用于处理基板的装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月8日提交的、申请号为10-2019-0082242的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。

背景技术

用于集成电路的大多数工艺是通过光刻工艺在芯片电路的层处形成期望的图案。在这种情况下，光刻工艺被称为使光穿过具有期望图案的掩模的工作，该掩模在半导体的制造工艺中被放置在半导体晶圆上，以将图案从掩模转移到光刻胶(photoresist)。

光刻工艺使用作为光化学反应材料的光刻胶。光刻胶包括负性光刻胶以形成大分子，因为当接收光时引起化学键合；和正性光刻胶，该正性光刻胶分离成单元分子，因为当接收光时化学键断裂。在光刻工艺中，通过利用光刻胶的这种特性，从晶圆选择性地去除光刻胶，从而形成复杂的电路。

另外，为了执行光刻工艺，涂覆有光刻胶的晶圆的外围部分由卡盘捕获以被运送或处理。在这种情况下，在晶圆的、与卡盘或夹具接触的位置处形成光刻胶颗粒，这会导致后续工艺的失败。

为了清洁这种光刻胶颗粒，清洁设备清洁晶圆的顶表面和底表面。特别地，用于清洁晶圆的底边缘部分(bottom edge part)的清洁设备通过在轨道的涂覆机中涂覆光刻胶之后执行反冲洗(back rinse)，来从残留在涂覆过程中的晶圆的底表面去除光刻胶异物。

当异物残留在晶圆上时，晶圆可能无法在烤箱模块(oven module)中均匀烘烤。另外，在曝光系统中可能引起错误，或者在随后的过程中可能形成颗粒。为防止此类问题，底边缘喷嘴喷洒溶剂(稀释剂)以从背面去除光刻胶。

然而，由于当拆卸碗(bowl)时与底边缘喷嘴的干扰，清洁设备的底边缘喷嘴可能未紧靠基板的底边缘部分定位。

发明内容

本发明构思的实施方案提供一种用于处理基板的装置，能够容易地清洁基板的底边缘部分。

本发明构思的实施方案提供一种用于处理基板的装置，能够容易地设定边缘喷嘴的位置。

本发明构思的实施方案提供了一种用于处理基板的装置，能够防止在附接或拆卸处理碗(treating bowl)的工艺中与边缘喷嘴的干扰。

将在本发明构思中实现的目的不限于上述目的，而是本领域技术人员将明显地理解未提及的其他目的。

根据一示例性实施方案，可以提供一种用于处理基板的装置，所述装置包括：基板支承构件，其将基板安置在所述基板支承构件上；处理碗，其围绕所述基板支承构件；基部板(base plate)，其设置成面向安置在所述基板支承构件上的所述基板的底表面；和边缘喷嘴构件，其安装在所述基部板上、以将处理液体喷洒到安置在所述基板支承构件上的所述基板的底边缘部分。所述边缘喷嘴构件可以包括：主体，其安装在所述基部板上；喷嘴臂，其将边缘喷嘴安装在所述喷嘴臂上、以在所述主体上可滑动地移动；和固定构件，其将所述喷嘴臂保持在所述主体上的设定位置处。

另外，所述固定构件可包括永磁体。

此外，所述主体可包括滑动表面和引导孔(guide hole)，使得所述喷嘴臂可滑动地移动。

此外，所述喷嘴臂可包括磁性物质(magnetic substrate)，且所述喷嘴臂可包括：插入到所述引导孔中的引导销(guide pin)；和用于确定所述设定位置的标记部(markingpart)。

另外，当取出所述处理碗时，所述喷嘴臂可以在以预定角度旋转的情况下向上移动之后，可滑动地插入至所述主体的滑动表面中，且当执行工艺时，在通过滑动暴露所述喷嘴臂之后，所述喷嘴臂可以移动至适合于工艺的所述设定位置。

此外，所述处理碗可包括：外杯，其可拆卸地安装、以围绕所述基板支承构件；和内杯，其可拆卸地安装、以围绕放置在所述基板支承构件上的基板的下部区域。所述内杯可包括喷嘴槽，以定位所述喷嘴臂的所述边缘喷嘴，并且所述设定位置可以是所述边缘喷嘴插入至所述喷嘴槽中的位置。

附图说明

参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：

图1为示出了处理基板的装备(equipment)的平面图；

图2为示出了当在A-A方向上观察时图1的处理基板的装备的视图；

图3为示出了当在B-B方向上观察时图1的处理基板的装备的视图；

图4为示出了当在C-C方向上观察时图1的处理基板的装备的视图；

图5为示出了用于处理基板的装置的截面图；

图6为示出了内杯的立体图；

图7为示出了主题的放大截面图；

图8为示出了边缘喷嘴构件的分解立体图；

图9为示出了边缘喷嘴构件的操作的视图；和

图10A至图10D为示出了逐步将边缘喷嘴构件从设定位置移动到待机位置的过程的视图。

具体实施方式

下文中，将参考附图对本发明构思的实施方案进行更加详细的描述。本发明构思的实施方案可以以多种形式修改，并且本发明构思的范围不应被解释为受以下描述的本发明构思的实施方案限制。提供本发明构思的实施方案是为了向本领域技术人员更完整地描述本发明构思。因此，附图中的组件的形状等被夸大，以强调更清晰的描述。

图1为示出了处理基板的装备的平面图，图2为示出了当在A-A方向上观察时图1的处理基板的装备的视图，图3为示出了当在B-B方向上观察时图1的处理基板的装备的视图，并且图4为示出了当在C-C方向上观察时图1的处理基板的装备的视图。

参照图1至图4，处理基板的装备(基板处理装备)1包括装载口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光/后曝光处理模块(pre/post-exposure treatment module)600和接口模块700。装载口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光/后曝光处理模块600和接口模块700沿一个方向依序地设置成排。

下文中，设置装载口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光/后曝光处理模块600和接口模块700的方向将称为第一方向12，从顶部观察时垂直于第一方向12的方向将称为第二方向14，以及与第一方向12和第二方向14垂直的方向将称为第三方向16。

基板“W”在被接收在盒(cassette)20的情况下移动。在此情况下，盒20具有从外侧密封的结构。例如，在前侧具有门的前开式晶圆盒(front open unified pods,FOUP)可以用作盒20。

下文中，将详细描述装载口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光/后曝光处理模块600和接口模块700。

装载口100具有载体120，盒20放置在载体120上，盒20具有接收在其中的基板“W”。设置了多个载体120，并且多个载体120沿第二方向14设置成排。在图1中，设置了四个载体120。

索引模块200在放置于装载口100的载体120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送基板“W”。索引模块200具有框架210、索引机械手220和导轨230。框架210具有基本矩形平行六面体的形状，该基本矩形平行六面体的形状具有中空结构，并且框架210介于装载口100和第一缓冲模块300之间。索引模块200的框架210可以设置在比将在下面描述的第一缓冲模块300的框架310的高度更低的高度处。索引机械手220和导轨230设置在框架210中。索引机械手220具有四轴驱动结构，允许索引机械手200的直接处理基板“W”的手221在第一方向12、第二方向14和第三方向16上为可移动的且为可旋转的。索引机械手220具有手221、臂222、支承件223和支柱(prop)224。手221固定地安装在臂222中。臂222具有可伸缩的且可旋转的结构。支承件223具有设置在第三方向16上的纵向方向。臂222耦合至支承件223以便沿支承件223为可移动的。支承件223固定地耦合至支柱224。导轨230具有设置在第二方向14上的纵向方向。支柱224耦合至导轨230以沿导轨230为线性可移动的。虽然未示出，但是框架210还包括开门器(door opener)，该开门器打开和关闭盒20的门。

第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲机械手(first buffer robot)360。框架310具有矩形平行六面体的形状，该形状具有中空结构，并且框架310介于索引模块200和涂覆/显影模块400之间。第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲机械手360定位在框架310内。冷却腔室350、第二缓冲区330和第一缓冲区320从底部依序地布置在第三方向16上。第一缓冲区320定位在对应于将在下文描述的涂覆/显影模块400的涂覆模块401的高度处，且第二缓冲区330和冷却腔室350定位在对应于将在下文描述的涂覆/显影模块400的显影模块402的高度处。第一缓冲机械手360在第二方向14上与第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲机械手320间隔开特定距离。

第一缓冲区320和第二缓冲区330临时存储多个基板“W”。第二缓冲区330具有壳体331和多个支承件332。支承件332设置在壳体331内部并沿第三方向16彼此间隔开。各支承件332上放置一个基板“W”。壳体331在设置索引机械手220、第一缓冲机械手360和将在下面描述的显影模块402的显影机械手482的方向上具有开口(未示出)，使得索引机械手220、第一缓冲机械手360和显影机械手482将基板“W”引入到设置在壳体331内部的支承件332中，或从该支承件332中撤出。第一缓冲区320具有与第二缓冲区330的结构基本相似的结构。同时，第一缓冲区320的壳体321在设置第一缓冲机械手360和涂覆机械手432的方向上具有开口，该涂覆机械手432位于将在下面描述的涂覆模块401中。设置在第一缓冲区320中的支承件332的数量可以与设置在第二缓冲区330中的支承件332的数量相同或不同。

根据一实施例，设置在第二缓冲区330中的支承件332的数量可以大于设置在第一缓冲区320中的支承件332的数量。

第一缓冲机械手360在第一缓冲区320和第二缓冲区330之间传送基板“W”。第一缓冲机械手360具有手361、臂362和支承件363。手361固定地安装在臂362中。臂362具有可伸缩的结构，以使手361在第二方向14上为可移动的。臂362耦合至支承件363，以在第三方向16上沿支承件363为线性可移动的。支承件363具有从对应于第二缓冲区330的位置延伸至对应于第一缓冲区320的位置的长度。支承件363可以设置成向上或向下延伸更长。第一缓冲机械手360可以设置成使得手361沿第二方向14和第三方向16简单地为两轴驱动。

冷却腔室350冷却基板“W”。冷却腔室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有其上定位有基板“W”的冷却板352的顶表面、和冷却基板“W”的冷却单元353。诸如使用冷却水的冷却类型和使用热电元件的冷却类型的各种类型可以用作冷却单元353。升降销组件(未示出)可以设置在冷却腔室350中、以将基板“W”定位在冷却板352上。壳体351在设置索引机械手220、和显影机械手482的方向上具有开口(未示出)，使得索引机械手220和显影机械手482将基板“W”引入到冷却板352中，或从该冷却板352中撤出；该显影机械手482设置在将在下面描述的显影模块402中。另外，打开和关闭上述开口的门(未示出)可以设置在冷却腔室350中。

涂覆/显影模块400在曝光工艺之前执行在基板“W”上涂覆光刻胶的工艺，并在曝光工艺之后执行使基板“W”显影的工艺。涂覆/显影模块400具有基本矩形平行六面体的形状。涂覆/显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402可以设置成在不同的层中彼此分隔(partition)。根据一实施例，涂覆模块401位于显影模块402上。

涂覆模块401在基板“W”上执行涂覆光敏液体、诸如光刻胶的工艺，并在刻胶(resist)涂覆工艺之前和之后执行例如加热和冷却基板“W”的热处理工艺。涂覆模块401具有刻胶涂覆腔室410、烘烤腔室420和运送腔室430。刻胶涂覆腔室410、烘烤腔室420和运送腔室430在第二方向14上依序设置。因此，刻胶涂覆腔室410和烘烤腔室420在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室430介于刻胶涂覆腔室410和烘烤腔室420之间。

多个刻胶涂覆腔室410可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。在附图中，示例性地示出了六个刻胶涂覆腔室410。多个烘烤腔室420可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。在附图中，示例性地示出了六个刻胶烘烤腔室420。然而，与此不同，可以设置更多数量的烘烤腔室420。

运送腔室430定位成在第一方向12上平行于第一缓冲模块300的第一缓冲区320。涂覆机械手432和导轨433可以定位在运送腔室430中。运送腔室430具有基本矩形的形状。涂覆机械手432在烘烤腔室420、刻胶涂覆腔室410、第一缓冲模块300的第一缓冲区320和第二缓冲模块500的第一冷却腔室520之间传送基板“W”。导轨433设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨433引导涂覆机械手432，使得涂覆机械手432在第一方向12上线性移动。涂覆机械手432具有手434、臂435、支承件436和支柱437。手434固定地安装在臂435上。臂435具有可伸缩的结构，使得手434为水平可移动的。导轨436设置成使得其纵向方向设置在第三方向16上。臂435耦合至支承件436，以在第三方向16上沿支承件436为线性可移动的。

支承件436固定地耦合至支柱437，且支柱437耦合至导轨433以沿导轨433为可移动的。

烘烤腔室420对基板“W”执行热处理。例如，烘烤腔室420在涂覆光刻胶之前执行预烘烤工艺或软烘烤(soft bake)工艺，该预烘烤工艺是通过在预定温度下加热基板“W”来从基板“W”的表面消除有机物质和水分，该软烘烤工艺在将光刻胶涂覆至基板“W”之后执行；并且烘烤腔室420在加热工艺之后执行冷却基板“W”的冷却工艺。

刻胶涂覆腔室410具有相同结构。然而，刻胶涂覆腔室410可以采用相互不同类型的光刻胶。例如，化学增幅型刻胶(chemical amplification resist)可以用作光刻胶。刻胶涂覆腔室410将光刻胶涂覆到基板“W”上。

刻胶涂覆腔室410具有壳体411、支承板413和喷嘴413。壳体411具有杯的形状，该杯的形状具有敞开的上部。支承板412定位在壳体411内部并支承基板“W”。支承板412可旋转地设置。喷嘴413将光刻胶供给到放置在支承板412上的基板“W”上。具有圆柱管形状的喷嘴413将光刻胶供给至基板“W”的中心。可替代地，喷嘴413具有对应于基板“W”的直径的长度，并且喷嘴413的排放口可以设置为缝(slit)的形式。此外，额外地，刻胶涂覆腔室410还包括喷嘴414，以供给诸如去离子水的清洁液体以清洁涂覆有光刻胶的基板“W”的表面；和边缘喷嘴构件，以供给诸如稀释剂的清洁液体以从基板的底边缘部分去除光刻胶。

在以下附图中，刻胶涂覆腔室410可以用作处理基板的装置(基板处理装置)800。

图5是示出了基板处理装置的截面图。

参照图5，基板处理装置800可以包括壳体810、气流供应单元820、基板支承单元830、处理碗850、液体供给单元840和边缘喷嘴构件890。

壳体810设置为矩形桶(rectangular tub)的形状，该矩形桶具有设置在其中的空间(内部空间)812。在壳体810的一侧中形成有开口(未示出)。该开口用作入口，基板“W”通过该入口被引入或撤出。在开口中安装有门，并且该门打开或关闭该开口。当执行基板处理工艺时，该门通过关闭开口来密封壳体810的空间812。壳体810在其底表面中形成有内部排放口814和外部排放口816。形成在壳体810中的气流通过内部排放口814和外部排放口816排放到外部。根据一实施例，设置在处理碗850中的气流可以通过内部排放口814排放，设置在处理碗850外部的气流可以通过外部排放口816排放。

气流供应单元820在壳体810的内部空间中形成下行气流(descending current)。气流供应单元820包括气流供应管线822、风扇824和过滤器826。气流供应单元820连接至壳体810。气流供应管线822将外部空气供应到壳体810。过滤器826过滤从气流供应管线822供应的空气。过滤器826去除空气中包含的杂质。风扇824安装在壳体810的顶表面上。风扇824定位在壳体810的顶表面上的中心区域中。风扇824在壳体810的内部空间中形成下行气流。当将空气从气流供应管线822供应至风扇824时，风扇824向下供应空气。

基板支承单元830在壳体810的内部空间中支承基板“W”。基板支承单元830旋转基板“W”。基板支承单元830包括转动卡盘(spin chuck)832、旋转轴834和驱动器836。转动卡盘832用作基板支承构件832以支承基板。转动卡盘832设置为具有圆板的形状。基板“W”与转动卡盘832的顶表面接触。转动卡盘832设置为具有比基板“W”的直径小的直径。根据一实施例，转动卡盘832可以通过真空抽吸基板“W”来夹持基板“W”。可替代地，转动卡盘832可以用作静电卡盘，以使用静电来夹持基板“W”。另外，转动卡盘832可以通过物理力来夹持基板“W”。

旋转轴834和驱动器836用作旋转构件834和836，以使转动卡盘832旋转。旋转轴834在转动卡盘832下方支承转动卡盘832。旋转轴834设置为使得其纵向方向面向竖直方向。

旋转轴834设置成围绕其中心轴线是可旋转的。驱动器836提供驱动力，使得旋转轴834旋转。例如，驱动器836可以是用于改变旋转轴834的每分钟转数(revolution perminute，RPM)的电机。

液体供给单元840将处理液体和预湿液体供给到基板“W”上。液体供给单元840可以包括臂848和处理喷嘴844。臂848设置为具有条(bar)的形状。处理喷嘴844固定地耦合到臂848的一个端部。例如，处理液体可以是光敏液体，诸如光刻胶。根据本实施方案，尽管单个处理喷嘴844安装在臂848上，但是将多个处理喷嘴844设置在臂848上并布置成排。处理喷嘴844可以排放相互不同类型的光刻胶液体。

处理碗850位于壳体810的内部空间812中。处理碗850在其中设置有处理空间。处理碗850设置为具有杯的形状，该杯的形状具有敞开的上部。处理碗850包括内杯852和外杯862。内杯852设置成围绕旋转轴834的圆板形状。当从上方观察时，内杯852定位成与内部排放口814重叠。

图6为示出了内杯的立体图，且图7为示出了主题的放大截面图。

参照图5至图7，当从上方观察时，内杯852的顶表面设置成使得其外部区域和内部区域以相互不同的角度倾斜。根据一实施例，内杯852的外部区域852b随着外部区域852b逐渐远离基板支承单元830而面向更向下倾斜(more inclined downward)的方向；并且随着内部区域逐渐远离基板支承单元830，内部区域852a面向更向下倾斜的方向。内杯852的外部区域852b和内部区域852a彼此相遇的顶点852c设置为在竖直方向上对应于基板“W”的底边缘部分。

同时，内杯852具有喷嘴槽853，以放置喷嘴臂894的边缘喷嘴896。喷嘴槽853可设置成从内部区域852a穿过到外部区域852b。

返回参照图5，外杯862设置为杯的形状，以围绕基板支承单元830和内杯852。外杯862具有底壁864、侧壁866和顶壁870。底壁864设置为具有圆板的形状，该圆板的形状具有中空结构。回收管线865连接至底壁864。回收管线865回收供应至基板“W”上的处理液体。通过回收管线865回收的处理液体可以通过外部液体再生系统再利用。侧壁866设置为具有圆柱桶的形状，以围绕基板支承单元830。侧壁866从底壁864的侧端沿竖直方向延伸。侧壁866从底壁864向上延伸。顶壁870从侧壁866的上端、从外杯862向内延伸。顶壁870在顶壁870的上部处变得更靠近基板支承单元830。顶壁870设置为具有环的形状。顶壁870的上端定位成比由基板支承单元830支承的基板“W”更高。

图8为示出了边缘喷嘴构件的分解立体图，且图9为示出了边缘喷嘴构件从设定位置移动到待机位置的过程的视图。

参照图7至图9，边缘喷嘴构件890可以设置在基部板880上，基部板880设置成面向安置在基板支承单元830上的基板的底表面。

边缘喷嘴构件890可以将处理液体喷洒到安置在基板支承单元830上的基板的底边缘部分。例如，边缘喷嘴构件890可以包括主体891、喷嘴臂894和固定构件899。

主体891可以安装在基部板880上。主体891可具有设置在其顶表面上的滑动表面892，以允许喷嘴臂894滑动，并且主体891具有形成于其中的相对的侧表面，该侧表面具有引导孔893。

喷嘴臂894具有安装边缘喷嘴896的一端。喷嘴臂894可以设置为在主体891上滑动。喷嘴臂894的另一端可在其相对侧处设置有引导销895，该引导销895待被插入到主体891的引导孔893中。另外，喷嘴臂894可以包括磁性物质。喷嘴臂894可以包括标记部897，以确定设定位置。当喷嘴臂894位于设定位置处时，随着边缘喷嘴896插入到喷嘴槽853中，边缘喷嘴896定位成在喷洒清洁液体的情况下显著地靠近基板的底边缘部分。当喷嘴臂894正常地放置在设定位置处时，标记部897可以定位在与主体891的端部匹配的位置处(参见图9)。标记部897以凹版图案(intaglio pattern)和浮雕图案(embossed pattern)标记，或者在喷嘴臂894的顶表面上以蓝色标记，使得用肉眼容易地检查标记部897。

固定构件899可以保持喷嘴臂894在主体891上的设定位置。固定构件899可以包括永磁体。固定构件899可以安装在主体891的平坦的顶表面892a上。正常放置在设定位置的喷嘴臂894的位置可以通过固定构件899的磁力来固定。

同时，当取出处理碗850以对其进行维护时，由于与放置在喷嘴槽853中的边缘喷嘴896的干扰，通常难以取出处理碗850。然而，根据本发明构思，喷嘴臂894能够从主体891向上撤出，因此处理碗850可以容易地取出。

如图9所示，当取出处理碗850时，边缘喷嘴构件890以特定角度(与滑动表面的倾斜角度相同的角度)向上旋转喷嘴臂894，然后将喷嘴臂894可滑动地插入到主体891的滑动表面892中。相反，当执行该工艺时，喷嘴臂894可以从主体891可滑动地撤出，并且可以移动到适合该工艺的设定位置。

图10A至图10D为示出了逐步将边缘喷嘴构件从设定位置移动到待机位置的过程的视图。

如图10A所示，在设定位置处，在边缘喷嘴896插入到喷嘴槽853中的状态下，边缘喷嘴896可以从显著地靠近基板的底边缘部分的位置将清洁液体喷洒至基板的底边缘部分。

同时，当工作者想要拆卸处理碗850以进行维护时，在喷嘴臂894以特定角度(该特定角度与滑动表面的倾斜角度相同)旋转的情况下，工作者向上提升喷嘴臂894，然后向内推动喷嘴臂894，如图10B所示。在这种情况下，随着引导销895沿着引导孔893向后移动，喷嘴臂894从处理碗850的内周表面向内撤出(见图10C)。

如上所述，当两个喷嘴臂894向待机位置的移动完成时，处理碗850可以容易地拆卸而不会干扰边缘喷嘴构件890(见图10D)。

返回参照图2至图5，显影模块402执行显影工艺以在基板“W”上获得图案，该显影工艺是通过供给显影剂来去除光刻胶的一部分，并且显影模块402在显影工艺之前和之后对基板“W”执行诸如加热和冷却的热处理工艺。显影模块402具有显影腔室460、烘烤腔室470和运送腔室480。显影腔室460、烘烤腔室470和运送腔室480在第二方向14上依序布置。因此，显影腔室460和烘烤腔室470在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室480介于显影腔室460和烘烤腔室470之间。多个显影腔室460可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。在附图中，示例性地示出了六个显影腔室460。多个烘烤腔室470可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。在附图中，示例性地示出了六个烘烤腔室470。然而，与此不同，可以设置更多数量的烘烤腔室470。

运送腔室480定位成在第一方向12上平行于第一缓冲模块300的第二缓冲区330。显影机械手482和导轨483定位在运送腔室480中。运送腔室480具有基本矩形的形状。显影机械手482在烘烤腔室470、显影腔室460、第一缓冲模块300的第二缓冲区330和第二缓冲模块500的第二冷却腔室540之间传送基板“W”。导轨483设置成使得其纵向方向设置为平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得显影机械手482在第一方向12上线性移动。索引机械手482具有手484、臂485、支承件486和支柱487。手484固定地安装在臂485中。臂485具有可伸缩的结构，使得手484为水平可移动的。支承件486设置成使得其纵向方向设置在第三方向16上。臂485耦合至支承件486以沿支承件486在第三方向16上为线性可移动的。支承件486固定地耦合至支柱487。支柱487耦合至导轨483以沿导轨483为线性可移动的。

显影腔室460具有相同结构。然而，在显影腔室460中使用的显影液体的类型是彼此相互不同的。显影腔室460去除涂覆在基板“W”上的光刻胶的、光照射到的区域。在这种情况下，甚至保护膜的、光照射到的区域也被一起去除。可替代地，根据光刻胶的类型，可以仅去除光刻胶和保护膜的、光未照射到的区域。

显影腔室460具有壳体461、支承板462和喷嘴463。壳体461具有杯的形状，该杯的形状具有敞开的上部。支承板462定位在壳体461内部并支承基板“W”。支承板462可旋转地设置。喷嘴463将显影剂供给到放置在支承板462上的基板“W”上。具有圆柱管形状的喷嘴463将显影剂供给至基板“W”的中心。可替代地，喷嘴463具有对应于基板“W”的直径的长度，并且喷嘴463的排放口可以设置为缝(slit)的形式。额外地，显影腔室460还可以包括喷嘴464，该喷嘴464供给诸如去离子水的清洁液体以清洁显影剂被额外供给到的基板“W”的表面。

显影模块402的烘烤腔室470对基板“W”执行热处理。例如，烘烤腔室470可以在在显影工艺之前执行加热基板“W”的后烘烤工艺、在显影工艺之后执行加热基板“W”的硬烘烤(hard bake)工艺、以及在烘烤工艺之后执行冷却加热的基板的冷却工艺。烘烤腔室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471包括冷却单元473、诸如冷却水或热电元件。另外，加热板472包括加热单元474、诸如加热丝或热电元件。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘烤腔室470中。可替代地，一些烘烤腔室470可以仅包括冷却板471，而其他烘烤腔室470可以仅包括加热板472。由于显影模块402的烘烤腔室470具有与涂覆模块401的烘烤腔室的配置相同的配置，因此下面将省略其详细说明。

第二缓冲模块500设置为涂覆/显影模块400和预曝光/后曝光处理模块600之间的通道，基板“W”通过该通道传输(transport)。另外，第二缓冲模块500对基板“W”执行特定工艺，诸如冷却工艺或边缘曝光工艺。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560。框架510具有矩形平行六面体的形状。缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲区520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550设置在对应于涂覆模块401的高度处。第二冷却腔室540设置在对应于显影模块402的高度处。缓冲区520、第一冷却腔室530和第二冷却腔室540在第三方向16上布置成排。当从顶部观察时，缓冲区520在第一方向12上沿着涂覆模块401的运送腔室430进行设置。边缘曝光腔室550在第二方向14上与缓冲区520或第一冷却腔室530间隔开特定距离。

第二缓冲机械手560在缓冲区520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550之间传输基板“W”。第二缓冲机械手560位于边缘曝光腔室550与缓冲区520之间。第二缓冲机械手560可以具有与第一缓冲机械手360的结构相似的结构。第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550对已经在涂覆模块401中经受工艺的基板W执行随后的工艺。第一冷却腔室530冷却在涂覆模块401中经受工艺的基板“W”。第一冷却腔室530具有与第一缓冲模块300的冷却腔室350的结构相似的结构。边缘曝光腔室550曝光在第一冷却腔室530中经受冷却工艺的基板“W”的边缘区域。在将在边缘曝光腔室550中经受曝光工艺的基板“W”传输到将在下面描述的预处理模块601之前，缓冲区520临时存储基板W。在将在下面描述的后处理模块602中经受工艺的基板“W”传输到显影模块402之前，第二冷却腔室540冷却基板“W”。第二缓冲模块500还可以在对应于显影模块402的高度处具有缓冲区。在这种情况下，在后处理模块602中经受工艺的基板“W”可以在被临时存储于添加的缓冲区中之后，被传输到显影模块402。

当曝光装置900执行浸没/曝光工艺(immersing/exposing process)时，预曝光/后曝光处理模块600可以执行涂覆保护膜的工艺，该保护膜在浸没/曝光工艺期间保护涂覆到基板“W”的光刻胶膜。预曝光/后曝光处理模块600可以在曝光工艺之后执行清洁基板“W”的工艺。此外，当通过使用化学增幅型刻胶执行涂覆工艺时，预曝光/后曝光处理模块600可以在曝光工艺之后执行烘烤工艺。

预曝光/后曝光处理模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光工艺之前执行处理基板“W”的工艺，而后处理模块602在曝光工艺之后执行处理基板“W”的工艺。预处理模块601和后处理模块602可以设置成在不同的层中彼此分隔。根据一实施例，预处理模块601定位在后处理模块602上。预处理模块601具有与涂覆模块401的高度相同的高度。后处理模块602具有与显影模块402的高度相同的高度。预处理模块601具有保护膜涂覆腔室610、烘烤腔室620和运送腔室630。保护膜涂覆腔室610、运送腔室630和烘烤腔室620在第二方向14上依序设置。因此，保护膜涂覆腔室610和烘烤腔室620在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室630介于保护膜涂覆腔室610和烘烤腔室620之间。设置了多个保护膜涂覆腔室610，并且多个保护膜涂覆腔室610设置在第三方向16上，使得保护膜涂覆腔室610彼此堆叠。可替代地，多个保护膜涂覆腔室610可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。设置了多个烘烤腔室620，并且多个烘烤腔室620设置在第三方向16上，使得烘烤腔室620彼此堆叠。可替代地，多个烘烤腔室620可以沿第一方向12和第三方向16的每个设置。

运送腔室630定位成在第一方向12上平行于第一缓冲模块500的第二缓冲区530。预处理机械手632位于运送腔室630内部。运送腔室630具有基本正方形或矩形的形状。预处理机械手632在保护膜涂覆腔室610、烘烤腔室620、第二缓冲模块500的缓冲区520、以及将在下面描述的接口模块700的第一缓冲区720之间传送基板“W”。预处理机械手632具有手633、臂364和支承件635。手633固定地安装在臂634上。臂634具有可伸缩的且可旋转的结构。臂634耦合至支承件635，以在第三方向16上沿支承件635为线性可移动的。

保护膜涂覆腔室610将保护膜施用到基板“W”上，以在液体浸没光刻工艺(liquidimmersion lithography)中保护刻胶膜。保护膜涂覆腔室610具有壳体611、支承板613和喷嘴613。壳体611具有杯的形状，该杯的形状具有敞开的上部。支承板612定位在壳体611内部并支承基板“W”。支承板612可旋转地设置。喷嘴613将保护液体供给到放置在支承板612上的基板“W”上，以形成保护膜。具有圆柱管形状的喷嘴613将光刻胶供给至基板“W”的中心。可替代地，喷嘴613具有对应于基板“W”的直径的长度，并且喷嘴613的排放口可以设置为缝(slit)的形式。在这种情况下，支承板612可以设置成固定状态。保护液体包括发泡材料(foamable material)。保护液体可以包括与光刻胶和水具有较低亲和力的材料。例如，保护液体可以包含氟类溶剂(fluorine-based solvent)。在旋转放置在支承板612上的基板“W”的情况下，保护膜涂覆腔室610将保护液体供给到基板“W”的中心区域。

烘烤腔室620对具有保护膜的基板“W”执行热处理。烘烤腔室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621包括冷却单元623、诸如冷却水或热电元件。加热板622包括加热单元624、诸如加热丝或热电元件。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤腔室620中。可替代地，一些烘烤腔室620可以仅包括加热板622，而其他烘烤腔室620可以仅包括冷却板621。

后处理模块602具有清洁腔室660、后曝光烘烤腔室670和运送腔室680。清洁腔室660、运送腔室680和后曝光烘烤腔室670沿第二方向14依序设置。因此，清洁腔室660和后曝光烘烤腔室670在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室680介于清洁腔室660和后曝光烘烤腔室670之间。设置了多个清洁腔室660，并且多个清洁腔室660设置在第三方向16上，使得清洁腔室660彼此堆叠。可替代地，多个清洁腔室660可以沿第一方向12和第三方向16设置。设置了多个后曝光烘烤腔室670，并且多个后曝光烘烤腔室670设置在第三方向16上，使得后曝光烘烤腔室670彼此堆叠。可替代地，多个后曝光烘烤腔室670可以设置在第一方向12和第三方向16上。

当从上方观察时，运送腔室680定位成在第二方向12上平行于第二缓冲模块500的第二缓冲区540。运送腔室680具有基本正方形或矩形的形状。后处理机械手682位于运送腔室680内部。后处理机械手682在清洁腔室660、后曝光烘烤腔室670、第二缓冲模块500的第二冷却腔室540和将在下面描述的接口模块700的第二缓冲区730之间运送基板“W”。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在预处理模块601中的预处理机械手632的结构相同的结构。

清洁腔室660在曝光工艺之后清洁基板“W”。清洁腔室660具有壳体661、支承板662和喷嘴663。壳体661具有杯的形状，该杯的形状具有敞开的上部。支承板662定位在壳体661内部并支承基板“W”。支承板662可旋转地设置。喷嘴663将清洁液体供给到放置在支承板662上的基板“W”上。清洁液体可包括水，诸如去离子水。在旋转放置在支承板662上的基板“W”的情况下，清洁腔室660将清洁液体供给到基板“W”的中心区域。可替代地，在基板“W”正在旋转的情况下，喷嘴663可以从基板“W”的中心区域线性地移动到基板“W”的边缘区域、或者在旋转的情况下从基板“W”的中心区域线性地移动到基板“W”的边缘区域。

后曝光烘烤腔室670使用紫外线对经受曝光工艺的基板“W”进行加热。后烘烤工艺(post-bake process)是通过加热基板“W”来增强通过曝光在光刻胶中产生的酸，从而完成光刻胶性能的改变。后曝光烘烤腔室670具有加热板672。加热板672包括加热单元674、诸如加热丝或热电元件。后曝光烘烤腔室670还可以包括设置在其中的冷却板671。冷却板671包括冷却单元673、诸如冷却水或热电元件。另外，可替代地，还可以设置仅具有冷却板671的烘烤腔室。

如上所述，在预曝光/后曝光处理模块600中，预处理模块601和后处理模块602设置成彼此完全分离。另外，预处理模块601的运送腔室630和后处理模块602的运送腔室680可以设置为相等的尺寸，并且可以设置为当从上方观察时彼此完全重叠。另外，保护膜涂覆腔室610和清洁腔室620可以设置为相等的尺寸，从而当从上方观察时彼此完全重叠。另外，烘烤腔室620和后曝光烘烤腔室670可以设置为相等的尺寸，并且可以设置成当从上方观察时彼此完全重叠。

接口模块700在预曝光/后曝光处理模块600和曝光装置900之间传送基板“W”。接口模块700具有框架710、第一缓冲区720、第二缓冲区730和接口机械手740。第一缓冲区720、第二缓冲区730和接口机械手740定位在框架710中。第一缓冲区720和第二缓冲区730彼此间隔开特定距离，并且设置为彼此堆叠。第一缓冲区720设置成高于第二缓冲区730。第一缓冲区720定位在对应于预处理模块601的高度处，并且第二缓冲区730定位在对应于后处理模块602的高度处。当从上方观察时，第一缓冲区720在第一方向12上与预处理模块601的运送腔室630对齐成线，并且第二缓冲区730在第一方向12上与后处理模块602的运送腔室630对齐成线。

接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲区720和第二缓冲区730间隔开。接口机械手740在第一缓冲区720、第二缓冲区730和曝光装置900之间传输基板“W”。接口机械手740具有与第二缓冲机械手560的结构基本相似的结构。

在将基板“W”移动到曝光装置900之前，第一缓冲区720临时存储在预处理模块601中经受工艺的基板“W”。另外，在将基板“W”移动到后处理模块602之前，第二缓冲区730临时存储在曝光装置900中完全经受工艺的基板“W”。第一缓冲区720具有壳体721和多个支承件722。支承件722设置在壳体721内部并沿第三方向16彼此间隔开。各支承件722上放置一个基板“W”。壳体721在设置接口机械手740和预处理机械手632的方向上具有开口(未示出)，使得接口机械手740和预处理机械手632将基板“W”引入到壳体721中的支承件722中，或从该支承件722中撤出。第二缓冲区730具有与第一缓冲区720的结构基本相似的结构。然而，第二缓冲区730的壳体721在设置接口机械手740的方向上和在设置后处理机械手682的方向上具有开口(未示出)。接口模块可以仅包括如上所述的缓冲区和机械手，而不设置对基板执行特定工艺的腔室。

根据本发明构思的实施方案，可以容易地清洁基板的底边缘部分。

根据本发明构思的实施方案，边缘喷嘴可以容易地固定到设定位置。

根据本发明构思的实施方案，可以在附接或拆卸处理碗的工艺中防止与边缘喷嘴的干扰。

本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

出于说明的目的，已经做出了以上描述。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可用于各种其他组合、改变及环境。也就是说，本发明构思可以在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下进行修改及修正。书面实施方案描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以做出在本发明构思的具体应用领域和目的中所需的各种改变。此外，应理解的是所附权利要求包括其他实施方案。