等离子体后处理设备

本申请要求于2022年8月18日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0103427号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里描述的实施例涉及一种等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法，并且还涉及一种使用等离子体技术执行防腐蚀处理和光致抗蚀剂层去除的等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法。

背景技术

包括在显示面板中的导电线可以通过经由蚀刻工艺对导电层进行图案化来形成。就这一点而言，在蚀刻工艺期间提供的工艺气体会保留在图案化的导电线中，并且剩余的工艺气体会导致导电线的腐蚀。因此，在蚀刻工艺之后，需要用于防止导电线的腐蚀的后处理工艺。

去除蚀刻工艺中使用的光致抗蚀剂层的后处理步骤作为单独的工艺执行。

将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术部分也可以包括想法、构思或认知，所述想法、构思或认知不是在这里所公开的主题的对应的有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的部分。

发明内容

实施例提供了一种可以在同一腔室中执行防腐蚀处理步骤和去除光致抗蚀剂层的步骤的等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法。

实施例提供了一种包括能够均匀地喷射等离子体的至少一个扩散器的等离子体后处理设备。

根据实施例，等离子体后处理设备可以包括：腔室；台，设置在腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大，扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方；传送管道，分别连接到扩散器；以及等离子体产生器，分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道，其中，限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径小于限定在扩散器之中的剩余的扩散器中的每个中的孔的直径。

限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径可以基本上等于或大于约2Φ并且基本上等于或小于约15Φ，并且限定在剩余的扩散器中的每个中的孔的直径可以基本上等于或大于约2Φ并且基本上等于或小于约30Φ。

孔中的每个的直径可以在远离工作基底的方向上逐渐增大。

扩散器中的每个可以包含氧化铝。

扩散器中的每个可以包括外表面、与外表面相对的内表面以及设置在外表面与内表面之间的连接表面，孔可以限定为从外表面穿过内表面，并且内表面的内部可以限定有内部空间。

扩散器中的每个可以具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致半球形的形状。

扩散器中的每个可以具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致圆锥形状。

提供到管道的工艺气体可以是水蒸气(H

等离子体后处理设备还可以包括：背板，具有第一传送孔，并且与扩散器连接；绝缘件，具有分别与第一传送孔叠置的第二传送孔并且设置在背板上；以及冷却板，具有分别与第二传送孔叠置的第三传送孔并且设置在绝缘件上。

传送管道中的一个可以以彼此对准的第一传送孔中的一个、第二传送孔中的一个和第三传送孔中的一个形成。

扩散器中的至少一个可以包括限定孔的第一部分和从第一部分延伸并且未限定孔的第二部分，并且第二部分可以连接到对应的传送管道。

根据实施例，等离子体后处理设备可以包括：腔室；台，设置在所述腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致半球形形状，扩散器具有孔并且设置在台上方；背板，具有第一传送孔，并且与扩散器连接；绝缘件，具有与第一传送孔叠置的第二传送孔，并且设置在背板上；冷却板，具有与第二传送孔叠置的第三传送孔，并且设置在绝缘件上；以及等离子体产生器，连接到供应工艺气体的管道，彼此对准的第一传送孔、第二传送孔和第三传送孔限定为传送管道，并且等离子体产生器连接到传送管道。

扩散器可以包含氧化铝。

扩散器可以包括限定孔的第一部分和从第一部分延伸并且未限定孔的第二部分，并且第二部分可以连接到传送管道。

提供到管道的工艺气体可以是水蒸气(H

扩散器的孔中的每个的直径可以在远离工作基底的方向上逐渐增大。

扩散器可以包括外表面、与外表面相对的内表面以及设置在外表面与内表面之间并且连接到背板的连接表面，孔可以限定为从外表面穿过内表面，并且内表面的内部可以限定有大致半球形的内部空间。

孔的直径可以基本上等于或大于约2Φ且基本上等于或小于约30Φ。

根据实施例，等离子体后处理方法可以包括：通过蚀刻形成在工作基底上的导电层来形成导电图案；以及对导电图案进行防腐蚀处理，其中，执行防腐蚀处理的步骤可以包括：通过等离子体产生器经由接收水蒸气(H

等离子体后处理方法还可以包括去除设置在导电图案上的光致抗蚀剂层，其中，去除光致抗蚀剂层的步骤可以包括通过等离子体产生器经由接收氧气(O

附图说明

通过参照附图详细地描述公开的实施例，公开的以上和其他目的和特征将变得明显。

图1是根据实施例的等离子体后处理设备的示意性剖视图。

图2是根据实施例的扩散器的示意性透视图。

图3是示出根据实施例的从扩散器喷射的自由基的散布的示意性平面图。

图4是根据实施例的扩散器的示意性透视图。

图5是根据实施例的扩散器的示意性透视图。

图6是根据实施例的扩散器的示意性透视图。

图7是根据实施例的等离子体后处理设备的示意性剖视图。

图8是示出根据实施例的扩散器和传送管道的示意性剖视图。

图9是示出根据实施例的扩散器和背板的布置关系的示意性平面图。

图10是根据实施例的显示面板的示意性剖视图。

图11A至图11F是示出根据实施例的等离子体后处理方法的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。

在说明书中，当组件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，这是指该组件可以直接设置/直接连接/直接结合在所述另一组件上，或者第三组件或其他组件可以设置在该组件与所述另一组件之间。将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理或电连接或结合。

同样的附图标记指同样的组件。在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。

如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(者/种)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以合取或析取的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自于……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或者A和B”。

诸如第一、第二等的术语可以用于描述各种组件，但是所述组件不应受术语限制。以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开的目的。例如，在不脱离公开的范围的情况下，第一组件可以被命名为第二组件，类似地，第二组件也可以被命名为第一组件。

诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……上”、“在……上方”的术语用于描述附图中所示的组件的关系。以上术语是相对概念，并且参照附图中指示的方向进行描述，但不限于此。

术语“叠置”或“重合”是指第一对象可以在第二对象的上方或下方或一侧，反之亦然。此外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在上方延伸、覆盖或部分地覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。

当元件被描述为“不与”另一元件“叠置”或“重合”时，这可以包括所述元件和所述另一元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分离，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。

术语“面对”和“面向”是指第一元件可以与第二元件直接或间接地相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，尽管第一元件和第二元件仍然彼此面对，但是它们可以被理解为彼此间接相对。

应当理解的是，当在本说明书中使用诸如“包含”、“包括”和/或其变型、“具有”、“具备”和/或其变型的术语时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在此所使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到所提及的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以是指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非这里另外定义或暗示，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义解释，除非在这里明确地如此定义。

在下文中，将参照附图描述公开的实施例。

图1是根据实施例的等离子体后处理设备的示意性剖视图。图2是根据实施例的扩散器的示意性透视图。图3是示出根据实施例的从扩散器喷射的自由基的散布的示意性平面图。

根据公开的等离子体后处理设备RPA可以是用于在形成包括在显示面板DP(见图10)中的导电线的步骤中在将导电层蚀刻为导电图案之后执行已图案化的导电图案的防腐蚀处理的设备。根据公开的等离子体后处理设备RPA可以是用于去除在蚀刻工艺中使用的光致抗蚀剂层PR(见图11D)的设备。

根据公开的等离子体后处理设备RPA可以包括腔室CB、基座SP、扩散器DF、背板BP、绝缘件LL、冷却板CP、等离子体产生器RPG和传送管道DL。

可以限定腔室CB的其中可以执行工作基底SUB的后处理工艺的内部空间。等离子体后处理设备RPA的操作所需的组件可以设置在腔室CB的内部空间中。在等离子体后处理设备RPA的处理期间，腔室CB的内部空间可以与外部密封。腔室CB可以阻挡外部空气的流入。

在根据实施例的腔室CB中，在公开的精神和范围内，可以打开和关闭腔室CB的一部分以用于传送工作基底SUB等。腔室CB的侧表面的一部分可以打开和关闭。根据实施例的腔室CB的一个区域可以电连接到外部接地端子。

基座SP可以支撑工作基底SUB。根据公开的工作基底SUB可以以包括设置在中间绝缘层IML(参见图11A)上的导电图案SD(见图11D)和设置在导电图案SD上的光致抗蚀剂层PR(见图11D)的状态提供。导电图案SD(见图11D)可以处于在导电层SDL(见图11B)中通过蚀刻工艺被图案化的状态。

基座SP可以包括支撑工作基底SUB的台SP1和连接到台SP1并延伸穿过腔室CB的底表面的传送部SP2。工作基底SUB可以设置在台SP1的顶表面上。台SP1和传送部SP2可以彼此分开设置，或者可以彼此成一体。台SP1和传送部SP2的形状可以基于包括在等离子体后处理设备RPA中的组件而不同地改变。

台SP1可以设置为方形或圆形板以支撑工作基底SUB。尽管未示出，但是基座SP可以包括能够加热工作基底SUB的加热线和/或能够冷却工作基底SUB的冷却线。加热线和/或冷却线可以嵌入台SP1中。

以示例的方式，传送部SP2可以通过沿着第三方向DR3竖直地上升或竖直地下降来允许工作基底SUB到达处理位置。台SP1可以基于传送部SP2的移动在同一方向上移动。例如，在将工作基底SUB通过腔室CB的侧表面从腔室CB的外部空间传送到腔室CB的内部空间的情况下，传送部SP2可以竖直地上升。结果，工作基底SUB可以放置在台SP1上。此后，随着传送部SP2下降，工作基底SUB可以到达处理位置。

基座SP还可以包括用于固定工作基底SUB的侧表面的边缘框架EF。边缘框架EF可以定位为覆盖工作基底SUB的边缘。基座SP可以连接到外部接地端子。传送部SP2可以结合到或连接到腔室CB的底表面，并且可以电连接到底表面。

扩散器DF可以设置在工作基底SUB上方。扩散器DF可以设置在背板BP的背表面BB上，并且可以连接到传送管道DL。根据公开，在等离子体产生器RPG中产生的等离子体的自由基RS可以经由扩散器DF喷射到工作基底SUB上。随着工作基底SUB的扩大，需要自扩散器DF喷射的自由基RS的均匀的散布。

可以在工作基底SUB与扩散器DF之间限定可选择的分离空间，自由基RS可以喷射到该可选择的分离空间中。扩散器DF可以包含铝、氧化铝(Al

参照图2，根据实施例的扩散器DF可以包括与工作基底SUB相邻的外表面ES、与外表面ES相对的内表面IS以及设置在外表面ES与内表面IS之间并且结合到或连接到背板BP的背表面BB的连接表面US。

从外表面ES延伸穿过内表面IS的孔HM可以限定在扩散器DF中。孔HM可以限定为彼此间隔开。与扩散器DF的外部形状对应的可选择的内部空间IM可以限定在扩散器DF的内表面IS内部。根据实施例的扩散器DF可以具有在朝向工作基底SUB的方向上凸出的半球形的形状，使得扩散器DF的(例如，在第一方向DR1和/或第二方向DR2上的)宽度在远离工作基底SUB的方向上增大。因此，内部空间IM的形状也可以是半球形形状。在等离子体产生器RPG中产生的等离子体的自由基RS可以经由传送管道DL提供到内部空间IM，并且可以通过孔HM喷射到工作基底SUB上。

参照图3，以示例的方式示出了等离子体的自由基RS的散布，该等离子体的自由基RS通过扩散器DF的孔HM喷射而在等离子体产生器RPG中产生。

根据公开的自由基RS可以在通过孔HM喷射到工作基底SUB上的初始阶段中以直线的方式穿过孔HM。因此，在给定区域中，自由基RS可以在限定孔HM的方向上以直线的方式喷射。

由于根据公开的扩散器DF具有半球形形状，因此以直线的方式喷射的初始自由基RS可以被喷射到工作基底SUB上，同时形成其中初始自由基RS彼此叠置的区域。因此，与工作基底SUB相邻的自由基RS可以遍及工作基底SUB的整个区域喷射。因此，可以提供具有改善的自由基RS的散布的等离子体后处理设备RPA。

再次，参照图1，背板BP可以定位在基座SP上方，并且可以与基座SP间隔开可选择的间隔。背板BP可以包含金属材料。

背板BP可以连接到外部电源。因此，背板BP可以接收从电源供应的电力。施加到背板BP的电力可以传输到连接到背板BP的扩散器DF。扩散器DF可以设置在背板BP的背表面BB上。扩散器DF可以经由紧固构件(例如，螺栓等)固定到背板BP的背表面BB。

绝缘件LL可以放置在背板BP上。绝缘件LL可以防止施加到背板BP的电力通过腔室CB泄漏。背板BP和冷却板CP可以彼此绝缘。

冷却板CP放置在绝缘件LL上。冷却板CP提供降低腔室CB的内部温度的功能，以防止在后处理工艺中工艺温度过度升高。因此，可以在后处理工艺期间防止工作基底SUB的变形。冷却水或冷却空气注入到其中的冷却管线等可以设置在冷却板CP内部。

根据实施例，冷却板CP可以经由第一紧固构件S1(例如，螺栓等)结合到或连接到腔室CB的顶表面。然而，公开可以不限于此，冷却板CP可以设置在腔室CB内部并且经由设置在腔室CB内部的单独的支撑构件等结合到或连接到腔室CB，并且冷却板CP的固定方法不限于一种方法。

根据公开，可以在背板BP中限定第一传送孔D1。第一传送孔D1可以延伸穿过背板BP。可以在绝缘件LL中限定与第一传送孔D1叠置的第二传送孔D2。第二传送孔D2可以延伸穿过绝缘件LL。可以在冷却板CP中限定与第二传送孔D2叠置的第三传送孔D3。第三传送孔D3可以延伸穿过冷却板CP。第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3可以彼此对准。

根据公开，彼此对准的第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3可以限定为一个传送管道DL。在等离子体产生器RPG中产生的等离子体的自由基RS可以经由传送管道DL传输到扩散器DF。

在其中第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3彼此对准的状态下，背板BP、绝缘件LL和冷却板CP可以经由第二紧固构件S2(例如，螺栓等)彼此连接或结合。因此，在后处理工艺期间，可以保持第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3的对准状态，并且因此，可以以均匀的喷射速度和/或喷射量将自由基RS提供到扩散器DF。

根据实施例，还可以包括连接到传送管道DL的供应部SH。供应部SH可以设置在腔室CB的顶表面上，并且可以设置在等离子体产生器RPG与传送管道DL之间。供应部SH可以调整从等离子体产生器RPG提供的自由基RS的流量，或者检查满足工艺条件的自由基RS的状态。根据实施例，可以省略供应部SH，并且传送管道DL可以连接到或直接连接到等离子体产生器RPG。

等离子体产生器RPG可以设置在腔室CB的外部。等离子体产生器RPG可以连接到气体管道PG，并且连接到电源PS，以便接收可选择的电流。气体管道PG可以包括管道P1、P2至Pn。可以将不同的工艺气体分别供应到管道P1、P2至Pn。根据实施例，分别提供到管道P1、P2至Pn的工艺气体可以是水蒸气(H

根据实施例，在工作基底SUB的后处理工艺的防腐蚀处理步骤中提供到等离子体产生器RPG的工艺气体可以是水蒸气(H

在工作基底SUB的后处理工艺期间，在去除光致抗蚀剂层PR(见图11E)的步骤(灰化步骤)中提供到等离子体产生器RPG的工艺气体可以是氧气(O

图4是根据实施例的扩散器的示意性透视图。图5是根据实施例的扩散器的示意性透视图。图6是根据实施例的扩散器的示意性透视图。相同/相似的附图标记用于与参照图1至图3描述的组件相同/相似的组件，并且省略其重复描述。

参照图4，根据实施例的扩散器DF-A可以包括外表面ES、与外表面ES相对的内表面IS、以及设置在外表面ES与内表面IS之间并且结合到或连接到背板BP(见图1)的背表面BB(见图1)的连接表面US。

从外表面ES延伸穿过内表面IS的孔HM可以限定在扩散器DF-A中。孔HM可以限定为彼此间隔开。与扩散器DF-A的外部形状对应的可选择的内部空间IM可以限定在扩散器DF-A的内表面IS内部。

根据实施例的扩散器DF-A可以包括第一部分F1和第二部分F2。孔HM可以限定在第一部分F1中，而不限定在第二部分F2中。第二部分F2可以提供结合到或连接到背板BP(见图1)的背表面BB(见图1)的连接表面US。扩散器DF-A可以具有在朝向工作基底SUB(见图1)的方向上凸出的半球形的形状。因此，内部空间IM的形状也可以是半球形形状。

参照图5，根据实施例的扩散器DF-B可以包括外表面ES、与外表面ES相对的内表面IS以及设置在外表面ES与内表面IS之间并且结合到或连接到背板BP(见图1)的背表面BB(见图1)的连接表面US。

从外表面ES延伸穿过内表面IS的孔HM可以限定在扩散器DF-B中。孔HM可以限定为彼此间隔开。与扩散器DF-B的外部形状对应的可选择的内部空间IM可以限定在扩散器DF-B的内表面IS内部。

根据实施例的扩散器DF-B可以具有在朝向工作基底SUB(见图1)的方向上突出的圆锥的形状。因此，内部空间IM也可以具有圆锥形状。

参照图6，根据实施例的扩散器DF-C可以包括外表面ES、与外表面ES相对的内表面IS以及设置在外表面ES与内表面IS之间并且结合到或连接到背板BP(见图1)的背表面BB(见图1)的连接表面US。

从外表面ES延伸穿过内表面IS的孔HM可以限定在扩散器DF-C中。孔HM可以限定为彼此间隔开。与扩散器DF-C的外部形状对应的可选择的内部空间IM可以限定在扩散器DF-C的内表面IS内部。

根据实施例，孔HM可以在远离工作基底SUB(见图1)的方向上具有不同的直径。为了便于说明，将描述在远离工作基底SUB(见图1)的方向上布置或设置的一组孔作为示例。

孔组可以包括第一孔至第四孔H1、H2、H3和H4。第一孔至第四孔H1、H2、H3和H4可以在远离工作基底SUB(见图1)的方向上顺序地布置或设置，并且其直径可以在从第一孔至第四孔H1、H2、H3和H4的方向上逐渐增大。因此，最靠近工作基底SUB的第一孔H1的直径可以是最小的，并且限定为最远离工作基底SUB的第四孔H4的直径可以是最大的。

由于从传送管道DL(见图1)喷射的自由基RS(见图1)具有直线度，通过第一孔H1喷射的自由基RS的直线度最强，并且喷射的自由基RS的直线度在从第二孔至第四孔H2、H3和H4的方向上逐渐减小。

根据实施例，由于包括包含其直径在远离工作基底SUB(见图1)的方向上增大的孔HM的扩散器DF-C，因此自由基RS可以遍及工作基底SUB的整个区域均匀地喷射。因此，可以提供具有改善的自由基RS的散布的等离子体后处理设备RPA(见图1)。

图7是根据实施例的等离子体后处理设备的示意性剖视图。图8是示出根据实施例的扩散器和传送管道的示意性剖视图。图9是示出根据实施例的扩散器和背板的布置关系的示意性平面图。相同/相似的附图标记用于与参照图1至图3描述的组件相同/相似的组件，并且省略其重复描述。

参照图7和图8，根据公开的等离子体后处理设备RPA-1可以包括腔室CB、基座SP、至少一个扩散器DF-D、背板BP、绝缘件LL、冷却板CP、等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3以及传送管道DL1、DL2和DL3。等离子体后处理设备RPA-1的腔室CB、基座SP和工作基底SUB的描述可以与图1中描述的等离子体后处理设备RPA的腔室CB、基座SP和工作基底SUB的描述对应。

在实施例中，至少一个扩散器DF-D可以包括第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3。第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3可以彼此间隔开。在实施例中，第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3中的每个可以具有在朝向工作基底SUB的方向上凸出的半球形的形状。

第一传送管道至第三传送管道DL1、DL2和DL3可以分别连接到第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3，并且第一等离子体产生器至第三等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3可以分别连接到第一传送管道至第三传送管道DL1、DL2和DL3。图8还包括孔HM1、HM2和HM3。

第一孔HM1可以限定在第一扩散器DF1中，第二孔HM2可以限定在第二扩散器DF2中，并且第三孔HM3可以限定在第三扩散器DF3中。孔HM1、HM2和HM3中的每个可以与图2中描述的孔HM对应。

第一传送孔D1可以限定在背板BP中。第一传送孔D1可以延伸穿过背板BP。分别与第一传送孔D1叠置的第二传送孔D2可以限定在绝缘件LL中。第二传送孔D2可以延伸穿过绝缘件LL。分别与第二传送孔D2叠置的第三传送孔D3可以限定在冷却板CP中。第三传送孔D3可以延伸穿过冷却板CP。在第一传送孔至第三传送孔D1、D2和D3之中，沿着第三方向DR3彼此叠置的第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3可以彼此对准。

根据公开，彼此对准的第一传送孔D1、第二传送孔D2和第三传送孔D3可以限定为一个传送管道DL1、DL2或DL3。在第一等离子体产生器RPG1中产生的等离子体的第一自由基RS1可以经由第一传送管道DL1传输到第一扩散器DF1。在第二等离子体产生器RPG2中产生的等离子体的第二自由基RS2可以经由第二传送管道DL2传输到第二扩散器DF2。在第三等离子体产生器RPG3中产生的等离子体的第三自由基RS3可以经由第三传送管道DL3传输到第三扩散器DF3。第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3可以包含相同的材料或类似的材料。

第一气体管道至第三气体管道PG1、PG2和PG3可以分别连接到第一等离子体产生器至第三等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3，并且电源PS1、PS2和PS3可以分别连接到第一等离子体产生器至第三等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3。管道PG1、PG2和PG3中的每个可以包括多个管道，并且不同的工艺气体可以供应到所述多个管道。分别提供到管道的工艺气体可以是水蒸气(H

根据实施例，第一等离子体产生器至第三等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3可以单独操作。因此，根据工作基底SUB的尺寸或工作基底SUB放置在台SP1上的位置，可以仅操作一个等离子体产生器。可以单独控制分别通过第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3提供到工作基底SUB的第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3的喷射速度和/或喷射量。

在将第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3喷射到工作基底SUB上的情况下，可以产生其中第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3彼此叠置的区域。尽管可以确定在工作基底SUB的其中第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3彼此叠置的区域中提供相对大量的自由基，但是实际上，自由基可以在其中第一自由基至第三自由基RS1、RS2和RS3彼此叠置的区域中通过彼此碰撞而消除。因此，即使在布置或设置第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3的情况下，自由基也可以均匀地喷射到工作基底SUB上。

根据实施例，由于包括单独操作的第一等离子体产生器至第三等离子体产生器RPG1、RPG2和RPG3以及分别与其连接的第一扩散器至第三扩散器DF1、DF2和DF3，因此即使在提供具有大面积的工作基底SUB的情况下，自由基也可以遍及工作基底SUB的整个区域均匀地喷射。因此，可以提供具有改善的自由基的散布的等离子体后处理设备RPA-1。

参照图9，根据实施例的至少一个扩散器DF-E可以包括第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5。第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5可以彼此间隔开。第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5中的每个可以经由对应的传送管道单独连接到等离子体产生器。因此，可以单独控制从第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5喷射的自由基。

在实施例中，第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5中的每个可以具有在朝向工作基底SUB(见图1)的方向上凸出的半球形的形状。图9是从背板BP的背表面BB观看的第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5的示意性平面图。

在第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5之中，第一扩散器DF1可以设置在工作基底SUB(见图1)的中心处，并且第二扩散器至第五扩散器DF2、DF3、DF4和DF5可以设置在第一扩散器DF1外侧的边缘处。

根据实施例，限定在第一扩散器DF1中的孔可以具有第一直径W1，并且限定在第二扩散器至第五扩散器DF2、DF3、DF4和DF5中的孔可以具有第二直径W2。在实施例中，第一直径W1可以小于第二直径W2。例如，第一直径W1可以等于或大于2Φ且等于或小于15Φ，并且第二直径W2可以等于或大于2Φ且等于或小于30Φ。在本说明书中，Φ是直径的一般单位，并且可以与长度的单位“mm”对应。

根据实施例，在自由基从第一扩散器至第五扩散器DF1、DF2、DF3、DF4和DF5单独喷射的情况下，具有最多的叠置的自由基的区域可以与其中设置有第一扩散器DF1的区域相邻。由于设置在工作基底SUB(见图1)的中心处的第一扩散器DF1的孔的尺寸小于设置在边缘处的第二扩散器至第五扩散器DF2、DF3、DF4和DF5的孔的尺寸，即使在提供具有大面积的工作基底SUB的情况下，自由基也可以遍及工作基底SUB的整个区域均匀地喷射。因此，可以提供具有改善的自由基的散布的等离子体后处理设备RPA(见图1)。

图10是根据实施例的显示面板的示意性剖视图。图11A至图11F是示出根据实施例的等离子体后处理方法的示意性剖视图。

图10以示例的方式示出了在使用根据公开的等离子体后处理设备RPA(见图1)进行后处理之后经由涂覆工艺、沉积工艺、光刻工艺等形成的显示面板DP的示意性剖视图。

显示面板DP可以包括基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和封装层EC。

基体层BL可以提供其上设置有电路元件层DP-CL的基体表面。电路元件层DP-CL可以设置在基体层BL上。在公开的精神和范围内，电路元件层DP-CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。绝缘层、半导体层和导电层可以以诸如涂覆、沉积等的技术形成在基体层BL上，并且绝缘层、半导体层和导电层可以经由光刻工艺选择性地图案化。此后，可以形成包括在电路元件层DP-CL中的半导体图案、导电图案和信号线。

至少一个无机层形成在基体层BL的顶表面上。无机层可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多个层。多个无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。在实施例中，显示面板DP被示出为包括缓冲层BFL。

缓冲层BFL可以改善基体层BL与半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层，并且氧化硅层和氮化硅层可以彼此交替地堆叠。

半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包含多晶硅。然而，公开可以不限于此，半导体图案可以包含非晶硅或金属氧化物。

图10示出了一些半导体图案，并且半导体图案可以进一步设置在另一区域中。半导体图案可以跨像素以给定规则布置或设置。半导体图案可以根据其是否被掺杂而具有不同的电性质。半导体图案可以包括具有高导电性的第一区域和具有低导电性的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或者与第一区域相比，可以以更低的浓度掺杂。

第一区域的导电性大于第二区域的导电性，并且第一区域实质上被用作电极或信号线。第二区域可以基本上与晶体管的有源区域(或沟道区)对应。换句话说，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，并且另一部分可以是晶体管的源区或漏区。

像素中的每个可以具有包括七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且像素的等效电路图可以以各种形式修改。图10示出了包括在像素中的一个晶体管TR和发光元件ED。

晶体管TR的源区SR、沟道区CHR和漏区DR可以通过半导体图案形成。在剖面上，源区SR和漏区DR可以布置或设置在沟道区CHR周围的相对侧上。图10示出了信号线SCL的与半导体图案设置在同一层的一部分。尽管未单独示出，但是在平面上，信号线SCL可以电连接到晶体管TR。

第一绝缘层IL1可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层IL1可以与像素叠置并且覆盖半导体图案。第一绝缘层IL1可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层IL1可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施例中，第一绝缘层IL1可以是单层氧化硅层。除了第一绝缘层IL1之外，稍后将描述的电路元件层DP-CL的绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包含上述材料中的至少一种，但是公开可以不限于此。

晶体管TR的栅极GE设置在第一绝缘层IL1上。栅极GE可以是金属图案的一部分。栅极GE与沟道区CHR叠置。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极GE可以用作掩模。

第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1上并且可以覆盖栅极GE。第二绝缘层IL2可以与像素叠置。第二绝缘层IL2可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。在实施例中，第二绝缘层IL2可以是单层氧化硅层。

第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。在实施例中，第三绝缘层IL3可以是单层氧化硅层。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层IL3上。第一连接电极CNE1可以通过延伸穿过第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3的第一接触孔CNT1连接到信号线SCL。

第四绝缘层IL4可以设置在第三绝缘层IL3上。第四绝缘层IL4可以是单层氧化硅层。第五绝缘层IL5可以设置在第四绝缘层IL4上。第五绝缘层IL5可以是有机层。

第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层IL5上。第二连接电极CNE2可以通过延伸穿过第四绝缘层IL4和第五绝缘层IL5的第二接触孔CNT2连接到第一连接电极CNE1。

第六绝缘层IL6可以设置在第五绝缘层IL5上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层IL6可以是有机层。显示元件层DP-OLED可以设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OLED可以包括发光元件ED。例如，显示元件层DP-OLED可以包含有机发光材料、量子点、量子棒、微LED或纳米LED。发光元件ED可以包括第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。

第一电极AE可以设置在第六绝缘层IL6上。第一电极AE可以通过延伸穿过第六绝缘层IL6的第三接触孔CNT3连接到第二连接电极CNE2。

像素限定层IL7可以设置在第六绝缘层IL6上并且可以覆盖第一电极AE的一部分。显示开口OP7限定在像素限定层IL7中。像素限定层IL7的显示开口OP7使第一电极AE的至少一部分暴露。在实施例中，发光区域PXA限定为与第一电极AE的通过显示开口OP7暴露的部分区域对应。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA或者可以与发光区域PXA相邻。非发光区域NPXA可以被定义为与像素限定层IL7叠置的区域。

发光层EL可以设置在第一电极AE上。发光层EL可以设置在显示开口OP7中。例如，发光层EL可以在像素中彼此分开形成。在发光层EL在像素中彼此分开形成的情况下，发光层EL中的每个可以发射蓝色、红色和绿色之中的至少一种颜色的光。然而，公开可以不限于此，发光层EL可以在像素中彼此连接并且可以彼此成一体。发光层EL可以提供蓝光或白光。

在根据实施例的发光元件ED中，空穴控制层可以设置在第一电极AE与发光层EL之间。空穴控制层可以公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴控制层可以包括空穴传输层并且可以进一步包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL与第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层并且可以进一步包括电子注入层。可以使用开口掩模在像素中形成空穴控制层和电子控制层。

封装层EC可以设置在显示元件层DP-OLED上以覆盖发光元件ED。封装层EC可以包括至少一个有机膜和至少一个无机膜。无机膜可以包含无机材料并且保护显示元件层DP-OLED免受湿气或氧的影响。无机膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但是公开可以不特别地限于此。有机膜可以包含有机材料，并且可以保护显示元件层DP-OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。

包括在电路元件层DP-CL中的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的至少一个可以包括顺序地堆叠的导电层。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的至少一个可以包括三个导电层，并且最下面的导电层和最上面的导电层可以包含相同的材料或类似的材料。最下面的导电层和最上面的导电层可以包含钛(Ti)，并且中间导电层可以包含铝(Al)。

图11A至图11D示出了用于通过蚀刻导电层来形成导电图案的方法，并且图11E至图11F示出了用于经由公开的等离子体后处理设备RPA执行后处理工艺的方法。

参照图11A，可以在基体层BL上形成中间绝缘层IML和导电层SDL。中间绝缘层IML可以与参照图10描述的第一绝缘层至第六绝缘层IL1、IL2、IL3、IL4、IL5和IL6中的一个对应。

导电层SDL可以包括第一导电层至第三导电层M1、M2和M3。第一导电层M1和第三导电层M3可以包含相同的材料或类似的材料，并且第二导电层M2可以包含与第一导电层M1和第三导电层M3的材料不同的材料。例如，第一导电层M1和第三导电层M3可以包含钛(Ti)，并且中间第二导电层M2可以包含铝(Al)。

此后，参照图11B和图11C，可以在导电层SDL上形成光致抗蚀剂层PR。此后，可以经由对光致抗蚀剂层PR的曝光和显影工艺来对光致抗蚀剂层PR进行图案化。

此后，参照图11D，可以包括使用图案化的光致抗蚀剂层PR作为掩模来蚀刻导电层SDL的步骤。蚀刻步骤可以以干蚀刻法执行。就这一点而言，可以提供氯气(Cl

提供到根据公开的等离子体后处理设备RPA(见图1)的工作基底SUB(见图1)可以在执行蚀刻工艺之后在其中形成图案化的光致抗蚀剂层PR和与图案化的光致抗蚀剂层PR叠置的导电图案SD的状态下提供。

参照图11E，根据实施例的等离子体后处理方法可以包括防腐蚀处理步骤。

防腐蚀处理步骤向等离子体产生器RPG(见图1)提供水蒸气(H

可以将第一自由基喷射到工作基底SUB(见图1)上。第一自由基与残留在导电图案SD上的氯离子(Cl

此后，参照图11F，可以包括去除光致抗蚀剂层PR的步骤。在去除光致抗蚀剂层PR的步骤中，向等离子体产生器RPG(见图1)提供氧气(O

根据公开的等离子体后处理方法，通过干蚀刻形成的导电图案SD的防腐蚀处理步骤和去除光致抗蚀剂层PR的步骤可以在同一腔室CB(见图1)中执行，并且可以作为连续工艺执行。因此，可提供具有简化工艺的等离子体后处理方法。

在上文中，已经参照所公开的实施例进行了描述，但是本领域技术人员或本领域普通技术人员将理解的是，可以在公开的精神和范围内并且如权利要求中所描述的那样对公开进行不同地修改和改变。

因此，除了说明书的具详细描述中描述的内容之外，公开的技术范围还应由权利要求限定。

根据实施例，由于扩散器具有可选择的形状，所以从扩散器喷射的自由基可以均匀地喷射到工作基底上。由于提供了包括扩散器的等离子体后处理设备，因此自由基可以均匀地喷射到具有大面积的工作基底上。因此，可以提供具有改善的散布的等离子体后处理设备。

根据实施例，由于防腐蚀处理步骤和去除光致抗蚀剂层的步骤在同一腔室中进行，因此可以简化工艺。

虽然已经参照公开的实施例描述了公开，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以对其进行各种改变和修改。