原位温度感测衬底、系统及方法

本申请案根据35 U.S.C.§119(e)规定主张发明人厄尔·詹森(Earl Jensen)在2018年6月5日申请且标题为“原位晶片最大指示设备(IN-SITU WAFER MAXIMUMINDICATION APPARATUS)”的序列号为62/680,905的美国临时申请案的权益，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及传感器，且更特定来说涉及一种用于测量环境中的温度的原位感测衬底、系统及方法。

背景技术

晶片及其它半导体衬底的加热可能影响装置性能。为解决及/或防止过度加热，能够确定在环境中施加于衬底上的峰值温度的分布是重要的。举例来说，检测环境(例如外延(EPI)腔室)中的晶片(或其它衬底)上的一或多个位置处的峰值温度可为有用的，其中温度可高达900℃。

发明内容

本发明揭示一种根据本发明的一或多个阐释性实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器。在一个阐释性实施例中，所述传感器包含传感器衬底与形成于所述传感器衬底上的一或多个温度感测元件。在实施例中，温度感测元件包含：至少一个腔，其具有安置于所述腔内的热膨胀材料；及通道，其从所述腔延伸且具有安置于所述通道内的棒。在实施例中，所述腔具有固定体积且由安置于或形成于所述腔上方的盖层围封。所述热膨胀材料经配置以从所述腔延伸到所述通道中(例如，归因于热激发)而将所述棒从所述通道内的第一位置致动到所述通道内的至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。

在另一阐释性实施例中，所述传感器包含传感器衬底与至少一个温度感测元件，所述至少一个温度感测元件包含具有固定地耦合到所述传感器衬底的第一末端的热膨胀线圈。在实施例中，所述温度感测元件进一步包含耦合到所述热膨胀线圈的第二末端的棒。当所述热膨胀线圈膨胀时(例如，归因于热激发)，所述热膨胀线圈经配置以将所述棒从第一位置致动到至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。

本发明还揭示一种根据本发明的一或多个阐释性实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的系统。在一个阐释性实施例中，所述系统包含传感器衬底与形成于所述传感器衬底上的一或多个温度感测元件，以及传感器读取器。在实施例中，温度感测元件包含：至少一个腔，其具有安置于所述腔内的热膨胀材料；及通道，其从所述腔延伸且具有安置于所述通道内的棒。在实施例中，所述腔具有固定体积且由安置于或形成于所述腔上方的盖层围封。所述热膨胀材料经配置以从所述腔延伸到所述通道中(例如，归因于热激发)而将所述棒从所述通道内的第一位置致动到所述通道内的至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。在实施例中，所述传感器读取器经配置以检测所述棒的所述位置而确定所述传感器衬底的所述相应部分的所述温度。

在另一阐释性实施例中，所述系统包含：传感器衬底；与至少一个温度感测元件，其包含具有固定地耦合到所述传感器衬底的第一末端的热膨胀线圈；及传感器读取器。在实施例中，所述温度感测元件进一步包含耦合到所述热膨胀线圈的第二末端的棒。当所述热膨胀线圈膨胀时(例如，归因于热激发)，所述热膨胀线圈经配置以将所述棒从第一位置致动到至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。在实施例中，所述传感器读取器经配置以检测所述棒的所述位置而确定所述传感器衬底的所述相应部分的所述温度。

本发明还揭示一种根据本发明的一或多个阐释性实施例的采用用于检测衬底上的一或多个位点处的温度的传感器的方法。在所述方法的一个阐释性实施方案中，将传感器衬底与形成于所述传感器衬底上的一或多个温度感测元件安置于环境内。在实施例中，温度感测元件包含：至少一个腔，其具有安置于所述腔内的热膨胀材料；及通道，其从所述腔延伸且具有安置于所述通道内的棒。在实施例中，所述腔具有固定体积且由安置于或形成于所述腔上方的盖层围封。所述热膨胀材料经配置以从所述腔延伸到所述通道中(例如，归因于热激发)而将所述棒从所述通道内的第一位置致动到所述通道内的至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。在所述方法的实施方案中，检测所述棒的所述位置以确定所述传感器衬底的所述相应部分的所述温度。

在所述方法的另一阐释性实施方案中，将传感器衬底与包含热膨胀线圈的至少一个温度感测元件安置于所述环境内。在实施例中，所述热膨胀线圈具有固定地耦合到所述传感器衬底的第一末端及耦合到棒的第二末端。当所述热膨胀线圈膨胀时(例如，归因于热激发)，所述热膨胀线圈经配置以将所述棒从第一位置致动到至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。此棒在所述热膨胀材料后退时留下，因此指示所述传感器衬底的所述相应部分所经历的最大温度。在所述方法的实施方案中，检测所述棒的所述位置以确定所述传感器衬底的所述相应部分的所述温度。

应了解，前述一般描述及以下具体实施方式两者仅为示范性的及说明性的，且不一定限制如所主张的本发明。并入于本说明书中且构成本说明书的部分的所附图式说明本发明的实施例且与一般描述一起用于说明本发明的原理。

附图说明

所属领域的技术人员可通过参考附图而更好地理解本发明的众多优点，其中：

图1A是根据本发明的一或多个实施例的其中可实施用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的示范性环境的示意图；

图1B是根据本发明的一或多个实施例的外延腔室的温度剖面的图形曲线；

图2A是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的俯视图；

图2B是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的横截面视图；

图2C是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的横截面视图；

图2D是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的横截面视图；

图3A是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的示意图，其具有用于读取由温度感测元件指示的温度测量值的电磁读取器；

图3B是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的示意图，其具有用于读取由温度感测元件指示的温度测量值的电磁读取器，其中电磁读取器耦合到可旋转圆盘；

图3C是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的示意图；

图3D是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的示意图，其中传感器包含多个温度感测元件；

图4A是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的示意图，其具有用于读取由温度感测元件指示的温度测量值的光学检测器；

图4B是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的示意图，其具有用于读取由温度感测元件指示的温度测量值的光学检测器；

图4C是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的温度感测元件的部分的示意图，其中温度感测元件包含参考标记以协助检测温度传感器元件的棒的位置；

图5是根据本发明的一或多个实施例的用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器的示意图，其中传感器的温度感测元件包含经配置以推动温度感测元件的棒的热膨胀线圈；及

图6是根据一或多个实施方案的用于运用传感器(例如在图1A到5中的任一者中说明的传感器)检测在环境中施加于衬底上的温度分布的方法的流程图。

具体实施方式

现将详细参考在所附图式中说明的所揭示标的物。已关于特定实施例及其特定特征特别地展示及描述本发明。本文中阐述的实施例应被视为阐释性的而非限制性的。所属领域的一般技术人员应容易明白，可在不脱离本发明的精神及范围的情况下进行形式及细节方面的各种改变及修改。

为解决及/或防止过度加热，能够确定在环境中施加于衬底(例如，半导体晶片)上的峰值温度的分布是重要的。举例来说，在衬底放置于高温环境(例如外延(EPI)腔室)中时，检测所述衬底上的一或多个位点处的峰值温度可为有用的，其中温度可高达900℃。

高温计通常用于监测EPI腔室中的温度。然而，高温计在低于600℃的温度下不良运作，且可难以补偿用于加热晶片以及改变发射系数的灯能量。此外，工业通常仅应用一个测量点。一个方法是使用见证晶片(witness wafer)及生长EPI膜作为实验设计(DOE)的部分。归因于有关足够灵敏度、范围及密度的计量不足而需要不断确认，此导致计量活动消耗腔室容量的高达30％。

由于仅存在有限温度闭合环路控制，因此很少发生温度过冲。代替性地，温度遵循指数稳定到平衡温度。举例来说，图1B说明EPI腔室中的温度剖面的图形曲线的实例。这非常适合于最大温度指示器，特别是在存在许多测量位点时。

通过指示器实施一种峰值温度指示方法，所述指示器在其温度超过所述指示器的熔化时不可逆地改变色彩。然而，此技术受限于最大可用温度(<300℃)，且其为不可逆的。一旦超过峰值温度，传感器晶片便无法再次使用(即，仅在超过峰值温度时一次性地使用)。

鉴于现有温度测量技术的限制，需要检测在高温环境(例如EPI腔室)中施加于衬底上的温度分布的新颖方法。因此，本文中揭示用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器、系统及方法。

图1A说明根据本发明的一或多个实施例的其中可实施用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器200的示范性环境100。在实施例中，传感器200经配置以通过腔室102(例如，EPI腔室)或其它封闭及/或受控环境中的载物台104或其它固持器支撑。在一些实施例中，腔室102用于对半导体衬底(例如，晶片、板、面板、光罩或类似者)执行工艺步骤(例如，光刻、蚀刻等)及/或测量(例如，计量、检验等)。传感器200可具有与半导体衬底相同或类似的外观尺寸及结构，使得传感器200可安置于与半导体衬底将经安置用于在环境100中处理及/或计量之处相同或类似的位置处(例如，在腔室102中的载物台104上)。以此方式，传感器200可经受与半导体衬底在相同环境100中将经受相同或类似的加热模式。

在图1B中，图形曲线显示环境100/腔室102可具有遵循指数稳定到平衡温度的温度剖面。因此，为特性化环境100/腔室102的加热特性，检测传感器200的一或多个部分的峰值温度可为足够的。在一些实施例中，传感器200经配置用于确定传感器200的多个部分的峰值温度(例如，以确定将施加于类似位置衬底上的温度分布)。

图2A到2D中展示根据本发明的一或多个实施例的包含温度感测元件的传感器200的部分。传感器200的一或多个温度感测元件形成于传感器衬底202(例如，硅晶片或类似者)上或至少部分在传感器衬底202内。举例来说，一或多个温度感测元件可包含通过微机械系统(MMS)/微机电系统(MEMS)制造工艺安置于传感器衬底202的选定位置处的一或多个MMS传感器(例如，根据MEMS技术机械加工的传感器或类似者)。在一些实施例中(例如，如图3D中展示)，传感器200包含跨传感器衬底202分布的多个温度感测元件以检测传感器衬底202的相应部分在环境100/腔室102中所经受的温度。传感器200可包含任何数目个温度感测元件。

如图2A中展示，在实施例中，温度感测元件包含安置于被围封且具有固定体积的至少一个腔(例如，腔206及/或208)内的热膨胀材料204。在一些实施例中，温度感测元件包含基底腔206及中间腔208。举例来说，基底腔206及(如果配备)基底腔208可包含固相热膨胀材料204，且当固相热膨胀材料204熔融时(例如，归因于热激发)，材料204可作为液相热膨胀材料204进入及/或填充中间腔208。在一些实施例中，热膨胀材料204包含锡或锡合金。然而，可使用其它材料(例如，具有类似熔点(例如，在100℃到400℃的范围内)的金属/非金属)。锡具有232℃的熔点及2603℃的沸点且具有极低蒸气压(在10mT下，>1200℃)。锡的体积热膨胀系数(VTCE)是0.165％·°K

温度感测元件进一步包含通道210，通道210从腔206及/或腔208延伸且具有安置于通道210内的棒212。热膨胀材料204经配置以从一或多个腔(例如，腔206及/或腔208)延伸到通道210中而致动棒212。即，为读取热膨胀材料204的体积增加，迫使材料204进入毛细管中而将小体积变化转变为较大线性变化。可通过改变毛细管的长度及横截面、贮槽体积及选择合适膨胀材料而定制操作温度范围及灵敏度。热膨胀材料204可将棒212从通道210内的第一(例如，起始)位置致动到通道210内的至少第二(例如，最终)位置。棒212可不起反应，也不可被可膨胀材料204润湿。棒212的位置指示传感器衬底202的相应部分的温度。举例来说，棒212的最终位置及/或最终位置与起始位置之间的距离可指示传感器衬底202的相应部分在环境100/腔室102内所经受的峰值温度。

图2B到2D展示图2A中说明的温度感测元件的各种横截面视图。举例来说，图2B是包含具有安置于其中的热膨胀材料204(例如，固相材料)的基底腔206的温度感测元件的部分的横截面视图。在一些实施例中，基底腔206包含在基底腔206的内表面与热膨胀材料204之间的垫层214。举例来说，基底腔206可包含垫层214，垫层214包括镍、镍合金或类似者用于促进材料204在引起材料204收缩的冷却趋势时聚集在腔206中的目的。

图2C是包含具有安置于其中的热膨胀材料204(例如，液相材料)的中间腔208的温度感测元件的部分的横截面视图。举例来说，在热膨胀材料204归因于环境100/腔室102内的热而熔融及/或膨胀时，液相热膨胀材料204可流动通过中间腔208。

图2D是包含具有安置于其中的棒212的通道210的温度感测元件的部分的横截面视图。在热膨胀材料204(例如，液相材料)归因于环境100/腔室102内的增加的热而膨胀时，热膨胀材料204可流动通过通道210且推动棒212。棒212的最终停留位置是基于热膨胀材料204的总膨胀，且因此棒212的最终位置指示衬底202的相应部分所经受的峰值温度。

传感器衬底202具有安置于传感器衬底202上的盖层216。举例来说，如图2B到2D中展示，温度感测元件的基底腔206、中间腔208及/或通道210可由盖层216围封或囊封。盖层216可为传感器衬底202的部分或安置于传感器衬底202上的层(例如，硅层或其它囊封剂层)。

在一些实施例中，传感器衬底202可具有标准半导体晶片尺寸。举例来说，传感器衬底202可具有在大约25毫米到300毫米的范围内的直径。在其它实施例中，传感器衬底202可具有其它尺寸或另一形状(例如，矩形、椭圆形、多边形等)。然而，传感器衬底202具有标准半导体晶片的尺寸可为有利的，使得衬底202可以与标准半导体晶片相同的方式插入于环境100/腔室102内且可具有在环境100/腔室102内施加于传感器衬底202上的类似温度分布。就此来说，传感器200可配置为“测试晶片”。

图3A到3D说明包含经配置以检测棒212的位置的电磁读取器302的系统300的实施例。举例来说，电磁读取器302(例如，缠绕有多个线圈303的E形铁芯(E-core))及棒212可充当差动变压器，其中棒212是可移动铁芯。在一些实施例中，棒212是由铁金属氧化物形成。在此类配置中，电磁读取器302及棒212表现为类似于线性可变线性变压器(LVDT)，其中铁芯(例如，棒212)位置在铁芯相等地耦合到端极(end pole)时可以说是处于无扇区(magnetic null)。通过180°异相的端极上的线圈(例如，缠绕于E形铁芯的线圈303)检测所得场。可使用相位检测器(同步整流)，这是因为其为灵敏的且相当好地拒绝噪声。如在图3D中说明的传感器200布局中展示，可使用固定虚设铁芯211作为参考。通过参考与测量棒212之间的差异来确定热膨胀材料204的膨胀长度及因此温度。可用偏移及增益来校准此配置。在实施例中，可通过来自永久磁体的静态磁场或通过用DC电流加偏压于E形铁芯的一半而复位棒212位置。接着，可将棒212拖曳回到其起始点(例如，与腔208(或在不存在中间腔208时，腔206)相接的通道210的末端)。

如图3B中展示，在一些实施例中，电磁读取器302可相对于传感器衬底202移动。举例来说，电磁读取器302可耦合到扫描圆盘310(例如，可旋转衬底)，扫描圆盘310可由致动器312(例如，电动机)旋转以扫描衬底202上的多个温度感测元件的棒212位置。电磁读取器302还可经配置以沿圆盘310线性地(例如，径向地)致动。

在一些实施例中，电磁读取器302在围封壳314中。举例来说，传感器衬底202可放置于围封壳314内以在传感器衬底202在环境100/腔室102内进行测量之后被读取。围封壳314可为前开式晶片传送盒(front opening universal pod)(FOUP)或经配置以接纳传感器衬底202的腔室。在一些实施例中，围封壳314是经配置以通过工厂自动化(FA)系统处置的FOUP。在其它实施例中，围封壳314是腔室102。举例来说，电磁读取器302可安置于腔室102内。

在实施例中，系统300包含通信地耦合到电磁读取器302的控制器304。在一些实施例中，控制器304包含经配置以执行维持于存储器媒体308上的程序指令的一或多个处理器306。就此来说，控制器304的一或多个处理器306可执行在本发明各处描述的各种过程步骤或操作中的任一者，例如从电磁读取器302接收对应于棒212的位置或位置变化的电信号、控制一或多个致动器(例如，致动器312)等。

控制器304的一或多个处理器306可包含所属领域中已知的任何处理元件。在此意义上，一或多个处理器306可包含经配置以执行算法及/或指令的任何微处理器型装置。在一个实施例中，一或多个处理器306可包括经配置以执行经配置以操作系统100的程序的桌上型计算机、主计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或任何其它计算机系统(例如，网络计算机)，如在本发明各处描述。进一步应认知，术语“处理器”可广泛定义为涵盖具有执行来自非暂时性存储器媒体308的程序指令的一或多个处理元件的任何装置。

存储器媒体308可包含所属领域中已知的适于存储可通过相关联的一或多个处理器306执行的程序指令的任何存储媒体。举例来说，存储器媒体308可包含非暂时性存储器媒体。通过另一实例，存储器媒体308可包含但不限于只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态驱动器及类似者。进一步应注意，存储器媒体308可与一或多个处理器306容置于共同控制器外壳中。在一个实施例中，存储器媒体308可相对于一或多个处理器306及控制器304的物理位置远程地定位。例如，控制器304的一或多个处理器306可存取可通过网络(例如，因特网、内部网络及类似者)存取的远程存储器(例如，服务器)。因此，上文描述不应被解释为对本发明的限制，而是仅为说明。

在实施例中，控制器304经配置以与电磁读取器302通信。举例来说，控制器304可经配置以接收原始数据(例如，电信号)、经处理数据(例如，磁场强度测量值、距离或位移测量值及类似者)及/或经部分处理的数据的任何组合。此外，可通过单个控制器304或替代地多个控制器实行在本发明各处描述的步骤。另外，控制器304可包含容置于共同外壳中或在多个外壳内的一或多个控制器。以此方式，任何控制器或控制器组合可单独封装为适于集成到系统300中的模块。

图4A到4C说明包含经配置以检测棒212的位置的光学检测器408(例如，相机、光二极管阵列或类似者)的系统400的实施例。硅在带隙之后是透明的且其在1.5um处相当清透。因此，当衬底202是硅晶片或类似者时，可无困难地光学读取棒212的位置。举例来说，系统400可包含经配置以照明传感器衬底202的源406(例如，宽带或窄带光源)，其中检测器408接着收集传感器衬底202的经照明部分的图像以检测棒212的位置。尽管图4A说明分别发射及接收结构化(例如，聚焦及/或准直)照明的源406及检测器408；然可以其它方式配置源406及检测器408。举例来说，在一些实施例中，源406可经配置以发射非结构化(例如，漫射)照明。如图4B及图4C中展示，棒212的位置可被确定为棒212与印刷或图案化于传感器衬底202上(例如，靠近棒212沿通道210)的参考标记218之间的距离。在实施例中，系统400包含透镜系统412，透镜系统412经配置以将从传感器衬底202反射、折射、散射及/或辐射的照明引导及/或聚焦到检测器408上，使得检测器408可收集棒212相对于传感器衬底202(例如，相对于参考标记218)的可懂图像。在检测棒212的位置之后，可通过施加磁场(例如，运用永久性或电磁体，如本文中先前描述)而复位棒212位置。

在一些实施例中，光学检测器408在围封壳402中。举例来说，传感器衬底202可放置于围封壳402内以在传感器衬底202在环境100/腔室102内进行测量之后被读取。围封壳402可为前开式晶片传送盒(FOUP)或经配置以接纳传感器衬底202的腔室。在一些实施例中，围封壳402是经配置以通过工厂自动化(FA)系统处置的FOUP。在其它实施例中，围封壳402是腔室102。举例来说，光学检测器408(及源406)可安置于腔室102内。

系统400进一步可包含经配置以支撑传感器衬底202的载物台404(例如，静止或可移动载物台)。在一些实施例中，载物台404经配置以使传感器衬底202相对于检测器408移动，使得检测器408可扫描传感器衬底202的多个部分(例如，多个温度感测元件)。

在实施例中，系统400包含控制器410(例如，类似于本文中关于系统300描述的控制器304)。控制器410通信地耦合到光学检测器408。在一些实施例中，控制器410包含经配置以执行维持于存储器媒体上的程序指令的一或多个处理器。就此来说，控制器410的一或多个处理器可执行在本发明各处描述的各种过程步骤或操作中的任一者，例如从光学检测器408接收电信号或图像信号以检测棒212的位置或位置变化、控制一或多个致动器(例如，载物台404致动器)、控制照明源406等。

图5说明传感器200的另一实施例，其中温度感测元件包含具有固定地耦合到传感器衬底202(例如，到固定基底部件222)的第一末端及耦合到棒212的第二末端的热膨胀线圈220。当热膨胀线圈220膨胀时(例如，归因于热激发)，热膨胀线圈220经配置以将棒212从第一(例如，起始)位置致动到至少第二(例如，最终)位置。正如传感器200的其它实施例，棒212的位置指示传感器衬底202的相应部分的温度。在一些实施例中，热膨胀线圈220是以MMS/MEMS技术建造的双金属弹簧。由于螺旋弹簧的每一侧上的不等膨胀率，因温度增加而产生旋转。即，弹簧的内部以高于外部的速率膨胀。举例来说，多晶硅及镀镍。“针”推动棒212，所述针可由铁磁材料形成。棒位置212可由电磁读取器302或光学检测器408(如上文描述)检测且随后可复位回到其原始位置。

图6说明在采用用于检测衬底上的一或多个位点处的温度的传感器(例如上文描述的传感器200)的方法500中执行的步骤。在步骤502，将传感器200安置于环境(例如，环境100/腔室102)内。根据本发明的一或多个实施例，传感器200包含传感器衬底202与至少一个温度感测元件，所述至少一个温度感测元件包含经配置以由热膨胀材料(例如，材料204或线圈220)致动的棒212。在步骤504，检测棒212的位置以确定传感器衬底202的相应部分的温度(例如，传感器衬底202的相应部分在环境100/腔室102中所经受的峰值温度)。举例来说，可通过电磁读取器302或光学检测器408检测棒212的位置，如上文描述。

本文中描述的标的物有时说明含于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应了解，此类所描绘架构仅为示范性的，且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上，实现相同功能性的组件的任何布置有效地“相关联”使得实现所要功能性。因此，在不考虑架构或中间组件的情况下，经组合以实现特定功能性的本文中的任何两个组件可被视为彼此“相关联”使得实现所要功能性。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可耦合”以实现所要功能性。可耦合的特定实例包含但不限于可物理交互及/或物理交互的组件及/或可无线交互及/或无线交互的组件及/或可逻辑交互及/或逻辑交互的组件。

据信，通过前述描述将理解本发明及其许多伴随优点，且将明白，可在不脱离所揭示标的物或不牺牲全部其材料优点的情况下对组件的形式、构造及布置进行各种改变。所描述的形式仅为说明性的，且所附权利要求书希望涵盖及包含此类改变。此外，应了解，本发明是由所附权利要求书定义。