去除光刻胶的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种去除光刻胶的方法。

背景技术

在金属层例如铝、铜刻蚀后，金属侧壁聚合物淀积较重，在湿法清洗后，金属侧壁仍有部分聚合物残留，铝、铜导线易发生腐蚀反应，影响产品质量。

为解决上述问题，需要提出一种新型的去除光刻胶的方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种去除光刻胶的方法，用于解决现有技术中在金属层例如铝、铜刻蚀后，金属侧壁聚合物淀积较重，在湿法清洗后，金属侧壁仍有部分聚合物残留，铝、铜导线易发生腐蚀反应，影响产品质量的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种去除光刻胶的方法，包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有金属层，在所述金属层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得部分所述金属层裸露，之后刻蚀裸露的金属层形成凹槽，所述凹槽的侧壁形成有聚合物；

步骤二、利用氮气吹扫所述凹槽侧壁的聚合物，之后利用灰化工艺去除部分所述光刻胶层；

步骤三、重复步骤二中的方法至所述光刻层去除，之后清洗所述衬底。

优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅衬底。

优选地，步骤一中的所述金属层的材料为铝或铜中的至少一种。

优选地，步骤一中所述刻蚀的方法为干法刻蚀。

优选地，步骤二中所述利用氮气吹扫所述凹槽侧壁的聚合物的方法包括：在去胶机台的工艺腔中通入所述氮气，所述去胶机台中的射频源为关闭状态，通入所述氮气的时间为20至60秒，所述工艺腔中的压力为1至10torr,所述工艺腔中的温度为240至260摄氏度，所述氮气的气体流量为200至1000sccm。

优选地，步骤二中利用湿法刻蚀去除部分所述光刻胶层的方法包括：在所述工艺腔中通入水溶液清洗所述衬底；在所述工艺腔中通入氧气、氮气、水溶液清洗所述衬底。

如上所述，本发明的去除光刻胶的方法，具有以下有益效果：

本发明通过在去胶前增加氮气吹扫，可以改善湿法清洗后金属导线侧壁聚合物残留。

附图说明

图1显示为本发明的工艺流程示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1，本发明提供一种去除光刻胶的方法，包括：

步骤一、提供衬底，衬底上形成有金属层，在金属层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得部分金属层裸露，之后刻蚀裸露的金属层形成凹槽，凹槽的侧壁形成有聚合物；

在一些实施例中，步骤一中的衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。SOI衬底包括位于作为SOI衬底的有源层的薄半导体层下方的绝缘体层。有源层的半导体和块状半导体通常包括晶体半导体材料硅，但也可以包括一种或多种其他半导体材料，诸如锗、硅锗合金、化合物半导体(例如，GaAs、AlAs、InAs、GaN、AlN等)或其合金(例如，GaxAl1-xAs、GaxAl1-xN、InxGa1-xAs等)、氧化物半导体(例如，ZnO、SnO2、TiO2、Ga2O3等)或其组合。半导体材料可以是掺杂的或未掺杂的。可以使用的其他衬底包括多层衬底、梯度衬底或混合取向衬底。

在一些实施例中，步骤一中的金属层的材料为铝或铜中的至少一种，例如通过刻蚀铝层或铜层形成铝导线或铜导线。

在一些实施例中，蚀刻工艺是干蚀刻工艺。在一些实施例中，蚀刻工艺是湿蚀刻工艺。在一些实施例中，蚀刻工艺是选择性蚀刻工艺，以最小化在芯开口的形成期间对衬底的损坏。

步骤二、利用氮气吹扫凹槽侧壁的聚合物，之后利用灰化工艺去除部分光刻胶层；

在一些实施例中，步骤二中利用氮气吹扫凹槽侧壁的聚合物的方法包括：在去胶机台的工艺腔中通入氮气，通入氮气的时间为20至60秒，例如20秒、30秒、40秒、50秒、60秒，工艺腔中的压力为1至10torr,例如1torr、2torr、3torr、4torr、5torr、6torr、7torr、8torr、9torr、10torr，工艺腔中的温度为240至260摄氏度，工艺腔中的优选温度为250摄氏度，氮气的气体流量为200至1000scc,，例如200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm、1000sccm。

在一些实施例中，步骤二中利用灰化工艺去除部分光刻胶层包括：在工艺腔中通入水蒸气，去胶机台中的射频源为开启状态，工艺腔中的温度为240至260摄氏度，工艺腔中的优选温度为250摄氏度；之后在工艺腔中通入氧气、氮气、水蒸气，去胶机台中的射频源为开启状态，工艺腔中的温度为240至260摄氏度，工艺腔中的优选温度为250摄氏度。

步骤三、重复步骤二中的方法至光刻层去除，之后清洗衬底。即利用氮气吹扫凹槽侧壁的聚合物；在工艺腔中通入水蒸气，去胶机台中的射频源为开启状态；之后在工艺腔中通入氧气、氮气、水蒸气，去胶机台中的射频源为开启状态，为一个循环，每次循环可去除部分厚度的光刻胶层，通过多个循环可将光刻胶层去除，并改善湿法清洗后金属导线侧壁聚合物残留的问题。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

综上所述，本发明通过在去胶前增加氮气吹扫，可以改善湿法清洗后金属导线侧壁聚合物残留。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。