一种LED芯片加工方法

技术领域

本发明涉及芯片加工技术领域，更具体的是涉及LED芯片加工方法技术领域。

背景技术

LED芯片有晶圆加工而来，其加工过程涉及光刻切割等工艺，例如为了将晶圆片分割成单颗晶粒，需要进行切割，而 LED 芯片的尺寸为微米级，因此切割的过程中对精度的要求较高，同时切割质量的好坏将直接影响芯片的品质，尤其是元器件的可靠性。

另一方面，在激光切割时，由于激光束具有一定的宽度和能量，在进行正切的过程中，侧面由于激光能量的影响会被烧焦而导致芯片边缘的 GaN 炭化影响芯片内部光线的出光，因此激光切割过程中会对蓝宝石衬底的 GaN 基 LED 芯片的光电参数产生影响，导致芯片的光强衰减，同时激光切割还会由于激光对材料产生的热作用而带来的应力作用。

而LED芯片的光电参数是很重要的检测指标，为了保障生产质量，需要克服以上提到的缺点。

发明内容

本发明的目的在于：提升制造的LED芯片的出光效率、减小光强衰弱。为了解决上述技术问题，本发明提供一种LED芯片加工方法。

本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种LED芯片加工方法，包括以下步骤：

对晶圆进行预处理，进行表面光刻得到多个阵列分布的台面结构；

进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀，得到正面划片后的圆晶，正面划片后的圆晶上每个子区域包括一个台面结构，划片槽为子区域间的界限；

通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理，使得每个子区域获得具有金属镀层的正电极和负电极；

按照子区域进行拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试。

优选地，所述对晶圆进行预处理包括进行清洗操作。

优选地，所述进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀包括以下步骤：

通过PECVD工艺在晶圆的表面沉积一层

在

完成激光正切后去除正切保护胶；

通过高温热酸对正切后的黑色的激光烧痕进行热酸腐蚀；

去除晶圆的表面的

优选地，所述热酸腐蚀所采用的热酸为

优选地，所述

优选地，所述热酸腐蚀的温度为220-250摄氏度，腐蚀时间为15分钟。

优选地，所述去除晶圆的表面的

优选地，所述通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理包括以下步骤：

在每个所述子区域上预设正电极图形和负电极图形；

在所述正面划片后的晶圆的表面蒸镀ITO透明表面薄膜，在ITO透明表面薄膜的表面敷涂光刻胶，光刻胶不覆盖负电极图形；

在正电极图形处进行光刻得到ITO图形，ITO图形为比正电极图形直径小的圆形；

通过ITO腐蚀将ITO透明表面薄膜上光刻胶未覆盖的部分腐蚀掉，然后去掉ITO透明表面薄膜表面的光刻胶；

进行ITO退火；

进行氧化硅沉积，敷涂光刻胶，然后根据正电极图形和负电极图形进行光刻，接着去除光刻胶；

通过预清洗对正电极图形和负电极图形进行清洁；

在表面蒸镀电极金属，然后对正电极图形和负电极图形以外的部分进行金属剥离，得到有金属镀层的正电极和负电极；

进行金属退火。

优选地，所述拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试包括：

进行晶圆测试；

进行研磨抛光；

沿着所述划片槽进行崩裂，得到拆分出的单粒的LED芯片；

进行芯片测试。

本发明的有益效果如下：

本发明进行表面切割后对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀，本发明采用的热酸组分及作用条件可以有效去除黑色的激光烧痕，能够明显的提高芯片的亮度和良率；本发明划片、热酸腐蚀后得到的子区域的边缘平坦化，后续拆分得到的LED芯片边缘也平坦干净，更加有利于光线从芯片内部的散出；对光刻好的正电极图形和负电极图形进行清洗以后再蒸镀金属层，进一步加强电极性能；再拆分LED芯片前后均进行测试，保证其生产品质。

附图说明

图1是本发明的流程示意图；

图2是本发明一个加工好的子区域的结构示意图;

附图标记：101-正电极，102-台面结构，103-负电极。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

如图1-图2所示，本实施例提供一种LED芯片加工方法，包括以下步骤：

对晶圆进行预处理，进行表面光刻得到多个阵列分布的台面结构102；

进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀，得到正面划片后的圆晶，正面划片后的圆晶上每个子区域包括一个台面结构102，划片槽为子区域间的界限；

通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理，使得每个子区域获得具有金属镀层的正电极101和负电极103；

按照子区域进行拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试。

在本实施例中，所述对晶圆进行预处理包括进行清洗操作，这一步是为了去除表面杂质。

进一步地，所述进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀包括以下步骤：

通过PECVD工艺在晶圆的表面沉积一层

在

完成激光正切后去除正切保护胶；

通过高温热酸对正切后的黑色的激光烧痕进行热酸腐蚀；

去除晶圆的表面的

作为一种优选方案，所述热酸腐蚀所采用的热酸为

进一步地，所述

具体地，在本实施例中，

另外，所述去除晶圆的表面的

优选地，所述通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理包括以下步骤：

在每个所述子区域上预设正电极图形和负电极图形；

在所述正面划片后的晶圆的表面蒸镀ITO透明表面薄膜，在ITO透明表面薄膜的表面敷涂光刻胶，光刻胶不覆盖负电极图形；

在正电极图形处进行光刻得到ITO图形，ITO图形为比正电极图形直径小的圆形；

通过ITO腐蚀将ITO透明表面薄膜上光刻胶未覆盖的部分腐蚀掉，然后去掉ITO透明表面薄膜表面的光刻胶；

进行ITO退火，这一步是为了改善材料塑性及韧性，释放应力，增加粘附性、透光率及欧姆接触；

进行氧化硅沉积，沉积的氧化硅可以保护芯片的ITO透明表面薄膜，然后敷涂光刻胶，然后根据正电极图形和负电极103图像进行光刻，接着去除光刻胶；

通过预清洗对正电极图形和负电极图形进行清洁；

在表面蒸镀电极金属，然后对正电极图形和负电极图形以外的部分进行金属剥离，得到有金属镀层的正电极101和负电极103；

进行金属退火。

最后，所述拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试可以包括：

进行晶圆测试；

进行研磨抛光；

沿着所述划片槽进行崩裂，得到拆分出的单粒的LED芯片；

进行芯片测试。

按照本实施例的方法制备的LED芯片，其COT测试效果相对于隐切样片可以提升亮度4.4%，而相对于表切背划工艺样片可以提升10.6%，且产品老化性能稳定。

实施例2

本实施例提供一种LED芯片加工方法，包括以下步骤：

对晶圆进行预处理，进行表面光刻得到多个阵列分布的台面结构102；

进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀，得到正面划片后的圆晶，正面划片后的圆晶上每个子区域包括一个台面结构102，划片槽为子区域间的界限；

通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理，使得每个子区域获得具有金属镀层的正电极101和负电极103；

按照子区域进行拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试。

在本实施例中，所述对晶圆进行预处理包括进行清洗操作。

进一步地，所述进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀包括以下步骤：

通过PECVD工艺在晶圆的表面沉积一层

在

完成激光正切后去除正切保护胶；

通过高温热酸对正切后的黑色的激光烧痕进行热酸腐蚀；

去除晶圆的表面的

作为一种优选方案，所述热酸腐蚀所采用的热酸为

进一步地，所述

具体地，在本实施例中，

剩余的优选方案可以与实施例1相同，具体可参考实施例1，在此不再赘述。

按照本实施例的方法制备的LED芯片，其COT测试效果相对于隐切样片可以提升亮度7.2%，而相对于表切背划工艺样片可以提升16.1%，且产品老化性能稳定。

实施例3

本实施例提供一种LED芯片加工方法，包括以下步骤：

对晶圆进行预处理，进行表面光刻得到多个阵列分布的台面结构102；

进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀，得到正面划片后的圆晶，正面划片后的圆晶上每个子区域包括一个台面结构102，划片槽为子区域间的界限；

通过光刻和蒸镀对正面划片后的晶圆进行处理，使得每个子区域获得具有金属镀层的正电极101和负电极103；

按照子区域进行拆分得到多个单粒的LED芯片并进行测试。

在本实施例中，所述对晶圆进行预处理包括进行清洗操作。

进一步地，所述进行表面切割并对切割产生的划片槽进行热酸腐蚀包括以下步骤：

通过PECVD工艺在晶圆的表面沉积一层

在

完成激光正切后去除正切保护胶；

通过高温热酸对正切后的黑色的激光烧痕进行热酸腐蚀；

去除晶圆的表面的

作为一种优选方案，所述热酸腐蚀所采用的热酸为

进一步地，所述

具体地，在本实施例中，

剩余的优选方案可以与实施例1相同，具体可参考实施例1，在此不再赘述。

按照本实施例的方法制备的LED芯片，其COT测试效果相对于隐切样片可以提升亮度7.9%，而相对于表切背划工艺样片可以提升17.2%，且产品老化性能稳定。