一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置及方法

技术领域

本申请属于多晶硅废水处理领域，尤其涉及一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置。

背景技术

多晶硅是太阳能光伏材料的重要原料，多晶硅主要采用多线切割技术，在切割过程中约50％的硅料混进由聚乙二醇切削液和碳化硅粉磨料组成的切削液中，使得切削液中微粉的组成、粒径、硬度均不满足标准，造成切削性能下降，不能重复利用，因此在切割过程中需要不断地排出旧切削液，并不断补充新切削液，这样就产生了大量的切割废水。

目前，对于上述的多晶硅生产废水的处理，多采用混合加药、絮凝沉淀工艺先将废水中悬浮物去除，再将得到的总溶解固体含量在50000～70000mg/L的高盐废水排向园区或市政污水处理厂进行深度处理。

现有的沉淀池浮渣去除装置主要采用传动刮泥机，主要由工作桥、驱动装置、中心支座、刮泥板、稳流筒、浮渣刮板等组成，驱动装置带动水面浮渣刮板及底部的刮泥板做圆周运动，浮渣刮板缓慢聚集水面的浮渣形成渐缩区域，浮渣经过排出筒排出池外，但是，现有的传动刮泥机装置维护成本高，设备投用成本大，对于未设计安装传动刮泥机的沉淀池后续改造难度较大，费用较高。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的缺陷，本申请的目的在于提供一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置及方法，降低传统浮渣分离装置的改造难度和改造成本，同时节省人工打捞作业量，避免人工打捞风险。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置，包括沉淀池和污水进水管，沉淀池的内壁设置有清水流道，沉淀池的中央设置有筒状的污水挡板，污水挡板的底部与沉淀池的内壁固定连接，污水挡板的底部为镂空结构，污水挡板的外壁固定连接浮渣流道，浮渣流道的底部高于清水流道的顶部，浮渣流道的顶部高于污水挡板的顶部且低于沉淀池的顶部。

进一步地，浮渣流道的底部设置有浮渣出水管。

进一步地，清水流道的底部设置有清水出水管。

进一步地，清水出水管上设置有第一阀门。

进一步地，污水进水管的管口位于污水挡板的中央。

进一步地，污水进水管上设置有第二阀门。

进一步地，沉淀池的底部设置有泥浆出口管。

另一方面，本发明公开了一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离方法，所述分离方法基于上述装置。

进一步地，通过调节第二阀门，使沉淀池的液面高于清水流道的顶部低于污水挡板的顶部，浮渣被污水挡板阻挡，清水绕污水挡板的底部流入清水流道，开启第一阀门，使清水从清水出水管流出。

进一步地，通过关闭第一阀门，调节第二阀门，使沉淀池的液面高于污水挡板的顶部低于污水流道的顶部，浮渣流入浮渣流道槽，从浮渣出水管流出。

本申请的技术效果和优点：

本申请通过在现有的沉淀池增设污水挡板、清水流道和污水流道，利用阀门控制污水进水管和清水出水管的流量进而控制沉淀池内的液面高度，实现浮渣和清水分离排放，相较于传动刮泥机改造难度低，成本低，节省人工打捞作业量，避免人工打捞风险。分离后的浮渣出水量远低于沉淀池的清水出水量，将后端的过滤工序变得灵活多样，在浮渣出水量较低的情况下，后端的过滤工序可以仅通过滤网过滤的形式完成，避免了后端工序采用大流量的过滤设备。

本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本申请的一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，本申请提供了一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离装置，包括沉淀池和污水进水管，沉淀池的内壁设置有清水流道，沉淀池的中央设置有筒状的污水挡板，污水挡板的底部与沉淀池的内壁固定连接，污水挡板的底部为镂空结构，污水挡板的外壁固定连接浮渣流道，浮渣流道的底部高于清水流道的顶部，浮渣流道的顶部高于污水挡板的顶部且低于沉淀池的顶部。

在本发明的一些实施例中，浮渣流道的底部设置有浮渣出水管，用于排出浮渣流道中的浮渣。

在本发明的一些实施例中，清水流道的底部设置有清水出水管，用于排出清水流道中的清水。

在本发明的一些实施例中，清水出水管上设置有第一阀门，用于控制清水出水管的流量。

在本发明的一些实施例中，污水进水管的管口位于污水挡板的中央，确保浮渣随污水隔离在污水挡板内部，增强分离效果。

在本发明的一些实施例中，污水进水管上设置有第二阀门，用于控制污水流量，配合第一阀门控制污水池的液面高度。

在本发明的一些实施例中，沉淀池的底部设置有泥浆出口管，用于排出沉淀池底部沉降的泥浆。

第二方面，本申请公开了一种多晶硅废水沉淀池浮渣分离方法，所述分离方法基于上述装置。

在本发明的一些实施例中，通过调节第二阀门，使沉淀池的液面高于清水流道的顶部低于污水挡板的顶部，浮渣被污水挡板阻挡，清水绕污水挡板的底部流入清水流道，开启第一阀门，使清水从清水出水管流出。

在本发明的一些实施例中，通过关闭第一阀门，调节第二阀门，使沉淀池的液面高于污水挡板的顶部低于污水流道的顶部，浮渣流入浮渣流道槽，从浮渣出水管流出。

本申请的工作原理如下：

多晶硅废水通过污水进水管进入污水挡板的中心位置，废水从中心区域向着沉淀池圆周的边缘区域辐射流动，辐射流动的过程中，废水中的杂质、悬浮物等在重力的作用下进行自然沉降，最终通过沉淀池底部的泥浆出口管排出进行后续工艺处理，与此同时，辐射流动的过程中，废水中的漂浮杂质在浮力的作用下逐步向上浮起形成水面浮渣。

通过在污水进水管设置第二阀门，在清水出水管设置第一阀门，从而控制沉淀池的进水和出水速度和液面高度，安装在污水挡板外侧的浮渣流道的底部高于清水流道的顶部，浮渣流道的顶部高于污水挡板的顶部，当液面高度在清水流道的顶部到污水挡板的顶部之间时，清水在重力作用下从污水挡板的底部镂空结构绕过，流入清水流道中，而浮渣被阻隔在污水挡板内侧，当液面高度在污水挡板的顶部到浮渣流道的顶部之间时，浮渣从水面越过污水挡板进入浮渣流道，从浮渣出水管排出。

最后应说明的是：以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。