电子装置

本申请要求于2022年7月14日提交的第10-2022-0086898号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种具有改善的反射亮度的电子装置。

背景技术

电子装置包括诸如显示面板和电子模块等的各种电子部件。电子模块包括相机、红外感测器或接近感测器。电子模块设置在显示面板之下。显示面板的一部分具有比显示面板的另一部分的透射率高的透射率。电子模块通过显示面板的具有相对高的透射率的部分接收外部输入或提供输出。

发明内容

本公开提供一种能够减小具备具有彼此不同的形状的滤色器的区之间的反射亮度的差异的电子装置。

发明构思的实施例提供一种电子装置，该电子装置包括：显示面板，包括包含元件区和多个透射区的第一区、与第一区间隔开的第二区和限定在第一区与第二区之间的边界区。显示面板包括：分隔层，在分隔层中多个第一分隔开口限定在第一区中并且多个第二分隔开口限定在第二区中；多个第一滤色器，包括布置在多个第一分隔开口中的每个中的第一第一滤色器、第一第二滤色器和第一第三滤色器；以及多个第二滤色器，一一对应地与多个第二分隔开口对应。

在实施例中，限定在第一区中的多个透射开口可以限定在分隔层中，并且多个第一分隔开口中的每个可以限定在多个透射开口当中的四个透射开口之间。

在实施例中，第一第二滤色器可以包括与多个第一分隔开口当中的一个第一分隔开口重叠的重叠部分和从重叠部分延伸的延伸部分。

在实施例中，延伸部分可以包括第一第二滤色器的在第一方向上比第一第一滤色器向外突出的部分以及第一第二滤色器的在与第一方向交叉的第二方向上比第一第三滤色器向外突出的部分。

在实施例中，延伸部分可以从重叠部分延伸到多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区。

在实施例中，延伸部分可以围绕第一第一滤色器和第一第三滤色器。

在实施例中，分隔层的一部分可以具有与第一区中的延伸部分的形状对应的形状。

在实施例中，显示面板可以进一步包括具有与第一第二滤色器的颜色相同的颜色的附加滤色器，并且附加滤色器可以设置在多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区中。

在实施例中，延伸部分可以向与多个第一分隔开口当中的另一第一分隔开口重叠的第一第三滤色器延伸，并且附加滤色器可以面对与一个第一分隔开口重叠的第一第一滤色器并且向与多个第一分隔开口当中的又一第一分隔开口重叠的第一第三滤色器延伸。

在实施例中，第一第一滤色器可以包括与多个第一分隔开口当中的一个第一分隔开口重叠的第一重叠部分和从第一重叠部分延伸的第一延伸部分，第一第二滤色器可以包括与一个第一分隔开口重叠的第二重叠部分和从第二重叠部分延伸的第二延伸部分，并且第一第三滤色器可以包括与一个第一分隔开口重叠的第三重叠部分和从第三重叠部分延伸的第三延伸部分。

在实施例中，第一延伸部分可以延伸到多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区，第二延伸部分可以延伸到多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区，并且第三延伸部分可以延伸到多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区。

在实施例中，限定在与第一延伸部分重叠的区中的第一附加分隔开口、限定在与第二延伸部分重叠的区中的第二附加分隔开口和限定在与第三延伸部分重叠的区中的第三附加分隔开口可以限定在分隔层中。

在实施例中，限定在边界区中的多个第三分隔开口和多个第四分隔开口可以限定在分隔层中，并且多个第三分隔开口中的每个可以具有与多个第一分隔开口中的每个的形状相同的形状，并且多个第四分隔开口中的每个可以具有与多个第二分隔开口中的每个的形状相同的形状。

在实施例中，显示面板可以进一步包括：多个第三滤色器，包括布置在多个第三分隔开口中的每个中的第三第一滤色器、第三第二滤色器和第三第三滤色器；以及多个第四滤色器，一一对应地与多个第四分隔开口对应。

在实施例中，显示面板可以进一步包括布置在边界区中的多个虚设滤色器，多个虚设滤色器可以包括多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器，并且多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器可以具有彼此不同的颜色。

在实施例中，第一区可以由第一轴和在第一区的中心处与第一轴交叉的第二轴分隔成象限，边界区可以包括与第一区的第一象限相邻的第一边界区、与第一区的第二象限相邻的第二边界区、与第一区的第三象限相邻的第三边界区和与第一区的第四象限相邻的第四边界区，并且多个虚设滤色器可以分别根据与第一边界区、第二边界区、第三边界区和第四边界区对应的布置规则来布置。

在实施例中，多个第二虚设滤色器可以布置在第一边界区和第二边界区中，多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器可以布置在第三边界区中，并且多个第一虚设滤色器和多个第二虚设滤色器可以布置在第四边界区中。

在实施例中，限定在边界区中并且与多个虚设滤色器重叠的多个虚设分隔开口可以限定在分隔层中。

在实施例中，显示面板可以进一步包括像素限定层，限定多个发光区的多个像素限定开口通过像素限定层限定，多个第二滤色器可以包括第二第一滤色器、第二第二滤色器和第二第三滤色器，多个像素限定开口可以包括与第二第一滤色器重叠的第一像素限定开口、与第二第二滤色器重叠的第二像素限定开口和与第二第三滤色器重叠的第三像素限定开口，第二第一滤色器可以具有比第二第三滤色器的尺寸大的尺寸，并且第一像素限定开口可以具有比第三像素限定开口的尺寸小的尺寸。

在实施例中，显示面板可以进一步包括：第一间隔件，设置在像素限定层上并且设置在第二区和边界区中；多个第一突出间隔件，设置在第一间隔件上并且设置在第二区中；第二间隔件，设置在像素限定层上并且设置在第一区中；以及第二突出间隔件，设置在第二间隔件上，其中，多个第一突出间隔件可以不与边界区重叠。

发明构思的实施例提供一种电子装置，该电子装置包括：显示面板，包括包含元件区和多个透射区的第一区、与第一区间隔开的第二区和限定在第一区与第二区之间的边界区。显示面板包括：多个第一滤色器，布置在第一区中；多个第二滤色器，布置在第二区中；多个第三滤色器，布置在边界区中；多个第四滤色器，布置在边界区中并且具有与多个第三滤色器的形状不同的形状；以及多个虚设滤色器，布置在边界区中并且设置在多个第三滤色器与多个第四滤色器之间。

在实施例中，第一区可以由第一轴和在第一区的中心处与第一轴交叉的第二轴分隔成象限，边界区可以包括与第一区的第一象限相邻的第一边界区、与第一区的第二象限相邻的第二边界区、与第一区的第三象限相邻的第三边界区和与第一区的第四象限相邻的第四边界区，多个虚设滤色器可以包括多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器，多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器可以具有彼此不同的颜色，多个第二虚设滤色器可以布置在第一边界区和第二边界区中，多个第一虚设滤色器、多个第二虚设滤色器和多个第三虚设滤色器可以布置在第三边界区中，并且多个第一虚设滤色器和多个第二虚设滤色器可以布置在第四边界区中。

在实施例中，显示面板可以进一步包括分隔层，在分隔层中多个第一分隔开口限定在第一区中，多个第二分隔开口限定在第二区中，并且多个第三分隔开口和多个第四分隔开口限定在边界区中，多个第一滤色器可以包括与多个第一分隔开口当中的一个第一分隔开口重叠的第一第一滤色器、第一第二滤色器和第一第三滤色器，并且第一第二滤色器可以包括与多个第一分隔开口当中的一个第一分隔开口重叠的重叠部分和从重叠部分延伸的延伸部分。

在实施例中，延伸部分可以包括第一第二滤色器的在第一方向上比第一第一滤色器向外突出的部分和第一第二滤色器的在与第一方向交叉的第二方向上比第一第三滤色器向外突出的另一部分。

在实施例中，限定在第一区中的多个透射开口可以限定在分隔层中，并且多个第一分隔开口中的每个可以限定在多个透射开口当中的四个透射开口之间。

在实施例中，延伸部分可以从重叠部分延伸到多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区。

在实施例中，延伸部分可以围绕第一第一滤色器和第一第三滤色器，并且分隔层的一部分可以具有与第一区中的延伸部分的形状对应的形状。

在实施例中，显示面板可以进一步包括具有与第一第二滤色器的颜色相同的颜色的附加滤色器，并且附加滤色器可以设置在多个透射区当中的彼此相邻的两个透射区之间的区中。

在实施例中，第一第一滤色器可以包括与多个第一分隔开口当中的一个第一分隔开口重叠的第一重叠部分和从第一重叠部分延伸的第一延伸部分，并且第一第三滤色器可以包括与一个第一分隔开口重叠的第三重叠部分和从第三重叠部分延伸的第三延伸部分。

在实施例中，限定在与第一延伸部分重叠的区中的第一附加分隔开口、限定在与延伸部分重叠的区中的第二附加分隔开口和限定在与第三延伸部分重叠的区中的第三附加分隔开口限定在分隔层中。

发明构思的实施例提供一种电子装置，该电子装置包括：显示面板，包括包含透射区和元件区的第一区、与第一区间隔开的第二区和限定在第一区与第二区之间的边界区。显示面板包括像素限定层，限定多个发光区的多个像素限定开口通过像素限定层限定，多个第一滤色器布置在第一区中，多个第二滤色器布置在第二区中，并且多个第三滤色器布置在边界区中。多个第二滤色器包括第二第一滤色器、第二第二滤色器和第二第三滤色器，多个像素限定开口包括与第二第一滤色器重叠的第一像素限定开口、与第二第二滤色器重叠的第二像素限定开口和与第二第三滤色器重叠的第三像素限定开口，第二第一滤色器具有比第二第三滤色器的尺寸大的尺寸，并且第一像素限定开口具有比第三像素限定开口的尺寸小的尺寸。

根据以上所述，显示面板包括设置在第一区中的第一滤色器和设置在第二区中的第二滤色器。第二滤色器中的每个的尺寸通过考虑电子装置的反射的光的颜色来确定。相应地，第二区中的发光区的尺寸关系与同发光区对应的第二滤色器的尺寸关系不成比例(或不一致)。

根据以上所述，第一滤色器中的每个的尺寸被调整，并且因此，即使包括在第一区和第二区中的滤色器具有彼此不同的形状，第一区中的反射的光的颜色也变得与第二区中的反射的光的颜色基本相似。因此，当显示面板处于关闭状态时，第一区与第二区之间的边界不太可能是可见的。

根据以上所述，显示面板进一步包括设置在第一区与第二区之间的边界区中的虚设滤色器。虚设滤色器的布置关系(或布置规则)与第二滤色器的的布置关系(或布置规则)相同。相应地，边界区中的反射的光的颜色变得基本接近第二区中的反射的光的颜色。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的上述和其它优点将容易变得明显，在附图中：

图1A和图1B是示出根据本公开的电子装置的实施例的透视图；

图2A是示出根据本公开的电子装置的实施例的分解透视图；

图2B是示出根据本公开的电子装置的实施例的框图；

图3是根据本公开的显示装置的实施例的截面图；

图4是根据本公开的显示面板的实施例的平面图；

图5是根据本公开的像素的实施例的等效电路图；

图6是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图7A是根据本公开的显示面板的第一区的实施例的截面图；

图7B是根据本公开的显示面板的第二区的实施例的截面图；

图8A是根据本公开的第一下阻光层的一部分的实施例的平面图；

图8B是根据本公开的第二下阻光层的一部分的实施例的平面图；

图9A是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图9B是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图10A是根据本公开的布置在第一区中的像素电路的实施例的平面图；

图10B是根据本公开的布置在第二区中的像素电路的实施例的平面图；

图11A是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图11B是根据本公开的显示面板的一些部件的实施例的平面图；

图12是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图13是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图14A、图14B和图14C是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图15是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图16A和图16B是根据本公开的显示面板的部分的实施例的放大平面图；

图17是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图18是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图19是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的放大平面图；

图20是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的平面图；

图21A是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的平面图；

图21B是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的平面图；

图21C是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的平面图；并且

图21D是根据本公开的显示面板的一部分的实施例的平面图。

具体实施方式

在本公开中，将理解的是，当元件(或区、层或部分)被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接联接到该另一元件或层或者可以存在居间元件或层。

同样的标记始终指代同样的元件。在附图中，为了有效描述技术内容，部件的厚度、比例和大小被夸大。如在本文中所使用的，术语“和/或”可以包括列出的关联项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应该受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。如在本文中所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

为了易于描述，可以在本文中使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如在绘制的附图中所示的一元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。

将进一步理解的是，当术语“包括”和/或其变型在本说明书中使用时，指明陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

考虑到讨论中的测量和与特定量的测量关联的误差(即，测量系统的局限性)，如在本文中所使用的“约”或“近似”包括陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受的偏差范围之内。例如，术语“约”可以意指在一个或多个标准偏差之内，或者在陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另外限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义并且不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。

在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。

图1A和图1B是示出根据本公开的电子装置EDE的实施例的透视图。图1A示出电子装置EDE的展开状态，并且图1B示出电子装置EDE的折叠状态。

参照图1A和图1B，电子装置EDE可以包括由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置EDE可以通过显示表面DS将图像IM提供到用户。

显示表面DS可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。图像IM可以通过显示区DA显示并且可以不通过非显示区NDA显示。非显示区NDA可以围绕显示区DA，然而，其不应限于此或由此限制，并且显示区DA的形状和非显示区NDA的形状可以被改变。

在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本垂直的方向也可以被称为第三方向DR3。在本公开中，表述“在平面图中”可以意指在第三方向DR3上观察的状态。

感测区ED-SA可以限定在电子装置EDE的显示区DA中。图1A示出一个感测区ED-SA作为说明性实施例，然而，感测区ED-SA的数量不应限于此或由此限制。感测区ED-SA可以是显示区DA的一部分。相应地，电子装置EDE可以通过感测区ED-SA来显示图像IM。

电子装置EDE可以包括设置在与感测区ED-SA重叠的区中的电子模块。电子模块可以通过感测区ED-SA来接收从外部提供的外部输入或者可以通过感测区ED-SA来输出信号。在实施例中，电子模块可以是相机模块、诸如接近感测器的测量距离的感测器、至少识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的感测器、或者输出光的非常小的灯，然而，其不应被具体地限制。在下文中，相机模块将描述为与感测区ED-SA重叠的电子模块。

电子装置EDE可以包括折叠区FA和多个非折叠区NFA1和NFA2。非折叠区NFA1和NFA2可以包括第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2。折叠区FA可以设置在第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间。折叠区FA也可以被称为可折叠区，并且第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2也可以分别被称为第一不可折叠区和第二不可折叠区。

如图1B中所示，折叠区FA可以相对于与第一方向DR1基本平行的折叠轴FX折叠。当电子装置EDE处于折叠状态时，折叠区FA可以具有预定的曲率和曲率半径。电子装置EDE可以向内折叠(内折叠)，使得第一非折叠区NFA1可以面对第二非折叠区NFA2并且显示表面DS可以不暴露于外部。

在实施例中，电子装置EDE可以向外折叠(外折叠)，使得显示表面DS可以暴露于外部。在实施例中，电子装置EDE可以执行内折叠操作和展开操作或者执行外折叠操作和展开操作。在实施例中，电子装置EDE可以执行展开操作、内折叠操作和外折叠操作中的任何一个。在实施例中，多个折叠轴可以限定在电子装置EDE中，并且电子装置EDE可以相对于每个折叠轴向内或向外折叠。

图1A和图1B示出可折叠的电子装置EDE作为说明性实施例，然而，本公开不应限于可折叠的电子装置EDE。在实施例中，本公开可以应用于刚性电子装置，例如，不包括折叠区FA的电子装置。

图2A是示出根据本公开的电子装置EDE的实施例的分解透视图。图2B是示出根据本公开的电子装置EDE的实施例的框图。

参照图2A和图2B，电子装置EDE可以包括显示装置DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2、电力供应模块PM以及外壳EDC1和EDC2。尽管没有在绘制的附图中示出，但是电子装置EDE可以进一步包括用于控制显示装置DD的折叠操作的机械结构。

显示装置DD可以包括窗模块WM和显示模块DM。窗模块WM可以提供电子装置EDE的前表面。显示模块DM可以至少包括显示面板DP。显示模块DM可以生成图像IM(参照图1A)并且可以感测外部输入。

尽管在图2A中显示模块DM示出为与显示面板DP相同，但是显示模块DM可以具有其中包括显示面板DP的多个部件彼此堆叠的堆叠结构。稍后将描述关于显示模块DM的堆叠结构的详细描述。

显示面板DP可以包括分别与电子装置EDE的显示区DA(参照图1A)和非显示区NDA(参照图1A)对应的显示区DP-DA和非显示区DP-NDA。在本公开中，表述“区/部分与另一区/部分对应”意指的是“区/部分与另一区/部分重叠”，然而，“区和部分”不应限于具有彼此相同的尺寸。

显示区DP-DA可以包括第一区A1和第二区A2。第一区A1可以与电子装置EDE的感测区ED-SA(参照图1A)重叠或对应。在图示的实施例中，第一区A1示出为圆形形状，然而，第一区A1的形状不应限于此或由此限制。第一区A1可以具有诸如多边形形状、椭圆形形状、具有至少一个弯曲的边的图形或不规则形状的各种形状。第一区A1也可以被称为部件区，并且第二区A2也可以被称为主显示区或正常显示区。

第一区A1可以具有比第二区A2的透射率高的透射率。另外，第一区A1可以具有比第二区A2的分辨率低的分辨率，然而，其不应限于此或由此限制。在实施例中，第一区A1可以具有比第二区A2的透射率高的透射率，然而，第一区A1的分辨率可以与第二区A2的分辨率基本相同。第一区A1可以与稍后描述的相机模块CMM重叠。

显示面板DP可以包括显示层100和感测器层200。

显示层100可以具有基本生成图像IM的构造。显示层100可以是发光型显示层。在实施例中，例如，显示层100可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微型发光二极管(“micro-LED”)显示层或纳米LED显示层。

感测器层200可以感测从外部施加到其的外部输入。在实施例中，例如，外部输入可以是用户输入。用户输入可以包括诸如用户的身体的至少一部分、光、热、工具(例如，笔)或压力的各种外部输入。

显示模块DM可以进一步包括设置在非显示区DP-NDA中的驱动芯片DIC。显示模块DM可以进一步包括与非显示区DP-NDA联接的柔性电路膜FCB。

驱动芯片DIC可以包括例如数据驱动电路的驱动元件以驱动显示面板DP的像素。图2A示出其中驱动芯片DIC设置(例如，安装)在显示面板DP上的结构，然而，本公开不应限于此或由此限制。在实施例中，驱动芯片DIC可以设置(例如，安装)在柔性电路膜FCB上。

电力供应模块PM可以供应电子装置EDE的整体操作所需的电源。电力供应模块PM可以包括公知的电池模块。

第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括各种功能模块以驱动电子装置EDE。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的每个可以直接设置(例如，安装)在电连接到显示面板DP的母板(未示出)上，或者可以在设置(例如，安装)在单独的基板上之后经由连接器(未示出)电连接到母板。

第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。

控制模块CM可以控制电子装置EDE的整体操作。控制模块CM可以是但不限于是微处理器。在实施例中，例如，控制模块CM可以激活或去激活显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP提供的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。

无线通信模块TM可以通过例如短程通信网络(诸如Bluetooth、WiFi直连或红外数据协会(IrDA))的第一网络或者例如远程通信网络(诸如蜂窝网络、因特网或计算机网络(例如，局域网(“LAN”)或广域网(“WAN”))的第二网络来与外部电子装置通信。包括在无线通信模块TM中的通信模块可以集成到例如单个芯片的一个部件中，或者可以实现为例如多个芯片的彼此分离的多个部件。无线通信模块TM可以使用通用通信线路来发送/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括调制要被发送的信号并发送调制后的信号的发送器TM1和解调施加到其的信号的接收器TM2。

图像输入模块IIM可以处理图像信号并且可以将图像信号转换成可以通过显示面板DP显示的图像数据。音频输入模块AIM可以在录音模式或语音识别模式下通过麦克风来接收外部声音信号并且可以将外部声音信号转换为电语音数据。

外部接口IF可以包括将电子装置EDE物理连接到外部电子装置的连接器。在实施例中，外部接口IF可以用作控制模块CM与诸如外部充电器、有线/无线数据端口、卡(例如，存储卡和订阅用户身份模块/用户身份模块(“SIM/UIM”)卡)等的外部装置之间的接口。

第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LTM、光接收模块LRM和相机模块CMM。音频输出模块AOM可以转换从无线通信模块TM提供的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据并且可以将转换后的音频数据输出到外部。

发光模块LTM可以生成并发射光。发光模块LTM可以发射红外光。发光模块LTM可以包括LED元件。光接收模块LRM可以感测红外光。光接收模块LRM可以在感测到预定的水平以上的红外光时激活。光接收模块LRM可以包括互补金属氧化物半导体(“CMOS”)感测器。从发光模块LTM生成并发射的红外光可以被例如用户的身体的至少一部分(例如，手指或面部)的外部对象反射，并且反射的红外光可以入射到光接收模块LRM中。

相机模块CMM可以拍摄照片或视频。相机模块CMM可以提供为多个。在它们当中，一些相机模块CMM可以与第一区A1重叠。例如光的外部输入可以经由第一区A1提供到相机模块CMM。在实施例中，相机模块CMM可以通过第一区A1来接收自然光以拍摄外部对象的图片。

外壳EDC1和EDC2可以容纳显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电力供应模块PM。外壳EDC1和EDC2可以保护容纳在其中的例如显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电力供应模块PM的部件。图2A示出彼此分离的两个外壳EDC1和EDC2作为说明性实施例，然而，本公开不应限于此或由此限制。尽管没有在附图中示出，但是电子装置EDE可以进一步包括铰链结构以连接两个外壳EDC1和EDC2。外壳EDC1和EDC2可以与窗模块WM联接。

图3是根据本公开的显示装置DD的实施例的截面图。图3是根据本公开的沿着图2A的线I-I'截取的显示装置DD的实施例的截面图。

参照图3，显示装置DD可以包括窗模块WM和显示模块DM。

窗模块WM可以包括窗UT、设置在窗UT上的保护膜PF和边框图案BP。

窗UT可以是化学强化后的玻璃。由于窗UT应用于显示装置DD，因此即使折叠和展开操作被重复地执行，折痕的发生也可以被最小化。

保护膜PF可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。尽管没有在绘制的附图中示出，但是硬涂层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个可以设置在保护膜PF的上表面上。

边框图案BP可以与图1A中示出的非显示区NDA重叠。边框图案BP可以设置在窗UT的一个表面或保护膜PF的一个表面上。图3示出其中边框图案BP设置在保护膜PF的下表面上的结构，然而，其不应限于此或由此限制。在实施例中，边框图案BP可以设置在保护膜PF的上表面、窗UT的上表面或窗UT的下表面上。边框图案BP可以是有色的阻光层并且可以通过涂覆工艺来形成。边框图案BP可以包括基底材料和与基底材料混合的颜料或染料。边框图案BP可以在平面图中具有闭合的线形状。

第一粘合剂层AL1可以设置在保护膜PF与窗UT之间。第一粘合剂层AL1可以是压敏粘合剂(“PSA”)膜或光学透明粘合剂(“OCA”)膜。在下文中描述的粘合剂层可以与第一粘合剂层AL1包括相同的粘合剂并且可以包括公知的粘合剂。

第一粘合剂层AL1可以具有足以覆盖边框图案BP的厚度。在实施例中，边框图案BP可以具有从约3微米至约8微米的厚度，并且第一粘合剂层AL1可以具有足以防止在边框图案BP周围出现气泡的厚度。

第一粘合剂层AL1可以与窗UT分离。由于保护膜PF的强度低于窗UT的强度，因此划痕可能相对容易地发生在保护膜PF上。在第一粘合剂层AL1和被划的保护膜PF从窗UT分离之后，另一保护膜PF可以附接到窗UT。

显示模块DM可以包括冲击吸收层DML、显示面板DP和下构件LM。

冲击吸收层DML可以设置在显示面板DP上方。冲击吸收层DML可以是用于保护显示面板DP免受外部冲击的功能层。冲击吸收层DML可以通过第二粘合剂层AL2与窗UT联接并且可以通过第三粘合剂层AL3与显示面板DP联接。

下构件LM可以设置在显示面板DP之下。下构件LM可以包括面板保护层PPF、支撑层PLT、覆盖层SCV、数字转换器DGZ、屏蔽层MMP、散热层CU、保护层PET和防水粘合剂(例如，防水胶带)WFT。在实施例中，下构件LM可以不包括以上提到的部件中的一些或者可以进一步包括其它部件。另外，图3中示出的堆叠顺序仅仅是实施例中的一个，并且部件的堆叠顺序可以被改变。

面板保护层PPF可以设置在显示面板DP之下。面板保护层PPF可以通过第四粘合剂层AL4附接到显示面板DP的后表面。面板保护层PPF可以保护显示面板DP的下部。面板保护层PPF可以包括柔性塑料材料。面板保护层PPF可以防止划痕在显示面板DP的制造工艺期间发生在显示面板DP的后表面上。面板保护层PPF可以是有色的聚酰亚胺膜。在实施例中，例如，面板保护层PPF可以是不透明的黄色膜，然而，其不应限于此或由此限制。

支撑层PLT可以设置在面板保护层PPF之下。支撑层PLT可以支撑设置在支撑层PLT上的部件并且可以维持显示装置DD的展开状态和折叠状态。在实施例中，支撑层PLT可以至少包括与第一非折叠区NFA1对应的第一支撑部分、与第二非折叠区NFA2对应的第二支撑部分以及与折叠区FA对应的折叠部分。第一支撑部分和第二支撑部分可以在第二方向DR2上彼此间隔开。折叠部分可以设置在第一支撑部分与第二支撑部分之间并且多个开口OP可以限定为穿过折叠部分。由于开口OP，支撑层PLT的一部分的柔性可以被改善。支撑层PLT的与折叠区FA重叠的部分的柔性可以通过开口OP来改善。

支撑层PLT可以包括碳纤维增强塑料(“CFRP”)，然而，其不应限于此或由此限制。在实施例中，第一支撑部分和第二支撑部分可以包括非金属材料、塑料材料、玻璃纤维增强塑料或玻璃材料。塑料材料可以包括聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯，然而，其不应被具体地限制。第一支撑部分和第二支撑部分可以包括彼此相同的材料。折叠部分可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料相同的材料或者可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料不同的材料。在实施例中，折叠部分可以包括具有等于或大于约60千兆帕(GPa)的弹性模量的材料并且可以包括诸如不锈钢的金属材料。在实施例中，例如，折叠部分可以包括SUS 304，然而，其不应限于此或由此限制。折叠部分可以包括各种金属材料。

支撑层PLT可以通过第五粘合剂层AL5附接到面板保护层PPF。第五粘合剂层AL5可以提供为多个，并且第五粘合剂层AL5可以彼此间隔开，折叠区FA插置在其间。第五粘合剂层AL5可以不与开口OP重叠。另外，第五粘合剂层AL5可以在平面图中与开口OP间隔开。由于第五粘合剂层AL5没有设置在与折叠区FA对应的区中，因此支撑层PLT的柔性可以被改善。

在与折叠区FA重叠的区中，面板保护层PPF可以与支撑层PLT间隔开。也就是说，空的空间可以在与折叠区FA重叠的区中限定在支撑层PLT与面板保护层PPF之间。由于空的空间限定在面板保护层PPF与支撑层PLT之间，因此限定为穿过支撑层PLT的开口OP可以不从电子装置EDE(参照图1A)的外部被观察到。

第五粘合剂层AL5可以具有比第四粘合剂层AL4的厚度小的厚度。在描述中，厚度可以意指在第三方向DR3上测量的长度。在实施例中，第四粘合剂层AL4的厚度可以是约25微米，并且第五粘合剂层AL5的厚度可以是约16微米。由于第五粘合剂层AL5的厚度减小，因此由第五粘合剂层AL5导致的台阶差可以减小。当台阶差减小时，优点在于由于电子装置EDE(参照图1A)的折叠和展开操作而导致的堆叠结构的变形可以被减少，但是由于重复的折叠操作，开口OP可能被观察到或者第五粘合剂层AL5可能被脱离。由于第五粘合剂层AL5的厚度增大，因此尽管重复折叠操作，开口OP还可以不被观察到并且针对第五粘合剂层AL5的粘合力的可靠性可以被改善，然而，台阶差可能增大。相应地，第五粘合剂层AL5的厚度可以考虑折叠可靠性、粘合可靠性和开口OP的可见性而确定为在适当的范围之内。

覆盖层SCV可以设置在支撑层PLT之下。覆盖层SCV可以通过粘合剂层(未示出)与支撑层PLT联接。覆盖层SCV可以覆盖限定为穿过支撑层PLT的开口OP。相应地，覆盖层SCV可以防止外来杂质进入开口OP。覆盖层SCV可以具有比支撑层PLT的弹性模量小的弹性模量。在实施例中，覆盖层SCV可以包括热塑性聚氨基甲酸乙酯、橡胶或硅树脂，然而，其不应限于此或由此限制。

数字转换器DGZ可以设置在支撑层PLT之下。在实施例中，数字转换器DGZ可以通过第六粘合剂层AL6附接到支撑层PLT。数字转换器DGZ可以提供为多个。在实施例中，数字转换器DGZ可以在第二方向DR2上彼此间隔开。在平面图中，数字转换器DGZ中的每个的一部分可以与非折叠区NFA1或NFA2重叠，并且数字转换器DGZ中的每个的其它部分可以与折叠区FA重叠。在平面图中，数字转换器DGZ中的每个的一部分可以与开口OP的一部分重叠。

数字转换器DGZ中的每个可以包括以预定的谐振频率与输入装置(例如，笔)生成磁场的多个环形线圈。数字转换器DGZ可以被称为EMR感测面板。

由数字转换器DGZ生成的磁场可以施加到由工具(例如，笔)的电感器(线圈)和电容器形成的电感器-电容器(“LC”)谐振电路。线圈可以响应于施加到其的磁场来生成电流并且可以将生成的电流供应到电容器。相应地，电容器可以用从线圈供应到其的电流来充电并且可以将充电的电流放电到线圈。因此，谐振频率的磁场可以从线圈来发射。由工具(例如，笔)发射的磁场可以被数字转换器DGZ的环形线圈吸收，并且因此，能够确定数字转换器DGZ中的、工具(例如，笔)接近其的位置。

屏蔽层MMP可以分别设置在数字转换器DGZ之下。屏蔽层MMP中的每个可以包括磁性金属粉末。屏蔽层MMP可以也被称为磁性金属粉末层、磁性层、磁性电路层或磁性路径层。屏蔽层MMP可以屏蔽磁场。

散热层CU可以分别设置在屏蔽层MMP之下。散热层CU可以是具有非常高的导热系数的片材。在实施例中，散热层CU中的每个可以包括石墨、铜或铜合金，然而，其不应被具体地限制。

保护层PET可以分别设置在散热层CU之下。保护层PET可以是绝缘层。在实施例中，保护层PET可以防止静电进入。相应地，可以通过保护层PET来防止在柔性电路膜FCB(参照图2A)与设置在保护层PET上的构件之间发生电干扰。

防水粘合剂WFT可以附接到屏蔽层MMP和保护层PET。防水粘合剂WFT可以附接到固定支架(未示出)。在防水粘合剂WFT当中，附接到屏蔽层MMP的防水粘合剂WFT可以具有与附接到保护层PET的防水粘合剂WFT的厚度不同的厚度。

通孔COP可以限定为穿过下构件LM的至少一些部件。通孔COP可以与电子装置EDE的感测区ED-SA(参照图1A)重叠或对应。相机模块CMM(参照图2A)的至少一部分可以插入到通孔COP中。

图3示出其中通孔COP限定为从保护层PET当中的一个保护层PET的后表面到第五粘合剂层AL5的结构作为说明性实施例，然而，本公开不应限于此或由此限制。在实施例中，通孔COP可以限定为从该一个保护层PET的后表面到面板保护层PPF的上表面或者从该一个保护层PET的后表面到第四粘合剂层AL4的上表面。

图4是根据本公开的显示面板DP的实施例的平面图。

参照图4，显示面板DP可以包括显示区DP-DA和显示区DP-DA周围的非显示区DP-NDA。显示区DP-DA和非显示区DP-NDA可以通过像素PX的存在或不存在来彼此区分开。像素PX可以设置在显示区DP-DA中。扫描驱动器SDV、数据驱动器和发射驱动器EDV可以设置在非显示区DP-NDA中。数据驱动器可以是提供在驱动芯片DIC中的电路。

显示区DP-DA可以包括第一区A1和第二区A2。第一区A1和第二区A2可以通过像素PX的布置间隔、像素PX的尺寸、像素PX的形状或透射区TP(参照图6)的存在或不存在来彼此区分开。稍后将详细描述第一区A1和第二区A2。

显示面板DP可以包括限定在第二方向DR2上的第一面板区AA1、弯折区BA和第二面板区AA2。第二面板区AA2和弯折区BA可以是非显示区DP-NDA的区。弯折区BA可以限定在第一面板区AA1与第二面板区AA2之间。

第一面板区AA1可以与图1A的显示表面DS对应。第一面板区AA1可以包括第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0。第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0可以分别与图1A和图1B的第一非折叠区NFA1、第二非折叠区NFA2和折叠区FA对应。

弯折区BA的在第一方向DR1上的宽度(或长度)和第二面板区AA2的在第一方向DR1上的宽度(或长度)可以小于第一面板区AA1的在第一方向DR1上的宽度(或长度)。沿弯折轴方向具有相对短的长度的区可以被相对容易地弯折。

显示面板DP可以包括像素PX、多条初始化扫描线GIL1至GILm、多条补偿扫描线GCL1至GCLm、多条写入扫描线GWL1至GWLm、多条黑色扫描线GBL1至GBLm、多条发射控制线ECL1至ECLm、多条数据线DL1至DLn、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、驱动电压线PL以及多个焊盘PD。在图示的实施例中，“m”和“n”中的每个是等于或大于2的自然数。

像素PX可以连接到初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、黑色扫描线GBL1至GBLm、发射控制线ECL1至ECLm、数据线DL1至DLn以及驱动电压线PL。

初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm以及黑色扫描线GBL1至GBLm可以在与第一方向DR1相反的方向上延伸并且可以电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸并且可以经由弯折区BA电连接到驱动芯片DIC。发射控制线ECL1至ECLm可以在第一方向DR1上延伸并且可以电连接到发射驱动器EDV。

驱动电压线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在彼此不同的层中。驱动电压线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可以经由弯折区BA延伸到第二面板区AA2。驱动电压线PL可以将驱动电压提供到像素PX。

第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV并且可以经由弯折区BA延伸到第二面板区AA2的下端。第二控制线CSL2可以连接到发射驱动器EDV并且可以经由弯折区BA延伸到第二面板区AA2的下端。

在平面图中，焊盘PD可以设置为与第二面板区AA2的下端相邻。驱动芯片DIC、驱动电压线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以电连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可以通过各向异性导电粘合剂层电连接到焊盘PD。

图5是根据本公开的像素PXij的实施例的等效电路图。

图5示出像素PX(参照图4)当中的像素PXij的等效电路图。由于像素PX可以具有彼此基本相同的构造，因此将详细描述像素PXij的电路构造，并且将省略其它像素的详细描述。

参照图4和图5，像素PXij可以连接到数据线DL1至DLn当中的第i数据线DLi、初始化扫描线GIL1至GILm当中的第j初始化扫描线GILj、补偿扫描线GCL1至GCLm当中的第j补偿扫描线GCLj、写入扫描线GWL1至GWLm当中的第j写入扫描线GWLj、黑色扫描线GBL1至GBLm当中的第j黑色扫描线GBLj、发射控制线ECL1至ECLm当中的第j发射控制线ECLj、第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2以及第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4。这里，“i”可以是等于或大于1且等于或小于n的整数，并且“j”可以是等于或大于1且等于或小于m的整数。

像素PXij可以包括发光元件ED和像素电路PDC。发光元件ED可以是发光二极管。在实施例中，发光元件ED可以是包括有机发光层的有机发光二极管，然而，其不应被具体地限制。像素电路PDC可以响应于第i数据信号Di来控制流过发光元件ED的电流的量。发光元件ED可以发射具有与从像素电路PDC提供的电流的量对应的预定亮度的光。

像素电路PDC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及第一电容器Cst、第二电容器Cbst和第三电容器Nbst。像素电路PDC的构造不应限于图5中示出的实施例。图5中示出的像素电路PDC仅仅是实施例中的一个，并且像素电路PDC的构造可以被改变。

在图示的实施例中，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以包括低温多晶硅(“LTPS”)作为其半导体层。第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以包括氧化物材料作为其半导体层。在实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每个可以是氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的每个可以是LTPS晶体管。

详细地，直接影响发光元件ED的亮度的第一晶体管T1可以包括包含具有非常高的可靠性的多晶硅的半导体层(或由具有非常高的可靠性的多晶硅构成的半导体层)，并且因此，具有非常高的分辨率的显示装置可以被实现。由于氧化物半导体具有非常高的载流子迁移率和非常低的泄漏电流，因此即使驱动时间长，压降也不会非常大。也就是说，即使当像素PX以非常低的频率来驱动，由于压降导致的图像的颜色的改变也不大，并且因此，像素PX可以以非常低的频率来驱动。如以上所描述的，由于氧化物半导体具有非常低的泄漏电流，因此连接到第一晶体管T1的栅电极的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个可以包括氧化物半导体。因此，可以防止泄漏电流流到第一晶体管T1的栅电极，并且可以减少功耗。

第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些可以是P型晶体管，并且第一晶体管T1至第七晶体管T7中的其它可以是N型晶体管。在实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的每个可以是P型晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每个可以是N型晶体管。

像素电路PDC的构造不应限于图5中示出的像素电路PDC的构造。图5中示出的像素电路PDC仅仅是实施例中的一个，并且像素电路PDC的构造可以被改变。在实施例中，所有的第一晶体管T1至第七晶体管T7可以是P型晶体管或N型晶体管。在实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是P型晶体管，并且第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以是N型晶体管。

第j初始化扫描线GILj、第j补偿扫描线GCLj、第j写入扫描线GWLj、第j黑色扫描线GBLj和第j发射控制线ECLj可以分别将第j初始化扫描信号GIj、第j补偿扫描信号GCj、第j写入扫描信号GWj、第j黑色扫描信号GBj和第j发射控制信号EMj传输到像素PXij。第i数据线DLi可以将第i数据信号Di传输到像素PXij。第i数据信号Di可以具有与输入到显示装置DD(参照图3)的图像信号对应的电压电平。

第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可以分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传输到像素PXij。另外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别将第一初始化电压VINT和第二初始化电压VAINT传输到像素PXij。

第一晶体管T1可以连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1与发光元件ED之间。第一晶体管T1可以包括经由第五晶体管T5连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、经由第六晶体管T6电连接到发光元件ED的像素电极(或被称为阳极)的第二电极以及连接到第一电容器Cst的一端(例如，第一节点N1)的第三电极(例如，栅电极)。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收由第i数据线DLi传输的第i数据信号Di并且可以将驱动电流供应到发光元件ED。

第二晶体管T2可以连接在第i数据线DLi与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2可以包括连接到第i数据线DLi的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j写入扫描线GWLj的第三电极(例如，栅电极)。第二晶体管T2可以响应于经由第j写入扫描线GWLj施加到其的第j写入扫描信号GWj而导通并且可以将经由第i数据线DLi施加到其的第i数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极。第二电容器Cbst的一端可以连接到第二晶体管T2的第三电极，并且第二电容器Cbst的另一端可以连接到第一节点N1。

第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3可以包括连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极以及连接到第j补偿扫描线GCLj的第三电极(例如，栅电极)。第三晶体管T3可以响应于经由第j补偿扫描线GCLj施加到其的第j补偿扫描信号GCj而导通并且可以将第一晶体管T1的第三电极和第二电极彼此连接以允许第一晶体管T1以二极管构造连接。第三电容器Nbst的一端可以连接到第三晶体管T3的第三电极，并且第三电容器Nbst的另一端可以连接到第一节点N1。

第四晶体管T4可以连接在第一初始化电压VINT施加到其的第一初始化电压线VL3与第一节点N1之间。第四晶体管T4可以包括连接到第一初始化电压VINT施加到其的第一初始化电压线VL3的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极以及连接到第j初始化扫描线GILj的第三电极(例如，栅电极)。第四晶体管T4可以响应于经由第j初始化扫描线GILj施加到其的第j初始化扫描信号GIj而导通。导通的第四晶体管T4可以将第一初始化电压VINT传输到第一节点N1以初始化第一晶体管T1的第三电极的电位(即，第一节点N1的电位)。

第五晶体管T5可以包括连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。第六晶体管T6可以包括连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、连接到发光元件ED的像素电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可以响应于经由第j发射控制线ECLj施加到其的第j发射控制信号EMj而基本同时地导通。可以通过以二极管构造连接的第一晶体管T1来对经由导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD进行补偿并且经由导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD可以经由第六晶体管T6传输到发光元件ED。

第七晶体管T7可以包括连接到第二初始化电压VAINT施加到其的第二初始化电压线VL4的第一电极、连接到第六晶体管T6的第二电极的第二电极(即，第六晶体管T6与发光元件ED之间的第二节点N2)以及连接到第j黑色扫描线GBLj的第三电极(例如，栅电极)。第二初始化电压VAINT可以具有与第一初始化电压VINT的电压电平相等或比第一初始化电压VINT的电压电平低的电压电平。

第一电容器Cst的一端可以连接到第一晶体管T1的第三电极，并且第一电容器Cst的另一端可以连接到第一驱动电压线VL1。发光元件ED的公共电极(或被称为阴极)可以连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS可以具有比第一驱动电压ELVDD的电压电平低的电压电平。

图6是根据本公开的显示面板DP的一部分的放大平面图。图6是图4中示出的区XX'的放大平面图。

参照图4和图6，显示面板DP可以包括第一区A1、第二区A2和限定在第一区A1与第二区A2之间的边界区AM。

像素PX可以提供为多个，并且像素PX可以包括第一像素PX1r、PX1g和PX1b、第二像素PX2r、PX2g和PX2b以及第三像素PX3r、PX3g和PX3b。第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以设置在第一区A1和边界区AM中。第二像素PX2r、PX2g和PX2b可以设置在第二区A2中。第三像素PX3r、PX3g和PX3b可以设置在边界区AM中或者可以跨第二区A2和边界区AM设置。

置在第一区A1中的每参考面积的第一像素PX1r、PX1g和PX1b的数量可以小于设置在第二区A2中的每参考面积的第二像素PX2r、PX2g和PX2b的数量。相应地，第一区A1的分辨率可以低于第二区A2的分辨率。

第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以包括第一第一颜色像素PX1r、第一第二颜色像素PX1g和第一第三颜色像素PX1b。第二像素PX2r、PX2g和PX2b可以包括第二第一颜色像素PX2r、第二第二颜色像素PX2g和第二第三颜色像素PX2b。第三像素PX3r、PX3g和PX3b可以包括第三第一颜色像素PX3r、第三第二颜色像素PX3g和第三第三颜色像素PX3b。第一第一颜色像素PX1r、第二第一颜色像素PX2r和第三第一颜色像素PX3r可以是红色发光像素。第一第二颜色像素PX1g、第二第二颜色像素PX2g和第三第二颜色像素PX3g可以是绿色发光像素。第一第三颜色像素PX1b、第二第三颜色像素PX2b和第三第三颜色像素PX3b可以是蓝色发光像素。

图6中示出的第一像素PX1r、PX1g和PX1b、第二像素PX2r、PX2g和PX2b以及第三像素PX3r、PX3g和PX3b中的每个可以在平面图中具有与限定在发光元件ED(参照图5)中的发光区的形状对应的形状。发光区可以由限定为穿过像素限定层PDL的像素限定开口来限定。

图6示出分别与第一像素PX1r、PX1g和PX1b对应的第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b以及分别与第二像素PX2r、PX2g和PX2b对应的第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b。在图6中，与第三第一颜色像素PX3r对应的第三第一发光区PXA3r和第三第一复制发光区PXCr、与第三第二颜色像素PX3g对应的第三第二发光区PXA3g和第三第二复制发光区PXCg以及与第三第三颜色像素PX3b对应的第三第三发光区PXA3b和第三第三复制发光区PXCb被示出。

第一第一发光区PXA1r可以具有比第二第一发光区PXA2r的尺寸大的尺寸，第一第二发光区PXA1g可以具有比第二第二发光区PXA2g的尺寸大的尺寸，并且第一第三发光区PXA1b可以具有比第二第三发光区PXA2b的尺寸大的尺寸。当在参考面积之内实现恒定亮度时，期望发射相对亮的光的第一像素PX1r、PX1g和PX1b中的每个的尺寸可以提供为大于第二像素PX2r、PX2g和PX2b中的每个的尺寸，并且因此，第一像素PX1r、PX1g和PX1b的寿命可以被补偿。

第三第一发光区PXA3r的发射和第三第一复制发光区PXCr的发射可以由同一像素电路的操作来控制。相应地，第三第一发光区PXA3r和第三第一复制发光区PXCr可以或可以不基本同时地提供光。图6示出连接电极AEcn以阐明第三第一发光区PXA3r与第三第一复制发光区PXCr之间的关系。第三第二发光区PXA3g的发射和第三第二复制发光区PXCg的发射可以由同一像素电路的操作来控制，并且第三第三发光区PXA3b的发射和第三第三复制发光区PXCb的发射可以由同一像素电路的操作来控制。

第三像素PX3r、PX3g和PX3b中的每个可以包括多个发光区。在实施例中，第三第一颜色像素PX3r可以包括第三第一发光区PXA3r和第三第一复制发光区PXCr，第三第二颜色像素PX3g可以包括第三第二发光区PXA3g和第三第二复制发光区PXCg，并且第三第三颜色像素PX3b可以包括第三第三发光区PXA3b和第三第三复制发光区PXCb。

由于空间限制，难以将像素电路PDC(参照图5)放置在第一区A1与第二区A2之间的边界中。在实施例中，其中第三第一复制发光区PXCr、第三第二复制发光区PXCg和第三第三复制发光区PXCb被布置的区可以是由于空间限制而难以放置像素电路PDC的边界区AM。相应地，不包括像素电路PDC的复制发光元件可以布置在边界区AM中。因此，由于提供光的发光区附加地提供在边界区AM中，因此可以防止第一区A1与第二区A2之间的边界被感知为暗的。

图6示出像素限定层PDL。像素限定层PDL可以包括像素限定图案PDL1和像素限定膜PDL2。

像素限定图案PDL1可以设置在第一区A1中并且可以彼此间隔开。在实施例中，第一区A1可以包括透射区TP和元件区EP，并且像素限定图案PDL1可以不与透射区TP重叠并且可以与元件区EP重叠。透射区TP与元件区EP之间的边界可以由第一下阻光层BML1(参照图7A)限定，并且将参照图9A描述其细节。至少三个像素限定开口可以限定为穿过像素限定图案PDL1中的每个。在实施例中，分别与第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b对应的开口可以限定在像素限定图案PDL1中的每个中。

第一像素单元PXU1可以设置在第一区A1中，第二像素单元PXU2可以设置在第二区A2中，并且边界像素单元PXU1n可以设置在边界区AM中。第二像素单元PXU2可以包括第一子像素单元PXU2a和第二子像素单元PXU2b。第一像素单元PXU1和边界像素单元PXU1n中的每个可以包括第一像素PX1r、PX1g和PX1b。另外，与第一像素单元PXU1对应的第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b的形状可以和与边界像素单元PXU1n对应的第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b的形状基本相同。

第一像素单元PXU1可以设置在四个透射区TP之间。边界像素单元PXU1n可以设置在透射区TP当中的设置在第一区A1的最外位置处的透射区TP与第二区A2之间。相应地，边界像素单元PXU1n可以设置为与两个透射区TP或三个透射区TP相邻。

像素限定膜PDL2可以覆盖边界区AM的一部分和第二区A2。在实施例中，像素限定膜PDL2可以覆盖边界区AM的其中边界像素单元PXU1n被设置的部分。与边界像素单元PXU1n的第一发光区PXA1r、PXA1g、PXA1b对应的像素限定开口、与第二发光区PXA2r、PXA2g、PXA2b对应的像素限定开口以及与第三第一发光区PXA3r、第三第一复制发光区PXCr、第三第二发光区PXA3g、第三第二复制发光区PXCg、第三第三发光区PXA3b和第三第三复制发光区PXCb对应的像素限定开口可以限定在像素限定膜PDL2中。

图6示出第一间隔件HSPC、第一突出间隔件SPC、第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC。

第一间隔件HSPC可以设置在像素限定膜PDL2上。与像素限定膜PDL2相似，第一间隔件HSPC可以覆盖边界区AM的一部分和第二区A2。在实施例中，第一间隔件HSPC可以覆盖边界区AM的其中边界像素单元PXU1n被设置的部分。另外，第一间隔件HSPC可以覆盖边界区AM的其中第三第一复制发光区PXCr、第三第二复制发光区PXCg和第三第三复制发光区PXCb被布置的部分。由于第一间隔件HSPC也提供在边界区AM中，因此显示面板DP的层之间的粘合性能可以被强化或改善。第一突出间隔件SPC可以设置在第一间隔件HSPC上。第一突出间隔件SPC可以在平面图中具有圆形形状。第一突出间隔件SPC可以设置在第二区A2中。第一突出间隔件SPC可以不设置在边界区AM中。第一突出间隔件SPC可以仅提供在第二像素PX2r、PX2g和PX2b之间并且可以不提供在第三第一复制发光区PXCr、第三第二复制发光区PXCg和第三第三复制发光区PXCb之间。

第一突出间隔件SPC可以具有比第一间隔件HSPC的高度或厚度大的高度或厚度。第一间隔件HSPC的高度可以在从约0.1微米(μm)至约0.5μm的范围之内，并且第一间隔件HSPC的高度和第一突出间隔件SPC的高度的总和可以在从约1.1μm至约2.0μm的范围之内。然而，第一间隔件HSPC的高度以及第一间隔件HSPC的高度和第一突出间隔件SPC的高度的总和不应限于此或由此限制。

第一突出间隔件SPC可以提供为多个。在实施例中，两个第一突出间隔件SPC可以设置为与一个第二第二颜色像素PX2g相邻。在这种情况下，在制造工艺期间由掩模导致的凹痕缺陷的发生的概率可以被进一步减小。

两个第一突出间隔件SPC和四个第二第二颜色像素PX2g可以被重复地布置。在实施例中，两个第一突出间隔件SPC可以与另外两个第一突出间隔件SPC间隔开并且顺序地布置在第一方向DR1上，四个第二第二颜色像素PX2g插置在两个第一突出间隔件SPC与另外两个第一突出间隔件SPC之间。另外，两个第一突出间隔件SPC可以与另外两个第一突出间隔件SPC间隔开并且顺序地布置在第二方向DR2上，四个第二第二颜色像素PX2g插置在两个第一突出间隔件SPC与另外两个第一突出间隔件SPC之间。然而，第一突出间隔件SPC的布置不应限于此或由此限制。在实施例中，两个第一突出间隔件SPC可以被重复地布置，两个第二第二颜色像素PX2g插置在其间。在可替代的示例中，两个第一突出间隔件SPC中的一个可以被省略。

第二间隔件UHSPC可以设置在像素限定图案PDL1上。第二突出间隔件USPC可以设置在第二间隔件UHSPC上。在平面图中，第二间隔件UHSPC可以具有比第二突出间隔件USPC的尺寸大的尺寸。在平面图中，第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC中的每个可以设置在第一第一发光区PXA1r与第一第二发光区PXA1g之间的区、第一第一发光区PXA1r与第一第三发光区PXA1b之间的区以及第一第二发光区PXA1g与第一第三发光区PXA1b之间的区中。

图7A是根据本公开的显示面板DP的第一区A1的实施例的截面图。图7B是根据本公开的显示面板DP的第二区A2的实施例的截面图。图7A是沿着图6的线II-II'截取的截面图，并且图7B是沿着图6的线III-III'截取的截面图。

参照图7A和图7B，显示面板DP可以包括显示层100、感测器层200和抗反射层300。显示层100可以包括基底层110、阻挡层120、电路层130、元件层140和封装层150。

基底层110可以包括第一子基底层111、第二子基底层112、第三子基底层113和第四子基底层114。

第一子基底层111和第四子基底层114中的每个可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。在本公开中，术语“A类树脂”意指的是“A”的官能团被包括。在实施例中，第一子基底层111和第四子基底层114中的每个可以包括聚酰亚胺。

第二子基底层112和第三子基底层113中的每个可以包括无机材料。在实施例中，第二子基底层112和第三子基底层113中的每个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。在实施例中，第二子基底层112可以包括氮氧化硅，并且第三子基底层113可以包括氧化硅。

第一子基底层111可以具有比第四子基底层114的厚度大的厚度。在实施例中，第一子基底层111的厚度可以是约100000埃，并且第四子基底层114的厚度可以是约56000埃。第二子基底层112可以具有比第三子基底层113的厚度小的厚度。在实施例中，第二子基底层112的厚度可以是约1000埃，并且第三子基底层113的厚度可以是约5000埃。然而，第一子基底层111、第二子基底层112、第三子基底层113和第四子基底层114中的每个的厚度不应限于此或由此限制。

阻挡层120可以设置在基底层110上。阻挡层120可以包括多个子阻挡层121、122、123、124和125、第一下阻光层BML1以及第二下阻光层BML2。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2也可以被称为第一下层和第二下层、第一下金属层和第二下金属层、第一下电极层和第二下电极层、第一下遮蔽层和第二下遮蔽层、第一阻光层和第二阻光层、第一金属层和第二金属层、第一电极层和第二电极层、第一遮蔽层和第二遮蔽层或者第一重叠层和第二重叠层。

子阻挡层121、122、123、124和125可以包括在远离基底层110的方向上顺序堆叠的第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125。第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125中的每个可以包括无机材料。在实施例中，第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125中的每个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。在实施例中，第一子阻挡层121可以包括氮氧化硅，第二子阻挡层122可以包括氧化硅，第三子阻挡层123可以包括非晶硅，第四子阻挡层124可以包括氧化硅，并且第五子阻挡层125可以包括氧化硅。

在第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125当中，第五子阻挡层125可以设置为最靠近电路层130。第五子阻挡层125也可以被称为上子阻挡层。第五子阻挡层125可以具有比第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123和第四子阻挡层124中的每个的厚度大的厚度STK1。在实施例中，第五子阻挡层125的厚度STK1可以比第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123和第四子阻挡层124的厚度的总和STK2大。在实施例中，第一子阻挡层121可以具有约1000埃的厚度，第二子阻挡层122可以具有约1500埃的厚度，第三子阻挡层123可以具有约100埃的厚度，第四子阻挡层124可以具有约130埃的厚度，并且第五子阻挡层125可以具有约4200埃的厚度。具体地，第五子阻挡层125的厚度STK1可以比上述的厚度大。

第一下阻光层BML1可以设置在边界区AM的一部分和第一区A1中，并且第二下阻光层BML2可以设置在第二区A2中。第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以彼此电绝缘，并且彼此不同的信号可以分别施加到第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2。在实施例中，具有预定的电压电平的恒定电压可以施加到第一下阻光层BML1，并且提供到像素电路PDC(参照图5)的第一驱动电压ELVDD(参照图5)可以施加到第二下阻光层BML2。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以设置在同一层中并且可以包括相同的材料。在实施例中，第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以设置在第四子阻挡层124与第五子阻挡层125之间。第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以被第五子阻挡层125覆盖。由于第五子阻挡层125在第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125当中具有最大的厚度，因此由提供到第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2的电压导致的晶体管的特性的改变的程度可以被减小。

限定透射区TP的第一开口BMop可以限定在第一下阻光层BML1中。第一下阻光层BML1可以是在将电极开口CEop形成为穿过公共电极CE时用作掩模的图案。在实施例中，从基底层110的后表面照射到公共电极CE的光可以在穿过第一下阻光层BML1的第一开口BMop之后到达公共电极CE和盖层CPL中的每个的一部分。也就是说，公共电极CE和盖层CPL中的每个的一部分可以通过穿过第一下阻光层BML1的第一开口BMop的光来去除。光可以是激光束。

在第一区A1中，与第一下阻光层BML1的第一开口BMop重叠的部分可以限定为透射区TP，并且其它部分可以限定为元件区EP。第一像素PX1r、PX1g和PX1b(参照图6)可以设置在元件区EP中，并且第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以与透射区TP间隔开。

缓冲层BFL可以设置在阻挡层120上。缓冲层BFL可以设置在第一区A1和第二区A2两者中。缓冲层BFL可以防止金属原子或杂质从基底层110扩散到第一半导体图案。另外，缓冲层BFL可以在用于形成第一半导体图案的结晶工艺期间控制热供应的速率以使得第一半导体图案可以被均匀地形成。

缓冲层BFL可以包括多个无机层。在实施例中，缓冲层BFL可以包括包含氮化硅或由氮化硅构成的第一子缓冲层以及设置在第一子缓冲层上并且包含氧化硅或由氧化硅构成的第二子缓冲层。缓冲层BFL可以不与透射区TP的一部分重叠。也就是说，开口可以限定为穿过缓冲层BFL以与透射区TP对应。由于缓冲层BFL没有设置在透射区TP的一部分中，因此透射区TP的透射率可以被更多地改善。

图7A和图7B示出设置在第一区A1中的第一像素PX1和设置在第二区A2中的第二像素PX2。第一像素PX1可以是第一像素PX1r、PX1g和PX1b(参照图6)中的一个，并且第二像素PX2可以是第二像素PX2r、PX2g和PX2b(参照图6)中的一个。

第一像素PX1可以包括第一发光元件ED1和第一像素电路PDC1。第二像素PX2可以包括第二发光元件ED2和第二像素电路PDC2。

电路层130可以设置在缓冲层BFL上，并且元件层140可以设置在电路层130上。图7A是设置在第一区A1中的第一发光元件ED1的一部分和第一像素电路PDC1的一部分的截面图，并且图7B是设置在第二区A2中的第二发光元件ED2的一部分和第二像素电路PDC2的一部分的截面图。

参照图7A，第一像素电路PDC1的硅薄膜晶体管S-TFT和氧化物薄膜晶体管O-TFT示出作为说明性实施例。硅薄膜晶体管S-TFT可以是参照图5描述的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一个，并且氧化物薄膜晶体管O-TFT可以是参照图5描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。

包括在第一像素电路PDC1中的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7也可以被称为第一类型晶体管。在第一区A1中，第一下阻光层BML1可以与所有的第一类型晶体管重叠。也就是说，第一下阻光层BML1可以与其中第一像素电路PDC1被设置的区完全重叠。相应地，施加到第一下阻光层BML1的电压可以与第一像素电路PDC1的操作无关地提供。

参照图7B，第二像素电路PDC2的硅薄膜晶体管S-TFTa和氧化物薄膜晶体管O-TFTa示出作为说明性实施例。硅薄膜晶体管S-TFTa可以是参照图5描述的第一晶体管T1，并且氧化物薄膜晶体管O-TFTa可以是参照图5描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。包括在第二像素电路PDC2中的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7也可以被称为第二类型晶体管。在第二区A2中，第二下阻光层BML2可以与第二类型晶体管中的一些重叠并且可以不与第二类型晶体管中的其它重叠。在实施例中，第二下阻光层BML2可以与其中第二像素电路PDC2被设置的区的一部分重叠，并且具体地，可以与第一晶体管(也被称为第一驱动晶体管)T1重叠。相应地，提供到第二下阻光层BML2的电压可以与第二像素电路PDC2的操作同步地提供。

参照图7A和图7B，第一半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案可以包括硅半导体。在实施例中，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。在实施例中，例如，第一半导体图案可以基本包括低温多晶硅。

图7A和图7B仅示出设置在缓冲层BFL上的第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案可以进一步设置在其它区中。第一半导体图案可以以预定的规则遍及各像素布置。第一半导体图案可以取决于其是否被掺杂或者其是否掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂而具有不同的电学性能。第一半导体图案可以包括具有相对非常高的导电率的第一区域和具有相对非常低的导电率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或者是以比第一区域的浓度低的浓度掺杂的区域。

第一区域可以具有比第二区域的导电率大的导电率并且可以基本用作电极或信号线。第二区域可以基本与晶体管的有源区(或沟道)对应。换句话说，第一半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，第一半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区或漏区，并且第一半导体图案的其它部分可以是连接电极或连接信号线。

硅薄膜晶体管S-TFT或S-TFTa的源区SE1、有源区AC1和漏区DE1可以由第一半导体图案形成。源区SE1和漏区DE1可以在截面中从有源区AC1在彼此相反的方向上延伸。在可替代的实施例中，晶体管的源区和漏区可以基于晶体管的类型彼此切换。

图7B示出包括第一半导体图案或由第一半导体图案构成的连接信号线CSL的一部分。连接信号线CSL可以电连接到第六晶体管T6(参照图5)的第二电极和第七晶体管T7(参照图5)的第二电极。

电路层130可以包括多个无机层和多个有机层。在实施例中，顺序堆叠在缓冲层BFL上的第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50可以是无机层，并且顺序堆叠在缓冲层BFL上方的第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80可以是有机层。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在图示的实施例中，第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构。不仅第一绝缘层10而且稍后描述的电路层130的其它绝缘层可以具有单层或多层结构。

硅薄膜晶体管S-TFT或S-TFTa的栅电极GT1可以设置在第一绝缘层10上。栅电极GT1可以是金属图案的一部分。栅电极GT1可以与有源区AC1重叠。栅电极GT1可以在掺杂第一半导体图案的工艺中用作掩模。栅电极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、包含银(Ag)或由银(Ag)构成的合金、钼(Mo)、包含钼(Mo)或由钼(Mo)构成的合金、铝(Al)、包含铝(Al)或由铝(Al)构成的合金、氮化铝(Al

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅电极GT1。第二绝缘层20可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在图示的实施例中，第二绝缘层20可以具有氮化硅层的单层结构。

第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。在实施例中，第三绝缘层30可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。第一电容器Cst(参照图5)的一个电极Csta可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。另外，第一电容器Cst的另一电极可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。

第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括取决于金属氧化物是否被还原来彼此区分开的多个区。其中金属氧化物被还原的区(在下文中，也被称为还原区)具有比其中金属氧化物没有被还原的区(在下文中，也被称为非还原区)的导电率大的导电率。还原区可以充当晶体管的源区/漏区或信号线。非还原区可以基本与晶体管的有源区(或者半导体区或沟道)对应。换句话说，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，第二半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区/漏区，并且第二半导体图案的其它部分可以是信号传输区。

氧化物薄膜晶体管O-TFT或O-TFTa的源区SE2、有源区AC2和漏区DE2可以由第二半导体图案形成。源区SE2和漏区DE2可以在截面中从有源区AC2在彼此相反的方向上延伸。

设置在第一区A1中的氧化物薄膜晶体管O-TFT可以与第一下阻光层BML1重叠。相应地，从显示面板DP的下侧入射到显示面板DP的第一区A1中的光可以被第一下阻光层BML1阻挡，并且因此，可以不提供到氧化物薄膜晶体管O-TFT的有源区AC2。

设置在第二区A2中的氧化物薄膜晶体管O-TFTa可以不与第二下阻光层BML2重叠。相应地，用于阻挡光朝向氧化物薄膜晶体管O-TFTa的下部行进的层可以被进一步提供。在实施例中，第三下阻光层BML3可以设置在设置在第二区A2中的氧化物薄膜晶体管O-TFTa之下。第三下阻光层BML3可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第三下阻光层BML3可以包括与第一电容器Cst(参照图5)的一个电极Csta的材料相同的材料并且可以与第一电容器Cst(参照图5)的一个电极Csta通过同一工艺来形成。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。第四绝缘层40可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在图示的实施例中，第四绝缘层40可以具有氧化硅层的单层结构。

氧化物薄膜晶体管O-TFT或O-TFTa的栅电极GT2可以设置在第四绝缘层40上。栅电极GT2可以是金属图案的一部分。栅电极GT2可以与有源区AC2重叠。栅电极GT2可以在还原第二半导体图案的工艺中用作掩模。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖栅电极GT2。第五绝缘层50可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。在实施例中，第五绝缘层50可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以经由限定为穿过第一绝缘层10至第五绝缘层50的第一接触孔CH1连接到连接信号线CSL。

第二开口ILop可以限定为穿过缓冲层BFL以及包括在电路层130中的绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些绝缘层。在实施例中，第二开口ILop可以限定为穿过缓冲层BFL以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50。第二开口ILop可以限定在与透射区TP的一部分重叠的区中。也就是说，由于缓冲层BFL的与透射区TP的一部分重叠的部分以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50中的每个的与透射区TP的一部分重叠的部分被去除，因此透射区TP的透射率可以被改善。

第二开口ILop的最小宽度可以小于第一开口BMop的最小宽度。缓冲层BFL以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的限定第二开口ILop的侧壁可以比第一下阻光层BML1的侧壁更多地朝向透射区TP突出。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以包括有机材料。在实施例中，例如，第六绝缘层60可以包括聚酰亚胺类树脂。在实施例中，第六绝缘层60可以包括光敏聚酰亚胺。第二连接电极CNE20可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE20可以经由限定为穿过第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE10。

第六绝缘层60可以设置在元件区EP和透射区TP两者中。第六绝缘层60也可以被称为公共有机层。第六绝缘层60可以填充在第二开口ILop中。也就是说，第六绝缘层60可以与透射区TP重叠。由于第六绝缘层60提供在透射区TP中，因此第六绝缘层60的上表面的台阶差可以被减小。当与透射区TP重叠的层的台阶差被减小时，入射到透射区TP中的光的衍射可以被减轻(或减少)。相应地，由衍射导致的图像的变形可以被减少，并且由相机模块CMM(参照图2A)获取的图像的质量可以被改善。

初始公共有机层60-P的设置在透射区TP中的在厚度方向上的一部分可以去除以形成(或以提供)第六绝缘层60。在图7A中，初始公共有机层60-P由虚线指示，并且初始公共有机层60-P的去除的部分60-del被画影线。半色调掩模可以用于从初始公共有机层60-P形成第六绝缘层60。

第六绝缘层60的在透射区TP中的第一厚度TK1可以小于第六绝缘层60的在元件区EP中的第二厚度TK2。在实施例中，第一厚度TK1可以是第六绝缘层60的在透射区TP中的最小厚度或平均厚度，并且第二厚度TK2可以是第六绝缘层60的在元件区EP中的最大厚度或平均厚度。第一厚度TK1可以等于或大于第二厚度TK2的约40％并且小于约100％。随着第一厚度TK1与第二厚度TK2之间的差增大，第六绝缘层60的上表面的台阶差可能增大。在这种情况下，在图案化最靠近透射区TP的导电层的工艺中，与最初设计相比，导电层可能更多地被图案化(或去除)。也就是说，线或布线变得更细的概率增大，并且相应地，缺陷的发生的概率也可能增大。在第一厚度TK1如本公开中提供为第二厚度TK2的约40％或更多的情况下，缺陷的发生的概率可以减小。相应地，由于第一厚度TK1提供为第二厚度TK2的约40％或更多，因此透射区TP的透射率可以被改善，并且缺陷可以被减少。

在实施例中，当第二厚度TK2是约15000埃时，第一厚度TK1可以等于或大于约6000埃并且可以等于或小于约10000埃。当第一厚度TK1大于约10000埃时，改善透射率的效果可能被降低。相应地，第一厚度TK1可以确定在等于或大于第二厚度TK2的约40％并且等于或小于约10000埃的范围内。

第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极CNE20。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。

第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以是有机层。在本公开中，第六绝缘层60也可以被称为第一有机绝缘层，第七绝缘层70也可以被称为第二有机绝缘层，并且第八绝缘层80也可以被称为第三有机绝缘层。在实施例中，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以包括诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。

参照图7A和图7B，包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的元件层140可以设置在电路层130上。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2中的每个可以包括像素电极AE(或阳极)、第一功能层HFL、发光层EL、第二功能层EFL和公共电极CE(或阴极)。第一功能层HFL、第二功能层EFL和公共电极CE可以遍及各像素PX(参照图4)公共地提供。

像素电极AE可以设置在第八绝缘层80上。像素电极AE可以经由限定为穿过第七绝缘层70和第八绝缘层80的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE20。像素电极AE可以是半透射电极、透射电极或反射电极。在实施例中，像素电极AE可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物或者由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物构成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括ITO、IZO、氧化铟镓锌(“IGZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可以具有光吸收性能，例如，像素限定层PDL可以具有黑颜色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属材料或其氧化物。

像素限定开口PDLop可以限定为穿过像素限定层PDL以暴露像素电极AE的一部分。也就是说，像素限定层PDL可以覆盖像素电极AE的边缘。另外，像素限定层PDL可以覆盖第八绝缘层80的与透射区TP相邻的侧表面。像素限定层PDL可以与第七绝缘层70的与透射区TP相邻的侧表面间隔开。相应地，像素限定层PDL可以稳定地与第七绝缘层70和第八绝缘层80接触。在实施例中，与透射区TP重叠的开口70op可以限定在第七绝缘层70中。

发光区可以由限定为穿过像素限定层PDL的像素限定开口PDLop来限定。在实施例中，第一发光区PXA1可以限定在第一发光元件ED1中，并且第二发光区PXA2可以限定在第二发光元件ED2中。

第一间隔件HSPC可以设置在像素限定膜PDL2(参照图6)上。第一突出间隔件SPC可以设置在第一间隔件HSPC上。第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以提供为彼此一体并且可以包括相同的材料或由相同的材料构成。在实施例中，第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以使用半色调掩模通过同一工艺来形成，然而，这仅仅是实施例中的一个。在实施例中，第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以包括彼此不同的材料并且可以通过彼此不同的工艺来形成。

参照图6描述的第二间隔件UHSPC可以具有与第一间隔件HSPC的厚度基本相同的厚度，并且第二突出间隔件USPC可以具有与第一突出间隔件SPC的厚度基本相同的厚度。另外，第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC可以在截面中具有与图7B中示出的第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC的形状相似的形状。

第一功能层HFL可以设置在像素电极AE、像素限定层PDL、第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC上。第一功能层HFL可以包括空穴传输层，可以包括空穴注入层或者可以包括空穴传输层和空穴注入层两者。第一功能层HFL可以设置在第一区A1、第二区A2和边界区AM(参照图6)中。

发光层EL可以设置在第一功能层HFL上并且可以设置在与像素限定层PDL的像素限定开口PDLop对应的区中。发光层EL可以包括发射具有预定的颜色的光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。发光层EL可以设置在第一区A1、第二区A2和边界区AM中。设置在第一区A1中的发光层EL可以设置在与透射区TP间隔开的区(即，元件区EP)中。

第二功能层EFL可以设置在第一功能层HFL上并且可以覆盖发光层EL。第二功能层EFL可以包括电子传输层，可以包括电子注入层或者可以包括电子传输层和电子注入层两者。第二功能层EFL可以设置在第一区A1、第二区A2和边界区AM中。

公共电极CE可以设置在第二功能层EFL上。公共电极CE可以设置在第一区A1、第二区A2和边界区AM中。电极开口CEop可以限定为穿过公共电极CE以与第一开口BMop重叠。电极开口CEop的最小宽度可以大于第一下阻光层BML1的第一开口BMop的最小宽度。

元件层140可以进一步包括设置在公共电极CE上的盖层CPL。盖层CPL可以通过相长干涉的原理来改善发光效率。盖层CPL可以包括相对于约589纳米(nm)的波长的光具有等于或大于约1.6的折射率的材料。盖层CPL可以是包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。在实施例中，例如，盖层CPL可以包括碳环化合物、杂环化合物、含有胺基团的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含有胺基团的化合物可以可选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。

盖层CPL的与公共电极CE的电极开口CEop重叠的部分可以被去除。由于与透射区TP重叠的盖层CPL的部分和公共电极CE的部分被去除，因此透射区TP的透射率可以被改善。

封装层150可以设置在元件层140上。封装层150可以包括顺序堆叠的无机层151、有机层152和无机层153，然而，包括在封装层150中的层不应限于此或由此限制。

无机层151和153可以保护元件层140免受湿气和氧的影响，并且有机层152可以保护元件层140免受诸如灰尘颗粒的外来杂质的影响。无机层151和153可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层152可以包括丙烯酸类有机层，然而，其不应限于此或由此限制。

感测器层200可以设置在显示层100上。感测器层200也可以被称为感测器、输入感测层或输入感测面板。感测器层200可以包括感测器基底层210、第一感测器导电层220、感测器绝缘层230、第二感测器导电层240和感测器覆盖层250。

感测器基底层210可以直接设置在显示层100上。感测器基底层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在实施例中，感测器基底层210可以是包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂或酰亚胺类树脂的有机层。感测器基底层210可以具有单层结构或在第三方向DR3上堆叠的多个层的多层结构。

第一感测器导电层220和第二感测器导电层240中的每个可以具有单层结构或在第三方向DR3上堆叠的多个层的多层结构。

具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(“ITZO”)等的透明导电氧化物。另外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。

具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

感测器绝缘层230可以设置在第一感测器导电层220与第二感测器导电层240之间。感测器绝缘层230可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

在实施例中，感测器绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。

感测器覆盖层250可以设置在感测器绝缘层230上并且可以覆盖第二感测器导电层240。第二感测器导电层240可以包括导电图案240P(参照图14A)。感测器覆盖层250可以覆盖导电图案240P并且可以在后续工艺中减少导电图案240P中的损坏的发生的可能性。

感测器覆盖层250可以包括无机材料。在实施例中，感测器覆盖层250可以包括氮化硅，然而，其不应限于此或由此限制。

抗反射层300可以设置在感测器层200上。抗反射层300可以包括分隔层310、多个滤色器320和平坦化层330。分隔层310和滤色器320可以不设置在第一区A1的透射区TP中。

分隔层310可以设置为与第二感测器导电层240的导电图案240P(参照图14A)重叠。感测器覆盖层250可以设置在分隔层310与第二感测器导电层240之间。分隔层310可以防止外部光被第二感测器导电层240反射。用于分隔层310的材料不应被具体地限制，只要材料吸收光即可。分隔层310可以具有黑颜色并且可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属材料或其氧化物。

多个分隔开口310op1和310op2以及透射开口310opt可以限定为穿过分隔层310。分隔开口310op1和310op2可以与发光层EL重叠。作为参照，分隔层310的在平面中的形状如图12中所示。滤色器320可以设置为与分隔开口310op1和310op2对应。滤色器320可以透射从与滤色器320重叠的发光层EL提供的光。

分隔层310的透射开口310opt可以与第一下阻光层BML1的第一开口BMop重叠。分隔层310的透射开口310opt的最小宽度可以与第一下阻光层BML1的第一开口BMop的最小宽度基本相同。也就是说，分隔层310的边缘可以在与透射区TP相邻的区中与第一下阻光层BML1的边缘基本对齐。在本公开中，表述“部件彼此基本对齐”或表述“部件具有彼此基本相同的宽度”不仅意指一个部件与另一部件完全对齐的情况或一个部件的宽度在物理上与另一部件的宽度相同的情况，还意指在包括尽管设计相同但还可能由于制造误差而发生的差异的范围之内一个部件与另一部件重合的情况。

分隔层310的边缘可以在与透射区TP相邻的区中比像素限定层PDL的边缘和公共电极CE的边缘更突出。

平坦化层330可以覆盖分隔层310和滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料并且可以在其上表面提供平坦表面。在实施例中，平坦化层330可以被省略。

图8A是根据本公开的第一下阻光层BML1的一部分的实施例的平面图。图8B是根据本公开的第二下阻光层BML2的一部分的实施例的平面图。

与第一下阻光层BML1重叠的第一像素单元PXU1在图8A中由虚线指示，并且与第二下阻光层BML2重叠的第一子像素单元PXU2a在图8B中由虚线指示。第二子像素单元PXU2b(参照图6)与第二下阻光层BML2之间的布置关系可以与第一子像素单元PXU2a与第二下阻光层BML2之间的布置关系基本相同，并且因此，将省略第二子像素单元PXU2b(参照图6)与第二下阻光层BML2之间的布置关系的细节。

第一像素单元PXU1可以包括三个第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c。第一子像素单元PXU2a可以包括两个第二像素电路PDC2a和PDC2b。图8A和图8B中示出的虚线区域可以分别与其中三个第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c以及两个第二像素电路PDC2a和PDC2b被设置的区对应。

参照图8A和图8B，第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以设置在同一层中并且可以通过同一工艺基本同时地形成。结果，当与形成设置在彼此不同的层中的第一下阻光层和第二下阻光层的工艺相比时，在图示的实施例中的形成第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2的工艺中，掩模工艺可以被省略一次。相应地，显示面板DP(参照图7A)的制造工艺可以被简化，并且显示面板DP的制造成本可以被减少。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以设置在图7A和图7B中示出的第四子阻挡层124与第五子阻挡层125之间。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可以彼此电绝缘。具有预定的电压电平的恒定电压可以提供到第一下光阻光层BML1，并且施加到第二像素电路PDC2a或PDC2b的电力电压可以提供到第二下阻光层BML2。在实施例中，第一驱动电压ELVDD(参照图5)可以提供到第二下阻光层BML2。

第一下阻光层BML1可以与其中第一像素单元PXU1被设置的区完全重叠。相应地，第一下阻光层BML1可以与包括在第一像素单元PXU1中的第一像素PX1r、PX1g和PX1b(参照图6)重叠。在第一区A1中，第一下阻光层BML1可以与包括在第一像素PX1r、PX1g和PX1b中的每个中的所有的第一类型晶体管重叠。相应地，提供到第一下阻光层BML1的电压可以与第一像素PX1r、PX1g和PX1b的操作无关地提供。

第二下阻光层BML2可以与其中第一子像素单元PXU2a被设置的区的一部分重叠。在实施例中，第一子像素单元PXU2a可以包括第二第二颜色像素PX2g(参照图6)和第二第三颜色像素PX2b(参照图6)。在第二区A2中，第二下阻光层BML2可以与包括在第二第二颜色像素PX2g和第二第三颜色像素PX2b中的每个中的第二类型晶体管的一部分重叠。在实施例中，第二下阻光层BML2可以与第一晶体管T1(参照图5)重叠。相应地，提供到第二下阻光层BML2的电压可以与第二第二颜色像素PX2g和第二第三颜色像素PX2b的操作同步地提供。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2中的每个可以具有单层结构或多层的多层结构。在实施例中，第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2中的每个可以具有其中钛和钼被顺序堆叠的多层结构。通道可以通过生成在第一子阻挡层121(参照图7A)、第二子阻挡层122(参照图7A)、第三子阻挡层123(参照图7A)中和第四子阻挡层124(参照图7A)中的裂纹以及第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123和第四子阻挡层124之间的颗粒来提供。在这种情况下，氢可以通过通道引入，并且包括钛或由钛构成的下层可以用于吸收氢。相应地，由于氢而导致的缺陷的发生可以在晶体管中减少。在实施例中，钼可以用铜取代。在实施例中，第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2中的每个可以包括钼或铜，然而，本公开不应被具体地限制。

图9A是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。图9B是根据本公开的显示面板DP的一部分的放大平面图。图9A是图4中示出的部分XX'的放大平面图。图9B是图4中示出的部分YY'的放大平面图。

参照图9A和图9B，第一下阻光层BML1可以设置在边界区AM的一部分和第一区A1中。在实施例中，第一下阻光层BML1可以设置在边界区AM的一部分中以与边界像素单元PXU1n重叠。

显示面板DP(参照图4)可以进一步包括第一阻光电压线VBL和第二阻光电压线BCL。第一阻光电压线VBL和第二阻光电压线BCL可以电连接到第一下阻光层BML1并且可以将具有预定的电压电平的恒定电压施加到第一下阻光层BML1。

在实施例中，第一阻光电压线VBL可以设置在非显示区DP-NDA中并且可以围绕显示区DP-DA的至少一部分。焊盘PD(参照图4)可以分别连接到第一阻光电压线VBL的相反端，并且恒定电压可以经由焊盘PD分别提供到第一阻光电压线VBL的相反端。

第二阻光电压线BCL可以从第一阻光电压线VBL延伸并且可以经由显示区DP-DA连接到第一下阻光层BML1。第二阻光电压线BCL可以提供为多条。图9B示出八条第二阻光电压线BCL作为说明性实施例，然而，第二阻光电压线BCL的数量可以小于或大于八。

图9A示出与第一区A1重叠的相机模块CMM。指示为相机模块CMM的虚线可以与相机模块CMM的接收光的光接收部分或透镜对应。

相机模块CMM可以与第一区A1重叠。在实施例中，相机模块CMM可以与透射区TP和其中第一像素单元PXU1被设置的元件区EP重叠。相机模块CMM可以不与边界区AM和第二区A2重叠。相应地，相机模块CMM可以不与边界像素单元PXU1n、第二像素PX2r、PX2g和PX2b以及第三像素PX3r、PX3g和PX3b重叠。

图10A是根据本公开的布置在第一区A1中的像素电路PDC的实施例的平面图。图10B是根据本公开的布置在第二区A2中的像素电路PDC的实施例的平面图。

参照图10A和图10B，第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c以及第二像素电路PDC2a和PDC2b中的每个可以由多个导电层和多个半导体层来实现。在图10A和图10B中，包括在设置在第六绝缘层60(参照图7B)与第七绝缘层70(参照图7B)之间的导电层中的图案以阴影示出。像素电极接触部分AEcnt可以接触稍后描述的第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3(参照图11A)。

具有与第二像素电路PDC2a或PDC2b的布局基本相同的布局的第三像素电路PDC3(参照图11A)可以设置在第三发光元件ED3(参照图11A)之下。诸如第二像素电路PDC2a或PDC2b的结构可以由于空间约束而不设置在复制发光元件EDcp(参照图11A)被布置的区中。相应地，复制发光元件EDcp可以与第三发光元件ED3共用第三像素电路PDC3并且可以与第三发光元件ED3一起被驱动。

图11A是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。

参照图11A，第一像素电极AE1可以设置在第一区A1中，第二像素电极AE2可以设置在第二区A2中，并且第三像素电极AE3可以设置在边界区AM中或跨第二区A2和边界区AM设置。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以具有其中ITO、银和ITO被顺序堆叠的多层结构，然而，它们不应限于此或由此限制。

设置在第一区A1中的第一像素PX1可以包括第一像素电路PDC1和第一发光元件ED1。第一像素电极AE1可以包括在第一发光元件ED1中。第一像素电极AE1可以电连接到第一像素电路PDC1。在实施例中，第一像素电极AE1可以接触图10A中示出的像素电极接触部分AEcnt。

设置在第二区A2中的第二像素PX2可以包括第二像素电路PDC2和第二发光元件ED2。第二像素电极AE2可以包括在第二发光元件ED2中。第二像素电极AE2可以电连接到第二像素电路PDC2。在实施例中，第二像素电极AE2可以连接到图10B中示出的像素电极接触部分AEcnt。第三像素电极AE3可以电连接到第三像素电路PDC3。第三像素电路PDC3可以具有与图10B中示出的第二像素电路PDC2a和PDC2b中的一个的布局基本相同的布局。

设置在边界区AM中或跨第二区A2和边界区AM设置的第三像素PX3可以包括第三像素电路PDC3、第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp。复制发光元件EDcp可以设置为比第三发光元件ED3靠近第一发光元件ED1。第三像素电路PDC3可以由于空间约束而不设置在复制发光元件EDcp之下。相应地，复制发光元件EDcp可以不与第一下阻光层BML1(参照图8A)和第二下阻光层BML2(参照图8B)重叠。

第三像素电极AE3可以包括在第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp中。第三像素电极AE3可以包括主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp。主像素电极AEm可以包括在第三发光元件ED3中，并且复制像素电极AEcp可以包括在复制发光元件EDcp中。连接电极AEcn可以将第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp电连接。

主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp可以设置在同一层中并且可以包括相同的材料。另外，主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp可以通过同一工艺基本同时地形成。主像素电极AEm可以直接连接到第三像素电路PDC3，并且复制像素电极AEcp可以经由连接电极AEcn和主像素电极AEm连接到第三像素电路PDC3。

主像素电极AEm中的一些可以包括直边缘AEsl以确保连接电极AEcn穿过其的区。直边缘AEsl可以提供在面对连接电极AEcn的部分处。

第一像素电极AE1可以包括第一突出部分AE-C1和第二突出部分AE-C2。第一突出部分AE-C1可以连接到图10A中示出的像素电极接触部分AEcnt并且可以与接触孔重叠。第二突出部分AE-C2可以是延伸为与包括氧化物薄膜晶体管O-TFT(参照图7A)的有源区AC2(参照图7A)的第二半导体图案重叠的部分。相应地，在第二半导体图案的下表面，光可以被第一下阻光层BML1(参照图9A)阻挡，并且在第二半导体图案上表面，光可以被第一像素电极AE1阻挡。

虚设像素DPX可以设置在边界区AM中。虚设像素DPX可以不发光并且也可以被称为有缺陷的像素。在实施例中，虚设像素DPX可以不包括像素电路PDC(参照图5)和像素电极AE(参照图7B)并且可以包括发光层EL(参照图7B)。虚设像素DPX可以进一步包括第一功能层HFL(参照图7B)、第二功能层EFL(参照图7B)和公共电极CE(参照图7B)。虚设像素DPX可以与限定为穿过分隔层310(参照图7B)的虚设分隔开口重叠，然而，这仅仅是实施例中的一个。在实施例中，虚设分隔开口可以不限定在其中虚设像素DPX被设置的区中。在实施例中，虚设像素限定开口可以限定为穿过像素限定膜PDL2(参照图6)以与其中虚设像素DPX被设置的区对应。

图11B是根据本公开的显示面板DP的一些部件的实施例的平面图。

图11B示出第二间隔件UHSPC、第二突出间隔件USPC和第一像素电极AE1。

第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC可以设置在像素限定图案PDL1(参照图6)上。在平面图中，第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC可以设置在第一第一像素限定开口PDLop1r与第一第二像素限定开口PDLop1g之间、第一第一像素限定开口PDLop1r与第一第三像素限定开口PDLop1b之间以及第一第二像素限定开口PDLop1g与第一第三像素限定开口PDLop1b之间。

第二间隔件UHSPC的在第一方向DR1上的第一宽度UHWT1可以大于第二突出间隔件USPC的在第一方向DR1上的第二宽度UWT1，并且第二间隔件UHSPC的在第二方向DR2上的第三宽度UHWT2可以大于第二突出间隔件USPC的在第二方向DR2上的第四宽度UWT2。在实施例中，第一宽度UHWT1和第三宽度UHWT2中的每个可以是约14.8微米，并且第二宽度UWT1和第四宽度UWT2中的每个可以是约5微米，然而，它们不应被具体地限制。

第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC可以与第一第一像素限定开口PDLop1r、第一第二像素限定开口PDLop1g和第一第三像素限定开口PDLop1b中的每个的最外线间隔开。在实施例中，第二间隔件UHSPC或第二突出间隔件USPC与第一第一像素限定开口PDLop1r、第一第二像素限定开口PDLop1g和第一第三像素限定开口PDLop1b中的每个的最外线之间的距离SDTr、SDTg和SDTb可以等于或大于约4微米。相应地，像素限定图案PDL1(参照图6)的一部分可以在与透射区TP(参照图7A)相邻的区中被暴露。由于暴露的像素限定图案PDL1，与透射区TP相邻的区中的台阶差可以被减小。结果，生成在公共电极CE(参照图7A)的一部分中的毛刺可以被减少。

图12是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。图12是图4中示出的部分XX'的放大平面图。

参照图7A、图7B和图12，分隔开口310op1和310op2、分隔开口310op3和310op4以及透射开口310opt可以限定为穿过分隔层310。分隔开口310op1、310op2、310op3和310op4可以包括限定在第一区A1中的第一分隔开口310op1、限定在第二区A2中的第二分隔开口310op2、限定在边界区AM中的第三分隔开口310op3和限定在边界区AM中的第四分隔开口310op4。透射开口310opt可以限定在第一区A1中。

第三分隔开口310op3可以具有与第一分隔开口310op1的形状基本相同的形状。第四分隔开口310op4可以具有与第二分隔开口310op2的形状基本相同的形状。

在第一区A1中，一个第一分隔开口310op1可以与一个第一像素单元PXU1重叠，并且一个第三分隔开口310op3可以在边界区AM中与一个边界像素单元PXU1n重叠。相应地，一个第一分隔开口310op1和一个第三分隔开口310op3中的每个可以与第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b重叠。

分隔层310可以不设置在第一区A1中彼此相邻的第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间。相应地，不需要将分隔层310的相对细且长的部分形成在第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间的狭窄区中。相应地，形成分隔层310的工艺的难度可以被减小。另外，由于分隔层310的该部分没有设置在第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间，因此即使视角增大，亮度比或白色角度依赖性(WAD)特性的改变的程度也可以被减小。也就是说，亮度比或WAD特性可以在第一区A1中被改善。

在第二区A2和边界区AM中，一个第二分隔开口310op2和一个第四分隔开口310op4中的每个可以与第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b、第三发光区PXA3r、PXA3g和PXA3b以及复制发光区PXCr、PXCg和PXCb当中的一个发光区重叠。在第二区A2和边界区AM中，分隔层310的一部分可以设置在彼此相邻的第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b、第三发光区PXA3r、PXA3g和PXA3b以及复制发光区PXCr、PXCg和PXCb之间。

透射开口310opt可以与第一下阻光层BML1的第一开口BMop重叠。透射开口310opt可以具有与第一下阻光层BML1的第一开口BMop的尺寸基本相同的尺寸。

虚设分隔开口310opd可以进一步限定为穿过分隔层310。虚设分隔开口310opd的形状可以与第二分隔开口310op2的形状基本相同。虚设分隔开口310opd可以分别与虚设滤色器320c(参照图21A)重叠。

在本公开的实施例中，可以不穿过分隔层310限定虚设分隔开口310opd。在这种情况下，虚设滤色器320c(参照图21A)可以设置在分隔层310上。在本公开的实施例中，虚设像素限定开口可以进一步限定为穿过图6中示出的像素限定膜PDL2以与虚设分隔开口310opd重叠。

图13是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。图13中示出的部分可以与图12的部分AA'对应。

参照图7B和图13，滤色器320可以包括设置在第二区A2中的第二滤色器322r、322g和322b。第二滤色器322r、322g和322b可以包括第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b。第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b可以一一对应地与分隔层310的第二分隔开口310op2重叠。

第二分隔开口310op2中的每个可以具有与第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b中的每个的形状不同的形状。另外，像素限定膜PDL2的第二像素限定开口PDLop2中的每个的形状可以与第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b中的每个的形状不同。在实施例中，在平面图中，第二像素限定开口PDLop2中的每个可以具有圆形形状，并且第二分隔开口310op2中的每个可以具有圆形形状。一个第二分隔开口310op2可以具有围绕一个第二像素限定开口PDLop2的形状。第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b中的每个可以具有四边形形状。

第二像素限定开口PDLop2可以包括与第二第一滤色器322r重叠的第二第一像素限定开口PDLop2r、与第二第二滤色器322g重叠的第二第二像素限定开口PDLop2g和与第二第三滤色器322b重叠的第二第三像素限定开口PDLop2b。

第二第一滤色器322r可以具有比第二第三滤色器322b的尺寸大的尺寸，并且第二第一像素限定开口PDLop2r可以具有比第二第三像素限定开口PDLop2b的尺寸小的尺寸。

第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b可以由限定在第二区A2中的第二像素限定开口PDLop2限定。第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b可以包括由第二第一像素限定开口PDLop2r限定的第二第一发光区PXA2r、由第二第二像素限定开口PDLop2g限定的第二第二发光区PXA2g和由第二第三像素限定开口PDLop2b限定的第二第三发光区PXA2b。

在第二发光区PXA2r、PXA2g和PXA2b当中，第二第二发光区PXA2g可以具有最小的尺寸，并且第二第三发光区PXA2b可以具有最大的尺寸。在第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b当中，第二第一滤色器322r可以具有最大的尺寸，并且第二第三滤色器322b可以具有最小的尺寸。

一个第二第一发光区PXA2r、两个第二第二发光区PXA2g和一个第二第三发光区PXA2b可以形成一个重复单元RAm。在这种情况下，在一个重复单元RAm中，由两个第二第二滤色器322g占据的尺寸可以是最大的，由一个第二第一滤色器322r占据的尺寸可以是第二大的，并且由一个第二第三滤色器322b占据的尺寸可以是最小的。在实施例中，第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b的尺寸比例可以在重复单元RAm中是29:54:17。

第二第一滤色器322r、第二第二滤色器322g和第二第三滤色器322b中的每个的尺寸可以通过考虑电子装置EDE(参照图1A)的反射的光的颜色来确定。相应地，发光区的尺寸关系可以与同发光区对应的滤色器的尺寸关系不成比例(不一致)。

图14A、图14B和图14C是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。分别示出在图14A、图14B和图14C中的部分可以与图12的部分BB'对应。

图14A、图14B和图14C图示布置在同一区中的部件中的一些以清楚地示出部件之间的布置关系。在实施例中，图14A示出像素限定图案PDL1、分隔层310和导电图案240P，图14B示出像素限定图案PDL1、分隔层310以及第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b，并且图14C示出分隔层310以及第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b。

参照图7A和图14A，第一像素限定开口PDLop1可以限定为穿过像素限定图案PDL1。第一像素限定开口PDLop1可以包括第一第一像素限定开口PDLop1r、第一第二像素限定开口PDLop1g和第一第三像素限定开口PDLop1b。

在图14A中，限定为穿过分隔层310的一个第一分隔开口310op1和布置在第一分隔开口310op1周围的四个透射开口310opt的部分被示出。第一第一像素限定开口PDLop1r、第一第二像素限定开口PDLop1g和第一第三像素限定开口PDLop1b可以与分隔层310的第一分隔开口310op1重叠。

导电图案240P可以被分隔层310覆盖。相应地，导电图案240P可以与分隔层310完全重叠。分隔层310可以防止外部光被导电图案240P反射。

参照图7A和图14B，滤色器320可以包括布置在第一区A1中的第一滤色器321r、321g和321b。第一滤色器321r、321g和321b可以包括第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b。第一第一滤色器321r可以与第一第一像素限定开口PDLop1r重叠，第一第二滤色器321g可以与第一第二像素限定开口PDLop1g重叠，并且第一第三滤色器321b可以与第一第三像素限定开口PDLop1b重叠。另外，第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b可以与分隔层310的第一分隔开口310op1重叠。

在第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b当中，第一第二滤色器321g可以具有最大的尺寸，并且第一第一滤色器321r可以具有最小的尺寸。相应地，第一第二滤色器321g可以在远离第一第三滤色器321b的方向上比第一第一滤色器321r向外突出。

参照图7A和图14C，第一第二滤色器321g可以包括与第一分隔开口310op1重叠的重叠部分321g1和从重叠部分321g1延伸的延伸部分321g2。延伸部分321g2可以包括第一第二滤色器321g的在第一方向DR1上比第一第一滤色器321r向外突出的部分和第一第二滤色器321g的在第二方向DR2上比第一第三滤色器321b向外突出的另一部分。

第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b的尺寸可以确定为使得第一区A1中的反射的光的颜色可以与第二区A2(参照图7B)中的反射的光的颜色相似。在实施例中，参照图13，布置在第二区A2的重复单元RAm中的第二第二滤色器322g的数量可以大于布置在第一区A1的重复单元RAu中的第一第二滤色器321g的数量。相应地，第一区A1中的反射的光的颜色可以通过调整第一第二滤色器321g的尺寸变得与第二区A2中的反射的光的颜色相似。

在本公开的实施例中，由于第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g和第一第三滤色器321b的尺寸被调整，因此第一区A1中的反射的光的颜色和具有与第一区A1的形状不同的形状的第二区A2中的反射的光的颜色可以变得彼此相似。由于第一区A1中的反射的光的颜色和第二区A2中的反射的光的颜色变得彼此相似，因此第一区A1与第二区A2之间的反射亮度的差异可以被减小。相应地，当显示面板DP(参照图4)被关闭时，第一区A1与第二区A2之间的边界被识别的概率可以被减小。

图15是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。图15中示出的部分可以与图12的部分BB'对应。

参照图15，分隔层310以及第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g-1和第一第三滤色器321b被示出。

第一第二滤色器321g-1可以包括与第一分隔开口310op1重叠的重叠部分321g1和从重叠部分321g1延伸的延伸部分321g2a。延伸部分321g2a可以从重叠部分321g1延伸到透射区TP当中的彼此相邻的两个透射区TPn1和TPn2之间的区TPMA。区TPMA可以与分隔层310重叠。另外，区TPMA可以与图14A中示出的导电图案240P重叠。相应地，延伸部分321g2a可以与分隔层310和导电图案240P重叠。

另外，延伸部分321g2a可以围绕第一第一滤色器321r和第一第三滤色器321b。相应地，分隔层310的一部分可以具有基本与第一区A1中的延伸部分321g2a的形状对应的形状。在实施例中，与透射开口310opt对应的开口和与其中第一第一滤色器321r和第一第三滤色器321b被布置的区对应的开口321op可以限定为穿过第一第二滤色器321g-1。

图16A和图16B是根据本公开的显示面板DP的实施例的部分的放大平面图。图16A中示出的部分可以与图12的部分BB'对应。

参照图16A和图16B，分隔层310、第一第一滤色器321r、第一第二滤色器321g-2和第一第三滤色器321b以及附加滤色器321c被示出。

第一第二滤色器321g-2可以包括与第一分隔开口310op1重叠的重叠部分321g1和从重叠部分321g1延伸的延伸部分321g2b。延伸部分321g2b可以从重叠部分321g1延伸到透射区TP当中的彼此相邻的两个透射区TPn1与TPn2之间的区TPMA。区TPMA可以与分隔层310重叠。延伸部分321g2b可以从第一分隔开口310op1向另一第一分隔开口310op1-n延伸。

附加滤色器321c可以设置在透射区TP当中的彼此相邻的两个透射区TPn2和TPn3之间的区中。附加滤色器321c可以具有与第一第二滤色器321g-2的颜色相同的颜色，然而，这仅仅是实施例中的一个。在实施例中，只要第一区A1与第二区A2之间的反射的光的颜色的差异被减小，附加滤色器321c就可以具有与第一第一滤色器321r或第一第三滤色器321b的颜色相同的颜色。在可替代的实施例中，附加滤色器321c可以提供为多个，并且附加滤色器321c可以具有彼此不同的颜色。

附加滤色器321c可以面对与第一分隔开口310op1重叠的第一第一滤色器321r并且可以延伸到与另一第一分隔开口310op1-na重叠的第一第三滤色器321b-n。

图17是根据本公开的显示面板DP的实施例的一部分的放大平面图。

参照图17，分隔层310以及第一第一滤色器321r-1、第一第二滤色器321g-3和第一第三滤色器321b-1被示出。

第一第一滤色器321r-1可以包括与第一分隔开口310op1重叠的第一重叠部分321r1和从第一重叠部分321r1延伸的第一延伸部分321r2。第一第二滤色器321g-3可以包括与第一分隔开口310op1重叠的第二重叠部分321g1和从第二重叠部分321g1延伸的第二延伸部分321g2c。第一第三滤色器321b-1可以包括与第一分隔开口310op1重叠的第三重叠部分321b1和从第三重叠部分321b1延伸的第三延伸部分321b2。

第一延伸部分321r2可以延伸到彼此相邻的两个透射区TPn2和TPn3之间的区，并且第二延伸部分321g2c可以延伸到彼此相邻的两个透射区TPn1和TPn2之间的区。第三延伸部分321b2可以延伸到彼此相邻的两个透射区TPn3和TPn4之间的区以及彼此相邻的两个透射区TPn1和TPn4之间的区。

在本公开的实施例中，第一第一滤色器321r-1、第一第二滤色器321g-3和第一第三滤色器321b-1之间的尺寸比例可以通过调整第一延伸部分321r2、第二延伸部分321g2c和第三延伸部分321b2中的每个的尺寸来调整。在实施例中，第一延伸部分321r2、第二延伸部分321g2c和第三延伸部分321b2中的每个的尺寸可以调整为允许第一区A1中的反射的光的颜色与第二区A2中的反射的光的颜色相似。

图18是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。

参照图18，附加发光区APXA可以进一步提供在透射区TP之间。附加发光区APXA可以与布置在元件区EP(参照图6)中的第一发光区PXA1r、PXA1g和PXA1b(参照图6)被基本同时地控制。也就是说，附加发光区APXA可以限定在由对应的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c(参照图10A)基本同时地控制的复制发光元件AEDcp中。

在实施例中，限定在与第一延伸部分321r2重叠的区中的第一附加分隔开口310aop1、限定在与第二延伸部分321g2c重叠的区中的第二附加分隔开口310aop2和限定在与第三延伸部分321b2重叠的区中的第三附加分隔开口310aop3可以限定在分隔层310中。

另外，显示面板DP(参照图4)可以进一步包括限定附加发光区APXA的附加像素限定图案APDL。第一附加分隔开口310aop1、第二附加分隔开口310aop2和第三附加分隔开口310aop3可以与限定为穿过附加像素限定图案APDL的像素限定开口APDLop重叠。

图19是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的放大平面图。在图19中，描述将集中于与图18的特征不同的特征。

参照图19，图18中示出的附加像素限定图案APDL可以被省略。相应地，图19中示出的附加发光区APXAa可以由限定为穿过分隔层310的第一附加分隔开口310aop1、第二附加分隔开口310aop2和第三附加分隔开口310aop3来限定。

图20是根据本公开的显示面板DP的一部分的实施例的平面图。

参照图20，第一区A1可以由第一轴AX1和在第一区A1的中心A1cp处与第一轴AX1交叉的第二轴AX2分隔成象限。图20示出第一象限QD1、第二象限QD2、第三象限QD3和第四象限QD4。

边界区AM可以包括与第一区A1的第一象限QD1相邻的第一边界区AM1、与第一区A1的第二象限QD2相邻的第二边界区AM2、与第一区A1的第三象限QD3相邻的第三边界区AM3和与第一区A1的第四象限QD4相邻的第四边界区AM4。

图21A、图21B、图21C和图21D是根据本公开的显示面板DP的部分的实施例的平面图。图21A、图21B、图21C和图21D是分别示出第一边界区AM1、第二边界区AM2、第三边界区AM3和第四边界区AM4的平面图。

参照图20以及图21A至图21D，滤色器320可以包括布置在边界区AM中的第三滤色器323r、323g和323b以及第四滤色器324r、324g和324b。

第三滤色器323r、323g和323b可以具有与第一滤色器321r、321g和321b(参照图14C)的形状基本相同的形状，然而，它们不应限于此或由此限制。在实施例中，第三滤色器323r、323g和323b可以具有与图15、图16A、图17、图18或图19中示出的第一滤色器的形状基本相同的形状。第四滤色器324r、324g和324b可以具有与第二滤色器322r、322g和322b的形状基本相同的形状。

第三滤色器323r、323g和323b可以包括布置在第三分隔开口310op3中的每个中的第三第一滤色器323r、第三第二滤色器323g和第三第三滤色器323b。也就是说，一个第三分隔开口310op3可以与第三第一滤色器323r、第三第二滤色器323g和第三第三滤色器323b重叠。在实施例中，第三像素限定开口PDLop3r、PDLop3g和PDLop3b可以分别与第三第一滤色器323r、第三第二滤色器323g和第三第三滤色器323b重叠。第四滤色器324r、324g和324b可以包括第四第一滤色器324r、第四第二滤色器324g和第四第三滤色器324b。第四第一滤色器324r、第四第二滤色器324g和第四第三滤色器324b可以一一对应地与分隔层310的第四分隔开口310op4重叠。在实施例中，第四像素限定开口PDLop4r、PDLop4g和PDLop4b可以分别与第四第一滤色器324r、第四第二滤色器324g和第四第三滤色器324b重叠。

显示面板DP(参照图4)可以进一步包括布置在边界区AM中并且设置在第三滤色器323r、323g和323b与第四滤色器324r、324g和324b之间的虚设滤色器320c。虚设滤色器320c可以与参照图11A描述的虚设像素DPX重叠。虚设像素DPX可以不包括像素电极。相应地，虚设滤色器320c可以不与像素电极重叠。

虚设滤色器320c可以与虚设分隔开口310opd重叠。另外，可以不穿过与虚设滤色器320c重叠的像素限定膜PDL2(参照图6)限定像素限定开口。在实施例中，虚设像素限定开口可以进一步限定为穿过与虚设滤色器320c重叠的像素限定膜PDL2(参照图6)。

虚设滤色器320c可以包括多个第一虚设滤色器320cr、多个第二虚设滤色器320cg和多个第三虚设滤色器320cb。第一虚设滤色器320cr、第二虚设滤色器320cg和第三虚设滤色器320cb可以具有彼此不同的颜色。在实施例中，第一虚设滤色器320cr可以是红色滤色器，第二虚设滤色器320cg可以是绿色滤色器，并且第三虚设滤色器320cb可以是蓝色滤色器。

虚设滤色器320c可以分别根据与第一边界区AM1、第二边界区AM2、第三边界区AM3和第四边界区AM4对应的布置规则来布置。在实施例中，以与第二滤色器322r、322g和322b的方式相同的方式布置的虚设滤色器320c可以布置在第一边界区AM1、第二边界区AM2、第三边界区AM3和第四边界区AM4中。相应地，边界区AM中的反射的光的颜色可以与第二区A2中的反射的光的颜色基本相似。

在实施例中，第二虚设滤色器320cg可以布置在第一边界区AM1和第二边界区AM2中，第一虚设滤色器320cr、第二虚设滤色器320cg和第三虚设滤色器320可以布置在第三边界区AM3中，并且第一虚设滤色器320cr和第二虚设滤色器320cg可以布置在第四边界区AM4中。

尽管已经描述了本公开的实施例，理解的是，本公开不应限于这些实施例，而是各种改变和修改可以在权利要求中所要求保护的本公开的精神和范围之内由本领域的普通技术人员做出。因此，公开的主题不应限于本文中描述的任何单个实施例，并且发明构思的范围应根据权利要求来确定。