一种缓冲片的加工方法

技术领域

本发明涉及FPC加工技术领域，具体是指一种缓冲片的加工方法。

背景技术

在FPC柔性电路板的加工过程中，需要用到缓冲片。现有的缓冲片都是采用矽铝箔制作而成，矽铝箔也叫硅铝箔，矽铝箔是由硅胶与铝箔烧结热处理方式结合在一起的。通过利用快速压合热处理设备来加工FPC柔性电路板、电热片、电池导电线等电子产品，此法制作的矽铝箔硅胶与铝箔的粘接力差(铝箔表面粗化处理技术落后)。

因此，一种能够解决上述问题的方法有待提出。

发明内容

针对以上问题，本发明提出了一种表面粗化均匀性好、热性能佳的缓冲片的加工方法。

本发明提供的技术方案为：

一种缓冲片的加工方法，包括以下步骤：

1)铜箔分卷；

2)表面微蚀处理：利用浓度为50g/L的过硫酸钠进行微蚀处理，咬蚀量为0.6um；

3)铜箔表面涂硅胶处理剂：通过处理剂涂布机在铜箔一面涂覆一层2μm厚的开放式硫化硅胶处理剂，然后在120度的隧道炉中烘烤至处理剂中溶剂挥发完全；

4)硅胶压覆于铜箔表面；

5)高温烘烤硫化：利用铂金硫化剂进行高温硫化，设定隧道炉温度为150度，硫化时间为6min；

6)喷哑光硅油：利用白电油清洁硅胶表面，过自动喷涂机喷手感油，其中，速度为2m/min，隧道炉温度为170度，时间为10min；

7)喷手感油：以2m/min的速度经过自动喷涂机喷手感油，隧道炉温度为170度，时间为10min。

进一步地，在利用处理机对铜箔表面进行处理的过程中，处理机参数包括以下内容：

上、下药液压力：2.5kg/cm

进一步地，在涂硅胶处理剂的过程中，处理剂涂布以及烘烤参数包括以下内容：

涂布速度：1.5m/min，上、下涂布轮压力：2.0kg/cm

进一步地，在进行硅胶硫化的过程中，采用五辊压延机进行压延，运行速度为5m/min。

本发明与现有技术相比的优点在于：

铜箔导热性优于铝箔，能够更快将快压机热能传递到所加工产品上，以提高生产效率；铜箔表面粗化处理技术先进，表面粗化均匀性好，铜箔表面粗化均匀性好，使之与硅胶结合力增强，从而增加产品使用寿命；硅胶采用压延的方式附着于铜箔上，比之常规的平板机附着方式厚度均匀性好，厚度精度易控制。

附图说明

图1是通过本发明提出的方法制作成的缓冲片的结构图。

具体实施方式

下面结合附图1对本发明做进一步的详细说明。

一种缓冲片的加工方法，包括以下步骤：

1)铜箔分卷；

2)表面微蚀处理：利用浓度为50g/L的过硫酸钠进行微蚀处理，咬蚀量为0.6um；

3)铜箔表面涂硅胶处理剂：通过处理剂涂布机在铜箔一面涂覆一层2μm厚的开放式硫化硅胶处理剂，然后在120度的隧道炉中烘烤至处理剂中溶剂挥发完全；

4)硅胶压覆于铜箔表面；

5)高温烘烤硫化：利用铂金硫化剂进行高温硫化，设定隧道炉温度为150度，硫化时间为6min；

6)喷哑光硅油：利用白电油清洁硅胶表面，过自动喷涂机喷手感油，其中，速度为2m/min，隧道炉温度为170度，时间为10min；

7)喷手感油：以2m/min的速度经过自动喷涂机喷手感油，隧道炉温度为170度，时间为10min。

在利用处理机对铜箔表面进行处理的过程中，处理机参数包括以下内容：

上、下药液压力：2.5kg/cm

在涂硅胶处理剂的过程中，处理剂涂布以及烘烤参数包括以下内容：

涂布速度：1.5m/min，上、下涂布轮压力：2.0kg/cm

在进行硅胶硫化的过程中，采用五辊压延机进行压延，运行速度为5m/min。

通过采用上述方法进行缓冲片的制作，从而得出了一种新型的缓冲片，如图1所示，包括：铜箔1；设于铜箔1上的硅胶3；以及设于铜箔1和硅胶3之间、用于粘合铜箔1和硅胶3的开放式硫化硅胶处理剂2。比起之前的产品，使用寿命长，性能佳，可提高生产效率。

具体的，铜箔厚度0.1mm；硅胶处理剂厚度2um；硅胶厚度0.3mm。由于技术的改进，从而提高了产品性能，增长了产品使用寿命，提高了生产效率，铜箔导热性优于铝箔能够更快将快压机热能传递到所加工产品上，从而降低了能耗。

以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。