进气控制方法、供气系统和半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及对于半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种进气控制方法、供气系统和半导体工艺设备。

背景技术

随着半导体行业的高速发展，更加精细的原子层刻蚀和沉积被引入加工工艺中。同时TSV(Through Silicon Via，硅通孔)等先进封装工艺也开始广泛应用。在这些半导体加工工艺中需要多种混合气体快速切换来实现。例如深硅刻蚀中的bosch工艺，由氟基气体主导的刻蚀步骤和碳氟气体主导的沉积步骤快速切换组成。由于切换会造成的侧壁扇贝形貌，从而对良率产生影响。所以需要提高换气的频率从来减小侧壁扇贝形貌的影响。但是，相关技术中，换气时的切换时间较长，也造成了换气频率较低。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种进气控制方法，以解决切换气体时所需时间长的技术问题。

为解决以上技术问题，本发明提供一种进气控制方法，包括：

进气控制方法，用于控制半导体工艺设备切换工艺，包括：

获得憋气时长，

控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭，所述第一切换阀连接于质量流量计和工艺腔室的供气管路之间，所述第二切换阀连接于质量流量计和抽气泵之间；

在控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭后经过所述憋气时长，控制所述第一切换阀打开并控制所述第二切换阀保持关闭状态。

本发明进气控制方法带来的有益效果是：

通过将第一切换阀和第二切换阀均保持关闭状态，以利用质量流量计向质量流量计与第一切换阀和第二切换阀之间的供气管路之间供气，使得这部分区域的气压上升。进而，在经过憋气时长之后，打开第一切换阀，由于，这部分区域的气压较大，可以迅速的对工艺腔室内进行供气，实现快速换气，改善工艺效果。

优选的技术方案中，所述获得憋气时长包括：

获得憋气管路的体积和设定流量，根据所述憋气管路的体积和设定流量获得所述憋气时长。

优选的技术方案中，所述获得憋气时长还包括获得憋气气压和常态气压，根据所述憋气气压、所述常态气压、所述憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长，所述憋气时长与所述憋气气压正相关，且与所述常态气压负相关。

优选的技术方案中，所述进气控制方法还包括：获得实际气压，若所述实际气压大于预设气压，控制所述第二切换阀打开。

优选的技术方案中，所述控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭包括：

获取气体通入腔室时刻，在所述气体通入腔室时刻前的所述憋气时长，控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭。

优选的技术方案中，所述半导体设备包括第一管路组和第二管路组，所述第一管路组用于提供执行沉积工艺的第一气体；所述第二管路组用于提供执行刻蚀工艺的第二气体；所述第一管路组和所述第二管路组分别设有所述质量流量计和所述第一切换阀和所述第二切换阀；

当所述第一管路组提供所述第一气体执行沉积工艺时，控制所述第二管路组与所述工艺腔室断开，并所述第二管路组执行憋气。

优选的技术方案中，所述控制所述第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭包括：

获取需要憋气的所述刻蚀工艺前一步工艺的工艺时长，根据所述工艺时长和所述憋气时长获得所述憋气前时长，所述憋气前时长与所述工艺时长正相关并与所述憋气时长负相关；

在需要憋气的所述刻蚀工艺前一步工艺开始后经过所述憋气前时长，控制所述第二切换阀关闭。本发明的第二个目的在于提供一种供气系统，以解决的技术问题

本发明提供的供气系统，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室，所述供气系统用于上述任一项的进气控制方法，所述供气系统包括：

供气气路，每一所述供气气路均独立地通过第一切换阀连接于所述工艺腔室；

抽气泵，每一所述供气气路均独立地通过第二切换阀连接于所述抽气泵；

质量流量计，所述供气气路通过所述质量流量计与所述第一切换阀和第二切换阀连接；以及，

止逆控制组件，所述止逆控制组件用于防止所述质量流量计的面向所述第一切换阀和所述第二切换阀的一侧的气压高于所述质量流量计面向所述供气气路的一侧。

通过设置止逆控制组件，可以在供气管路进行憋气时，在憋气气压过大时排放第一切换阀和第二切换阀之间的憋气管路中的气体，消除憋气时间过长，质量流量计与第一切换阀和第二切换阀之间的憋气管路中的气压过大，而造成质量流量计失效乃至于气体导管的风险。

优选的技术方案中，供气系统还包括控制器，所述控制器包括：

获取模块，用于获得憋气时长；

第一控制模块，用于控制第一切换阀保持关闭状态，且控制第二切换阀关闭，所述第一切换阀连接于质量流量计和工艺腔室的供气管路之间，所述第二切换阀连接于质量流量计和抽气泵之间；以及

第二控制模块，用于在控制所述第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭后经过所述憋气时长，控制所述第一切换阀打开并关闭所述第二切换阀。

优选的技术方案中，所述止逆控制组件包括真空规，所述真空规用于测量所述质量流量计与所述第一切换阀之间或所述质量流量计与所述第二切换阀之间的管路的气压。

优选的技术方案中，所述止逆组件还包括单向阀，所述单向阀设置于所述抽气泵与所述质量流量计之间；单向阀，所述单向阀配置为只能由所述质量流量计向所述抽气泵单向导通。

本发明的第三个目的在于提供一种半导体工艺设备，以解决切换气体时所需时间长的技术问题。

本发明提供的半导体工艺设备，包括上述的供气系统。

通过在半导体工艺设备中设置上述供气系统，相应地，该半导体工艺设备具有上述供气系统的所有优势，在此不再一一赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或背景技术中的技术方案，下面将对实施例或背景技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为应用本发明的一个实施例提供的进气控制方法所应用于的半导体工艺设备的工艺腔室的示意图；

图2为应用本发明的一个实施例提供的进气控制方法所应用于的半导体工艺设备的供气系统的示意图；

图3为应用本发明的一个实施例提供的进气控制方法所应用于的半导体工艺设备的供气系统中的一个子供气气路的示意图；

图4为本发明的一个实施例提供的进气控制方法的示意性流程图；

图5为相关技术一与本发明一个实施例中的气体状态切换的对比示意图；

图6为相关技术一与本发明一个实施例中的第一切换阀和第二切换阀的控制流程示意图；

图7为相关技术一与本发明一个实施例中某一边缘进气管路向工艺腔室进气的流量的对比时序示意图；

图8为相关技术一与本发明一个实施例中某一边缘进气管路向工艺腔室进气的工艺腔室内的气压变化示意图；

图9为本发明的一个实施例提供的进气控制方法的流程示意图；

图10为本发明的一个实施例中一种供气系统中的控制器的结构示意图。

附图标记说明：

101-中心进气口；102-边缘进气口；103-分子泵；104-抽气泵；

110-第一管路组；111-第一子气路；112-第二子气路；113-第三子气路；120-第二管路组；

131-第一切换阀；132-第二切换阀；133-质量流量计；134-真空规；

401-获取模块；402-第一控制模块；403-第二控制模块。

具体实施方式

相关技术一：

该相关技术提供了将不同气体组成提供到室(如等离子处理设备的等离子处理室)的气体分配系统的气体切换系统。该室可包括多个区域，以及该气体切换部分可将不同的气体提供到该多个区域。该切换部分可切换一个或多个气体的流动，从而可以将一种气体提供到该室，而将另一种气体提供到旁通管线，并且然后切换该气流。

但是，该技术中，受限于MFC(质量流量控制器)的设定流量，进气流量不会大于MFC的设定流量。而且，由于在未向等离子处理室进气时，气体被从旁路管线的泵抽走，存在气体浪费的问题。

相关技术二：

该相关技术公开了一种实现反应气体快速切换的等离子体反应室及其方法，通过采用本发明的技术方案，使得整个工艺过程流入反应腔的气体总流量相同，有利于控制反应腔的压力稳定，同时，两组气体从反应腔的上方和下方同时注入反应腔内，在保证不影响基片刻蚀反应和沉积反应的同时，变相的减小了反应腔的容积，更有利于气体快速充满反应腔，提高了刻蚀步骤和沉积步骤的切换速率，进而提高了基片的刻蚀速率。同时，由于反应腔内的气压高于抽气泵处的气压，气体流量控制器需要面对的压力差较小，有利于准确、稳定的控制反应气体流速，从而提高制程的稳定性。

此发明将非本步骤使用的气体同时通向反应腔的下部，从而变相的减小了反应腔的容积。但此进气方式需要特殊设计的管路把本步骤不使用的气体通向反应腔下部，从而会对腔室流场造成影响。并且会使得腔室气体一直处于和不使用气体混合的状态，该方案会对工艺结果有负面影响。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1为应用本发明的一个实施例提供的进气控制方法所应用于的半导体工艺设备的工艺腔室的示意图；图2为应用本发明的一个实施例提供的进气控制方法所应用于的半导体工艺设备的供气系统的示意图；如图1和图2所示，该实体设备包括工艺腔室，工艺腔室具有位于其顶部中央位置的中心进气口101，中心进气口101连接中心进气管路，工艺腔室还具有位于其侧壁的边缘进气口102，边缘进气口102连接边缘进气管路。工艺腔室的供气系统还包括第一管路组110和第二管路组120，第一管路组110包括用于供应SF

图4为本发明的一个实施例提供的进气控制方法的示意性流程图；如图4所示，该进气控制方法可以应用于上述的半导体工艺设备，上述方法包括：

S210、获得憋气时长，具体包括：

S211、获得憋气管路的体积和设定流量；

其中，憋气管路，指的是第一子气路111、第二子气路112和第三子气路113中，从质量流量计133到第一切换阀131和第二切换阀132的管路。相应地，憋气管路的体积指的是，在质量流量计133与第一切换阀131和第二切换阀132之间的管路内部空间的体积总和。设定流量，指的是，各种气体在流动时，由对应的质量流量计133所控制的流量。其中憋气管路的体积通常为10ml～5L，本实施例中，每种气体的使用步骤时间通常为0.1s～10s，对应地，憋气时长通常小于5s。

S212、根据憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长：

具体地，可以采用憋气管路的体积除以设定流量的办法，获得憋气时长。

当然，考虑到憋气气压高于常态气压，获得憋气时长还包括获得憋气气压和常态气压，根据憋气气压、常态气压、憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长，憋气时长与憋气气压正相关，且与常态气压负相关。

其中，常态气压，为各种气体通入中心进气管路或边缘进气管路时，或进入到工艺腔室之后的气压。而憋气气压，则为憋气过程中的最高气压。由于憋气气压大于常态气压，说明憋气过程中，进入到憋气管路的气体的物质的量大于气体在憋气管路中正常流动的量，所以需要更长的憋气时长。因此将憋气气压和常态气压的关系考虑进来。而憋气气压为憋气过程中的气压最大值，并非憋气过程中的平均气压值。所以憋气时长与憋气气压正相关，且与常态气压负相关，并非直接用憋气气压除以常态气压。例如，如果常态气压是100mT，憋气气压是200mT，则在计算憋气时长时，并不是简单地将用憋气管路的体积除以设定流量所得的结果乘以2，可以考虑乘以1.5或1.6这样一个修正系数，从而获得更加可靠的憋气时长。

S220、获取气体通入腔室时刻，在气体通入腔室时刻前的憋气时长，控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭。

具体地，获取每个气体通入腔室时刻，根据该开始时刻，向前反推憋气时长，得到憋气开始的时间点，在该时间点，控制第二切换阀132由之前打开状态切换为关闭状态，控制第一切换阀131保持关闭状态。

其中，本实施例中，半导体设备包括第一管路组和第二管路组，第一管路组用于提供执行沉积工艺的第一气体；第二管路组用于提供执行刻蚀工艺的第二气体；第一管路组和第二管路组分别设有质量流量计133和第一切换阀131和第二切换阀132；

特别是在bosch工艺中，需要沉积步骤和刻蚀步骤，交替通入不同的气体。由于刻蚀速率与压强有关，更高的气压会带来更高的刻蚀速率。但是气体的混合状态，也会降低晶圆的产能。同时，更低的沉积气压会使得沉积更加均匀，尤其是对沉孔的侧壁保护而言，需要更低的气压。因此，多数时候，工艺配方如下表所示，一个循环内拥有一个低压的沉积步骤和两个高压的刻蚀步骤，沉积步骤需要第二管路组120，两个刻蚀步骤需要第一管路组110。因此一个循环内存在两次供气气路切换。

从上表中可以看出，从沉积步骤变换成刻蚀步骤时，工艺腔室中的气压存在压升。而反之，在刻蚀步骤变换成沉积步骤时存在压降。所以，在沉积工艺向刻蚀工艺切换时，需要在向工艺腔室通入刻蚀工艺所需气体时的供气管路内进行憋气，而在刻蚀工艺向沉积工艺切换时，则不进行憋气。

即，控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭具体包括：

获取沉积工艺的沉积工艺时长，根据沉积工艺时长和憋气时长，获得憋气前时长，憋气前时长与沉积工艺时长正相关并且与憋气时长负相关。具体地，憋气前时长＝沉积工艺时长-憋气时长。

其中，在憋气前时长内，第一管路组110所连的第一切换阀131保持打开状态，所连的第二切换阀132保持关闭状态，执行沉积工艺的第一气体通向工艺腔室。而此时，在憋气前时长内，第二管路组120所连的第一切换阀131保持关闭状态，所连的第二切换阀保持打开状态，执行刻蚀工艺的第二气体通向泵。

而在随后的憋气时长内，第一管路组110所连的第一切换阀131和第二切换阀132的状态保持不变，第一气体仍继续通向工艺腔室；在憋气时长开始时，第二管路组120所连的第一切换阀131关闭，并保持关闭至憋气时长结束，第二切换阀132保持关闭状态，第二气体通向憋气管路并进行憋气。

当憋气时长结束时，即刻蚀工艺的气体通入腔室时刻，第一管路组110所连的第一切换阀131关闭，所连的第二切换阀132打开，第一气体通向泵，并保持至沉积工艺再次开始。第二管路组120所连的第一切换阀131打开，所连的第二切换阀132关闭，第二气体通向工艺腔室，直至刻蚀工艺结束。

所以本实施例中，供给气体以执行某一工艺的管路组中的第一切换阀131和第二切换阀132的开关并不是同步的。并不是同步的，指的是，该管路组中的第一切换阀131和第二切换阀132中，并非一者打开另一者就同时关闭。实际运行中，会出现该管路组中第一切换阀131先保持关闭，对应的第二切换阀132在该期间先打开一段时间，然后再关闭达到需要的憋气时长，然后再打开第一切换阀131以实现增压。

S230、获得实际气压，若实际气压大于预设气压，控制第二切换阀132打开。

如图3所示，具体地，实际气压，指的是憋气管路中的气体气压，由于在憋气过程中，第一切换阀131和第二切换阀132均保持关闭，所以可以认为憋气管路中的气压基本上是均匀的。具体地，实际气压可以由连接憋气管路的真空规测得。预设气压，则为在憋气管路中所允许的气压最大值，例如可以为1torr～760torr。当实际气压大于预设气压时，由于可以强制打开第二切换阀132，以使得气体排出，并进行报警。由于抽气泵104和分子泵103相连，通常此处压力在400torr的情况下不会对真空系统造成伤害。本方案中，使用低于400torr的憋气气压向反应腔供气。若不设置此控制步骤，憋气管路的压力会随着憋气时间的延长而不断升高，最终造成质量流量计133失效，并产生倒灌的风险。而采用了该控制方法，可以保证质量流量计133的下游侧处于安全的气压状态下，避免质量流量计133失效。

S240、在控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭后经过憋气时长，控制第一切换阀131打开并关闭第二切换阀132。

若憋气的实际时间过大，会使得质量流量计133两侧的气压相同，导致质量流量计133失效。所以在憋气过程中，气压不断升高，当憋气时长达到，即经过了憋气时长之后，控制第一切换阀131打开，并关闭第二切换阀132，憋气管路中的气压较高的气体，即物质的量较多的气体即可进入到边缘进气管路中。所以工艺步骤开始时，实际进气流量大于质量流量计133的设定流量，例如，本实施例中，进行了0.3s的憋气，可以瞬时提高工艺腔室的压升速率两倍，明显高于常规方法，其中，常规方法中，通常的进气速率为20sccm～3000sccm，优选为100sccm～600sccm。所以采用了上述的进气控制方法，可以更快地完成气体交换。若工艺过程中，使用多组混合气交替进行反应，此过程可以实现气体快速切换的工艺。

总之，采用上述的在某种工艺气体的气体通入腔室时刻之前的憋气时长关闭第二切换阀，先持续向憋气管路中通入该工艺气体，使得憋气管路中产生憋气现象，能够有效地提高憋气管路中的气压。由于气体流过某一段管路或某个区域的速率正相关于这段管路或这个区域的进口端和出口端之间的气压差，所以提高了憋气管路中的气压，可以使得工艺气体通过第一切换阀进入到工艺腔室的速率明显提高。换言之，进入相同的物质的量的气体，则可以缩短进气时间，即提高进气效率。

而且，由于在气体通入腔体时刻之前就已经关闭了第二切换阀，所以，不同于相关技术中送入的部分气体还会被泵抽走的方案，气体通入时刻之前送入的工艺气体都可以进入到工艺腔室中，而不会被泵直接抽走，也可以节省工艺气体的用量。此外，若不同工艺进程中，工艺腔室的气压不同，在后一工艺过程的气压高于前一工艺过程时，在憋气管路中憋气，可以提高憋气管路中的气压，以利于向工艺腔室进气的过程中，提前达到工艺腔室的气压，可以缩短工艺腔室达到该气压的时长。

此外，图5为相关技术一与本发明实施例中的气体状态切换的对比示意图，图中上半部为相关技术一，下半部为本发明实施例。图6为相关技术一与本发明实施例中的第一切换阀131和第二切换阀132的控制流程示意图，图中左半部为相关技术一，右半部为本发明实施例。图7为相关技术一与本发明实施例中某一边缘进气管路向工艺腔室进气的流量的对比时序示意图，图中上半部为相关技术一，下半部为本发明实施例。图8为相关技术一与本发明实施例中某一边缘进气管路向工艺腔室进气的工艺腔室内的气压变化示意图；图中左半部为相关技术一，右半部为本发明实施例。

在采用相关技术一的方案中，图7的时间2，由质量流量计133以设定流量通过的气体，不进入反应腔参与工艺，而是被抽气泵104抽走，所以造成气体浪费。而本发明实施例中，则是将原本会被抽气泵104抽走的部分或全部气体，在质量流量计133与第一切换阀131之间进行储存。而在工艺步骤开始时，快速通入反应腔室，参与工艺。因此，该方法可以节省工艺气体，即使用更小的流量完成气体切换。

当步骤间存在的较大的压差时，例如高压步骤大于气压最低的步骤30mT以上，该进气方法由于提高了憋气管路中的气压，能够使得在工艺步骤开始时，需要向工艺腔室中进气的第一切换阀131上游侧的压力提升，从而可以加快进气速率，很快地完成工艺腔室内的气体交换，并且提升压力，避免两组气体在工艺腔室内混合较长时间，从而提高工艺表现。如图5所示，在图5中，在每个关闭132右侧的通向腔室的过程中，都会产生上述加快进气速率的进气增强阶段，即每次关闭第二切换阀132之后，再打开第一切换阀131，都会较快地完成工艺腔室内的气体交换。其中，进气增强阶段的时长，可以为向工艺腔室进气的全部时长，也可以是向工艺腔室进气的时长的开始时段。全部时长的情形如图7中的下半部的填充有虚线的三角形部分所示所示。

例如，沉积步骤开始时，会读取此步骤的时长和下一步骤的憋气时间，当沉积步骤结束前的憋气时长时，关闭下一步骤所需气体的第二切换阀132，对下一步骤所需的气体进行憋气，从而在下一步骤开始时，使得工艺腔室需要较高压强时获得更快的压力提升速率。如图8所示，图8的左图所展示的是，在未使用该控制方法时进气500sccmSF

图9为本发明的一个实施例中另一种进气控制方法的示意性流程图，上述方法包括：

S301、获得憋气管路的体积、设定流量、憋气气压和常态气压。

S302、根据憋气气压、常态气压、憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长。

S303、获取气体通入腔室时刻，在气体通入腔室时刻前的憋气时长，控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭。

S304、获得实际气压；

S305、若实际气压大于预设气压，控制第二切换阀132打开；

S306、经过憋气时长，控制第一切换阀131打开并关闭第二切换阀132。

本发明实施例还提供一种供气系统，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括工艺腔室，供气系统上述的进气控制方法，供气系统包括：

供气气路，每一供气气路均独立地通过第一切换阀131连接于工艺腔室；

抽气泵104，每一供气气路均独立地通过第二切换阀132连接于抽气泵104；

质量流量计133，供气气路通过质量流量计133与第一切换阀131和第二切换阀132连接；以及，

止逆控制组件，止逆控制组件用于防止质量流量计133的面向第一切换阀131和第二切换阀132的一侧的气压高于质量流量计133面向供气气路的一侧。

具体地，本实施例所应用的半导体设备中，分子泵102的上游与工艺腔室连接，分子泵102的下游与抽气泵104连接，可以由分子泵102将工艺腔室中的气体抽出，通过抽气泵104排出。

其中，本实施例中，供气气路独立地通过第一切换阀131连接于工艺腔室，指的是，执行每一种工艺时所需要通入的气体，通过一个第一切换阀131连接于工艺腔室。例如，执行刻蚀工艺时通入工艺腔室的气体，通过一个第一切换阀131连接于工艺腔室，执行沉积工艺时通入工艺腔室的气体通过另一个第一切换阀131连接于工艺腔室。其中，通过第一切换阀131连接于工艺腔室，指的并不是第一切换阀131的出口直接连接在工艺腔室上，而是，第一切换阀131通过进气管路连接于工艺腔室。其中，进气管路可以包括用于通向工艺腔室顶部的中心进气管路和用于通向工艺腔室侧壁的边缘进气管路。

通过设置止逆控制组件，可以在供气管路进行憋气时，在憋气气压过大时排放第一切换阀131和第二切换阀132之间的憋气管路中的气体，消除憋气时间过长，质量流量计133与第一切换阀131和第二切换阀132之间的憋气管路中的气压过大，而造成质量流量计失效乃至于气体导管的风险。

优选地，止逆控制组件包括真空规134，真空规134用于测量质量流量计133与第一切换阀131之间或质量流量计133与第二切换阀132之间的管路的气压。

具体地，本实施例中，真空规132的量程可以选用1torr～760torr，由于本实施例所应用的半导体设备中，工艺腔室与分子泵102相连，而分子泵102和抽气泵104相连，而本实施例中的憋气气压小于400torr，所以此处压力在400torr以下不会对真空系统造成伤害。

通过设置真空规，可以获得第一切换阀131和第二切换阀132之间的憋气管路的气压，当气压超过预设气压时，可以控制相关的阀进行动作，从而保护了质量流量计133。

优选地，止逆组件还包括单向阀(图中未示出)，单向阀设置于抽气泵104与质量流量计133之间；单向阀，单向阀配置为只能由质量流量计133向抽气泵104单向导通。

通过设置单向阀，可以防止通入抽气泵104的入口处的气体反向流动至质量流量计133的下游侧，防止供气系统运行时，上一步骤从工艺腔室排出的气体再次通过第一切换阀131流入到工艺腔室中，从而保证了工艺运行的可靠性。

图10为本发明的一个实施例中一种供气系统中的控制器的结构示意图。

如图10所示，供气系统还包括控制器，控制器包括：

获取模块401，用于获得憋气时长；

第一控制模块402，用于控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭，第一切换阀131连接于质量流量计133和工艺腔室的供气管路之间，第二切换阀132连接于质量流量计133和抽气泵104之间；

第二控制模块403，在控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭后经过憋气时长，控制第一切换阀131打开并关闭第二切换阀132。

可选地，作为一个实施例，获取模块401具体用于：获得憋气管路的体积和设定流量，根据憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长。

可选地，作为一个实施例，获取模块401还具体用于：获得憋气气压和常态气压，根据憋气气压、常态气压、憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长，憋气时长与憋气气压正相关，且与常态气压负相关。

可选地，作为一个实施例，控制器还包括泄压模块404，泄压模块具体用于：获得实际气压，若实际气压大于预设气压，控制第二切换阀132打开。

可选地，作为一个实施例，第二控制模块403还具体用于，获取气体通入腔室时刻，在气体通入腔室时刻前的憋气时长，控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭。

可选地，作为一个实施例，第二控制模块403还具体用于，控制第一切换阀131保持关闭状态，且控制第二切换阀132关闭包括：

获取沉积工艺的沉积工艺时长，根据沉积工艺时长和憋气时长获得憋气前时长，憋气前时长与沉积工艺时长正相关并与憋气时长负相关；

在沉积工艺开始后经过憋气前时长，控制第二切换阀132关闭。

本发明实施例还提供一种导体工艺设备，包括上述的供气系统。

通过在半导体工艺设备中设置上述供气系统，相应地，该半导体工艺设备具有上述供气系统的所有优势，在此不再一一赘述。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的空调的控制装置和空调而言，由于其与上述实施例公开的空调的控制方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。