伸的方式形成，

多个所述第二槽结构以在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的方式形成，

所述第三槽结构沿与所述第一方向及所述第二方向不同的第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记2]

根据附记1所述的叶片部件，其中相当于沿所述第一方向延伸的第一轴与沿所述第三方向延伸的第三轴所成的角度中较大的角度的第一角度，相当于沿所述第二方向延伸的第二轴与所述第三轴所成的角度中较大的角度的第二角度，分别大于相当于所述第一轴与所述第二轴所成的角度中较大的角度的第三角度。

[附记3]

根据附记2所述的叶片部件，其中所述第一角度与所述第二角度的和，为所述第三角度加上180°而得的角度。

[附记4]

根据附记1至3中任一项所述的叶片部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少两个沿所述第三方向延伸。

[附记5]

根据附记1至4中任一项所述的叶片部件，其中多个所述第一槽结构相互平行，

多个所述第二槽结构相互平行。

[附记6]

根据附记4所述的叶片部件，其中多个所述第三槽结构的排列间距不管所述第三方向上的位置而为一定。

[附记7]

根据附记1至3中任一项所述的叶片部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少一个沿所述第三方向延伸，

多个所述第三槽结构中的至少另一个沿与所述第三方向不同的第四方向延伸。

[附记8]

根据附记1至7中任一项所述的叶片部件，其中多个所述第一槽结构的排列间距与多个所述第二槽结构的排列间距不同。

[附记9]

根据附记1至3及7至8中任一项所述的叶片部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

连接于多个所述第三槽结构中的至少两个所述第三槽结构的多个第一槽结构中的两个所述第一槽结构的排列间距，与连接于多个所述第三槽结构中的至少两个所述第三槽结构的多个所述第二槽结构中的两个所述第二槽结构的排列间距不同。

[附记10]

根据附记7或9所述的叶片部件，其中多个所述第三槽结构的排列间距根据其位置来变化。

[附记11]

根据附记1至10中任一项所述的叶片部件，其中在多个所述第一槽结构、多个所述第二槽结构及第三槽结构中的相邻的两个之间，包含突起形状、凸形状及山形状中的至少一结构。

[附记12]

一种叶片部件，在表面形成有槽结构，且

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，

多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，

多个所述第二槽结构是在第二方向上延伸的第二波形状，且沿与所述第二方向交叉的方向以与所述第一排列间距不同的第二排列间距排列的方式形成，

所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记13]

根据附记12所述的叶片部件，其中在一所述第一槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第一槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第一槽结构与所述第三槽结构，

在一所述第二槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第二槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第二槽结构与所述第三槽结构。

[附记14]

根据附记12或13所述的叶片部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少一个沿所述第三方向延伸，

多个所述第三槽结构中的至少另一个沿与所述第三方向不同的第四方向延伸。

[附记15]

根据附记12至14中任一项所述的叶片部件，其中所述第三波形状的振幅周期根据所述第三方向上的位置来变化。

[附记16]

根据附记12至15中任一项所述的叶片部件，其中所述第三波形状的振幅周期不管所述第三方向上的位置而为固定。

[附记17]

根据附记12至16中任一项所述的叶片部件，其中所述第三槽结构沿与所述第一方向及所述第二方向交叉的方向延伸。

[附记18]

根据附记12至17中任一项所述的叶片部件，其中所述第三槽结构沿与所述第一方向及所述第二方向平行的方向延伸。

[附记19]

根据附记12至18中任一项所述的叶片部件，其中所述第三波形状的振幅根据所述第三方向上的位置来变化。

[附记20]

根据附记12至19中任一项所述的叶片部件，其中所述第三波形状的振幅不管所述第三方向上的位置而为固定。

[附记21]

一种叶片部件，在表面形成有槽结构，且具备：

第一区域，形成有在第一方向上延伸的槽结构；

第二区域，未形成所述槽结构；及

第三区域，位于所述第一区域与所述第二区域之间，且形成有与所述第一区域的槽结构连接的槽结构；

形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域接近所述第二区域而变浅。

[附记22]

根据附记21所述的叶片部件，其中形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着所述槽结构沿所述第一方向从所述第一区域接近所述第二区域而连续性地变浅。

[附记23]

根据附记21或22所述的叶片部件，其中形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着所述槽结构沿所述第一方向从所述第一区域接近所述第二区域而阶段性地变浅。

[附记24]

根据附记21至23中任一项所述的叶片部件，其中所述第一区域的端部处的所述槽结构的深度，与连接于所述第一区域的端部的所述第三区域的端部处的所述槽结构的深度相同。

[附记25]

根据附记21至24中任一项所述的叶片部件，其中连接于所述第二区域的所述第三区域的端部的高度，与连接于所述第三区域的所述第二区域的端部的高度相同。

[附记26]

根据附记21至25中任一项所述的叶片部件，其中在所述第一区域以形成突起形状、凸形状及山形状的至少一者的方式，形成包含沿与所述第一方向交叉的第二方向排列的两个槽的所述槽结构。

[附记27]

根据附记21至26中任一项所述的叶片部件，其中在所述第三区域的至少一部分以形成突起形状、凸形状及山形状的至少一者的方式，形成包含沿与所述第一方向交叉的第二方向排列的两个槽的所述槽结构。

[附记28]

根据附记26或27所述的叶片部件，其中所述槽的深度表示所述槽的底相对于突起形状、凸形状及山形状的至少一者的顶点的位置。

[附记29]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，

多个所述第一槽结构以在第一方向上延伸的方式形成，

多个所述第二槽结构以在第二方向上延伸的方式形成，

所述第三槽结构沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记30]

根据附记29所述的结构部件，其中相当于沿所述第一方向延伸的第一轴与沿所述第三方向延伸的第三轴所成的角度中较大的角度的第一角度、及相当于沿所述第二方向延伸的第二轴与所述第三轴所成的角度中较大的角度的第二角度，分别大于相当于所述第一轴与所述第二轴所成的角度中较大的角度的第三角度。

[附记31]

根据附记29所述的结构部件，其中所述第三方向是与所述第一及第二方向不同的方向。

[附记32]

根据附记29至31中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少两个沿所述第三方向延伸。

[附记33]

根据附记29至32中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少两个延伸的方向相互平行。

[附记34]

根据附记29至33中任一项所述的结构部件，其中多个所述第三槽结构的排列间距不管多个所述第三槽结构延伸的方向上的位置而为一定。

[附记35]

根据附记29至34中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构中的至少一个沿所述第三方向延伸，

多个所述第三槽结构中的至少另一个沿与所述第三方向交叉的第四方向延伸。

[附记36]

根据附记29至35中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构的至少两个延伸的方向相互为非平行。

[附记37]

根据附记36所述的结构部件，其中连接于多个所述第三槽结构中的至少两个所述第三槽结构的多个第一槽结构中的两个所述第一槽结构的排列间距，与连接于多个所述第三槽结构中的至少两个所述第三槽结构的多个所述第二槽结构中的两个所述第二槽结构的排列间距不同。

[附记38]

根据附记29至37中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构形成有多个，

多个所述第三槽结构的排列间距根据多个所述第三槽结构延伸的方向上的位置来变化。

[附记39]

根据附记29至38中任一项所述的结构部件，其中在多个所述第一槽结构、多个所述第二槽结构及第三槽结构中的相邻的两个之间，包含突起形状、凸形状及山形状中的至少一结构。

[附记40]

根据附记29至39中任一项所述的结构部件，其中所述第一方向与所述第二方向不同。

[附记41]

根据附记29至40中任一项所述的结构部件，其中所述第一方向与所述第二方向相同。

[附记42]

根据附记29至41中任一项所述的结构部件，其中所述第一槽结构的排列间距与所述第二槽结构的排列间距不同。

[附记43]

根据附记29至42中任一项所述的结构部件，其中所述第一槽结构的排列间距与所述第二槽结构的排列间距相同。

[附记44]

根据附记29至43中任一项所述的结构部件，其中所述第一方向是所述表面中形成多个所述第一槽结构的第一区域中的流线延伸的方向，

所述第二方向是所述表面中形成多个所述第二槽结构的第二区域中的流线延伸的方向。

[附记45]

根据附记29至44中任一项所述的结构部件，其中在多个所述第一槽结构、多个所述第二槽结构及第三槽结构中的相邻的两个之间，包含突起形状、凸形状及山形状中的至少一结构。

[附记46]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，且

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，

多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且以沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，

多个所述第二槽结构是在第二方向上延伸的第二波形状，且以沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列的方式形成，

所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记47]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，且

所述槽结构具备：多个第一槽结构，在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，沿第三方向延伸；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一位置至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第二槽结构与沿所述第二方向的第二轴在第六位置至第八位置交叉，所述第二槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第二槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第三轴在第十一位置至第十三位置交叉，所述第三槽结构的所述第十一位置与所述第十二位置之间的第十四位置位于所述第三轴的第八方向侧，所述第三槽结构的所述第十二位置与所述第十三位置之间的第十五位置位于所述第三轴的与所述第八方向为相反侧的第九方向侧，

所述第三槽结构形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记48]

根据附记46或47所述的结构部件，其中在一所述第一槽结构与所述第三槽结构的边界处，平滑地连接一所述第一槽结构与所述第三槽结构，

在一所述第二槽结构与所述第三槽结构的边界处，平滑地连接一所述第二槽结构与所述第三槽结构。

[附记49]

根据附记46至48中任一项所述的结构部件，其中在一所述第一槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第一槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第一槽结构与所述第三槽结构，

在一所述第二槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第二槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第二槽结构与所述第三槽结构。

[附记50]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，

多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，

多个所述第二槽结构在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列的方式形成，

所述第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记51]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，

所述槽结构具备：多个第一槽结构，在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，沿第三方向延伸；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一位置至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第二轴在第六位置至第八位置交叉，所述第三槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第三槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置，位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧，

所述第三槽结构形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记52]

根据附记50或51所述的结构部件，其中在所述一第二槽结构与所述第三槽结构的边界处，一所述第二槽结构的端部与所述第三槽结构的端部沿与所述第二方向交叉的方向位于相同位置。

[附记53]

根据附记50至52中任一项所述的结构部件，其中一所述第二槽结构沿所述第二方向直线状延伸。

[附记54]

根据附记50至53中任一项所述的结构部件，其中所述第三波形状的振幅，随着所述第三槽结构接近一所述第二槽结构与所述第三槽结构的边界而变小。

[附记55]

根据附记54所述的结构部件，其中在一所述第一槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第一槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第一槽结构与所述第三槽结构，

在一所述第二槽结构与所述第三槽结构的边界处，以一所述第二槽结构的切线方向与所述第三槽结构的切线方向一致的方式连接一所述第二槽结构与所述第三槽结构。

[附记56]

根据附记46至49中任一项所述的结构部件，其中所述第三波形状的振幅周期根据所述第三方向上的位置来变化。

[附记57]

根据附记46至56中任一项所述的结构部件，其中所述第三波形状的振幅周期不管所述第三方向上的位置而为固定。

[附记58]

根据附记46至57中任一项所述的结构部件，其中所述第三波形状的振幅根据所述第三方向上的位置来变化。

[附记59]

根据附记46至49中任一项所述的结构部件，其中所述第三波形状的振幅不管所述第三方向上的位置而为固定。

[附记60]

根据附记46至59中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构沿与所述第一方向及第二方向交叉的方向延伸。

[附记61]

根据附记46至60中任一项所述的结构部件，其中所述第三槽结构沿与所述第一方向及第二方向平行的方向延伸。

[附记62]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，且

所述槽结构具备多个第三槽结构，

多个所述第三槽结构中的一第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，

多个所述第三槽结构中的另一第三槽结构是在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状，

多个所述第三槽结构的排列间距根据位置来变化。

[附记63]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，

所述槽结构具备多个第一槽结构与多个第三槽结构，

多个所述第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列的方式形成，

多个所述第三槽结构包含在第三方向上延伸的第三波形状的一第三槽结构、及在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状的另一第三槽结构，且以分别连接于多个所述第一槽结构的方式形成。

[附记64]

一种结构部件，在表面形成有槽结构，且具备：

第一区域，形成有在第一方向上延伸的槽结构；

第二区域，未形成所述槽结构；及

第三区域，位于所述第一区域与所述第二区域之间，且形成有与所述第一区域的槽结构连接的槽结构；

形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域接近所述第二区域而变浅。

[附记65]

根据附记64所述的结构部件，其中形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着所述槽结构沿所述第一方向从所述第一区域接近所述第二区域而连续性地变浅。

[附记66]

根据附记64或65所述的结构部件，其中形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着所述槽结构沿所述第一方向从所述第一区域接近所述第二区域而阶段性地变浅。

[附记67]

根据附记64至66中任一项所述的结构部件，其中所述第一区域的端部处的所述槽结构的深度，与连接于所述第一区域的端部的所述第三区域的端部处的所述槽结构的深度相同。

[附记68]

根据附记64至67中任一项所述的结构部件，其中连接于所述第二区域的所述第三区域的端部的高度，与连接于所述第三区域的所述第二区域的端部的高度相同。

[附记69]

根据附记64至68中任一项所述的结构部件，其中在所述第一区域形成有所述槽结构，该槽结构包含以形成突起形状、凸形状及山形状中的至少一者的方式沿与所述第一方向交叉的第二方向排列的两个槽。

[附记70]

根据附记64至69中任一项所述的结构部件，其中在所述第三区域的至少一部分形成有所述槽结构，该槽结构包含以形成突起形状、凸形状及山形状中的至少一者的方式沿与所述第一方向交叉的第二方向排列的两个槽。

[附记71]

根据附记69或70所述的结构部件，其中所述槽的深度表示所述槽的底相对于突起形状、凸形状及山形状中的至少一者的顶点的位置。

[附记72]

根据附记29至71中任一项所述的结构部件，其中所述结构部件包含作为旋转体的一部分的叶片部件、移动体的壳体及飞行体的翼部分的至少一者。

[附记73]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，在第一方向上延伸；多个第二槽结构，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；及第三槽结构，沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记74]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，是在第二方向上延伸的第二波形状，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记75]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一位置至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置，位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第二槽结构与沿所述第二方向的第二轴在第六位置至第八位置交叉，所述第二槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第二槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第三轴在第十一位置至第十三位置交叉，所述第三槽结构的所述第十一位置与所述第十二位置之间的第十四位置位于所述第三轴的第八方向侧，所述第三槽结构的所述第十二位置与所述第十三位置之间的第十五位置，位于所述第三轴的与所述第八方向为相反侧的第九方向侧。

[附记76]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记77]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；多个第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及第三槽结构，沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一位置至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置，位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第二轴在第六位置至第八位置交叉，所述第三槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第三槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置，位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧。

[附记78]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成具备多个第三槽结构的所述槽结构的方式控制所述加工装置，

多个所述第三槽结构中的一第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，

多个所述第三槽结构中的另一第三槽结构是在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状，

多个所述第三槽结构的排列间距根据位置来变化。

[附记79]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以形成所述槽结构的方式控制所述加工装置，该槽结构具备：多个第一槽结构，是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；及多个第三槽结构，包含在第三方向上延伸的第三波形状的一第三槽结构、及在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状的另一第三槽结构，且分别连接于多个所述第一槽结构。

[附记80]

一种加工系统，具备：

加工装置，可通过对物体照射能量束来对所述物体进行加工；及

控制装置，以通过对所述物体进行加工来在所述物体的表面形成槽结构的方式控制所述加工装置；

所述控制装置以如下方式控制所述加工装置，即，在所述表面的第一区域形成在第一方向上延伸的槽结构，在位于所述第一区域与未形成所述槽结构的所述表面的第二区域之间的所述表面的第三区域，形成与所述第一区域的槽结构连接的槽结构，

形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域接近所述第二区域而变浅。

[附记81]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，且该加工方法包含：

形成在第一方向上延伸的多个所述第一槽结构；

形成在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的多个所述第二槽结构；及

形成所述第三槽结构，该第三槽结构沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记82]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，且该加工方法包含：

形成多个所述第一槽结构，这些第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；

形成多个所述第二槽结构，这些第二槽结构是在第二方向上延伸的第二波形状，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及

形成第三槽结构，该第三槽结构在第三方向上延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记83]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，且该加工方法包含：

形成多个所述第一槽结构，这些第一槽结构在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；

形成多个所述第二槽结构，这些第二槽结构在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及

形成第三槽结构，该第三槽结构沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置，位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第二槽结构与沿所述第二方向的第二轴在第六位置至第八位置交叉，所述第二槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第二槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置，位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第三轴在第十一位置至第十三位置交叉，所述第三槽结构的所述第十一位置与所述第十二位置之间的第十四位置位于所述第三轴的第八方向侧，所述第三槽结构的所述第十二位置与所述第十三位置之间的第十五位置，位于所述第三轴的与所述第八方向为相反侧的第九方向侧。

[附记84]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，且该加工方法包含：

形成多个所述第一槽结构，这些第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；

形成多个所述第二槽结构，在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及

形成第三槽结构，该第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间。

[附记85]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构、多个第二槽结构及第三槽结构，该加工方法包含：

形成多个所述第一槽结构，这些第一槽结构在第一方向上延伸，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；

形成多个所述第二槽结构，这些第二槽结构在第二方向上延伸，且沿与所述第二方向交叉的方向以第二排列间距排列；及

形成第三槽结构，该第三槽结构沿第三方向延伸，且形成在多个所述第一槽结构中的一第一槽结构与多个所述第二槽结构中的一第二槽结构之间；

所述第一槽结构与沿所述第一方向的第一轴在第一至第三位置交叉，所述第一槽结构的所述第一位置与所述第二位置之间的第四位置位于所述第一轴的第四方向侧，所述第一槽结构的所述第二位置与所述第三位置之间的第五位置，位于所述第一轴的与所述第四方向为相反侧的第五方向侧，

所述第三槽结构与沿所述第三方向的第二轴在第六至第八位置交叉，所述第三槽结构的所述第六位置与所述第七位置之间的第九位置位于所述第二轴的第六方向侧，所述第三槽结构的所述第七位置与所述第八位置之间的第十位置，位于所述第二轴的与所述第六方向为相反侧的第七方向侧。

[附记86]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第三槽结构，且

以如下方式形成多个所述第三结构，即，多个所述第三槽结构中的一第三槽结构是在第三方向上延伸的第三波形状，多个所述第三槽结构中的另一第三槽结构是在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状，且多个所述第三槽结构的排列间距根据位置来变化。

[附记87]

加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，

所述槽结构具备多个第一槽结构与多个第三槽结构，且该加工方法包含：

形成多个所述第一槽结构，这些第一槽结构是在第一方向上延伸的第一波形状，且沿与所述第一方向交叉的方向以第一排列间距排列；及

形成多个所述第三槽结构，这些第三槽结构包含在第三方向上延伸的第三波形状的一第三槽结构、及在与所述第三方向不同的第四方向上延伸的第四波形状的另一第三槽结构，且分别连接于多个所述第一槽结构。

[附记88]

一种加工方法，以通过对物体照射能量束来在所述物体的表面形成槽结构的方式对所述物体进行加工，该加工方法包含：

在所述表面的第一区域形成在第一方向上延伸的槽结构；及

在位于所述第一区域与未形成所述槽结构的所述表面的第二区域之间的所述表面的第三区域，形成与所述第一区域的槽结构连接的槽结构；

形成在所述第三区域的所述槽结构的深度，随着从所述第一区域接近所述第二区域而变浅。

上述各实施方式的要件可适当组合。也可不使用上述各实施方式的要件中的一部分。上述各实施方式的要件可适当地置换为另一实施方式的要件。此外，只要法律允许，则可沿用上述各实施方式中引用的装置等相关的全部公开公报及美国专利的揭示并作为本文记载的一部分。

此外，本发明可在不违背能从权利要求书及整个说明书中读到的发明的主旨或思想的范围内适当地变更，带有该变更的叶片部件、结构部件、加工系统及加工方法也包含在本发明的技术思想中。