一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，硅片是常见的半导体材料，由于地壳中含有大量的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，随着时代的发展，硅片被应用于计算机、医学和航空航天领域，硅片是科学进步的里程碑。

在现有技术中，由于硅片生产后不会立刻用于成品的生产，硅片表面会残存一些金属，金属会在抵抗稳定过程中，温度升高使金属进入硅片内部，影响半导体硅片的使用，因此一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备应运而生。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，由以下具体技术手段所达成：

一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，包括机体，所述机体的内部固定连接有分解池，分解池的正面固定连接有光敏电阻，分解池的左右两端固定连接有电磁铁，电磁铁的顶部活动连接有吸板，吸板的表面活动连接有拐杆，拐杆的正面活动连接有扭矩弹簧，拐杆远离吸板的一端活动连接有移动套，移动套的顶部活动连接有杆组，杆组的表面活动连接有滑块，滑块的表面活动连接有联动杆，联动杆的顶部活动连接有夹合架，夹合架的顶部活动连接有折叠架，折叠架的顶部活动连接有推板，推板的顶部活动连接有伸缩杆，杆组的表面活动连接有齿条板，齿条板的表面活动连接有齿轮，齿轮的正面活动连接有连接杆，连接杆远离齿轮的一端活动连接有挤压板，挤压板的表面活动连接有气囊。

优选的，所述分解池为透明材质，光敏电阻的正上方且位于分解池的表面固定连接有光线发射器，光线发射器与水平面之间存在四十五度的夹角，光线发射器经过硅片的反光发射到分解池。

优选的，所述吸板的左右两侧活动连接有滑槽，滑槽固定安装在分解池的左右两侧，吸板通过设置在其表面的拐杆活动连接有扭矩弹簧，扭矩弹簧的弹性刚度小。

优选的，所述拐杆的表面活动连接有支点，支点活动安装在机体的内部，移动套的内部活动连接有导杆，移动套始终沿着导杆移动。

优选的，所述滑块通过设置在其表面的联动杆活动连接有夹合架，夹合架的底部固定连接有半导体硅片，折叠架需要的折叠力度大。

优选的，所述伸缩杆的表面活动连接有驱动机构，气囊对准半导体硅片，分解池的内部设有氢氟酸。

本发明具备以下有益效果：

1、该观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，通过驱动机构带动伸缩杆移动，伸缩杆推动推板，推板和折叠架配合使用将夹合架推移，夹合架将其夹合的硅片置入分解池内部，硅片表面的金属残留与分解池内部的氢氟酸进行反应，由于硅片在进行抵抗稳定前进行过抛光，当硅片表面的残留金属去除后，硅片能够将光线发射器发出的光线发射到光敏电阻的表面，光线改变光敏电阻的阻值，当光敏电阻的阻值到达设定值，电磁铁才会通电，电磁铁通电产生磁力吸引吸板，吸板利用拐杆使移动套移动，移动套和杆组共同作用将滑块推动，滑块利用联动杆将夹合架顶起，夹合架将半导体硅片取出，光敏电阻自动判断硅片表面金属物去除状况，在硅片表面金属物完全去除时将硅片取出，防止金属会在抵抗稳定过程中，温度升高使金属进入硅片内部，影响半导体硅片的使用，从而实现防止金属在抵抗稳定时进入硅片内部的效果。

2、该观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，通过驱动机构带动伸缩杆移动，伸缩杆推动推板，推板和折叠架配合使用将夹合架推移，夹合架将其夹合的硅片置入分解池内部，硅片表面的金属残留与分解池内部的氢氟酸进行反应，由于硅片在进行抵抗稳定前进行过抛光，当硅片表面的残留金属去除后，硅片能够将光线发射器发出的光线发射到光敏电阻的表面，光线改变光敏电阻的阻值，当光敏电阻的阻值到达设定值，电磁铁才会通电，电磁铁通电产生磁力吸引吸板，吸板利用拐杆使移动套移动，移动套和杆组共同作用将滑块推动，滑块利用联动杆将夹合架顶起，夹合架将半导体硅片取出，光敏电阻自动判断硅片表面金属物去除状况，在硅片表面金属物完全去除时将硅片取出，防止金属会在抵抗稳定过程中，温度升高使金属进入硅片内部，影响半导体硅片的使用，杆组移动的同时带动齿条板移动，齿条板带动齿轮转动，齿轮和连接杆配合使用将挤压板挤压，挤压板使气囊喷气将硅片表面残余的氢氟酸吹下，使氢氟酸从新进入分解池内部，不能使用烘干，烘干会导致氢氟酸气化进入空气，对人体造成危害，从而实现回收氢氟酸和防止氢氟酸灼伤人体的效果。

附图说明

图1为本发明分解池结构主视示意图；

图2为本发明滑块结构主视示意图；

图3为本发明气囊结构主视示意图；

图4为本发明齿条板结构主视示意图；

图5为本发明图1的A局部放大图。

图中：1、机体；2、分解池；3、光敏电阻；4、电磁铁；5、吸板；6、拐杆；7、扭矩弹簧；8、移动套；9、杆组；10、滑块；11、联动杆；12、夹合架；13、折叠架；14、推板；15、伸缩杆；16、齿条板；17、齿轮；18、连接杆；19、挤压板；20、气囊。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-5，一种观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，包括机体1，机体1的内部固定连接有分解池2，分解池2为透明材质，光敏电阻3的正上方且位于分解池2的表面固定连接有光线发射器，光线发射器与水平面之间存在四十五度的夹角，光线发射器经过硅片的反光发射到分解池2，分解池2的正面固定连接有光敏电阻3，分解池2的左右两端固定连接有电磁铁4，电磁铁4的顶部活动连接有吸板5，吸板5的左右两侧活动连接有滑槽，滑槽固定安装在分解池2的左右两侧。

吸板5通过设置在其表面的拐杆6活动连接有扭矩弹簧7，扭矩弹簧7的弹性刚度小，吸板5的表面活动连接有拐杆6，拐杆6的表面活动连接有支点，支点活动安装在机体1的内部，移动套8的内部活动连接有导杆，移动套8 始终沿着导杆移动，拐杆6的正面活动连接有扭矩弹簧7，拐杆6远离吸板5 的一端活动连接有移动套8，移动套8的顶部活动连接有杆组9，杆组9的表面活动连接有滑块10，滑块10通过设置在其表面的联动杆11活动连接有夹合架12，夹合架12的底部固定连接有半导体硅片，折叠架13需要的折叠力度大，滑块10的表面活动连接有联动杆11。

联动杆11的顶部活动连接有夹合架12，夹合架12的顶部活动连接有折叠架13，折叠架13的顶部活动连接有推板14，推板14的顶部活动连接有伸缩杆15，伸缩杆15的表面活动连接有驱动机构，气囊20对准半导体硅片，分解池2的内部设有氢氟酸，杆组9的表面活动连接有齿条板16，齿条板16 的表面活动连接有齿轮17，齿轮17的正面活动连接有连接杆18，连接杆18 远离齿轮17的一端活动连接有挤压板19，挤压板19的表面活动连接有气囊20。

综上所述，驱动机构带动伸缩杆15移动，伸缩杆15推动推板14，推板14 和折叠架13配合使用将夹合架12推移，夹合架12将其夹合的硅片置入分解池2内部，硅片表面的金属残留与分解池2内部的氢氟酸进行反应，由于硅片在进行抵抗稳定前进行过抛光，当硅片表面的残留金属去除后，硅片能够将光线发射器发出的光线发射到光敏电阻3的表面，光线改变光敏电阻3的阻值，当光敏电阻3的阻值到达设定值，电磁铁4才会通电，电磁铁4通电产生磁力吸引吸板5，吸板5利用拐杆6使移动套8移动，移动套8和杆组9 共同作用将滑块10推动，滑块10利用联动杆11将夹合架12顶起，夹合架12 将半导体硅片取出，光敏电阻3自动判断硅片表面金属物去除状况，在硅片表面金属物完全去除时将硅片取出，防止金属会在抵抗稳定过程中，温度升高使金属进入硅片内部，影响半导体硅片的使用，防止金属在抵抗稳定时进入硅片内部。

该观察硅片表面金属层的节能环保半导体生产设备，驱动机构带动伸缩杆15移动，伸缩杆15推动推板14，推板14和折叠架13配合使用将夹合架12 推移，夹合架12将其夹合的硅片置入分解池2内部，硅片表面的金属残留与分解池2内部的氢氟酸进行反应，由于硅片在进行抵抗稳定前进行过抛光，当硅片表面的残留金属去除后，硅片能够将光线发射器发出的光线发射到光敏电阻3的表面，光线改变光敏电阻3的阻值，当光敏电阻3的阻值到达设定值，电磁铁4才会通电，电磁铁4通电产生磁力吸引吸板5，吸板5利用拐杆6使移动套8移动，移动套8和杆组9共同作用将滑块10推动，滑块10 利用联动杆11将夹合架12顶起，夹合架12将半导体硅片取出，光敏电阻3 自动判断硅片表面金属物去除状况，在硅片表面金属物完全去除时将硅片取出，防止金属会在抵抗稳定过程中，温度升高使金属进入硅片内部，影响半导体硅片的使用，杆组9移动的同时带动齿条板16移动，齿条板16带动齿轮17转动，齿轮17和连接杆18配合使用将挤压板19挤压，挤压板19使气囊20喷气将硅片表面残余的氢氟酸吹下，使氢氟酸从新进入分解池2内部，不能使用烘干，烘干会导致氢氟酸气化进入空气，对人体造成危害，回收氢氟酸和防止氢氟酸灼伤人体。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。