一种窄边框屏体显示结构

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种窄边框屏体显示结构。

背景技术

目前柔性屏幕应用十分广泛，可以制作成可弯曲、可折叠、可卷起的形式，可变型、可弯折的柔性显示屏能够给用户带来颠覆性的使用体验。通常，柔性屏幕下边框结构设计均为屏体扇出fanout走线加上麻花区构成，由于线路本身具有一定宽度，致使柔性屏幕的下边框宽度加大，难以做到缩小屏幕下边框的效果，达不到全面屏的理想使用效果。

发明内容

本发明提供一种窄边框屏体显示结构，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明的技术方案为一种窄边框屏体显示结构，包括：

基板，所述基板用于阻挡杂质及水汽浸入；

耐底层，所述耐底层设置在所述基板的上方；

第一无机层，所述第一无机层层叠在所述耐底层的上方；

电极层，所述电极层设置在所述第一无机层的上方，所述电极层包括栅极绝缘子层、漏极和源极，所述漏极和所述源极层叠在所述第一无机层的上方，所述栅极绝缘子层包覆在所述源极和所述漏极上；

电容介质层，所述电容介质层包覆在所述栅极绝缘子层的上方；

第二无机层，所述第二无机层包覆在所述电容介质层的上方；

填平层，所述填平层设置在所述第二无机层的上方；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述填平层的上方。

进一步，所述耐底层包括依次连接的第一耐底子层和第二耐底子层，所述第一耐底子层设置在所述基板的上方，所述第二耐底子层设置在所述第一耐底子层的上方。

进一步，所述第一无机层包括第一无机子层和第二无机子层，所述第一无机子层设置在所述耐底层的上方，所述第二无机子层设置在所述第一无机子层的上方，所述第一无机子层用于隔绝所述基板的污染物，所述污染物至少包括Na离子和K离子，所述第二无机子层用于阻止ELA工艺造成的热传导损失。

进一步，所述电极层还包括多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述源极和所述漏极之间，所述多晶硅层用于形成薄型晶体管TFT的源极和漏极。

进一步，还包括金属连接件，所述金属连接件设置在窄边框屏体显示结构内，所述金属连接件包括第一金属连接件、第二金属连接件和第三金属连接件。

进一步，所述第一金属连接件包括第一连接件、第二连接件和第三连接件；

所述第一连接件和所述第二连接件设置在所述电容介质层内，所述第三连接件依次穿过所述电容介质层、所述栅极绝缘子层、所述第一无机层和所述耐底层，所述第三连接件与所述基板相接。

进一步，所述第二金属连接件包括第四连接件、第五连接件和第六连接件；

所述第四连接件依次穿过所述填平层、所述第二无机层和所述栅极绝缘层，所述第四连接件与源极相接；

所述第五连接件依次穿过所述平坦化层、所述填平层、所述第二无机层、所述电容介质层和所述栅极绝缘层，所述第五连接件与漏极连接；

所述第六连接件依次穿过所述填平层、所述第二无机层和所述电容介质层，所述第六连接件与第一金属连接件相接。

进一步，所述第二无机层设置有第一槽孔、第二槽孔和第三槽孔，所述第四连接件穿过所述第一槽孔，所述第五连接件穿过所述第二槽孔，所述第六连接件穿过所述第三槽孔。

进一步，所述第三金属连接件设置在所述平坦化层的内部，所述第三金属连接件与所述第五连接件相接。

进一步，所述耐底层的材料为柔性OLED材料制成。

本发明的有益效果如下，

本申请中，所述的窄边框屏体显示结构实现窄边框全面屏方案，同时减少PadBending麻花区裂纹风险，屏体取消fanout加麻花区走线设计，在模组生产只需进行COP绑定和/或FOP绑定制程，无需进行BPL/Pad bending制程；膜层设计方面，array AA区Data金属线直接垂直过孔至PI侧，做Data线、CT线、静电防护区、COP绑定区(裸露)、FOP绑定区金属线(裸露)、无机层等Array制程。

附图说明

图1是本发明实施例的窄边框屏体显示结构的示意图。

图2是本发明实施例的窄边框屏体显示结构的简称示意图。

图3是现有方案屏体结构的示意图。

上述图中，100、基板；200、耐底层；210、第一耐底子层；220、第二耐底子层；300、第一无机层；310、第一无机子层；320、第二无机子层；400、电极层；410、栅极绝缘子层；420、漏极；430、源极；440、多晶硅层；500、电容介质层；600、第二无机层；700、填平层；800、平坦化层；900、金属连接件；910、第一金属连接件；911、第一连接件；912、第二连接件；913、第三连接件；920、第二金属连接件；921、第四连接件；922、第五连接件；923、第六连接件；930、第三金属连接件。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本发明的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要说明的是，如无特殊说明，当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征，它可以直接固定、连接在另一个特征上，也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外，本发明中所使用的上、下、左、右、顶、底等描述仅仅是相对于附图中本发明各组成部分的相互位置关系来说的。

此外，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与本技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，而不是为了限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的组合。

应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的元件彼此区分开。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一元件也可以被称为第二元件，类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

参照图1和图2，在一些实施例中，根据本发明的一种窄边框屏体显示结构，包括：

基板BI 100，所述基板BI 100用于阻挡杂质及水汽浸入；

耐底层PI 200，所述耐底层PI 200设置在所述基板BI 100的上方；

第一无机层300，所述第一无机层300层叠在所述耐底层PI 200的上方；

电极层400，所述电极层400设置在所述第一无机层300的上方，所述电极层400包括栅极绝缘子层GI 410、漏极D 420和源极S 430，所述漏极D 420和所述源极S 430层叠在所述第一无机层300的上方，所述栅极绝缘子层GI 410包覆在所述源极S 430和所述漏极D420上；

电容介质层CI 500，所述电容介质层CI 500包覆在所述栅极绝缘子层GI 410的上方；

第二无机层600，所述第二无机层600包覆在所述电容介质层CI 500的上方；

填平层PLN2 700，所述填平层PLN2 700设置在所述第二无机层600的上方；

平坦化层PLN3 800，所述平坦化层PLN3 800设置在所述填平层的上方。

本发明的有益效果如下，

本申请中，所述的窄边框屏体显示结构实现窄边框全面屏方案，同时减少PadBending麻花区裂纹风险，屏体取消fanout加麻花区走线设计，在模组生产只需进行COP绑定和/或FOP绑定制程，无需进行BPL/Pad bending制程；膜层设计方面，array AA区Data金属线直接垂直过孔至PI侧，做Data线、CT线、静电防护区、COP绑定区(裸露)、FOP绑定区金属线(裸露)、无机层等Array制程。

具体地，参照图3，目前柔性屏幕下边框的结构设计均为屏体fanout走线加麻花区构成，线路本身均有一定宽度，致使屏幕下边框宽度加大，用户使用时达不到全面屏使用效果。

其中，参照图3，CG为盖板，OCA为光学胶，POL为偏光片，SCF为复合胶带，OLED为蒸镀膜层，TP为触控膜层.

进一步，参照图1，所述耐底层PI 200包括依次连接的第一耐底子层PI1210和第二耐底子层PI2 220，所述第一耐底子层PI1 210设置在所述基板BI 100的上方，所述第二耐底子层PI2 220设置在所述第一耐底子层PI1 210的上方。

在一些实施例中，所述耐底层PI 200为柔性OLED耐底。

进一步，参照图1，所述第一无机层300包括第一无机子层SIN 310和第二无机子层SIO 320，所述第一无机子层SIN 310设置在所述耐底层PI 200的上方，所述第二无机子层SIO 320设置在所述第一无机子层SIN 310的上方，所述第一无机子层SIN 310用于隔绝所述基板BI 100的污染物，所述污染物至少包括Na离子和K离子，所述第二无机子层SIO 320用于阻止ELA工艺造成的热传导损失。

进一步，参照图1和图2，所述电极层400还包括多晶硅层P-SI 440，所述多晶硅层P-SI 440设置在所述源极S 430和所述漏极D 420之间，所述多晶硅层P-SI 440用于形成薄型晶体管TFT的源极S 430和漏极D 420。

具体地，在一些具体的实施例中，栅极绝缘子层GI 410为沟道开关重要组成部分，所述多晶硅P-Si 440构成形成薄膜晶体管TFT的源极S和漏极D。

具体地，所述第二无机层600用于阻挡水汽、金属离子及机械性刮伤，以及用于弯折区挖槽，薄膜晶体管TFT可采用SiOx和/或SiNx叠层结构作为层间绝缘层。

进一步，参照图1和图2，还包括金属连接件900，所述金属连接件900设置在窄边框屏体显示结构内，所述金属连接件900包括第一金属连接件M1 910、第二金属连接件M2 920和第三金属连接件M3 930。

进一步，参照图1和图2，所述第一金属连接件M1910包括第一连接件911、第二连接件912和第三连接件913；

所述第一连接件911和所述第二连接件912设置在所述电容介质层CI 500内，所述第三连接件913依次穿过所述电容介质层CI 500、所述栅极绝缘子层GI 410、所述第一无机层300和所述耐底层，所述第三连接件913与所述基板BI 100相接。

进一步，参照图1和图2，所述第二金属连接件M2920包括第四连接件921、第五连接件922和第六连接件923；

所述第四连接件921依次穿过所述填平层PLN2 700、所述第二无机层600和所述栅极绝缘层GI，所述第四连接件921与源极S 430相接；

所述第五连接件922依次穿过所述平坦化层PLN3 800、所述填平层PLN2700、所述第二无机层600、所述电容介质层CI 500和所述栅极绝缘层，所述第五连接件922与漏极D420连接；

所述第六连接件923依次穿过所述填平层PLN2 700、所述第二无机层600和所述电容介质层CI 500，所述第六连接件923与第一金属连接件M1 910相接。

具体地，所述平坦化层PLN3 800保证Anode平整性，所述填平层PLN2700填平弯折区及平坦AA区，保证所述第四金属连接件M4的平整性。

进一步，参照图1和图2，所述第二无机层600设置有第一槽孔、第二槽孔和第三槽孔，所述第四连接件921穿过所述第一槽孔，所述第五连接件922穿过所述第二槽孔，所述第六连接件923穿过所述第三槽孔。

进一步，参照图1和图2，所述第三金属连接件M3930设置在所述平坦化层PLN3 800的内部，所述第三金属连接件M3930与所述第五连接件922相接。

具体地，在一些具体的实施例中，所述第一金属连接件M1 910构成栅极、电容下极板、Scan线及EM线(M1&P-Si形成全部TFT位置)；所述第二金属连接件M2构成电容上极板、屏体Vref线路；所述所述第三金属连接件M3构成Vdata/ELVDD线路、源漏极形成导线进行电路连接；所述第四金属连接件M4连接ELVDD&阳极与M3走线。

进一步，参照图1，所述耐底层PI 200的材料为柔性OLED材料制成。

本发明还公开了一种窄边框屏体显示结构的制备方法，所述的方法包括以下步骤：

S100、玻璃通过薄膜沉积、曝光显影、刻蚀和光刻胶剥离实现图形化，每次成膜及涂胶前需清洗，制程中对图形进行检测；

S200、耐底层PI不进行图形化，无需光罩，部分制程有机胶通过曝光显影实现图形化、不进行刻蚀与光刻胶剥离；

S300、制程中的其它工艺，准分子激光退火ELA、离子注入活化退火等；

S400、通过若干道光罩循环，形成图形化膜层堆叠，集成微电子器件结构。

以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开保护的范围之内。都应属于本发明的保护范围。在本发明的保护范围内其技术方案和/或实施方式可以有各种不同的修改和变化。