横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，特别是涉及一种横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法。

背景技术

射频声学谐振器是用于合成滤波功能或作为频率源的小型微合成结构。声学谐振器由于具有更小的体积和更高的品质因子(Q)，从而取代了手机、小型基站和物联网设备中使用的其他类型的谐振器，声学谐振器可以实现低损耗(低功耗)、高抑制和高信号噪声比，及更为超薄的封装。

随着新的通信标准(即第五代移动网络)的发布，有必要将谐振器的工作范围扩大到更高的频率同时保持高机电耦合系数和高Q值。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值的横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法。

一种横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法，包括：提供压电层，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂，所述压电层具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成声学镜；所述声学镜包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，所述第一声反射层和第二声反射层交替叠设且最靠近所述压电层的为一第一声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；在所述声学镜的第一表面键合承载晶圆；所述声学镜的第一表面是背离所述压电层的一面；在所述第二表面形成电极单元和横向反射器；所述电极单元用于形成电场，所述横向反射器包括位于所述电极单元的第一侧的第一反射器和位于所述电极单元的第二侧的第二反射器，所述第一侧和第二侧为相对侧，所述横向反射器用于对声波进行横向反射。

在其中一个实施例中，所述在所述第一表面形成声学镜的步骤包括形成三层第一声反射层和两层第二声反射层。

在其中一个实施例中，离所述压电层越远的第一声反射层的厚度越厚；离所述压电层越远的第二声反射层的厚度越厚。

在其中一个实施例中，所述在所述第二表面形成电极单元和横向反射器的步骤包括：沉积并刻蚀第一金属层，形成所述电极单元和横向反射器；所述电极单元包括第一公共电极、第二公共电极、多条第一叉指电极及多条第二叉指电极，各所述第一叉指电极与所述第一公共电极电性连接，各所述第二叉指电极与所述第二公共电极电性连接，且各第一叉指电极与各第二叉指电极之间绝缘设置，所述第一公共电极用于接入输入电压，所述第二公共电极用于接地。

在其中一个实施例中，所述电极单元用于形成主要平行于所述压电层的电场，并用于在整个压电层的厚度上产生剪切模式的机械波。

在其中一个实施例中，所述在所述第二表面形成电极单元和横向反射器的步骤还包括：在所述电极单元上沉积并刻蚀第二金属层，形成设于所述第一公共电极上的第一金属件和第二公共电极上的第二金属件，所述第一金属件和第二金属件的厚度大于所述电极单元的厚度，所述第一金属件和第二金属件用于在第一方向上进行声学反射，所述第一方向垂直于所述声波的传播方向。

在其中一个实施例中，所述电极单元的两侧的横向反射器之间的连线方向为声波的传播方向；所述声学镜的各第一声反射层和各第二声反射层在第一方向上的两侧边缘对齐，且所述第一方向在平面上垂直于所述连线方向，所述平面垂直于谐振器的高度方向；各所述第一叉指电极的第一端连接所述第一公共电极，各所述第二叉指电极的第一端连接所述第二公共电极，各所述第一叉指电极的第一端的边缘在所述声学镜上的正投影与所述声学镜在所述第一方向上的第一侧边缘对齐，各所述第二叉指电极的第一端的边缘在所述声学镜上的正投影与所述声学镜在所述第一方向上的第二侧边缘对齐。

在其中一个实施例中，所述第一反射器和第二反射器均包括至少一条电极条，所述第一反射器中距离所述电极单元最近的一条电极条的中心与所述电极单元的第一侧边缘的叉指电极的中心的距离为1/8至2个所述声波的波长，所述第二反射器中距离所述电极单元最近的一条电极条的中心与所述电极单元的第二侧边缘的叉指电极的中心的距离为1/8至2个声波波长。

在其中一个实施例中，所述在所述声学镜的第一表面键合承载晶圆的步骤之前包括：对所述声学镜的第一表面进行抛光；在所述声学镜的第一表面或所述承载晶圆的键合面沉积键合辅助层。

在其中一个实施例中，所述键合辅助层是二氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述在所述第一表面形成声学镜的步骤包括：沉积并刻蚀所述声学镜，并在所述压电层上沉积填充层，填充所述声学镜被刻蚀去除的位置。

在其中一个实施例中，所述沉积并刻蚀所述声学镜，并在所述压电层上沉积填充层的步骤包括：步骤A，沉积第一声反射层；步骤B，在第一声反射层上沉积第二声反射层；步骤C，刻蚀第二声反射层；步骤D，沉积填充层；依次重复所述步骤A、B、C、D，直到形成所需层数的第一声反射层和第二声反射层。

在其中一个实施例中，所述沉积并刻蚀所述声学镜，并在所述压电层上沉积填充层的步骤包括：步骤A，沉积第一声反射层；步骤B，在第一声反射层上沉积第二声反射层；步骤C，刻蚀第二声反射层；依次重复所述步骤A、B、C，直到形成所需层数的第一声反射层和第二声反射层，然后沉积填充层。

在其中一个实施例中，所述填充层与各第一声反射层的材料相同。

在其中一个实施例中，各所述第一声反射层的材料包括二氧化硅、铝、苯并环丁烯、聚酰亚胺和自旋玻璃中的至少一种，各所述第二声反射层的材料包括钼、钨、钛、铂、氮化铝、氧化钨和氮化硅中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电极单元与横向反射器的材质相同且为金属和/或合金。

上述横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法，将采用单晶材料的铌酸锂或钽酸锂的压电层集成到定制开发的微加工工艺流程中，形成的谐振器通过电极单元产生电场，并通过横向反射器对声波进行横向反射，从而可以激励为横向的剪切振动模式，并在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一实施例中横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法的流程图；

图2是一实施例中步骤S120完成后器件的剖面示意图；

图3是一实施例中键合承载晶圆110后器件的剖面示意图；

图4为一实施例中横向激励剪切模式的声学谐振器的部分结构的俯视图；

图5是沿图4中A-A’线的剖视图；

图6为压电层中电场与机械波的传播方向示意图；

图7是一实施例中反射镜的各反射层的厚度示意图；

图8是一实施例中步骤S120的子步骤流程图；

图9是另一实施例中步骤S120的子步骤流程图；

图10a至图10c是三个不同的实施例中声学镜的结构示意图；

图11是采用图9所示的方法形成的一实施例中声学镜的结构示意图；

图12是沿图4中B-B’线的剖视图；

图13是一实施例中第一反射器的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。

体声波(BAW)和声表面波(SAW)谐振器是在0.6GHz和3GHz之间合成滤波器和振荡器最常用的器件。这些声学器件在商业上是成功的，广泛应用于手机前端模块或作为无线电前端的分立元件。现有的体声波和声表面波器件在3GHz以下的频率下可以表现出超过1000的Q值和大约7％-10％的机电耦合系数。但将其频率工作范围扩展到3GHz之上则会遇到若干技术上的不确定性和物理极限。新的5G标准要求机电耦合系数超过10％，如果不改变构成材料或工作模式，这一要求是体声波和声表面波器件无法实现的。同样，材料损耗对超过3GHz的传统体声波和声表面波器件的能达到的最大Q值构成根本的限制。

综上，市场需要能够在3GHz以上的频率具备高机电耦合和高品质因子的新型器件。

本申请旨在开发一种新型的晶圆级机械/声学谐振器并提供其制造方法，该谐振器能够在频率高于3GHz下具有高Q值和高机电耦合系数。该谐振器将支持高性能通带滤波器的合成，从而满足5G通信标准的新需求和未来的更新换代。

图1是一实施例中横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法的流程图，包括下列步骤：

S110，提供压电层。

压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂。压电层具有相对的第一表面和第二表面。

S120，在压电层的第一表面形成声学镜。

形成的声学镜包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，第一声反射层和第二声反射层交替叠设且最靠近压电层的为一第一声反射层(即存在一第一声反射层比所有的第二声反射层更靠近压电层)。各第一声反射层的声阻抗小于各第二声反射层的声阻抗。图2是一实施例中步骤S120完成后器件的剖面示意图。在该实施例中，声学镜120包括三层第一声反射层(即第一声反射层121、第一声反射层123、第一声反射层125)和两层第二声反射层(即第声二反射层122和第二声反射层124)。

在本申请的一个实施例中，步骤S120包括：沉积并刻蚀声学镜，并在压电层上沉积填充层，填充声学镜被刻蚀去除的位置。沉积填充层可以提高声学谐振器的平整度。

S130，在声学镜的第一表面键合承载晶圆。

声学镜的第一表面是背离压电层的一面。在键合承载晶圆之前，可以先对声学镜的第一表面进行抛光，以便为键合提供平整的界面。在本申请的一个实施例中，抛光可以使用CMP(化学机械抛光)工艺进行。

在本申请的一个实施例中，承载晶圆的材料可以是硅、蓝宝石、石英或其他材料。

图3是一实施例中键合承载晶圆110后器件的剖面示意图。在该实施例中，声学镜120的各第一声反射层和第二声反射层全部沉积完成后，再一并进行刻蚀，从而图案化声学镜120全部的膜层，并使这些膜层具有相似的横向尺寸。声学镜120刻蚀后再沉积填充层129。在本申请的一个实施例中，填充层129的材料可以与各第一声反射层相同，这样有利于提高声学谐振器的品质因数。在其他实施例中，填充层129的材料也可以采用与工艺流程兼容(即不与声学谐振器的其他膜层结构反应，导致其他膜层结构的性质发生改变)并可以进行平坦化的其他材料。

S140，在压电层的第二表面形成电极单元和横向反射器。

横向反射器包括位于电极单元的第一侧的第一反射器和位于电极单元的第二侧的第二反射器，第一侧和第二侧为相对侧。电极单元用于形成电场，横向反射器用于对声波进行横向反射。

上述横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法，将采用单晶材料的铌酸锂或钽酸锂的压电层集成到定制开发的微加工工艺流程中，形成的谐振器通过电极单元产生电场，并通过横向反射器对声波进行横向反射，从而可以激励为横向的剪切振动模式，并在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值。

在本申请的一个实施例中，步骤S140之前还包括对压电层进行减薄处理至所需厚度的步骤。减薄可以通过研磨和抛光来进行。在本申请的一个实施例中，减薄后压电层的厚度小于1微米。在本申请的一个实施例中，对压电层的减薄在步骤S130之后进行。

在本申请的一个实施例中，步骤S140是通过沉积并刻蚀第一金属层来形成电极单元和横向反射器。图4是一实施例中横向激励剪切模式的声学谐振器的部分结构的俯视图，图5是沿图1中A-A’线的剖视图。参见图4和图5，在该实施例中，本申请的横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法制造而成的横向激励剪切模式的声学谐振器包括声学镜120、压电层130、电极单元及横向反射器，图4主要是为了示意出相应的实施例中电极单元及横向反射器的形状，因此省略了压电层130上的其他结构。

电极单元设于压电层130上，用于形成电场。电极单元可以包括叉指电极。在图4和图5所示的实施例中，电极单元包括一组第一叉指电极141和一组第二叉指电极143，第一叉指电极141和第二叉指电极143向第一方向(图1中的Y方向)延伸，因此相互平行，各第一叉指电极141与各第二叉指电极143之间绝缘设置，第一叉指电极141用于接入输入电压，第二叉指电极143用于接地。电极单元还包括第一公共电极142和第二公共电极144，各第一叉指电极141的一端连接到第一公共电极142上，各第二叉指电极143的一端连接到第二公共电极144上，公共电极也称为汇流条。

横向反射器同样设于压电层130上，可以与电极单元同层设置，包括位于电极单元的第一侧(图4中左侧)的第一反射器152和位于电极单元的第二侧(图4中右侧)的第二反射器。横向反射器与电极单元之间绝缘，用于对声波进行横向反射。

压电层130设于声学镜120上。压电层130包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂。

参见图6，图中大箭头为电场方向，小箭头为剪切振动模式的机械波传播方向，电场主要平行于压电层130，并用于在整个压电层130的厚度上产生剪切模式的机械波。单晶材料的铌酸锂/钽酸锂配合本申请的电极单元结构及横向反射器结构，可以获得优化的剪切振动模式，这个剪切振动模式具有更大声波波速，在器件的关键尺寸(如叉指的步距)不变的情况下，可以比传统商用的滤波器达到更高的频率。

在本申请的一个实施例中，电极单元与横向反射器的材质相同且为金属和/或合金。在本申请的一个实施例中，电极单元可由铝(Al)、铜(Cu)、铝铜(AlCu)、铝硅铜(AlSiCu)、钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)或任何其他导电金属制成。

在图5所示的实施例中，横向激励剪切模式的声学谐振器还包括承载晶圆110。声学镜120设于承载晶圆110上。

在本申请的一个实施例中，对声学镜的第一表面进行抛光之后、键合承载晶圆的步骤之前，还包括在声学镜的第一表面或承载晶圆的键合面沉积键合辅助层的步骤。在本申请的一个实施例中，键合辅助层可以是一层薄的二氧化硅层。

在本申请的一个实施例中，各第一声反射层采用低声阻抗材料，各第二声反射层采用高声阻抗材料。其中，低声阻抗材料可以是二氧化硅、铝、苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺和自旋玻璃(spin on glass)中的至少一种，高声阻抗材料可以是钼、钨、钛、铂、氮化铝、氧化铝、氧化钨及氮化硅中的至少一种；可以理解的，在其他实施例中，低声阻抗材料和高声阻抗材料也可以使用具有较大阻抗比的其他材料组合。

声学镜120的各第一声反射层和第二声反射层可以具有相等或不相等的厚度。在本申请的一个实施例中，离压电层130越远的第一声反射层的厚度越厚；离压电层130越远的第二声反射层的厚度越厚，这种设计可以获得更大的Q值。参见图7，在图7所示的实施例中，第一声反射层121的厚度Tl1<第一声反射层123的厚度Tl2<第一声反射层125的厚度Tl3，第二反射层122的厚度Th1<第二反射层124的厚度Th2。可以理解的，在其他实施例中，各第一声反射层和第二声反射层的厚度关系也可以按其他规律设置，例如Tl1＝Tl2＝Tl3，Th1＝Th2；或者Tl1>Tl2>Tl3，Th1>Th2；又或者Tl1

图4还示出了声学镜120在俯视视角的位置。图4中的X方向为声波的传播方向。声学镜120的各第一声反射层和各第二声反射层在Y方向上的两侧边缘对齐。各第一叉指电极141远离第一公共电极142的一端的边缘在声学镜上120的正投影与声学镜120在Y第一方向上的第一侧边缘对齐，各第二叉指电极143远离第一公共电极142的一端的边缘在声学镜120上的正投影与声学镜120在Y方向上的第二侧边缘对齐。

参见图8，在本申请的一个实施例中，所述沉积并刻蚀声学镜，并在压电层上沉积填充层，填充声学镜被刻蚀去除的位置的步骤具体包括：

S121，沉积第一反射层。

在压电层130的表面沉积第一反射层121。沉积后可以对第一反射层121表面进行抛光。

S122，在第一声反射层上沉积第二声反射层。

在第一反射层121上沉积第二声反射层122。

S123，刻蚀第二声反射层。

单独对第二声反射层122进行刻蚀(不刻蚀第一反射层121)。

S124，沉积填充层。

在第一反射层121上沉积填充层129。沉积后可以将多余厚度的填充层129刻蚀去除，和/或对填充层129和第二声反射层122表面进行抛光。填充层129的材料可以与各第一声反射层相同，也可以采用与工艺流程兼容并可以进行平坦化的其他材料。

步骤S124完成后返回步骤S121，即继续在第二声反射层122和填充层129上沉积第一声反射层123。之后依次执行步骤S122、S123、S124、S121、……直至形成所需层数的第一声反射层和第二声反射层，参照图10a。

在本申请的一个实施例中，在从压电层130指向承载晶圆110的方向(即图10b箭头所指方向)上，不同的第二声反射层面积逐渐递增，使得各第二声反射层的横向尺寸向下的投影涵盖其下方的第二声反射层。

在本申请的另一个实施例中，在从压电层130指向承载晶圆110的方向(即图10c箭头所指方向)上，不同的第二声反射层面积逐渐递减，使得各第二声反射层的横向尺寸向上的投影涵盖其上方的第二声反射层。

参见图9，在本申请的另一个实施例中，所述沉积并刻蚀声学镜，并在压电层上沉积填充层，填充声学镜被刻蚀去除的位置的步骤具体包括：

S221，沉积第一反射层。

在压电层130的表面沉积第一反射层121。沉积后可以对第一反射层121表面进行抛光。

S222，在第一声反射层上沉积第二声反射层。

在第一反射层121上沉积第二声反射层122。

S223，刻蚀第二声反射层。

单独对第二声反射层122进行刻蚀(不刻蚀第一反射层121)。刻蚀后可以对第二声反射层122表面进行抛光。

步骤S223之后返回步骤S221，在第二声反射层122上沉积第一声反射层123，第一声反射层123的材料会填入第二声反射层122被刻蚀掉的位置。之后依次执行步骤S222、S223、S221、……直至形成所需层数的第一声反射层和第二声反射层，然后执行步骤S224：在最顶上的一层第一声反射层/第二声反射层(即最靠近承载晶圆的第一声反射层/第二声反射层)上沉积填充层。通过图9所示实施例形成的器件结构可以参照图11。

在本申请的一个实施例中，在最顶层形成的填充层的材料可以覆盖第一声反射层/第二声反射层，并且无需去除，但需要保证填充层表面平坦(可以通过抛光等平坦化手段实现)。

在本申请的一个实施例中，步骤S140形成电极单元和横向反射器后，还包括在电极单元上沉积并刻蚀第二金属层，形成设于所述第一公共电极上的第一金属件和第二公共电极上的第二金属件的步骤。图12是沿图4中B-B’线的剖视图。第一金属件145和第二金属件147的厚度大于电极单元的厚度。第一金属件145和第二金属件147用于在图1中的Y方向上进行声学反射。第一金属件145和第二金属件147还可以用于将电信号从谐振器引导至焊盘(pad)。

在本申请的一个实施例中，形成第二金属件之后还包括在压电层上形成钝化层的步骤。在图12所示的实施例中，钝化层160设于压电层130上，并覆盖第一叉指电极141和第二叉指电极143。钝化层160可以降低谐振器的频率温度系数，并钝化金属电极。在本申请的一个实施例中，钝化层160的材料可以是二氧化硅或氮化硅。

压电层130中形成的剪切振动模式的机械波的振动频率与各膜层的厚度及电极单元中相邻叉指电极的间距有关，应力主要局限于第一叉指电极141与第二叉指电极143之间的无金属覆盖的区域。

如图13所示，横向反射器的电极条之间可以相互断开，也可以如图4所示通过横向结构相互连接。横向反射器的电极条可以与电极单元的各叉指平行设置。

应该理解的是，虽然图1、图8、图9的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图8、图9中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。