薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法

技术领域

本申请涉及薄膜制备技术领域，特别是涉及一种薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法。

背景技术

含磷/硼薄膜的用途广泛，可用于光伏电池中的掺杂玻璃、或作为催化剂载体用于电致发光显示器等。然而，含磷/硼的薄膜容易在制备过程中逐渐受到抑制而导致成膜效果下降，影响含磷/硼薄膜的工艺镀率，导致产能降低。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是如何改善含磷/硼薄膜的成膜效果和工艺镀率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法。

第一方面，本申请提供一种薄膜，包括依次层叠且交替设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料包括氧化磷或氧化硼，第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝。

在一些实施例中，第二膜层形成薄膜的外表面。

第二方面，本申请提供一种薄膜的制备方法，包括：

制备第一膜层，第一膜层的材料包括氧化磷或氧化硼；

在第一膜层上制备第二膜层，第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝；

重复上述步骤，以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜。

在一些实施例中，制得的每一第一膜层的厚度为2～10nm或者为2～3nm，每一第二膜层的厚度为0.05～0.9nm。

在一些实施例中，第一膜层为第一前驱体和第二前驱体反应生成，第一前驱体含有磷元素或硼元素，第二前驱体含有氧元素；

第二膜层为第三前驱体和第四前驱体反应生成，第三前驱体含有铝元素或硅元素，第四前驱体含有氧元素。

在一些实施例中，第一前驱体和/或第二前驱体为等离子体。

在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入第一前驱体，第一前驱体沉积于基材上；向反应室通入第二前驱体，第二前驱体与第一前驱体反应生成所述第一膜层。

制备第二膜层的步骤包括：向反应室通入第三前驱体，第三前驱体沉积于第一膜层上；向反应室通入第四前驱体，第四前驱体与第三前驱体反应生成所述第二膜层。

在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：通入第一前驱体；对反应室进行吹扫；通入第二前驱体；对反应室进行吹扫；重复上述步骤，以制得第一膜层；

制备第二膜层的步骤包括：通入第三前驱体；对反应室进行吹扫；通入第四前驱体；对反应室进行吹扫；重复上述步骤，以制得第二膜层。

在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入第一前驱体，向反应室通入第二前驱体，重复上述步骤，以制得第一膜层。

制备第二膜层的步骤包括：向反应室通入第三前驱体，向反应室通入第四前驱体，重复上述步骤，以制得所述第二膜层。

在一些实施例中，在制备第一膜层的步骤中，生成第一膜层的各前驱体以脉冲方式分别通入反应室；在制备第二膜层的步骤中，生成第二膜层的各前驱体以脉冲方式分别通入反应室。

在一些实施例中，在重复上述步骤，以制得第一膜层的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于200；

在重复上述步骤，以制得第二膜层的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于20；

在重复上述步骤，以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于20。

在一些实施例中，制备第一膜层的步骤重复数与制备第二膜层的步骤重复数之比为30～50：1～5。

第三方面，本申请提供一种薄膜器件，薄膜器件包括上述的薄膜。

第四方面，本申请提供一种薄膜器件的制备方法，包括：通过上述的薄膜的制备方法制得薄膜；基于薄膜形成薄膜器件。

区别于现有技术，本申请提供的薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法的有益效果是：

本申请通过在制备第一膜层的过程中制备第二膜层，避免了材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层在自身的酸性作用下无法成膜，同时利用材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层的路易斯碱性可以增强氧化磷或氧化硼的成膜效果，以及提高薄膜的工艺镀率，从而提高产能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一些实施例提供的薄膜的结构示意图；

图2是本申请一些实施例提供的薄膜器件的结构示意图；

图3是本申请一些实施例提供的薄膜的制备流程示意图；

图4是本申请一些实施例提供的第一膜层的制备流程示意图；

图5是本申请另一些实施例提供的第一膜层的制备流程示意图；

图6是本申请一些实施例提供的第二膜层的制备流程示意图；

图7是本申请一些实施例提供的薄膜器件的制备流程示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图，对本申请的具体实施方式做详细的说明。可以理解的是，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请提出一种薄膜，薄膜可以含有磷或硼等不同的元素，例如含氧铝磷(PAlO)薄膜、含氧硅磷(PSiO)薄膜、含氧铝硼(BAlO)薄膜、含氧硅硼(BSiO)薄膜等。

请参阅图1，图1是本申请一些实施例提供的薄膜的结构示意图。

在一些实施例中，薄膜10包括依次层叠且交替设置的第一膜层100和第二膜层200。第一膜层100的材料包括氧化磷或氧化硼，第二膜层200的材料包括氧化硅或氧化铝。

由于材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层100在生长过程中，其自身呈酸性，因此制备第一膜层的前驱体的化学吸附会在膜生长过程中逐渐受到抑制而导致成膜效果下降，本申请通过在制备材料包括氧化磷或氧化硼的第一膜层100的过程中制备材料包括氧化铝或氧化硅的第二膜层200，使薄膜10形成第一膜层100和第二膜层200依次层叠且交替设置的结构，从而避免了第一膜层100的自抑制影响过强，同时材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层200的路易斯碱性可以增加制备第一膜层的前驱体化学吸附的活性位点，提高第一膜层100的成膜效果，从而提高材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层100的镀率，进而提高产能。

可选地，第二膜层200形成薄膜10的外表面。其中，薄膜10可以形成于一基材上，此时第二膜层200形成薄膜10背离基材的一侧表面。材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层200相比材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层100在空气中的稳定性更高，上述设计有利于提高薄膜的稳定性，从而保证器件的性能。

应当理解，在本申请说明书和权利要求书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”、“该”等术语意在包括复数形式。又如本申请的描述中的“第一”、“第二”等术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。还如本申请的描述中“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请进一步提供一种薄膜器件，薄膜器件包括上述的薄膜。

请参阅图2，图2是本申请一些实施例提供的薄膜器件的结构示意图。

在一些实施例中，薄膜器件1包括薄膜10和基材20。基材20的结构不作限定，不同的薄膜器件1对应的基材20可能不同。薄膜10可以物理设置在基材20上，或者与基材20发生化学反应，以形成薄膜器件1。

其中，薄膜10可以应用于光伏电池、电致发光显示器、锂离子电池等。薄膜器件1可以是任意包括薄膜10的器件。例如，薄膜器件1可以为显示器，薄膜10为该显示器件中的膜层。又如，薄膜器件1可以为磷硅玻璃或硼硅玻璃，薄膜10为其表面的薄膜。薄膜器件1还可以是光伏电池，薄膜10可以是用于形成光伏电池中掺杂结构的含磷或含硼薄膜。

可选地，带有薄膜10的薄膜器件1为一个中间体，如为光伏电池制备中的中间体器件，薄膜器件1的制备将薄膜10的制备包含在内。需要注意的是，薄膜10也可以独立存在。

本申请进一步提出一种薄膜的制备方法、及一种薄膜器件的制备方法。本申请提出的薄膜的制备方法可用于实现上述的薄膜10的制备，本申请提出的薄膜器件的制备方法可用于实现上述的薄膜器件1的制备。

应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

请参阅图3，图3是本申请一些实施例提供的薄膜的制备流程示意图。

在一些实施例中，薄膜的制备方法包括：

S11、制备第一膜层。

其中，第一膜层的材料包括氧化磷，例如P

S12、在第一膜层上制备第二膜层。

第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝，例如SiO

S13、重复上述S11、S12步骤，以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜。

其中，除初始膜层外，每一第一膜层都制备于第二膜层上，每一第二膜层也都制备于第一膜层上，第一膜层、第二膜层交替制备，以形成上述结构的薄膜。其中的初始膜层可以是第一膜层，也可以是第二膜层，当第二膜层为初始膜层时，第二膜层与基材成为更易吸附第一膜层前驱体的复合基材，可进一步提高第一膜层的成膜效果。

上述S13步骤的重复数，即重复S11、S12的步骤数可以不小于1且不大于20，例如为3次、5次、7次、9次、11次、13次、15次、17次、19次等，通过重复制备第一膜层和第二膜层以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜。

本申请通过在制备第一膜层的过程中制备第二膜层，避免了材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层在自身的酸性作用下所造成的吸附自抑制影响，同时利用材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层的路易斯碱性增强制备第一膜层的前驱体化学吸附的活性点位，提高氧化磷或氧化硼的成膜效果，从而提高氧化磷或氧化硼膜层的镀率，进而提高薄膜产能。

在一些实施例中，制得的每一第一膜层的厚度为2～10nm或者为2～3nm，每一第二膜层的厚度为0.05～0.9nm，例如为0.05nm、0.06nm、0.07nm、0.08nm、0.08nm、0.12nm、0.3nm、0.4nm、0.5nm、0.6nm、0.67nm、0.7nm、0.8nm、0.81nm、0.9nm等；即每制得2～10nm，例如为2nm、3nm、3.5nm、4nm、5nm、6nm、6.2nm、7nm、8nm、9nm、10nm等的氧化磷第一膜层时制备0.05～0.9nm的第二膜层；或者每当制备2～3nm，例如为2nm、2.3nm、2.75nm、3nm等的氧化硼第一膜层时制备0.05～0.9nm的第二膜层，可降低第一膜层的自抑制影响，从而提高第一膜层的成膜效果，进而提高工艺镀率。

可以理解地，薄膜的第一膜层和第二膜层的制备方式有多种，例如分子层沉积(MLD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。

优选的，本申请采用热原子层沉积(TALD)或者等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺制备第一膜层和第二膜层，通过采用基于原子层沉积的改进型工艺方法，利用原子层沉积自限制性的半反应模式，使得单个循环的薄膜的厚度可控，因而能够精确控制薄膜厚度并获得优异的均匀性，进而在提高材质为氧化磷或氧化硼的第一膜层成膜效果及镀率的同时精确控制各元素比例，再将氧化磷或氧化硼的第一膜层中的磷元素或硼元素掺杂于基材中，可得到掺杂浓度可控的含PAlO薄膜器件、含PSiO薄膜器件、含BAlO薄膜器件、或含BSiO薄膜器件，从而可以满足不同工况场景的需求，适用范围广。

请参阅图4，图4是本申请一些实施例提供的第一膜层的制备流程示意图。

在一些实施例中，第一膜层的制备方法包括：

S21、向反应室通入第一前驱体。

其中，第一前驱体是含有磷元素的前驱体，例如磷酸三甲酯、磷酸三乙酯等；或者，第一前驱体是含有硼元素的前驱体，例如硼酸三甲酯、硼酸三乙酯等。第一前驱体可以为等离子体，以提升前驱体活性，进而进一步提高工艺镀率。

需要说明的是，前驱体是获得目标产物前的一种存在形式，是用来合成、制备其他物质的经过特殊处理的配合料，是在经过某些步骤就可实现目标产物的前级产物。换而言之，第一前驱体可以视为生成第一膜层所需的反应物。

可选地，第一前驱体以脉冲方式通入反应室，具体可以采用氮气等不会在薄膜的制备过程中与前驱体发生反应的气体作为携源气体、携带第一前驱体通入反应室。反应室可以为真空环境。第一前驱体的脉冲时间可以控制在2-6秒，例如2秒、2.5秒、3秒、3.5秒、4秒、4.5秒、5秒、5.5秒、6秒等。

S22、对反应室进行吹扫。

吹扫的作用是清除反应室中多余的前驱体或反应副产物，避免多余物质干扰下一步骤的进行。其中，吹扫所用的气体可以是氮气等不会在薄膜的制备过程中与前驱体发生反应的气体。

可选地，对反应室的吹扫时间可以控制在10秒以下，例如5秒、6秒、7秒、8秒、9秒等。

S23、向反应室通入第二前驱体。

其中，第二前驱体是含有氧元素的前驱体，例如氧气O

可选地，第二前驱体以脉冲方式通入反应室。第二前驱体的脉冲时间可以控制在2-6秒，例如2秒、2.5秒、3秒、3.5秒、4秒、4.5秒、5秒、5.5秒、6秒等。

S24、对反应室进行吹扫。

再次进行吹扫以清除反应室中多余的前驱体或反应副产物。吹扫时间可以控制在10秒以下，例如5秒、6秒、7秒、8秒、9秒等。

S25、重复上述S21、S22、S23、S24步骤，以制得第一膜层。

通过重复地交替通入第一前驱体和第二前驱体，使得第一前驱体和第二前驱体可以在反应室内反应生成第一膜层。步骤S25的重复数可以不小于1且不大于200，例如重复5次、10次、30次、50次、70次、90次、110次、130次、150次、170次、190次、200次等。

请参阅图5，图5是本申请另一些实施例提供的第一膜层的制备流程示意图。

在一些实施例中，第一膜层的制备方法包括：

S31、向反应室通入第一前驱体。

本步骤与上述S21步骤基本一致，在此不作赘述。

在通入第一前驱体后，对反应室进行的吹扫步骤可以控制为0秒，即取消吹扫步骤，从而在通入第二前驱体时可达到类CVD的化学气相沉积镀膜速度提高第一膜层的工艺镀率，进而提升产能。

在一些实施例中，对反应室进行的吹扫步骤也可以不取消而采取较短的吹扫时间，例如1秒、2秒、3秒、4秒、5秒等。换而言之，在向反应室通入第一前驱体后，可以对反应室进行0-5秒的吹扫。

S32、向反应室通入第二前驱体。

本步骤与上述S23步骤基本一致，在此不作赘述。

在通入第二前驱体后，对反应室进行吹扫的步骤同样可以取消，即将吹扫时间控制为0秒。同理，在一些实施例中也可以将该吹扫时间控制在1秒、2秒、3秒、4秒、5秒等较短的时间。换而言之，在向反应室通入第二前驱体后，可以对反应室进行0-5秒的吹扫。

S33、重复上述S31、S32步骤，以制得第一膜层。

步骤S33的重复数可以不小于1且不大于200，例如重复10次、30次、50次、70次、90次、110次、130次、150次、170次、190次、200次等。

在取消吹扫步骤后，本步骤只需交替地通入第一前驱体、第二前驱体即可制得第一膜层，并达到类CVD的化学气相沉积镀膜速度有利于提高第一膜层的工艺镀率，进而提升产能。

可选地，第一前驱体在通入反应室后可以沉积于位于反应室内的基材上，第二前驱体在通入反应室后可以与沉积的第一前驱体反应生成材质为氧化磷或氧化硼的第一膜层的初始膜层，通过多次交替通入第一前驱体和第二前驱体，在基材上生长的材质为氧化磷或氧化硼的第一膜层的初始膜层可具有一定厚度。

请参阅图6，图6是本申请一些实施例提供的第二膜层的制备流程示意图。

S41、向反应室通入第三前驱体。

其中，第三前驱体是含有铝元素的前驱体，例如三乙基铝、三甲基铝、二甲基铝、氯化铝等；或者，第三前驱体是含有硅元素的前驱体，例如二异丙基氨基硅烷(DIPAS)、双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)等。第三前驱体为生成第二膜层所需的反应物。

可选地，第三前驱体以脉冲方式通入反应室，具体可以采用氮气等不会在薄膜的制备过程中与前驱体发生反应的气体作为携源气体、携带第三前驱体通入反应室。反应室可以为真空环境。第三前驱体的脉冲时间可以控制在2-6秒，例如2秒、2.5秒、3秒、3.5秒、4秒、4.5秒、5秒、5.5秒、6秒等。

其中，第三前驱体可以通入反应室并沉积在第一膜层上，以待生成叠设于第一膜层上的第二膜层，提高第一层膜的成膜效果和工艺镀率。

S42、对反应室进行吹扫。

在第三前驱体沉积后对反应室进行吹扫，以清除多余的前驱体或反应副产物。吹扫时间可以控制在5-10秒，例如5秒、6秒、7秒、8秒、9秒、10秒等。

S43、向反应室通入第四前驱体。

其中，第四前驱体是含有氧元素的前驱体，例如氧气O

可选地，第四前驱体以脉冲方式通入反应室，第四前驱体的脉冲时间可以控制在2-6秒，例如2秒、2.5秒、3秒、3.5秒、4秒、4.5秒、5秒、5.5秒、6秒等。

S44、对反应室进行吹扫。

在通入第四前驱体后，再次对反应室进行吹扫，吹扫时间可以控制在5-10秒，例如5秒、6秒、7秒、8秒、9秒、10秒等。

S45、重复上述S41、S42、S43、S44步骤，以制得第二膜层。

通过交替地通入第三前驱体和第四前驱体，使得第三前驱体和第四前驱体可以在反应室内反应生成第二膜层。S45步骤的重复数可以不小于1且不大于20，例如重复3次、5次、7次、9次、11次、13次、15次、17次、19次、20次等。

可选地，第三前驱体、第四前驱体中的一者或两者为等离子体，以提升前驱体的活性，进一步提高工艺镀率和产能。

在一些实施例中，制备第一膜层的步骤重复数与制备第二膜层的步骤重复数之比为30～50：1～5，以一定比例控制第一膜层、第二膜层的步骤重复数，可降低第一膜层的自抑制影响，从而提高第一膜层的成膜效果，进而提高工艺镀率。

在一些实施例中，第三前驱体在通入反应室后可以沉积于位于反应室内的基材上，第四前驱体在通入反应室后可以与沉积的第三前驱体反应生成材质为氧化铝或氧化硅的第二膜层的初始膜层，通过多次交替通入第三前驱体和第四前驱体，在基材上生长的材质为氧化铝或氧化硅的第二膜层的初始膜层可具有一定厚度，从而与基材形成更易吸附第一膜层前驱体的复合基材，进一步提高第一膜层的成膜效果。

由于含磷或含硼的第一前驱体在与含氧的第二前驱体反应生成氧化磷或氧化硼薄膜的过程中，薄膜自身呈酸性，前驱体的化学吸附会在生长过程中逐渐受到抑制而导致无法成膜，即在氧化磷或氧化硼薄膜达到一定厚度后即难以成膜，从而无法达到器件性能所需的厚度，进行而影响器件的性能和使用，通过在制备材质为氧化磷或氧化硼的第一膜层过程中制备第二膜层，即掺杂制备含铝或含硅的第三前驱体与含氧的第四前驱体反应生成的氧化铝或氧化硅，可以形成路易斯碱，该路易斯碱表面通过氢键或者路易斯加合物能够降低含磷或含硼的第一前驱体的吸附难度，增加第一前驱体化学吸附的活性位点，提高氧化磷或氧化硼的成膜效果，从而提高第一膜层的工艺镀率，进而提高产能。

如下所示，是本申请提供的部分实施例：

表1

表1中的实施例1-3的薄膜的制备流程如下：

实施例1：

S11，制备第一膜层，具体包括：

S21、通入作为第一前驱体的磷酸三甲酯4秒；

S22、对反应室进行吹扫10秒，以清除多余的前驱体或反应副产物；

S23、通入作为第二前驱体的氧气等离子体4秒；

S24、对反应室进行吹扫7秒，以清除多余的前驱体或反应副产物；

S25、重复S21-S24步骤30次；

S12，制备第二膜层，具体包括：

S41、通入作为第三前驱体的三甲基铝4秒；

S42、对反应室进行吹扫7秒，以清除多余的前驱体或反应副产物；

S43、通入作为第四前驱体的氧气等离子体4秒；

S44、对反应室进行吹扫7秒，以清除多余的前驱体或反应副产物；

S45、重复S41-S45步骤3次；

S13、重复S11、S12步骤5次，得到含PAlO薄膜；材质为氧化磷的第一膜层的镀率、即薄膜生长速率GPC为

实施例2：

S11，制备第一膜层，具体包括：

S31、通入作为第一前驱体的磷酸三甲酯4秒；

S32、通入作为第二前驱体的氧气等离子体4秒；

S33、重复S31-S32步骤30次；

S12，制备第二膜层，具体包括：

S41、通入作为第三前驱体的三甲基铝4秒；

S42、对反应室进行吹扫7秒；

S43、通入作为第四前驱体的氧气等离子体4秒；

S44、对反应室进行吹扫7秒；

S45、重复S41-S44步骤3次；

S13、重复S11、S12步骤5次，得到含PAlO薄膜；材质为氧化磷的第一膜层的镀率、即薄膜生长速率GPC为

实施例3：

S11，制备第一膜层，具体包括：

S31、通入作为第一前驱体的磷酸三甲酯等离子体4秒；

S32、通入作为第二前驱体的氧气等离子体4秒；

S33、重复S31-S32步骤30次；

S12，制备第二膜层，具体包括：

S41、通入作为第三前驱体的三甲基铝4秒；

S42、对反应室进行吹扫7秒；

S43、通入作为第四前驱体的氧气等离子体4秒；

S44、对反应室进行吹扫7秒；

S45、重复S41-S44步骤3次；

S13、重复S11、S12步骤5次，得到含PAlO薄膜；材质为氧化磷的第一膜层的镀率、即薄膜生长速率GPC为

表2

表2中的实施例4-6与上述实施例1-3在薄膜的制备流程中的区别在于，实施例1-3采用三甲基铝作为第三前驱体与第四前驱体氧气等离子体反应，而实施例4-6采用二异丙基氨基硅烷作为第三前驱体与第四前驱体氧气等离子体反应。因此，实施例1-3制得的是含PAlO薄膜，而实施例4-6制得的是含PSiO薄膜。

根据表1、表2并结合图1、3～6所示，本申请提供的薄膜的制备方法有利于提升材质为氧化磷的第一膜层的成膜效果，从而提高了氧化磷膜层的工艺镀率，进而可提高薄膜的产能，有利于批量生产。上述的薄膜的制备流程中的第一前驱体也可更改为含硼的前驱体，例如硼酸三甲酯。基于类似的原理，本申请提供的薄膜的制备方法也有利于提高硼源工艺的镀率，增大薄膜的产能。

此外，通过缩短甚至取消第一前驱体、第二前驱体的吹扫时间，能够达到类CVD的化学气相沉积镀膜速度，进一步提高氧化磷、氧化硼膜层的镀率。而基于PEALD技术，对含磷或含硼的第一前驱体进行等离子体化，还可进一步提升第一前驱体的活性，显著提升了薄膜的成膜效果和工艺镀率，如氧化磷膜层的工艺镀率可分别从

请参阅图7，图7是本申请一些实施例提供的薄膜器件的制备流程示意图。

薄膜器件的制备方法包括：

S101、通过薄膜的制备方法制得薄膜。

S102、基于薄膜形成薄膜器件。

本申请提供的薄膜器件可以基于上述的薄膜制备形成，该薄膜可以通过上述的薄膜的制备方法制得。其中的薄膜器件基于薄膜制备的具体方式并根据薄膜器件的不同可能发生变化，例如可以包括薄膜的物理贴附、化学掺杂、气相沉积等，在此不作具体限定。

可选地，薄膜器件的制备方法包含薄膜的制备方法，即薄膜为薄膜器件制备过程中的中间体。当然，薄膜在制得后也可以保存起来，并不一定要进一步形成薄膜器件。

此外，流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在本申请的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。