使用行错误信息的擦除操作

本专利申请要求阿亚普鲁迪(AYYAPUREDDI)于2022年3月31日提交的标题为“使用行错误信息的擦除操作(SCRUB OPERATIONS WITH ROW ERROR INFORMATION)”的第17/657,575号美国专利申请的优先权，所述申请以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及使用行错误信息的擦除操作。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技艺、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。可在易失性配置或非易失性配置方面描述存储器单元。以非易失性配置配置的存储器单元即使在没有外部电源的情况下也可在很长一段时间内维持所存储逻辑状态。以易失性配置配置的存储器单元可在与外部电源断开连接时失去所存储状态。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：作为擦除操作的部分，读取存储在存储器装置的存储器阵列的多个行中的一行中的数据和错误控制信息；作为所述擦除操作的部分，至少部分地基于读取所述数据和所述错误控制信息来检测所述行的所述数据中的错误数量；以及作为所述擦除操作的部分，将所述行的所述数据中检测到的所述错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。

描述一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其包括多个行；以及控制器，其与所述存储器阵列耦合并且被配置成：作为擦除操作的部分，读取存储在所述设备的所述存储器阵列的所述多个行中的一行中的数据和错误控制信息；作为所述擦除操作的部分，至少部分地基于读取所述数据和所述错误控制信息来检测所述行的所述数据中的错误数量；以及作为所述擦除操作的部分，将所述行的所述数据中检测到的所述错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。

描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体存储代码，所述代码可以包含指令，所述指令可由处理器执行以进行以下操作：作为擦除操作的部分，读取存储在存储器装置的存储器阵列的多个行中的一行中的数据和错误控制信息；作为所述擦除操作的部分，至少部分地基于读取所述数据和所述错误控制信息来检测所述行的所述数据中的错误数量；以及作为所述擦除操作的部分，将所述行的所述数据中检测到的所述错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。

附图说明

图1示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的系统的实例。

图2示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的存储器裸片的实例。

图3示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的系统的实例。

图4示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的过程流程的实例。

图5示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的存储器装置的框图。

图6示出流程图，示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的一或多种方法。

具体实施方式

存储器装置可以将数据和与数据相关联的错误控制信息存储在存储器阵列处。另外，存储器装置可以被配置成擦除存储器阵列以检测或校正存储在存储器阵列处的数据内的错误。为了执行擦除操作，存储器装置可以生成内部命令以擦除存储器阵列的每一行。替代地，存储器装置可以从主机装置接收指示存储器装置执行擦除操作的一或多个擦除命令。擦除操作可以包含存储器装置读取数据和错误控制信息，对数据执行错误控制操作(例如，检测数据内的错误或生成经校正数据)，并且在一些情况下，将经校正数据写回存储器阵列。单个擦除操作可对应于存储器装置擦除存储器阵列的行中的每一个。一些存储器装置可以存储在先前执行的擦除操作期间在存储器阵列中检测到的错误总数量的指示。另外，存储器装置可以存储与比存储器阵列的其它行更多的检测到的错误相关联的存储器阵列的行的指示。

然而，在一些情况下，存储器装置可能无法基于在先前执行的擦除操作中检测到的错误的所存储总数量以及与存储器阵列的其它行相比与检测到的更多错误相关联的存储器阵列的行来识别与所降低可靠性相关联的存储器阵列的一或多行。例如，存储器装置可能无法识别与在擦除操作期间检测到的持续大量错误相关联的行。

本文描述了用于存储在擦除操作期间在存储器阵列的每一行中检测到的错误数量的系统、技术和装置。即，存储器装置可以在被配置成存储与存储器阵列的对应行相关联的信息(例如，行元数据)的存储器单元中存储在最近执行的擦除操作中检测到的错误数量。另外，存储器装置可以存储在一或多个另外的先前执行的擦除操作中检测到的错误数量。例如，存储器装置可以存储在两个或更多个先前执行的擦除操作期间在每一行中检测到的错误数量。因此，存储器装置可以基于在两个或更多个先前执行的擦除操作期间在存储器阵列的行中检测到的所存储的错误数量来确定所述行是否与所降低可靠性相关联。在存储器装置确定存储器阵列的一行与所降低可靠性相关联的情况下，存储器装置可以重新配置存储器阵列以将所述行的数据存储在与所降低可靠性不相关联的另一行中(例如，通过使与所降低可靠性相关联的行离线)。这里，基于识别与所降低可靠性相关联的存储器阵列的行来重新配置存储器阵列可以提高存储器装置的可靠性。

首先在如参考图1和2描述的系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。在参考图3和4描述的系统和过程流程的上下文中描述本公开的特征。通过如参考图5和6描述的涉及使用行错误信息的擦除操作的设备图和流程图来进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个通道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但所述一或多个存储器装置110的方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述。

系统100的部分可以是主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器执行处理的装置内的处理器(例如，电路、处理电路、处理组件)的实例。在一些实例中，主机装置105可以指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可以被称为主机(例如，主机装置105)。

存储器装置110可以是独立装置或可用于提供可由系统100使用或引用的物理存储器地址/空间的组件。存储器装置110可用于存储主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110(例如，作为主机装置105的辅助类型装置操作，作为主机装置105的从属类型操作)可以响应并执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令。此类命令可以包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令、用于擦除操作的擦除命令或其它命令中的一或多个。

主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。处理器125可用于针对系统100或主机装置105提供功能性(例如，控制功能性)。BIOS组件130可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的容量(例如，所要容量、指定容量)。每个存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b、存储器裸片160-N)可以包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。

存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个库、一或多个平铺块、一或多个区段)，其中每个存储器单元可用于存储一或多个数据位。例如，每个存储器阵列170可以包含一组行，其中每一行可以存储与对应存储体相关联的多个数据(例如，码字)集。在一些情况下，每个行可以另外存储与存储在所述行中的数据相关联的错误控制信息。也就是说，存储器阵列170的行可以存储与行中的每个码字相关联的错误控制信息。另外或替代地，存储器阵列170的行可以存储与行中的每个码字相关联的单个错误控制信息集。存储器阵列170可以另外包含被配置成存储行元数据(例如，与存储器阵列170的行中的每一个相关联的数据)的存储器单元集。

装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的组件(例如，电路、逻辑)。装置存储器控制器155可包含硬件、固件或使存储器装置110能够执行各种操作的指令，并且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文所述的存储器装置110的操作。

本地存储器控制器165(例如，对于存储器裸片160来说是本地的)可包含可用于控制存储器裸片160的操作的组件(例如，电路、逻辑)。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165或外部存储器控制器120。由此，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。

外部存储器控制器120可用于实现系统100的组件之间(例如，主机装置105的组件，例如处理器125和存储器装置110之间)的信息(例如，数据、命令或两者)的通信。外部存储器控制器120可处理(例如，转换、翻译)在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。

主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可用于支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每个信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径(例如，传输媒体、导体)。信号路径可以是可用于载送信号的导电路径的实例。信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。例如，信道115可以包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。

一些存储器装置110可以被配置成在内部检测并在某些情况下校正(例如，修复)错误，从而在数据变得损坏之前恢复存储的数据(例如，数据中存在不可校正的错误)。此类错误检测和校正可以依赖于包含一或多个错误校正码(ECC)(例如，块码、卷积码、汉明码、低密度奇偶校验码、turbo码、极性码)的错误控制信息，并且相关的过程、操作和技术可以被称为错误控制过程、ECC过程、ECC操作、ECC技术，或在一些情况下简单地称为ECC。在存储器装置110内对先前存储在存储器装置110处的数据进行的内部错误控制操作通常可以称为内部错误控制或裸片上错误控制(无论是在单裸片存储器装置内还是在多裸片存储器装置内)。例如，在线错误控制可以指(例如，由主机装置105)存储在存储器装置110中的数据内的嵌入式错误控制信息，所述数据由主机装置105检查(例如，或校正)。也就是说，对于在线错误控制，存储器装置110可能不知道错误控制信息，并且可以将数据和错误控制信息都视为数据。在另一实例中，额外错误控制信息位可以伴随DQ信道190中的数据进行读取或写入操作，并且可以用于检测或校正在存储器装置110与主机装置105之间的数据传输中发生的错误。这种类型的错误控制可以称为链路错误控制。

在写入命令的执行期间，具有错误控制信息的存储器装置可以对(例如，从主机装置接收的)要存储在存储器阵列170处的数据执行错误校正操作，以生成与数据相对应的错误控制信息。作为写入操作的一部分，存储器装置110可将数据和错误控制信息存储在存储器阵列170处。

存储器装置110可被配置成擦除存储器阵列170以检测或校正存储在存储器阵列170处的数据内的错误。为了执行擦除操作，存储器装置110(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)可以生成用于擦除存储器阵列170的每一行的内部命令。替代地，存储器装置110可以从主机装置105接收指示存储器装置110执行擦除操作的一或多个擦除命令。擦除操作可以包含存储器装置110读取(例如，在写入操作期间存储在存储器阵列170中的)数据和错误控制信息，对数据执行错误控制操作(例如，检测数据内的错误，生成经校正数据)，并且在一些情况下，将经校正数据写回存储器阵列170。单个擦除操作可以对应于存储器装置110擦除存储器阵列170的每一行。一些存储器装置110可以存储在先前执行的擦除操作期间在存储器阵列170中检测到的错误总数量的指示。另外，存储器装置110可以存储与比存储器阵列的其它行更多的检测到的错误相关联的存储器阵列的行的指示。

然而，在一些情况下，存储器装置110可以存储在擦除操作期间在存储器阵列170的每一行中检测到的错误数量。也就是说，存储器装置110可以将在最近执行的擦除操作中检测到的错误数量存储在被配置成存储与存储器阵列的对应行相关联的信息(例如，行元数据)的存储器阵列170的存储器单元中。另外，存储器装置110可以存储在一或多个另外的先前执行的擦除操作中检测到的错误数量。例如，存储器装置110可以存储在两个或更多个先前执行的擦除操作期间在每一行中检测到的错误数量。因此，存储器装置110可以基于在两个或更多个先前执行的擦除操作期间在存储器阵列170的行中检测到的所存储的错误数量来确定所述行是否与所降低可靠性相关联。在存储器装置110确定存储器阵列170的一行与所降低可靠性相关联的情况下，存储器装置110可以重新配置存储器阵列170以将所述行的数据存储在与所降低可靠性不相关联的另一行中(例如，通过使与所降低可靠性相关联的行离线)。这里，基于识别与所降低可靠性相关联的存储器阵列170的行来重新配置存储器阵列170可以提高存储器装置110的可靠性。

图2示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可以被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，其可以是可编程的以存储不同逻辑状态(例如，编程为两个或更多个可能状态的集合中的一个)。在一些实例中，存储器单元205可被布置成阵列，例如参考图1描述的存储器阵列170。

在一些实例中，存储器单元205可将表示可编程状态的电荷存储在电容器中。在一些其它实例中，存储器单元205可以包含逻辑存储组件，例如电容器230，和开关组件235(例如，单元选择组件)。电容器230的节点可与电压源240耦合。

存储器裸片200可包含被布置成例如网格状图案的图案的存取线(例如，字线210和数字线215)。存储器单元205可以定位在字线210与数字线215的相交处。可以通过激活例如字线210和/或数字线215的存取线来对存储器单元205执行例如读取和写入的操作。通过偏置字线210和数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，可以在其相交处存取单个存储器单元205。呈二维或三维配置的字线210和数字线215的相交处可被称为存储器单元205的地址。激活字线210或数字线215可以包含将电压施加到相应线。

可通过行解码器220或列解码器225或其组合来控制对存储器单元205的存取。例如，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址且基于所接收的行地址而激活字线210。列解码器225可以从本地存储器控制器260接收列地址且可以基于所接收的列地址来激活数字线215。可通过使用字线210激活或去激活开关组件235来实现选择或取消选择存储器单元205。电容器230可使用开关组件235与数字线215耦合。

感测组件245可用于检测存储在存储器单元205的电容器230上的状态(例如电荷)且基于所存储状态确定存储器单元205的逻辑状态。存储器单元205的检测到的逻辑状态可作为感测组件245的输出提供(例如，到输入/输出255)，并且可向包含存储器裸片200的存储器装置(例如，存储器装置110)的另一组件指示检测到的逻辑状态。

本地存储器控制器260可通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件245)控制存储器单元205的存取。本地存储器控制器260可以是参考图1描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225和感测组件245中的一或多者可以与本地存储器控制器260处于相同位置。本地存储器控制器260可用于从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多者，将命令或数据(或这两者)转译为可由存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且基于执行所述一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到主机(例如，主机装置105)。本地存储器控制器260可以生成行信号和列地址信号以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可生成并控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种信号(例如，电压、电流)。

本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器260响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)来执行或以其它方式进行协调。

本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可被编程为存储所要状态(例如，逻辑状态、充电状态)。本地存储器控制器260可以识别将执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可以激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间将信号(例如，写入脉冲、写入电压)施加到数字线215以将特定状态(例如，电荷)存储在存储器单元205的电容器230中。用作写入操作的部分的脉冲可以包含持续时间内的一或多个电压电平。

本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可评估(例如，读取、确定、识别)存储器裸片200的存储器单元205中存储的状态(例如，逻辑状态、电荷状态)。本地存储器控制器260可以识别将执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可以激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可响应于偏置存取线而将信号(例如，电荷、电压)传送到感测组件245。感测组件245可以放大信号。本地存储器控制器260可激活感测组件245(例如，锁存感测组件)，且将从存储器单元205接收的信号与参考(例如，参考250)进行比较。基于所述比较，感测组件245可确定存储于存储器单元205上的逻辑状态。

作为写入操作的一部分，错误控制电路265或本地存储器控制器260可以对从主机装置接收的数据执行一或多个错误控制操作。例如，作为写入操作的一部分，错误控制电路265可以从主机装置接收数据。错误控制电路265可以确定或生成与数据相关联的错误控制信息。在一些情况下，错误控制电路265可以包含错误检测逻辑，或者可以使错误检测逻辑(未示出)执行本文描述的错误检测操作。作为写入操作的一部分，错误控制电路265可以使数据和错误控制信息存储在一或多个存储器单元205中。在另一实例中，作为读取操作的一部分，错误控制电路265可以从存储器阵列接收数据和相关联的错误控制信息。错误控制电路265可以基于数据和错误控制信息执行错误校正操作。在存储器装置处执行错误校正操作(例如，通过错误控制电路265或本地存储器控制器260)可以提高存储器装置的可靠性。

本地存储器控制器260可以被配置成擦除存储器裸片200，以便检测或校正一或多个存储器单元205处的错误。为了执行擦除操作，本地存储器控制器260可以生成内部命令(并且在一些情况下，指示存储器裸片200的一或多行的地址)以擦除存储器裸片200的每一行。替代地，本地存储器控制器260可以从与擦除操作相关联的主机装置(例如，参考图1讨论的外部存储器控制器)接收一或多个擦除命令。擦除操作可以包含本地存储器控制器260发起读取操作以读取存储在存储器裸片200的行中的数据和错误控制信息。然后，错误控制电路265可以基于错误控制信息对数据执行错误控制操作(例如，以检测数据内的错误，以生成经校正数据)。擦除操作可以另外包含本地存储器控制器260存储在错误控制操作期间在数据中检测到的错误数量(例如，在被配置成存储与行相关联的元数据的存储器单元205中)。然后，在一些情况下，擦除操作可以另外包含本地存储器控制器260将经校正数据写回存储器裸片200的存储器单元。单个擦除操作可以对应于本地存储器控制器260擦除存储器裸片200的行中的每一者。擦除操作可以通过在位错误累积到错误控制电路265基于与每一行中的数据一起存储的错误控制位的数量不能校正的水平之前校正位错误来提高存储器裸片200的可靠性。

图3示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的系统300的实例。系统300可包含本文中参考图1和2描述的一或多个组件等等。例如，系统300可以包含主机装置305，其可以是参考图1描述的主机装置105的实例；存储器装置310，其可以是参考图1和2描述的存储器装置110、存储器裸片160或存储器裸片200的实例；控制器315，其可以是参考图1和2描述的装置存储器控制器155、一或多个本地存储器控制器165或本地存储器控制器260或其任何组合的实例；存储器阵列370，其可以是参考图1描述的存储器阵列170的实例；错误控制电路365，其可以是参考图2描述的本地存储器控制器260或错误控制电路265的实例。存储器装置310还可以包含模式寄存器330和计数器335。

存储器阵列370可以包含一组行320，其中每一行320可以存储一或多个码字。另外，存储器阵列370可以包含存储与存储器阵列370的每一行320相关联的信息的存储器单元325。例如，存储器单元325-a可以存储与行320-a相关联的信息。另外，存储器单元325-b可以存储与行320-b相关联的信息。在一些情况下，与行320相关联的信息可以是行元数据。在一些实例中，与行320相关联的存储器单元325可以包含存储器阵列370的列中的每个存储器单元(例如，可以与指定用于存储对应于行320的元数据的列相关联)。另外或替代地，与行320相关联的存储器单元325可以包含存储器阵列370的列中的存储器单元的子集。这里，除了存储其它数据的其它存储器单元之外，列可以包含与行320相关联的存储器单元325。

主机装置305可以向存储器装置310发送包含存取命令的命令，以在存储器阵列370处执行一或多个存取操作(例如，读取操作、写入操作、擦除操作)。控制器315可以处理命令并对存储器阵列370执行命令。错误控制电路365可以对与存取命令相关联的数据执行一或多个错误检测或校正操作。

在写入操作期间，主机装置305可以向存储器装置310发送包含要写入存储器阵列370的数据的写入命令。控制器315可以将数据传送到错误控制电路365，所述错误控制电路可以基于从控制器315接收的数据生成错误控制信息。例如，错误控制电路365可以基于数据生成奇偶校验或汉明码信息。错误控制电路365可以将错误控制信息传送到控制器315，以与数据一起存储在存储器阵列370处。控制器315可以将数据存储在存储器阵列370处(例如，在由从主机装置305接收的写入命令指示的行320内的位置处)。控制器315还可以将错误控制信息存储在存储器阵列370处。在一些情况下，错误控制信息可以存储在与数据相同的位置(例如，在同一行320中)。在一些其它情况下，错误控制信息可以存储在存储器阵列370的与数据不同的部分。

存储器装置310可被配置成擦除存储器阵列370，以便检测或校正存储在存储器阵列370处的数据内的错误。当执行擦除操作时，控制器315可以从存储器阵列370的每一行320读取数据。控制器315还可以从存储器阵列370读取错误控制信息(例如，与数据相关联的信息)。控制器315可以将数据和错误控制信息两者传送到错误控制电路365。错误控制电路365可以基于数据执行错误控制操作，以检测或校正与数据相关联的错误(例如，由于泄漏、寄生耦合或EMI)。在错误控制操作期间，错误控制电路365可以基于从控制器315接收的数据生成错误控制信息。错误控制电路365可以将接收到的错误控制信息与生成的错误控制信息进行比较。在接收到的错误控制信息和生成的错误控制信息不匹配的情况下，错误控制电路365可以检测错误。

响应于错误控制电路365检测到来自存储器阵列370的行320的数据中的错误，控制器315可以递增计数器335-a和计数器335-b。在一些情况下，计数器335-a可以指示在擦除操作期间在单个行320中检测到的错误数量，而计数器335-b可以指示在擦除操作期间在每个行320中(例如，在存储器阵列370中)检测到的错误数量。计数器335-a可以与存储器阵列370的行320中的每一行相关联。替代地，存储器阵列370的每一行320可以与不同的计数器335-a相关联。在任一情况下，控制器315可响应于在擦除操作期间在存储器阵列370的行320内检测到的每个错误而递增计数器335-a和计数器335-b。例如，控制器315可以响应于错误控制电路365检测到存储在行320-a中的第一码字中的第一错误而递增计数器335-a和计数器335-b。另外，控制器315可以针对由错误控制电路365在存储于行320-a中的剩余码字中的每一者中检测到的每个额外错误，递增计数器335-a和计数器335-b。

在错误控制电路365对存储在行320中的数据(例如，对由行320存储的每个码字)执行错误控制操作之后，控制器315可以将在行320的数据中检测到的错误数量存储在存储器阵列370中。例如，控制器315可以将计数器335-a指示的数量存储在存储器阵列中。在一些情况下，控制器315可以根据粒度(例如，根据一的粒度、一千的粒度、两千的粒度、四千的粒度)存储每一行320的数据中检测到的错误数量。在根据四千的粒度存储每一行320的数据中检测到的错误数量的实例中，在行320中检测到少于四千个错误的情况下，控制器315可以存储行320中零检测错误的指示。

控制器315可以将在擦除操作期间在行320中检测到的错误数量存储在存储与行320相关联的信息(例如，与行320相关联的元数据)的存储器单元325中。例如，控制器315可以将行320-a中检测到的错误数量存储在存储器单元325-a中、将行320-b中检测到的错误数量存储在存储器单元325-b中，并且将行320-c中检测到的错误数量存储在存储器单元325-c中。在一些情况下，为了识别与行320相关联的存储器单元325的位置，控制器315可以读取存储在模式寄存器330中的值。例如，模式寄存器330可以存储指示存储器单元325-a、存储器单元325-b和存储器单元325-c的位置或地址的值。

存储器单元325可以存储多于一个擦除操作中检测到的错误数量。例如，存储器单元325可以存储两个或更多个先前擦除操作中在行320中检测到的错误数量。这里，存储器单元325可以存储一或多个位，所述位指示两个或更多个错误数量存储在存储器单元325中的位置。例如，在存储器单元325-a存储第一擦除操作期间在行320-a中检测到的第一错误数量和在第二擦除操作期间在行320-a中检测到的第二错误数量的情况下，存储器单元325-a可以存储关于哪个存储器单元325-a存储第一错误数量以及哪个存储器单元325-a存储第二错误数量的指示。另外或替代地，存储器单元325可以存储在下一次擦除操作期间哪个存储器单元325存储行320中检测到的错误数量的指示。例如，控制器315可以将行320中检测到的错误数量存储在由存储于存储器单元325中的一或多个位指示的存储器单元325的子集中。

在一些情况下，错误控制电路365可以基于在错误校正操作期间检测到的错误来生成经校正数据。在错误控制电路365生成经校正数据的情况下，错误控制电路365可以进一步将经校正数据传送到控制器315。这里，控制器315可以将经校正数据传送到存储器阵列370以存储在存储器阵列370处(例如，在与先前存储的未校正数据相同的行320处)。也就是说，控制器315可以将经校正数据写入存储器阵列370。

基于存储在擦除操作期间一个行320中检测到的错误数量，控制器315可以重置计数器335-a。因此，当作为擦除操作的部分，控制器315从另一行320读取数据和错误控制信息时，计数器335-a可以被初始化以指示所述行320中没有检测到错误。另外，一旦控制器315已经对行320中的每一者执行了擦除操作(例如，并且存储了行320中的每一者中检测到的错误数量)，控制器315可以在擦除操作期间(例如，基于计数器335-b指示的数量)额外存储在存储器阵列370中检测到的错误数量。然后，控制器315可以重置计数器335-b。因此，当控制器315在存储器阵列370处发起另一擦除操作时，计数器335-b可被初始化以指示存储器阵列370中没有检测到错误。

控制器315可以基于在擦除操作期间行320中检测到的错误数量来识别与所降低可靠性相关联的存储器阵列的一或多个行320。例如，控制器315可以基于在过去两次或更多次擦除操作中一行中检测到的错误数量来确定行320是否与所降低可靠性相关联。在一些情况下，如果控制器315识别出对于超过阈值数量的擦除操作在行320中检测到的错误数量超过阈值(例如，基于对于两个或更多个先前执行的擦除操作存储所述行320中检测的错误数量的存储器单元325)，控制器315可以确定行320与所降低可靠性相关联。因此，控制器315可以基于超过一个先前执行的擦除操作中所述行320中检测到的错误数量来确定行320是否与所降低可靠性相关联。

在控制器315确定存储器阵列370的行320与所降低可靠性相关联的情况下，控制器315可以重新配置存储器阵列370(例如，通过使与所降低可靠性相关联的行320离线)。例如，在控制器315确定行320-b与所降低可靠性相关联的情况下(例如，基于在超过阈值的两个或更多个擦除操作期间，存储器单元325-b存储行320-b中检测到的错误数量)，控制器315可以将行320-b的数据存储在存储器阵列370的与所降低可靠性不相关联的另一行320中(例如，存储器阵列370的冗余行320中)。在这种情况下，存储器装置310可以包含一或多个冗余行，所述冗余行被配置成替换具有所降低可靠性的行。在一些情况下，重新配置存储器阵列370以在与所降低可靠性不相关联的行320中存储数据可以提高存储器阵列370的可靠性，并且通过扩展提高存储器装置310的可靠性。

图4示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的过程流程400的实例。过程流程400可以实施参考图1到3描述的系统100和300和存储器裸片200的方面。过程流程400可以包含由存储器装置执行的操作，所述存储器装置可以是如本文描述的存储器装置、存储器阵列或存储器裸片的实例。

在405，存储器装置可以在存储器阵列处发起擦除操作。在一个实例中，存储器装置可以响应于从主机装置接收到命令而发起擦除操作。在另一实例中，存储器装置可以生成内部命令以在存储器阵列处执行擦除操作。也就是说，存储器装置可被配置成根据周期性(例如，一天一次、一周一次、每小时一次或其它周期性)执行存储器阵列的擦除操作。在一些情况下，当存储器装置处于空闲状态或以其它方式执行从主机装置接收到的减少数量的操作时，可以发起擦除操作。

在410，作为在405发起的擦除操作的一部分，存储器装置可以读取存储在存储器阵列的行中的数据和错误控制信息。例如，存储器装置可以读取存储在存储器阵列的行中的一组码字以及与所述组码字中的每一者相关联的错误控制信息。在一些情况下，存储器装置可基于存储器装置处的行计数器(例如，指示存储器阵列的行中的一者)来识别存储器阵列的一行以从中读取数据和错误控制信息。

在415，存储器装置可以基于与数据相关联的错误控制信息对存储在行中的数据执行错误控制操作。也就是说，存储器装置可以基于存储在行中的数据生成错误控制信息，并将生成的错误控制信息与存储在存储器阵列中的错误控制信息进行比较。在一些情况下，作为错误控制操作的一部分，存储器装置可以另外校正数据中的一或多个错误。也就是说，作为错误控制操作的一部分，存储器装置可以基于数据和错误控制信息生成经校正数据。这里，存储器装置可以将经校正数据写回存储器阵列的行。

在420，存储器装置可以检测存储在行中的数据中的错误数量，并且响应于检测到每个错误，可以递增与存储器阵列的每一行中检测到的错误相关联的第一计数器。另外，存储器装置可以递增与存储器阵列中检测到的错误相关联的第二计数器。

在425，存储器装置可以存储在存储器阵列中的行中检测到的错误数量(例如，基于由第一计数器指示的数量)。例如，存储器装置可以将错误数量存储在存储与行相关联的元数据的存储器阵列的存储器单元中。在一些情况下，存储器装置可以基于存储在存储器装置处的模式寄存器中的值来识别存储与所述行相关联的元数据的存储器单元的位置。另外，存储器单元可以存储一或多个先前擦除操作中在行中检测到的一或多个其它错误数量。在一些情况下，存储器单元可以另外存储一或多个位，所述一或多个位指示存储器装置的存储器单元的子集以存储行中检测到的下一错误数量。这里，存储器装置可以将(例如，在420)在行中检测到的错误数量存储在所指示的存储器单元的子集中。

在430，存储器装置可以重置与在存储器阵列的每一行中检测到的错误相关联的第一计数器。此外，存储器装置可以递增存储器装置处的行计数器(例如，指示用于擦除操作的行)。

在435，存储器装置可以确定所述行是否与所降低可靠性相关联。例如，存储器装置可以将行中检测到的所存储错误数量中的每一者与阈值进行比较。在错误数量的数量超过阈值的情况下，存储器装置可以确定所述行与所降低可靠性相关联。在一些情况下，可以将擦除操作数量上的错误总数量与阈值进行比较，以确定所述行是否与所降低可靠性相关联。在一些情况下，如果错误数量满足特定数量擦除操作的阈值，则存储器装置可以确定所述行是否与所降低可靠性相关联。在一些情况下，可以使用擦除操作数量上的错误数量的其它组合(例如，擦除操作数量的平均错误)来确定所述行是否与所降低可靠性相关联。在一些情况下，如果针对多于一次的擦除操作在所述行中检测到超过错误阈值数量，则存储器装置可能更可能确定所述行与所降低可靠性相关联。另外，在错误数量未能满足阈值的情况下，存储器装置可以确定所述行不与所降低可靠性相关联。如果存储器装置确定所述行与所降低可靠性相关联，则存储器装置可以进行到440。另外，如果存储器装置确定所述行不与所降低可靠性相关联，则存储器装置可以进行到445。

在435，存储器装置可以重新配置存储器阵列。例如，存储器装置可以将所述行的数据存储在与更高可靠性相关联的另一行中。也就是说，存储器装置可以使被确定为与所降低可靠性相关联的行离线，并将数据存储在存储器阵列的冗余行中。

在440，存储器装置可以确定擦除操作是否完成。在擦除操作完成的情况下，存储器装置可以存储在擦除操作期间在存储器阵列中检测到的错误数量(例如，基于与在存储器阵列内检测到的错误相关联的第二计数器的值)。此外，存储器装置可以重置与在存储器阵列中检测到的错误相关联的第二计数器，并进行到405。在擦除操作未完成的情况下，作为擦除操作的部分，存储器装置可以前进到410以从存储器阵列中的下一行读取数据和错误控制信息。

图5示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的存储器装置520的框图500。存储器装置520可以是参考图1到4描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置520或其各种组件可以是用于执行如本文描述的使用行错误信息的擦除操作的各种方面的构件的实例。例如，存储器装置520可以包含读取组件525、错误检测组件530、错误存储组件535、错误校正组件540、写入组件545、可靠性组件550，或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。

读取组件525可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，读取存储在存储器装置的存储器阵列的多个行中的一行中的数据和错误控制信息。错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，至少部分地基于读取数据和错误控制信息来检测所述行的数据中的错误数量。错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，将所述行的数据中检测到的错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。

在一些实例中，错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为在执行擦除操作之前在存储器装置处执行的第二擦除操作的部分，将所述行的数据中检测到的第二错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中，其中存储错误数量是至少部分地基于存储第二错误数量。

在一些实例中，存储相关联信息的存储器单元存储通过对所述行执行的多个擦除操作识别的错误数量。

在一些实例中，错误校正组件540可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，至少部分地基于错误控制信息来对从所述行读取的数据执行错误校正操作以生成第二数据。在一些实例中，写入组件545可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：将第二数据写入存储器阵列的所述行，其中存储所述行的数据中检测到的错误数量是至少部分地基于写入。

在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：至少部分地基于所述存储来识别所述行的数据中检测到的错误数量。在一些实例中，可靠性组件550可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：至少部分地基于所述识别来确定所述行与至少部分地基于错误数量的所降低可靠性相关联。在一些实例中，可靠性组件550可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：重新配置存储器阵列以将所述行的数据存储在与所述行不同且与比所述行更高的可靠性相关联的第二行中。

在一些实例中，可靠性组件550可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为在执行擦除操作之前在存储器装置处执行的第二擦除操作的部分，至少部分地基于所述存储来识别所述行的数据中检测到的第二错误数量，其中确定所述行与至少部分地基于第二错误数量的所降低可靠性相关联。

在一些实例中，错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：读取存储在存储器装置处的模式寄存器中的值。在一些实例中，错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：至少部分地基于模式寄存器中存储的值，从存储器装置处的多个存储器单元识别存储与所述行相关联的信息的存储器单元，其中存储错误数量是至少部分地基于识别存储与所述行相关联的信息的存储器单元。

在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：响应于检测所述行的数据中的错误数量中的每一个，递增与存储器阵列的所述多个行相关联的计数器，其中存储所述行中检测到的错误数量是至少部分地基于递增计数器。在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：至少部分地基于存储所述行的数据中检测到的错误数量来重置计数器。

在一些实例中，读取组件525可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分且至少部分地基于存储错误数量，读取存储在所述多个行中的第二行中的第二数据和第二错误控制信息。在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，至少部分地基于读取第二数据和第二错误控制信息来检测第二行的第二数据中的第二错误数量。在一些实例中，错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：作为擦除操作的部分，将第二行的第二数据中检测到的第二错误数量存储在存储与第二行相关联的信息的第二存储器单元中。

在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：响应于检测所述行的数据中的所述错误数量中的每一个，递增与存储器阵列相关联的计数器。在一些实例中，错误检测组件530可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：响应于检测第二行的第二数据中的第二错误数量中的每一个，递增与存储器阵列相关联的计数器。在一些实例中，错误存储组件535可被配置成或以其它方式支持用于以下操作的构件：至少部分地基于递增计数器，作为擦除操作的部分且至少部分地基于由与存储器阵列相关联的计数器指示的第三错误数量，存储所述存储器阵列的数据中检测到的第三错误数量。

在一些实例中，存储与行相关联的信息的存储器单元包含所述行的列的存储器单元。

图6示出流程图，示出根据本文公开的实例支持使用行错误信息的擦除操作的方法600。方法600的操作可以由本文描述的存储器装置或其组件来实施。例如，可由参考图1到5描述的存储器装置执行方法600的操作。在一些实例中，存储器装置可以执行指令集以控制装置的功能元件从而执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。

在605，所述方法可包含：作为擦除操作的部分，读取存储在存储器装置的存储器阵列的多个行中的一行中的数据和错误控制信息。605的操作可根据如本文公开的实例执行。在一些实例中，605的操作的方面可由参考图5描述的读取组件525执行。

在610，所述方法可包含：作为擦除操作的部分，至少部分地基于读取数据和错误控制信息来检测所述行的数据中的错误数量。610的操作可根据如本文公开的实例执行。在一些实例中，610的操作的方面可由参考图5描述的错误检测组件530执行。

在615，所述方法可包含：作为擦除操作的部分，将所述行的数据中检测到的错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。615的操作可根据如本文公开的实例执行。在一些实例中，615的操作的方面可由参考图5描述的错误存储组件535执行。

在一些实例中，如本文描述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含用于执行本公开的以下方面的特征、电路、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)或其任何组合：

方面1：一种方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：作为擦除操作的部分，读取存储在存储器装置的存储器阵列的多个行中的一行中的数据和错误控制信息；作为擦除操作的部分，至少部分地基于读取数据和错误控制信息来检测所述行的数据中的错误数量；以及作为擦除操作的部分，将所述行的数据中检测到的错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中。

方面2：根据方面1所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：作为在执行擦除操作之前在存储器装置处执行的第二擦除操作的部分，将所述行的数据中检测到的第二错误数量存储在存储与所述行相关联的信息的存储器单元中，其中存储错误数量是至少部分地基于存储第二错误数量。

方面3：根据方面1至2中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中存储相关联信息的存储器单元存储通过对所述行执行的多个擦除操作识别的错误数量。

方面4：根据方面1至3中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：作为擦除操作的部分，至少部分地基于错误控制信息来对从所述行读取的数据执行错误校正操作以生成第二数据，并将第二数据写入存储器阵列的所述行，其中存储所述行的数据中检测到的错误数量是至少部分地基于写入。

方面5：根据方面1至4中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：至少部分地基于所述存储来识别所述行的数据中检测到的错误数量；至少部分地基于所述识别来确定所述行与至少部分地基于错误数量的所降低可靠性相关联；以及重新配置存储器阵列以将所述行的数据存储在与所述行不同且与比所述行更高的可靠性相关联的第二行中。

方面6：根据方面5所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：作为在执行擦除操作之前在存储器装置处执行的第二擦除操作的部分，至少部分地基于所述存储来识别所述行的数据中检测到的第二错误数量，其中确定所述行与至少部分地基于第二错误数量的所降低可靠性相关联。

方面7：根据方面1至6中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：读取存储在存储器装置处的模式寄存器中的值；以及至少部分地基于模式寄存器中存储的值，从存储器装置处的多个存储器单元识别存储与所述行相关联的信息的存储器单元，其中存储错误数量是至少部分地基于识别存储与所述行相关联的信息的存储器单元。

方面8：根据方面1至7中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：响应于检测所述行的数据中的错误数量中的每一个，递增与存储器阵列的所述多个行相关联的计数器，其中存储所述行中检测到的错误数量是至少部分地基于递增计数器；以及至少部分地基于存储所述行的数据中检测到的错误数量来重置计数器。

方面9：根据方面1至8中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：作为擦除操作的部分且至少部分地基于存储错误数量，读取存储在所述多个行中的第二行中的第二数据和第二错误控制信息；作为擦除操作的部分，至少部分地基于读取第二数据和第二错误控制信息来检测第二行的第二数据中的第二错误数量；以及作为擦除操作的部分，将第二行的第二数据中检测到的第二错误数量存储在存储与第二行相关联的信息的第二存储器单元中。

方面10：根据方面9所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令或其任何组合：响应于检测所述行的数据中的所述错误数量中的每一个，递增与存储器阵列相关联的计数器；响应于检测第二行的第二数据中的第二错误数量中的每一个，递增与存储器阵列相关联的计数器；以及至少部分地基于递增计数器，作为擦除操作的部分且至少部分地基于由与存储器阵列相关联的计数器指示的第三错误数量，存储所述存储器阵列的数据中检测到的第三错误数量。

方面11：根据方面1至10中任一方面所述的方法、设备或非暂时性计算机可读媒体，其中存储与行相关联的信息的存储器单元包含所述行的列的存储器单元。

应注意，本文中所描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。另外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果在组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流(例如，电荷、电流电压)的任何电气路径(例如，导电路径)，则组件被视为彼此电子连通(例如，彼此导电接触、彼此连接、彼此耦合)。在任何给定时间，彼此电子连通(或彼此导电接触、彼此连接、彼此耦合)的组件之间的导电路径可为基于包含所连接组件的装置的操作的开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可以包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在所述开路关系中，信号当前无法(例如，通过导电路径)在所述组件之间传送，在所述闭路关系中，信号能够(例如，通过所述导电路径)在所述组件之间传送。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。例如，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器分隔开两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的开关组件(例如，晶体管)可表示场效应晶体管(FET)，并且可包括包含源极(例如，源极端子)、漏极(例如，漏极端子)和栅极(例如，栅极端子)的三端子组件。端子可经由导电材料(例如，金属、合金)连接到其它电子组件。源极和漏极可以是导电的，并且可包括掺杂(例如，重度掺杂、简并)的半导体区。源极和漏极可通过掺杂(例如，轻度掺杂)的半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(例如，大部分载流子为电子)，则FET可称为n型FET。如果沟道为p型(即，大部分载流子为空穴)，则FET可被称作p型FET。通道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致通道变得导电。当向晶体管栅极施加大于或等于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可以“导通”或“激活”。当向晶体管栅极施加小于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可“断开”或“去激活”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文使用的术语“示例性”意指“充当实例、例子或说明”，而不是“优选”或“优于其它实例”。具体实施方式包含提供对所描述技术的理解的特定细节。然而，可以在没有这些具特定细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。

本文描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件实施，则功能可作为一或多个指令(例如，代码)存储在计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。例如，归因于软件的性质，本文中所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。

例如，可用处理器，例如DSP、ASIC、FPGA、离散门逻辑、离散晶体管逻辑、离散硬件组件或其它可编程逻辑装置或其被设计成执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的本公开而描述的各种说明性块和模块。处理器可以是微处理器、控制器、微控制器、状态机或任何类型的处理器的实例。处理器还可以实施为计算装置的组合(例如DSP和微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心结合的一或多个微处理器，或任何其它此类配置)。

如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机可读存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由计算机存取的任何可用媒体。借助于实例，而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储器、磁盘存储器或其它磁性存储装置，或可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由计算机或处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文所使用的，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式复制数据，而光盘使用激光以光学方式复制数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。