一种显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件已应用在手机、平板等显示领域，随着显示面板集成度的提高，将触控功能层设置在薄膜封装层上方的TPOT(Touch Panel on TFE)工艺得到了广泛的应用。

随着显示技术的发展，显示面板的分辨率也逐渐提高，分辨率的提高表示像素之间的间距变小，对应的，位于像素下方的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)之间的间距也变小，TFT电路走线更密集，电场变化更频繁，这容易导致位于像素上方的触控功能层受到干扰，甚至导致显示面板的信噪比(signal-to-noise ratio，SNR)超规，降低显示面板的质量。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种显示面板及显示装置，降低触控功能层受到的干扰，提高显示面板质量。其具体方案如下：

第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：

基板，所述基板具有像素区域和非像素区域；

显示层，位于所述基板的一侧，所述显示层在所述像素区域具有子像素；

触控功能层，位于所述显示层远离所述基板的一侧，所述触控功能层包括触控电极，所述触控电极包括构成多个金属格结构的多条触控电极走线，所述多个金属格中的至少一个金属格在所述显示层的正投影包围至少两个子像素。

第二方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括如前所述的显示面板。

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、显示层和触控功能层，基板具有像素区域和非像素区域，显示层位于基板的一侧，显示层在像素区域具有子像素，触控功能层，位于显示层远离基板的一侧，触控功能层包括触控电极，触控电极包括构成多个金属格结构的多条触控电极走线，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围至少两个子像素，这样，相比于现有技术中金属格在显示层的正投影包围一个子像素，本申请中金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量增多，触控电极中金属格的数量减少，触控电极走线的密度减小，触控功能层接收到的干扰也会变小，从而避免显示面板的SNR超规，提高显示面板的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2示出了本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图3示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图4示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图5示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图6示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图7示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图8示出了为本申请实施例提供的一种触控电极的布局示意图；

图9示出了为显示面板在AA向的一种剖视图；

图10示出了显示面板在BB向的一种剖视图；

图11示出了为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图；

图12示出了为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

比如，在WQHD技术中，显示面板的分辨率为3440×1440，相比于FHD分辨率为1920×1080，像素之间的间距明显变小，对应的，TFT之间的间距也变小，TFT电路走线更密集，电场变化更频繁，位于薄膜封装层上方的触控功能层中的触控电极包括多条触控电极走线，触控电极走线密度较大，导致触控功能层受到干扰，此外，分辨率提高导致用于布置像素的像素定义层的开口也更加密集，触控功能层受到的光干扰也变大，可能导致显示面板的SNR超规。

基于以上技术问题，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、显示层和触控功能层，基板具有像素区域和非像素区域，显示层位于基板的一侧，显示层在像素区域具有子像素，触控功能层，位于显示层远离基板的一侧，触控功能层包括触控电极，触控电极包括构成多个金属格结构的多条触控电极走线，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围至少两个子像素，这样，相比于现有技术中金属格在显示层的正投影包围一个子像素，本申请中金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量增多，触控电极中金属格的数量减少，触控电极走线的密度减小，触控功能层接收到的干扰也会变小，从而避免显示面板的SNR超规，提高显示面板的质量。

为了便于理解，下面结合附图对本申请实施例提供的一种显示面板及显示装置进行详细的说明。

参考图1所示，为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，显示面板包括基板101、显示层102和触控功能层103，基板具有像素区域和非像素区域，显示层102位于基板101的一侧，显示层102在像素区域具有子像素104，子像素可以为红(Red，R)子像素、绿(Green，G)子像素或蓝(Blue，B)子像素，子像素可以包括位于像素区域的像素定义层1021和发光层1022，不同的发光层的材料可以用于发出不同颜色的光，使该发光层所属的子像素为不同颜色的子像素。

触控功能层103位于显示层102远离基板101的一侧，触控功能层103可以与触摸主体(例如手指)形成电容以实现触控功能，触控功能层103可以包括多个触控电极105，在采用自电容式触控原理的触控结构时，触控电极可以作为传感器。

在显示层102和触控功能层103之间可以具有平坦层108，平坦层108具有平坦化作用，平坦层的材料可以为亚克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等有机材料。

参考图2所示，为本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图，子像素包括R、G、B三种子像素，多个子像素阵列排布，触控电极包括构成多个金属格107结构的多条触控电极走线106，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围至少两个子像素。比如，金属格107包围2个子像素，分别为R子像素和G子像素，金属格中也可以包围B子像素和G子像素。

这样，相比于现有技术中金属格在显示层的正投影包围一个子像素，本申请中金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量增多，触控电极中金属格的数量减少，触控电极走线的密度减小，触控功能层接收到的干扰也会变小，从而避免显示面板的SNR超规，提高显示面板的质量。

在本申请实施例中，子像素可以沿第一方向和第二方向阵列分布，第二方向与第一方向形成角度，比如，第二方向可以与第一方向垂直，在显示面板中的子像素排列方式如图2所示的排列方式，第一方向可以为从显示面板的左下角向右上角的方向，第二方向可以为从显示面板的左上角向右下角的方向。多条触控电极走线包括沿第一方向的多条第一触控电极走线1061，以及沿第二方向的多条第二触控电极走线1062。参考图2所示，包括多条第一触控电极走线1061和多条第二触控电极走线1062，金属格1071由两条第一触控电极走线1061和两条第二触控电极走线1062构成。

在本申请实施例中，多条触控电极走线构成的金属格的形状可以为矩形，也可以为十字形，还可以为圆角矩形，可根据实际需求进行设置，在此不做具体限定。具体地，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围的子像素的中心，可以位于目标直线上，比如，金属格在显示层的正投影包围三个子像素，则三个子像素的中心可以位于一条直线上，这样，包围三个子像素的金属格的形状为矩形，便于工艺制作，进一步降低触控功能层受到的干扰。

具体地，目标直线的延伸方向可以沿第一方向，则金属格的延伸方向为第一方向，进一步的，多个金属格中的各个金属格在显示层的正投影包围的子像素的中心的连线，可以与第一方向平行，以便于工艺操作。参考图2所示，全部的金属格的延伸方向沿第一方向，此时沿第一方向的第一触控电极走线1061的长度大于沿第二方向的第二触控电极走线1062的长度。

具体地，目标直线的延伸方向也可以沿第二方向，可根据线路布局选择，参考图3所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，全部的金属格的延伸方向沿第二方向，第二触控电极走线1062的长度大于第一触控电极走线1061的长度。

在本申请实施例中，金属格的形状可以为不规则形状，比如十字形，L形，提高金属电极走线布局的多样性，降低触控功能层受到的干扰。具体地，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影可以包围至少三个子像素，至少三个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素的中心和第二子像素的中心的连线可以在第一方向上，第二子像素的中心和第三子像素的中心的连线可以在第二方向上。

参考图4所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，金属格1072包围三个子像素，分别为G子像素、R子像素和G子像素，记为第一子像素1041、第二子像素1042和第三子像素1043，第一子像素1041的中心和第二子像素1042的中心的连线沿第一方向，第二子像素1042的中心和第三子像素1043的中心的连线沿第二方向，金属格1072的形状为L形。进一步的，可以设置全部的金属格的形状均为L形。此外，金属格的形状也可以为口字形，比如金属格包括四个相邻的R子像素、G子像素、B子像素和G子像素。

金属格1073包围五个子像素，为第一子像素1041、第二子像素1042、第三子像素1043、第四子像素1044和第五子像素1045，第一子像素1041的中心、第二子像素1042的中心和第四子像素1044的中心的连线沿第一方向，第二子像素1042的中心、第三子像素1043的中心、第五子像素1045的中心的连线沿第二方向，此时金属格1073的形状为十字形，当然，可以设置全部的金属格的形状为十字形。

具体地，一个触控电极中具有多个金属格，多个金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量和种类可以相同，也可以不同，比如，可以设置部分金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量为3个，部分金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量为5个，部分金属格在显示层的正投影包围的子像素的种类为R子像素和G子像素，部分金属格在显示层的正投影包围的子像素的种类为G子像素和B子像素。

在本申请实施例中，多个金属格包围的子像素的数量可以相同，也可以不同，这样可以针对特定区域的实际需求自由设置金属格包围的子像素的数量，进一步降低触控功能层受到的干扰。具体地，多个金属格可以包括第一金属格和第二金属格，第一金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量，可以大于或等于第二金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量。参考图4所示，第一金属格1073包围的子像素的数量为5个，第二金属格1072包围的子像素的数量为3个，第一金属格1073包围的子像素的数量大于第二金属格1072包围的子像素的数量。

在本申请实施例中，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影可以包围一个子像素，比如位于边缘位置的一个子像素，这样，触控电极中的多条触控电极走线构成的多个金属格中，可以部分金属格在显示层的正投影包围至少两个子像素，部分金属格在显示层的正投影包围一个子像素，以尽量使每个子像素都被金属格包围，进一步降低触控功能层受到的干扰。

在本申请实施例中，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量不做具体限定，可以小于或等于5个，比如为2个或3个，这样可以将触控电极走线的密度降低到合适的大小，比如接近FHD分辨率对应的触控电极走线密度，使触控功能层受到的干扰较小，并且避免工艺浪费。

在本申请实施例中，触控功能层还可以包括虚设走线，虚设走线接地或者不与其他电信号连接，不会起到触控作用，虚设走线和触控电极走线构成触控功能层的整层结构，可以提高显示面板显示的均匀性。

具体地，触控功能层包括位于多个金属格中的目标金属格中的至少一条虚设走线，至少一条虚设走线与目标金属格之间具有间隙，至少一条虚设走线在显示层的正投影，位于目标金属格在显示层的正投影包围的至少两个子像素之间，也就是说，虚设走线位于显示面板的非像素区域。

参考图5所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，金属格1071包围R子像素和G子像素，在两个子像素之间具有一条虚设走线109，虚设走线与金属格不连接，图5中示出的包围两个子像素的金属格中都具有一条虚设走线，可以提高显示面板显示的均匀性。

在本申请实施例中，多个金属格可以包括第三金属格和第四金属格，位于第三金属格中的虚设走线的数量，与位于第四金属格中的虚设走线的数量可以不同，也可以相同。参考图6所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，金属格1072包围两个G子像素和一个R子像素，相邻的两个子像素之间都具有虚设走线，可以将相邻的子像素分割开，金属格1072中具有两条虚设走线，金属格1073包围两个R子像素、两个B子像素和一个G子像素，相邻的两个子像素之间都具有虚设走线，金属格1073中具有四条虚设走线，金属格1074的形状与金属格1072的形状相似，也包围三个子像素，其中B子像素和G子像素之间具有虚设走线，G子像素和R子像素之间没有虚设走线，金属格1074中具有一条虚设走线。

在本申请实施例中，多个金属格可以包括第五金属格，第五金属格在显示层的正投影包围的至少两个子像素的发光颜色可以相同，也可以不同，参考图所示，金属格1072包围的三个子像素分别为G子像素、R子像素和G子像素，子像素的发光颜色部分相同。当然，子像素的布局可以根据实际需求进行设置，参考图7为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，子像素阵列中的每行均为R子像素、G子像素和B子像素依次排列，则金属格1075在显示层的正投影包围的四个子像素的发光颜色都是相同的，都为绿色。

在本申请实施例中，也可以采用互电容式触控原理的触控结构。互电容式触控结构包括一组交叉设置的触控电极，电极交叉的区域会形成电容，也即这两个触控电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到电容屏时，影响了触摸点附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个触控电极之间的电容量。检测互电容大小时，其中一个方向电极依次发出激励信号，另一个方向的所有电极同时接收信号，这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小，即整个触摸屏的二维平面的电容大小，根据触摸屏二维电容变化量数据，可以计算出每一个触摸点的坐标。参考图8所示，为本申请实施例提供的一种触控电极的布局示意图，触控电极包括第一触控电极1051和第二触控电极1052，沿x方向的多个第二触控电极1052电连接，沿y方向的多个第一触控电极1051电连接。

具体地，触控功能层可以包括沿显示面板的显示方向依次堆叠的第一导电层、绝缘层和第二导电层，其中，第二导电层用于形成多个触控电极，第一导电层用于形成多个触控电极之间的连接线。

参考图9所示，为显示面板在AA向的一种剖视图，图10为显示面板在BB向的一种剖视图，触控功能层包括层叠设置的第一导电层1031、绝缘层1032和第二导电层1033，第二导电层1033用于形成第一触控电极1051和第二触控电极1052，第一导电层1031用于形成第一触控电极1051或第二触控电极1052之间的连接线，图9中示出的第一导电层1031用于形成两个第一触控电极1051之间的连接线。

具体实施时，第二导电层可以形成整层的网格状结构，然后根据触控电极的形状划分出第一触控电极和第二触控电极，对于第一触控电极和第二触控电极的交叉区域，为了避免两个触控电极短路，示例性的，图9中示出利用第一导电层形成跨桥结构实现第一触控电极的电连接。

在本申请实施例中，参考图11所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的俯视图，显示面板还可以包括封装层125、屏蔽层126和保护层127，封装层125位于触控功能层103和显示层102之间，以密封显示层102，其中为了实现显示层的平坦化，显示层上方可以设置平坦化层108。封装层125可以为薄膜封装层，位于平坦化层108上，用于避免水分和氧气等腐蚀子像素，降低显示面板质量。屏蔽层126位于封装层远离基板的一侧，可以为无机材料。

显示面板还包括位于封装层125上的触控功能层103，触控功能层103包括多个触控电极105，用于实现触控功能。具体实施时可以采用自电容方式或者互电容方式，触控功能层可以设置单层触控电极也可以设置双层触控电极，还可以设置金属网状的触控电极，金属网状的触控电极包括多条沿着两个相互交叉方向延伸的金属电极走线，不同方向延伸的金属电极走线交叉形成网，具体实施时可以根据实际情况选择。

保护层127位于触控功能层103远离基板101的一侧，为显示面板最外侧的一层膜层，可以为保护盖板或保护膜，保护层可以通过光学透明胶OCA(Optically ClearAdhesive)与相邻的显示面板内部的膜层粘合，保护层127的表面为显示面板触控的操作面。

在本申请实施例中，基板可以为刚性的或柔性的，基板可以包括多组依次层叠的聚酰亚胺(PI)层和隔离层，隔离层的材料可以为多晶硅。显示面板还可以包括像素电路层110，位于基板101和显示层102之间，像素电路层110包括栅介质层113和层间绝缘层116，像素电路层110包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管可以为低温多晶氧化物(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，LTPO)薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极111和有源层112，栅极111和有源层112之间具有栅介质层113，位于栅极111在有源层112的投影位置的部分有源层作为沟道区，沟道区两侧为源漏区，源漏区可以包括位于沟道区一侧的源极区和沟道区另一侧的漏极区，源极区可以通过源极线连接到源电极114，漏极区通过漏极线连接到漏电极115，在栅极111上方可以设置层间绝缘层116，可以为无机材料或有机材料。像素电路层还可以包括钝化层117，钝化层117位于薄膜晶体管的源电极114和漏电极115上，钝化层117可以由氧化硅或氮化硅等的无机材料形成，也可以由有机材料形成。显示面板还可以包括位于钝化层上方的平坦化层118，具有平坦化作用。

显示层102可以包括依次层叠的第一电极层119、像素定义层1021、发光层1022、有机公共层122和第二电极层123，第一电极层119可以用于形成阳极，第二电极层123可以用于形成公共阴极，像素定义层1021位于第一电极层119的上方，用于限定像素区域和非像素区域，有机公共层122包括电子传输层1221和空穴传输层1222，发光层1022位于电子传输层1221和空穴传输层1222之间，且位于像素区域，不同的发光层的材料可以用于发出不同颜色的光，使该发光层所属的子像素的颜色不同，多个子像素可以共用相同的空穴传输层1222和电子传输层1221等膜层。

本申请实施例提供了一种显示面板，显示面板包括基板、显示层和触控功能层，基板具有像素区域和非像素区域，显示层位于基板的一侧，显示层在像素区域具有子像素，触控功能层，位于显示层远离基板的一侧，触控功能层包括触控电极，触控电极包括构成多个金属格结构的多条触控电极走线，多个金属格中的至少一个金属格在显示层的正投影包围至少两个子像素，这样，相比于现有技术中金属格在显示层的正投影包围一个子像素，本申请中金属格在显示层的正投影包围的子像素的数量增多，触控电极中金属格的数量减少，触控电极走线的密度减小，触控功能层接收到的干扰也会变小，从而避免显示面板的SNR超规，提高显示面板的质量。

基于以上实施例提供的一种显示面板，如图12所示，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括所述的显示面板，该显示装置具有显示区AA和非显示区NA，非显示区包围显示区设置，显示区AA包括像素区和非像素区，像素区用于设置OLED，非显示区NA用于设置走线，该显示装置采用前述的显示面板，可以降低显示面板中触控功能层受到的干扰。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。