防水膜结构及防水膜结构的制备方法

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，更具体地，本发明涉及一种防水膜结构及防水膜结构的制备方法。

背景技术

随着经济社会的不断发展，各行各业都对防水提出了新需求。而在电子设备中，对于防水需求则更为重视。目前在电子设备领域中，常采用聚四氟乙烯材料来制备防水透气膜，以能够利用其防水特性。

但是，由于聚四氟乙烯材料本身质软，在将其制成的防水透气膜贴设于待防水部件上时，防水透气膜很容易弯曲或产生褶皱，并且在较大水压下，防水透气膜也很容易破裂，导致防水失败。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种新型的防水膜结构及防水膜结构的制备方法，旨在解决现有技术中的至少一个问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种防水膜结构。所述防水膜结构包括：

基底层；

导电加强层，所述导电加强层呈平铺的网状，所述导电加强层嵌设于所述基底层中，使得所述防水膜结构的网孔面积范围为10000平方微米至80000平方微米，所述防水膜结构的厚度范围为20微米至200微米。

可选地，所述导电加强层为导电金属层和导电材料填充层中的至少一种。

可选地，所述基底层包括至少一层聚四氟乙烯层，所述导电加强层嵌设于多个所述聚四氟乙烯层之中。

可选地，所述导电加强层嵌设于所述基底层中并一同通过压延、拉伸工艺形成所述防水膜结构，其中，拉伸工艺的拉伸参数包括拉伸拉力，所述拉伸拉力范围为20牛顿至80牛顿。

可选地，所述基底层为聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层，所述聚四氟乙烯和所述助挤剂之比的比值范围为1：2至1：5。

可选地，所述助挤剂包括柠檬酸和田菁粉，所述柠檬酸和所述田菁粉之比的比值范围为1：1至1：3。

可选地，混合工艺的混合参数包括混合速率和混合时间，所述混合速率范围为2000转/分至5000转/分，所述混合时间范围为30分钟至90分钟。

根据本发明的另一个方面，提供了一种上述任意一项所述的防水膜结构的制备方法。所述制备方法包括：

制作基底层；

制作导电加强层，所述导电加强层呈平铺的网状；

将所述导电加强层嵌设于所述基底层中，形成所述防水膜结构。

可选地，所述制作基底层包括：

将聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层进行挤压预处理，挤压预处理参数包括挤压温度和挤压速率，所述挤压温度范围为80℃至200℃，所述挤压速率范围为2毫米/秒至18毫米/秒。

可选地，在所述将所述导电加强层嵌设于所述基底层中之后，还包括：

依次进行压延、拉伸工艺形成所述防水膜结构，其中，拉伸工艺的拉伸参数包括拉伸拉力，所述拉伸拉力范围为20牛顿至80牛顿。

本发明的一个技术效果在于，通过将导电加强层嵌设于基底层中，能够在利用导电加强层支撑基底层以提高防水膜结构的总体强度，从而便于防水膜结构的贴设的同时，也能够利用导电加强层中的导电材料保证防水膜结构的导电性能。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明实施例的一种防水膜结构的示意图；

图2是本发明实施例的一种防水膜结构的制备流程图。

附图标记说明：

1、防水膜结构；11、基底层；12、导电加强层。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

根据本发明的一个方面，提供了一种防水膜结构1，所述防水膜结构1可以用于电子设备中，所述防水膜结构1具有防水透气性能。

如图1所示，所述防水膜结构1包括：

基底层11；

导电加强层12，所述导电加强层12呈平铺的网状，所述导电加强层12嵌设于所述基底层11中，使得所述防水膜结构1的网孔面积范围为10000平方微米至80000平方微米，所述防水膜结构1的厚度范围为20微米至200微米。

具体地，基底层11可以为聚四氟乙烯层，利用聚四氟乙烯材料的防水透气特性能够保证基底层11的防水透气性能。导电加强层12呈平铺的网状，即导电加强层12上可以形成有多个网孔，利用多个网孔能够保证导电加强层12也具备较好的透气性能。其中，网孔可以为矩形网孔、菱形网孔。

如图1所示，导电加强层12呈平铺的网状，将导电加强层12嵌设于基底层11中，以形成防水膜结构1。本发明实施例通过将导电加强层12嵌设于基底层11中，能够在利用导电加强层12支撑基底层11以提高防水膜结构1的总体强度，从而避免防水膜结构1异常破裂，便于防水膜结构的贴设的同时，也能够利用导电加强层12中的导电材料保证防水膜结构1的导电性能，避免发生静电损坏等异常。

并且，本发明实施例在将导电加强层12嵌设于基底层11中之后，能够使防水膜结构1的网孔面积保持在10000平方微米至80000平方微米之间，以使该防水膜结构1能够适应不同的防水需求和透气需求，以扩大该防水膜结构1的适用范围，从而提升包括该防水膜结构1的电子设备的使用体验感。比如，需要防水膜结构1具有较好的防水性能时，可以减小整防水膜结构1的网孔面积；需要防水膜结构1具有较好的透气性能时，可以增大防水膜结构1的网孔面积，以增大总的透气面积。

另外，本发明实施例通过控制防水膜结构1的厚度范围为20微米至200微米，能够避免防水膜结构1过厚带来的尺寸过大，便于该防水膜结构1适用于各类电子设备中，也扩大了该防水膜结构1的适用范围。

可选地，所述导电加强层12为导电金属层和导电材料填充层中的至少一种。

具体地，本发明实施例设置导电加强层12为导电金属层和导电材料填充层中的至少一种，即导电加强层12可以为导电金属层或者导电材料填充层，导电加强层12也可以为导电金属层和导电材料填充层的组合，均能够保证导电加强层12的支撑性能和导电性能，进而提高防水膜结构1的总体强度，避免防水膜结构1发生静电损坏等异常。

其中，导电金属层可以采用不锈钢、铁等其它导电金属制备。导电材料填充层包括基材和填充在基材中的导电填料，在非导电基材中加入一定比例的导电填料，能够使得导电材料填充层导电，从而具备导电性能。基材可采用硅胶、塑料等，导电填料可为金属片、金属粉末、金属纤维等。

可选地，所述基底层11包括至少一层聚四氟乙烯层，所述导电加强层12嵌设于多个所述聚四氟乙烯层之中。

具体地，本发明实施例设置基底层11包括至少一层聚四氟乙烯层，比如基底层11可以包括一层聚四氟乙烯层，基底层11也可以包括多层聚四氟乙烯层，将导电加强层12嵌设于聚四氟乙烯层之中，以形成防水膜结构1。其中，根据实际需要可以调整聚四氟乙烯层的层数，比如需要较好的防水性能，可以适当增加聚四氟乙烯层的层数；需要较好的强度，可以适当减少聚四氟乙烯层的层数。

可选地，所述导电加强层12嵌设于所述基底层11中并一同通过压延、拉伸工艺形成所述防水膜结构1，其中，拉伸工艺的拉伸参数包括拉伸拉力，所述拉伸拉力范围为20牛顿至80牛顿。

具体地，本发明实施例在导电加强层12嵌设于基底层11中之后，可以将两者一同通过压延、拉伸工艺形成防水膜结构1。压延工艺可以利用双棍压延机对导电加强层12和基底层11进行压延，以使导电加强层12和基底层11形成一体式的防水膜结构1。

另外，本发明实施例在拉伸工艺中，通过控制拉伸参数比如拉伸拉力，能够调整防水膜结构1的网孔面积，以使该防水膜结构1能够适应不同的防水需求和透气需求，以扩大该防水膜结构1的适用范围，从而提升包括该防水膜结构1的电子设备的使用体验感。比如，需要防水膜结构1具有较好的防水性能时，可以减小拉伸拉力以减小整防水膜结构1的网孔面积；需要防水膜结构1具有较好的透气性能时，可以增大拉伸拉力以增大防水膜结构1的网孔面积，以增大总的透气面积。

可选地，所述基底层11为聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层，所述聚四氟乙烯和所述助挤剂之比的比值范围为1：2至1：5。

具体地，本发明实施例设置基底层11可以为聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层，助挤剂的添加能够降低聚四氟乙烯的挤出难度，便于基底层11的成型，降低了基底层11成型过程的工艺难度，从而也降低了该防水膜结构1的制备难度。

并且，本发明实施例通过控制聚四氟乙烯和助挤剂之比的比值范围为1：2至1：5，可以适用不同的需求。比如，当聚四氟乙烯形成的原料层本身较厚时，可以增大助挤剂的占比；当聚四氟乙烯形成的原料层本身较薄时，可以减小助挤剂的占比，以节省助挤剂的用量。

可选地，所述助挤剂包括柠檬酸和田菁粉，所述柠檬酸和所述田菁粉之比的比值范围为1：1至1：3。

具体地，本发明实施例设置助挤剂可以包括柠檬酸和田菁粉，柠檬酸和田菁粉之比的比值范围可以为1：1至1：3，以利用柠檬酸和田菁粉的配合提高基底层11成型的便捷性，降低基底层11成型过程的工艺难度，从而降低该防水膜结构1的制备难度。其中，可以通过增大田菁粉的占比进一步降低挤出难度，提高基底层11成型的便捷性。

在另一个实施例中，助挤剂还可以包括石蜡油，利用石蜡油也能够降低挤出难度，提高基底层11成型的便捷性。

可选地，混合工艺的混合参数包括混合速率和混合时间，所述混合速率范围为2000转/分至5000转/分，所述混合时间范围为30分钟至90分钟。

具体地，本发明实施例设置聚四氟乙烯和助挤剂混合工艺中的混合参数可以包括混合速率和混合时间，其中混合速率范围为2000转/分至5000转/分，混合时间范围为30分钟至90分钟，通过调整混合速率和混合时间，能够得到较为均匀的基底层11。

根据本发明的另一个方面，提供了一种上述的防水膜结构的制备方法。

所述制备方法包括：

制作基底层；

制作导电加强层，所述导电加强层呈平铺的网状；

将所述导电加强层嵌设于所述基底层中，形成所述防水膜结构。

如图2所示，在依次制作完成基底层和网状的导电加强层后，将导电加强层嵌设于基底层中，并一同通过压延、拉伸工艺形成一体式的防水膜结构，以此能够利用导电加强层支撑基底层以提高防水膜结构的总体强度，从而便于防水膜结构的贴设,也能够利用导电加强层中的导电材料保证防水膜结构的导电性能，避免发生静电损坏等异常。并且，将导电加强层嵌设于基底层中，并一同通过压延、拉伸工艺即可较为容易地形成防水膜结构，也降低了防水膜结构的制备难度。

可选地，所述制作基底层包括：

将聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层进行挤压预处理，挤压预处理参数包括挤压温度和挤压速率，所述挤压温度范围为80℃至200℃，所述挤压速率范围为2毫米/秒至18毫米/秒。

具体地，本发明实施例设置制作基底层包括将聚四氟乙烯和助挤剂通过混合工艺形成的混合层进行挤压预处理，以能够得到较为规整且均匀的基底层，便于后续的压延、拉伸工艺，从而保证防水膜结构的拉伸均匀性。其中，可以通过控制挤压温度和挤压速率，便捷地得到较为规整且均匀的基底层，例如可以为矩形基底层、弧形基底层。

可选地，在所述将所述导电加强层嵌设于所述基底层中之后，还包括：

依次进行压延、拉伸工艺形成所述防水膜结构，其中，拉伸工艺的拉伸参数包括拉伸拉力，所述拉伸拉力范围为20牛顿至80牛顿。

具体地，本发明实施例设置在将导电加强层嵌设于基底层中之后，还依次一同进行压延、拉伸工艺形成防水膜结构。压延工艺可以利用双棍压延机对导电加强层和基底层进行压延，以使导电加强层和基底层形成一体式的防水膜结构。

另外，本发明实施例在拉伸工艺中，通过控制拉伸参数比如拉伸拉力，能够调整防水膜结构的网孔面积，以使该防水膜结构能够适应不同的防水需求和透气需求，以扩大该防水膜结构的适用范围，从而提升包括该防水膜结构的电子设备的使用体验感。比如，需要防水膜结构具有较好的防水性能时，可以减小拉伸拉力以减小整防水膜结构的网孔面积，此时可以调整拉伸拉力范围为20牛顿至40牛顿；需要防水膜结构具有较好的透气性能时，可以增大拉伸拉力以增大防水膜结构的网孔面积，以增大总的透气面积，此时可以调整拉伸拉力范围为40牛顿至80牛顿。

可选地，在依次进行压延、拉伸工艺形成所述防水膜结构之后，还包括烧结定型，通过控制烧结温度保持在210℃至350℃之间，控制烧结时间保持在20分钟至120分钟之间，能够充分干燥防水膜结构并对其进行定型，避免发生形变等异常。

上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。