OLED器件及其制备方法、显示面板

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种OLED器件及其制备方法、显示面板。

OLED(Organic Light-Emitting Diode，OLED)区别于传统的LCD产品，无需外部背光源驱动，其基本发光原理为，电流流过EL发光材料，产生电致发光。因此OLED显示装置具有更轻、更薄，可视角度更大的优势。

柔性OLED产品常见EL结构包括RGB三种EL发光层，在EL层下方通常采用包含HTL层和HIL层的公共层串接起来，相关技术中，OLED器件在工作过程中存在公共层发生横向漏电问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种OLED器件及其制备方法、显示面板。

根据本公开的一个方面，提供一种OLED器件，包括：基板；阳极层和像素界定层，位于所述基板的一侧，所述像素界定层包括多个像素界定结构，相邻所述像素界定结构限定出像素单元；第一有机层，覆盖所述阳极层和所述像素界定层；发光层，位于所述第一有机层背离所述基板的一侧，且位于所述像素单元内；阴极层，覆盖所述发光层和所述第一有机层；其中，所述第一有机层包括至少一个开口槽。

在本公开的示例性实施例中，所述像素界定结构包括第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，所述第三侧壁连接于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间；所述第一有机层包括第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所 述第一延伸部、所述第二延伸部、所述第三延伸部与所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁一一相对设置；所述开口槽位于所述第一延伸部，和/或位于所述第二延伸部，和/或位于所述第三延伸部。

在本公开的示例性实施例中，所述开口槽内具有绝缘设置的修饰层。

在本公开的示例性实施例中，所述修饰层的厚度与同一位置处所述第一有机层的厚度之比大于等于1/9且小于等于4/5。

在本公开的示例性实施例中，所述修饰层的大于等于

在本公开的示例性实施例中，所述修饰层的延伸长度和与其相对的所述像素界定结构的侧壁长度之比大于等于1/10且小于等于1。

在本公开的示例性实施例中，所述修饰层的材料为SiO

在本公开的示例性实施例中，所述修饰层的表面能小于所述像素界定层的表面能。

在本公开的示例性实施例中，所述阳极层在所述基板的正投影与相邻所述像素界定结构在所述基板的正投影部分交叠，且所述阳极层在所述基板的正投影覆盖所述发光层在所述基板的正投影；其中，所述开口槽在所述基板的正投影与任意所述发光层在所述基板的正投影不交叠。

在本公开的示例性实施例中，所述开口槽朝向所述像素界定结构开放或者背离所述像素界定结构开放。

在本公开的示例性实施例中，所述开口槽的数量为一个，一个所述开口槽位于所述第一有机层的第一延伸部，所述开口槽内具有绝缘设置的修饰层，且所述修饰层在所述基板的正投影覆盖所述像素界定结构的第三侧壁在所述基板的正投影。

根据本公开的第二方面，还提供一种OLED器件的制备方法，用于制备本公开任意实施例所述的OLED器件，所述方法包括：提供一基板；在所述基板上形成阳极层和像素界定层；在所述像素界定层上形成缓冲层；利用构图工艺对所述缓冲层和所述像素界定层进行图案化处理，形成像素界定结构和位于所述像素界定结构上的缓冲结构；在所述像素界定结构和所述缓冲结构上形成第一有机层；利用刻蚀工艺刻蚀掉所述缓 冲结构，形成开口槽；在所述第一有机层上形成阴极层。

根据本公开的第二方面，还提供一种OLED器件的制备方法，用于制备本公开实施例所述的OLED器件，所述方法包括：提供一基板；在所述基板上形成阳极层和像素界定层；在所述像素界定层上形成缓冲层；利用构图工艺对所述缓冲层和所述像素界定层进行图案化处理，形成像素界定结构和修饰层；在所述像素界定结构和所述修饰层上形成第一有机层；在所述第一有机层上形成阴极层。

在本公开的示例性实施例中，所述在所述像素界定层上形成缓冲层，包括：使用化学气相沉积工艺在所述像素界定层上沉积第一材料，形成缓冲层。

在本公开的示例性实施例中，在形成所述缓冲层之后，所述方法还包括：使用低表面能修饰工艺修饰所述缓冲层，使得所述缓冲层的表面能低于所述像素界定层的表面能。

在本公开的示例性实施例中，所述使用低表面能修饰工艺修饰所述缓冲层，包括：将所述缓冲层侵入预设溶液预设时长；在预设温度下对所述缓冲层进行干燥处理。

在本公开的示例性实施例中，所述缓冲层的材料为SiO

在本公开的示例性实施例中，所述在所述像素界定层上形成缓冲层，包括：使用离子注入工艺对所述像素界定层的表面进行负离子掺杂，形成所述缓冲层。

根据本公开的第三方面，还提供一种显示面板，包括本公开任意实施例所述的OLED器件。

本公开提供的OLED器件，通过在第一有机层设置开口槽，在开口槽位置，第一有机层的厚度减薄而形成高阻区，该高阻区可以阻断横向 电流从一个像素单元流向另一像素单元，从而解决因为横向漏电而引起的串扰不良问题。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为根据本公开一种实施方式的OLED器件的结构示意图；

图2为图1中一个像素界定结构的结构示意图；

图3为图1中一个像素界定结构中开口槽的分布示意图；

图4为图1中另一像素界定结构中开口槽的分布示意图；

图5为根据本公开另一种实施方式的OLED器件的结构示意图；

图6为根据本公开一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图；

图7为根据本公开又一种实施方式的OLED器件的结构示意图；

图8为根据本公开另一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图；

图9为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图；

图10为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图；

图11为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图；

图12为根据本公开一种实施方式在基板上形成阳极层和像素界定层的结构示意图；

图13为根据本公开一种实施方式形成缓冲层的结构示意图；

图14为根据本公开一种实施方式形成像素界定结构和缓冲结构的结构示意图；

图15为根据本公开一种实施方式的形成的第一有机层的结构示意图；

图16为根据本公开一种实施方式的形成开口槽的结构示意图；

图17为根据本公开一种实施方式形成的OLED器件的结构示意图；

图18为根据本公开一种实施方式进行表面能修饰的示意图；

图19a为根据本公开一种实施方式形成缓冲层的工艺示意图；

图19b为根据图19a所示工艺形成的缓冲层的结构示意图；

图20为根据本公开一种实施方式形成像素界定结构和修饰层的结构示意图；

图21为根据本公开一种实施方式形成第一有机层的结构示意图；

图22为根据本公开一种实施方式形成的OLED器件的结构示意图。

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

图1为根据本公开一种实施方式的OLED器件的结构示意图，如图1所示，该OLED器件可以包括基板100、阳极层200和像素界定层300、第一有机层400、发光层500，阳极层200和像素界定层300位于基板100的一侧，像素界定层300包括多个像素界定结构，相邻像素界定结构限定出像素单元；第一有机层400覆盖阳极层200和像素界定层300；发光层500位于第一有机层400背离基板100的一侧，且位于像素单元内；其中，第一有机层400包括至少一个开口槽410。

本示例性实施例提供的OLED器件，通过在第一有机层400设置开口槽410，在开口槽410位置，第一有机层400的厚度减薄而形成高阻 区，该高阻区可以阻断横向电流从一个像素单元流向另一像素单元，从而解决因为横向漏电而引起的串扰不良问题。

如图1所示，本示例性实施例中，第一有机层400可以包括空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。可以理解的是，OLED器件还可以包括第二有机层600和阴极层700，第二有机层600可以覆盖第一有机层400和发光层500，第二有机层600可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在此基础上，阴极层700可以覆盖第二有机层600，通过在阴极层700和阳极层200之间施加一定的电压，为发光层500提供一定的驱动电流而驱动发光层500发光。本示例性实施例中，阳极层200的材料可以包括透明导电材料或者半透明导电材料，例如：ITO、Ag、NiO、Al或者石墨烯。阴极层700的材料可以包括金属或者金属的组合物，例如：Al、Mg、Ca、Ba、Na、Li、K和Ag中之一或者其任意组合物。

如图1所示，本示例性实施例中，像素界定层300可包括多个像素界定结构310，多个像素界定结构310沿像素的排列方向间隔分布，相邻的两个像素界定结构310限定出一个像素单元。像素单元可以包括R像素单元、G像素单元和B像素单元等。如图1所示，像素界定层300的厚度大于阳极层200的厚度。像素界定层300在基板100上的正投影与阳极层200在基板100上的正投影至少部分交叠。本示例性实施例中，像素界定层300可采用有机材料如光刻胶等制成。当然，在其他示例性实施例中，像素界定层300也可以采用有机材料+无机材料制成，如使用光刻胶形成像素界定层的主体结构，再在主体结构的表面使用无机材料如SiO2、SiNx等制成薄层而得到完整的像素界定层300。

如图1所示，本示例性实施例中，通过在第一有机层400设置开口槽410，可以减小第一有机层400的厚度，相当于减小了导体的横截面积，从而该区域的第一有机层400形成高阻区而阻断横向电流从一个像素单元流向另一像素单元，由此而解决横向电流串扰问题。此外，需要注意的是，因为像素单元中的电流是从阳极流向阴极，因此在第一有机层400设置开口槽410阻断漏电流后，即不会存在漏电流流过相邻像素单元的发光层500，因此不会造成漏电串扰，因此，本公开无需在第二 有机层600设置开口槽结构。

本示例性实施例中，像素界定结构310可以具有不同的图形结构。示例性的，图2为图1中一个像素界定结构的结构示意图，如图1、图2所示，像素界定结构310可以包括第一侧壁311、第二侧壁312和第三侧壁313，第三侧壁313连接于第一侧壁311和第二侧壁312之间，相对应的，第一有机层400可以包括第一延伸部421、第二延伸部422和第三延伸部423，第三延伸部423连接于第一延伸部421和第二延伸部422之间，并且第一延伸部421与像素界定结构310的第一侧壁311相对应，第二延伸部422与像素界定结构310的第二侧壁312相对应，第三延伸部423与像素界定结构310的第三侧壁313相对应。第一侧壁311和第二侧壁312可以具有一定的坡度角，第三侧壁313平行于基板100，换言之，第一侧壁311和第二侧壁312可以形成一坡面，第三侧壁313形成连接两个坡面的水平面，相对应的，第一延伸部421和第二延伸部422位于坡面上，第三延伸部423位于水平面上。应该理解的是，这里所述的水平面是指平行于基板100的平面，其是相对于坡面而言的一相对概念，而非指绝对的水平面。

本示例性实施例中，开口槽410的数量可以为一个或多个，当开口槽410的数量为多个时，多个开口槽410可以沿第一有机层400的延伸方向间隔分布。并且，当开口槽410为多个时，各个开口槽410的形状、大小可以相同或不同，本公开不以此为限。本示例性实施例中，某一结构A沿B方向延伸是指，A可以包括主要部分和与主要部分连接的次要部分，主要部分为线、线段或条形状体，主要部分沿B方向伸展，且主要部分沿B方向伸展的长度大于次要部分沿其他方向伸展的长度。

图3为图1中一个像素界定结构中开口槽的分布示意图，图4为图1中另一像素界定结构中开口槽的分布示意图。本示例性实施例中，多个开口槽410可以如图3所示分布于第一有机层400的不同延伸部，例如，多个开口槽410可以位于第一有机层400的第一延伸部421和/或第二延伸部422和/或第三延伸部423，换言之，开口槽410可以全部分布于像素界定结构310的坡面上，或者部分分布于像素界定结构310的坡面上，部分分布于像素界定结构310的水平面上。或者，如图4所示， 多个开口槽410可以位于第一有机层400的同一延伸部，如同位于第一延伸部421或第二延伸部422或第三延伸部423，即多个开口槽410均分布于像素界定结构310的破面上或者均分布于像素界定结构310的水平面上。或者，第一有机层400可以如图2所示仅包括一个开口槽410，该一个开口槽410可以位于第一有机层400的第一延伸部421或位于第二延伸部422或位于第三延伸部423，即一个开口槽410可以位于像素界定结构310的坡面上或者位于像素界定结构310的水平面上，本公开不以此为限。可以理解的是，当第一有机层400仅包括一个开口槽410且该开口槽410位于像素界定结构310的水平面上时，可以降低形成开口槽410的工艺难度，且不易在OLED器件的像素开口形成残留，不会影响OLED器件的正常发光。

图5为根据本公开另一种实施方式的OLED器件的结构示意图，如图5所示，在本公开的一些实施例中，开口槽410还可以贯穿第一有机层400，即将第一有机层400隔断，相当于第一有机层400被多个开口槽410隔断为多个离散结构，任意相邻的像素单元对应的两个第一有机层结构不连接。应该理解的是，图5所示OLED器件可以具有图1中OLED器件除开口槽的凹陷深度之外的全部特征。

本示例性实施例中，开口槽410可以具有不同的形状。示例性的，如图1所示，开口槽410可以为长方体，即沿着开口槽410的深度方向，开口槽410的各横截面为面积相同的矩形。例如，如图4所示，开口槽410位于第一有机层400的第三延伸部423，开口槽410为长方体，则开口槽410在基板100的正投影为一矩形。图6为根据本公开一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图，如图6所示，开口槽410可以为梯形结构，即沿着开口槽410的深度方向，开口槽410的各横截面为面积逐渐增加或逐渐减小的矩形。例如，开口槽410位于第一有机层400的第三延伸部423，此时，开口槽410在基板100的正投影为同心且面积不同的多个矩形。当然，在其他示例性实施例中，开口槽410的还可以具有其他的结构，例如，开口槽410还可以为圆柱形，圆台形，锥形等。此外，开口槽410的侧壁还可以为曲面，例如，开口槽410与第一有机层400的接触面可以为锯齿形等，这些都属于本公开的保护范围。

考虑到第一有机层400的厚度较薄，在较薄的第一有机层400上制备开口槽410的工艺难度较大，为了简化工艺难度，本示例性实施例中，开口槽410内可以包括有修饰层430，该修饰层430可以对第一有机层400起到一定的支撑作用，防止第一有机层400以及位于第一有机层400上的其他膜层在开口槽410处塌陷变形而影响OLED器件的性能，并且当开口槽410内包括修饰层430时，可以简化工艺难度。可以理解的是，修饰层430绝缘设置，即第一有机层400的横向电流无法通过该修饰层430。示例性的，图7为根据本公开又一种实施方式的OLED器件的结构示意图，如图7所示，本示例性实施例中，修饰层430位于开口槽410内且与开口槽410的各个槽壁均接触，且修饰层430的形状匹配于开口槽410的形状。本示例性实施例中，可将修饰层430的表面能设置为小于像素界定层300的表面能，再通过沉积工艺在修饰层430的位置形成一层较薄的第一有机层400，有关开口槽410以及修饰层430的形成可参见后续制备方法实施例的介绍，此处不再展开。

应该理解的是，在其他示例性实施例中，修饰层430也可以与开口槽410的槽壁部分接触，和/或修饰层430与开口槽410的形状不匹配等，本公开不以此为限。

应该理解的是，本示例性实施例中，开口槽410和修饰层430的形成顺序可根据制备工艺具体确定，例如，可以先形成修饰层430，再在修饰层430上形成第一有机层400，使得第一有机层400具有开口槽结构，当然，在其他示例性实施例中，还可以通过其他工艺先在第一有机层400形成开口槽410，再在开口槽410内形成修饰层430，本公开不以此为限。

本示例性实施例中，修饰层430的材料可以为SiO

如图7所示，本示例性实施例中，开口槽410具有一定的凹陷深度，修饰层430的厚度可以与开口槽410的凹陷深度相同，并可以根据第一有机层400的整体厚度调节开口槽410的凹陷深度。开口槽410的凹陷 深度可以理解为开口槽410沿垂直于像素界定结构310的侧壁的方向凹陷的深度。本示例性实施例中，开口槽410的凹陷深度与同一位置处的第一有机层400的厚度之比可以为大于等于1/9且小于等于4/5，例如可以为1/9，2/9，1/3，4/9，5/9，2/3，7/9，4/5等。这里，同一位置的第一有机层400可以理解为，沿垂直于开口槽410所在像素界定结构310的侧壁的方向正对开口槽410的部分第一有机层400，例如，当开口槽410位于像素界定结构310的坡面时，与开口槽410处于同一位置的第一有机层400即为沿垂直于像素界定结构310的坡面的方向与开口槽410正对的部分第一有机层400；或者当开口槽410位于像素界定结构310的水平面时，与开口槽410处于同一位置的第一有机层400即为沿垂直于基板100的方向与开口槽410正对的部分第一有机层400。换言之，本示例性实施例中，开口槽410的凹陷深度与第一有机层400的总厚度之比可以为50％～90％，例如可以为50％，60％，70％，80％，90％等。这里所述的第一有机层400的总厚度是指开口槽410的凹陷深度与对应开口槽410位置的第一有机层400的厚度之和，或者是未开设开口槽410位置的第一有机层400的厚度。本示例性实施例基于上述的比例关系设定开口槽410的凹陷深度，可以通过开口槽410充分地减薄对应位置的第一有机层400的厚度，使得第一有机层400呈现为高阻区，实现阻断第一有机层400中的横向电流的目的。若开口槽410的凹陷深度过大，则可能无法在开口槽410的位置形成第一有机层400，即开口槽410会将第一有机层400隔断；若开口槽410的凹陷深度过小，则在开口槽410位置的第一有机层400的厚度过大而无法形成高阻区，从而降低对电流的阻断效果。在一些实施例中，所述开口槽410的凹陷深度大于等于

图8为根据本公开另一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图，如图8所示，本示例性实施例中，开口槽410的开口长度和与其相对的像素界定结构310的侧壁长度之比大于等于1/10且小于等于1，换言之，修饰层430的延伸长度和与其相对的像素界定结构310的侧壁 长度之比可以为大于等于1/10且小于等于1，可以理解的是，当开口槽410的尺寸过小时，工艺要求相对较高，本示例性实施例基于上述比例关系形成开口槽410可以降低工艺难度。示例性的，开口槽410的开口长度为L1，开口槽410所在的像素界定结构310的侧壁的长度为L2，L1/L2可以为1/10，1/5，3/10，2/5，1/2，3/5，7/10，4/5，9/10，1等。当开口槽410的开口长度与像素界定结构310的侧壁长度之比为1时，此时，开口槽410的开口长度与像素界定结构310的侧壁长度相同，此时可进一步简化工艺步骤，降低工艺难度。本示例性实施例中，开口槽410的开口长度是指开口槽410沿开口槽410所在的像素界定结构310的侧壁的长度方向的开口长度。例如，如图8所示，开口槽410位于像素界定结构310的水平面，开口槽410的开口长度即为开口槽410在该水平面的延伸方向上的开口长度。图9为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图，如图9所示，开口槽410位于像素界定结构310的坡面上，开口槽410的开口长度即为开口槽410在该坡面的延伸方向上的开口长度。

本示例性实施例中，开口槽410可以朝向像素界定结构310的一侧开放或者朝向背离像素界定结构310的一侧开放。图10为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图，如图10所示，开口槽410朝向像素界定层300开放，即开口槽410的开口向下正对像素界定结构310。此结构下，当开口槽410内具有修饰层430时，修饰层430相当于是位于像素界定结构310的侧壁上，此结构可利用现有的蒸镀工艺在修饰层430上蒸镀形成第一有机层400，使得第一有机层400在修饰层430处的厚度比其他位置的厚度薄而形成高阻区。图11为根据本公开又一种实施方式的OLED器件中部分结构的结构示意图，如图11所示，开口槽410还可以朝向背离像素界定层300的一侧开放，即开口槽410的开口向上背离像素界定结构310。此结构下，当开口槽410内具有修饰层430时，修饰层430是第一有机层400接触而与像素界定结构310不接触。此结构可在形成第一有机层400后，再使用构图工艺在第一有机层400上形成开口槽410，并进一步在开口槽410内填充绝缘材料而形成修饰层430。例如，可以采用半刻蚀工艺或者离子刻蚀工艺 刻蚀出开口槽410。应该理解的是，不管开口槽410是朝向像素界定结构310开放还是背离像素界定结构310开放，均可以减小第一有机层400的厚度而使得第一有机层400具备高阻区而阻断横向电流，达到防止横向漏电流串扰的目的。

本公开还提供一种OLED器件的制备方法，用于制备本公开任意实施例所述的OLED器件，该OLED器件的制备方法可以包括如下步骤：

S110、提供一基板；

S120、在基板上形成阳极层和像素界定层；

S130、在像素界定层上形成缓冲层；

S140、利用构图工艺对缓冲层和像素界定层进行图案化处理，形成像素界定结构以及位于像素界定结构上的缓冲结构；

S150、在像素界定结构和缓冲结构上形成第一有机层；

S160、利用刻蚀工艺刻蚀掉所述缓冲结构；

S170、在所述第一有机层上形成阴极层。

其中，基板100可以为玻璃基板。阳极的材料可包括透明导电材料或者半透明导电材料，例如：ITO、Ag、NiO、Al或者石墨烯。

图12为根据本公开一种实施方式在基板上形成阳极层和像素界定层的结构示意图，如图12所示，在步骤S120中所形成的像素界定层300可以覆盖阳极层200。像素界定层300可采用有机材料如光刻胶等制成，或者采用有机材料+无机材料制成，如使用光刻胶形成像素界定层的主体结构，再在主体结构上使用无机材料如SiO2、SiNx等形成表面薄层，得到完整的像素界定层。示例性的，在形成有阳极层200的基板100上进行有机光刻胶材料的涂布，涂布方法可包括狭缝式涂布、旋涂等，其中，有机光刻胶材料的厚度高于阳极层200的高度，对有机光刻胶材料进行半刻蚀或者离子刻蚀，去除阳极层200表面的有机材料层，从而形成像素界定层300。

图13为根据本公开一种实施方式形成缓冲层的结构示意图，如图13所示，在步骤S130中，可使用光解材料或者热解材料形成缓冲层800，并在缓冲层800的预设位置开设气孔，以便在步骤S160中刻蚀掉所形成的缓冲结构440。

图14为根据本公开一种实施方式形成像素界定结构和缓冲结构的结构示意图，如图14所示，在步骤S140中，构图工艺可以包括曝光显示工艺(Exposure Developer)。利用构图工艺可形成多个像素界定结构310以及位于像素界定结构310上的缓冲结构440。多个像素界定结构310在像素界定层300的延伸方向上间隔分布，相邻的两个像素界定结构310用于限定出一个像素单元，可在后续步骤在像素单元内形成发光层500。如上述实施例所述，缓冲结构440可以位于像素界定结构310的顶部的水平面上，或者位于像素界定结构310侧部的坡面上，并且缓冲结构440的形状及其延伸长度可以与像素界定结构310对应位置的侧壁的形状以及延伸长度相适配。以在像素界定结构310的顶部形成缓冲结构440为例，可通过构图工艺在像素界定结构310的顶部形成一长方体形的缓冲结构440，并且该缓冲结构440的长度与像素界定结构310的顶部长度相同。

图15为根据本公开一种实施方式的形成的第一有机层的结构示意图，如图15所示，在步骤S150中可使用蒸镀工艺在像素界定结构310和缓冲结构440上形成第一有机层400，包括分别蒸镀空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)。

图16为根据本公开一种实施方式的形成开口槽的结构示意图，如图16所示，在步骤S160中，可使用刻蚀工艺刻蚀掉缓冲结构440，从而在缓冲结构440的位置形成一开口槽。示例性的，缓冲层800可以使用光解或者热解材料，并在缓冲层800的固定位置开气孔，在形成第一有机层后，可使用例如飞秒激光工艺刻蚀掉缓冲结构440，而使得第一有机层具有一开口槽，且不会损坏第一有机层。应该理解的是，在其他示例性实施例中，还可以采用其他的工艺形成具有开口槽的第一有机层，本公开不以此为限。

图17为根据本公开一种实施方式形成的OLED器件的结构示意图，如图17所示，步骤S150是要形成阴极层，可以理解的是，OLED器件通常还包括第二有机层600，第二有机层600可以覆盖第一有机层400和发光层500，第二有机层600可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在此基础上，可在第二有机层600上形成阴极层700。本示 例性实施例中，阴极层700的材料可以包括金属或者金属的组合物，例如：Al、Mg、Ca、Ba、Na、Li、K和Ag中之一或者其任意组合物。

本公开通过在第一有机层上形成开口槽410，该开口槽410可以减小第一有机层的厚度而使得第一有机层具有高阻区，该高阻区可以阻断横向电流，从而可以解决横向漏电引起的串扰不良问题。

本公开还提供另一种OLED器件的制备方法，本示例性实施例与上述实施例制备方法的不同之处在于，本示例性实施例是要在开口槽内形成缓冲层，形成缓冲层的材料与上述实施例不同，并且本示例性实施例还需要形成修饰层。该OLED器件的制备方法可以包括如下步骤：

S210，提供一基板；

S220、在基板上形成阳极层和像素界定层；

S230、在像素界定层上形成缓冲层；

S240、利用构图工艺对缓冲层和像素界定层进行图案化处理，形成像素界定结构以及位于像素界定结构上的修饰层；

S250、在像素界定结构和修饰层上形成第一有机层；

S260、在所述第一有机层上形成阴极层。

其中，步骤S210-步骤S230可参见上述实施例的介绍，所形成的缓冲层的结构可参见图13。本示例性实施例中用于形成缓冲层的材料与上述实施例所使用的材料不同。具体而言，在步骤S230中，可采用化学气相沉积工艺(CVD)在像素界定层300上沉积第一材料而得到缓冲层800。第一材料例如可以为SiO

或者，还可以采用离子注入工艺使用第二材料对像素界定层300的表面进行掺杂处理，形成缓冲层800，所形成的缓冲层800同样具有表面能低于像素界定层300的表面能的特性。示例性的，图19a为根据本公开一种实施方式形成缓冲层的工艺示意图，图19b为根据图19a所示工艺形成的缓冲层的结构示意图，如图19a、图19b所示，可在像素界定层的表面使用第二材料进行掺杂工艺形成缓冲层800，第二材料可以为电负性粒子材料，例如可以为F-氟离子，可以使用离子注入法对像素界定层300进行F-氟离子掺杂处理，形成缓冲层800。因为氟离子电负性大，更容易束缚材料表面的电子，使得材料表面的电子更难和外来的活性基团结合，从而可以在该位置蒸镀出较薄的第一有机层。应该理解的是，第二材料还可以为其他的电负性离子材料。

图20为根据本公开一种实施方式形成像素界定结构和修饰层的结构示意图，如图20所示，步骤S240是要通过构图工艺形成像素界定结构310和修饰层430，修饰层430即是对缓冲层800进行刻蚀后所形成的结构。可以理解的是，所形成的像素界定结构310以及修饰层430可与图14中的像素界定结构310和缓冲结构440具有类似结构，此处不再赘述。

图21为根据本公开一种实施方式形成第一有机层的结构示意图，如图21所示，在步骤S250中，第一有机层400可通过蒸镀工艺形成。例如，分别蒸镀空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)。显然，因为修饰层430的存在，在形成第一有机层400的过程中，由于修饰层430的表面能低于像素界定结构310的表面能，第一有机层400的蒸镀微粒在修饰层430的附着力减弱，沉积厚度减薄，形成高阻区，即对应修饰层430的位置第一有机层400的厚度要比没有修饰层430的第一有机层400的 厚度要小。同样地，当步骤S230中采用离子注入工艺对像素界定层300的表面进行掺杂处理形成缓冲层800时，因为掺杂的氟离子形成的缓冲层800的表面能低于像素界定结构310的表面能，从而在蒸镀第一有机层400时，可实现第一有机层400的差异化沉积，即在低表面能的修饰层430上形成较薄的第一有机层400，形成高阻区。

本示例性实施例通过在像素界定结构310上形成修饰层430，修饰层430的表面能低于像素界定结构310的表面能，使得第一有机层400材料在蒸镀过程中发生差异化沉积，低表面能位置的第一有机层400的厚度较薄，即在修饰层430上形成较薄的第一有机层400，该较薄的第一有机层400形成高阻区，高阻区可以阻断电流，从而在OLED器件工作过程中，横向电流难以通过该高阻区，可以有效消除横向漏电串扰不良现象。

应该理解的是，在形成第一有机层400后，还可通过蒸镀工艺在像素单元内形成发光层500，以及形成阴极层700，阴极层700覆盖阳极层200以及第一有机层400，形成完整的OLED器件。

图22为根据本公开一种实施方式形成的OLED器件的结构示意图，如图22所示，步骤S260是要形成阴极层，如上述实施例所述，OLED器件通常还包括第二有机层600，第二有机层600可以覆盖第一有机层400和发光层500，第二有机层600可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在此基础上，可在第二有机层600上形成阴极层700。

应该理解的是，本示例性实施例中，阳极层的材料、像素界定层的材料、阴极层的材料可均与上述实施例相同，本实施例不再赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。