阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的快速发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode

发明内容

本申请提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，能够提高薄膜晶体管的稳定性，改善显示效果。

本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底；光调整层，设置于衬底；有源层，设置于光调整层背离衬底的一侧；其中，光调整层具有折射部，沿阵列基板的厚度方向，至少部分有源层在衬底上的正投影位于折射部在衬底上的正投影之内，折射部用于改变由衬底入射的光线路径，以减少入射至有源层的光量。

根据本申请第一方面的实施方式，折射部在阵列基板的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区；沿厚度方向，沟道区、源区和漏区中至少一者在衬底上的正投影与折射部在衬底上的正投影至少部分交叠设置。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，沟道区在衬底上的正投影位于所折射部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，沿厚度方向，至少部分源区和/或漏区在衬底上的正投影在折射部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部包括与沟道区对应的第一部分及与源区和/或漏区对应的第二部分；沿第一部分至第二部分的方向，折射部的厚度具有逐渐增大的趋势。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一部分的透光率小于第二部分的透光率。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，光调整层还包括遮光部，折射部在衬底上的正投影至少部分环绕于遮光部在衬底上的正投影的外周；沟道区在衬底上的正投影位于遮光部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，两个表面包括朝向有源层的第一表面，第一表面朝向衬底凹陷成型。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部的材料包括：AL、MO、非晶硅、黑色树脂中的至少一者。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部的折射率为1.5～3.5。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，两个表面还包括朝向衬底的第二表面，第二表面朝向衬底凸出形成。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括设置于衬底和光调整层之间的第一缓冲层，第一缓冲层包括用于支撑折射部的支撑部，支撑部朝向折射部的表面凸出设置。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一缓冲层的折射率小于或等于折射部的折射率。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，光调整层包括沿衬底厚度方向层叠设置的多个子光调整层，至少部分子光调整层具有折射部；沿衬底厚度方向，至少部分子光调整层的折射部与沟道区对应设置。

本申请第二方面的实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述第一方面任一实施例的显示面板。

本申请第三方面的实施例还提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：

在衬底上形成折射材料层，对折射材料进行图案化处理形成折射部；折射部在阵列基板的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲；

在折射部上形成半导体材料层，对半导体材料层进行图案化处理形成具有沟道区的有源层；沿阵列基板的厚度方向，至少部分有源层在衬底上的正投影位于折射部在衬底上的正投影之内。

本申请实施例提供的阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，通过设置具有折射部的光调整层，折射部用于改变由衬底入射的光线路径，以减少入射至有源层的光量。进入折射部的光线会经由折射部偏折，因此光线被发散进而使得实际照射至有源层的光量更少，可以减缓光生载流子导致TFT特性偏移的现象，提高TFT工作准确性。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出了本申请一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2示出了图1中TFT元件的局部放大示意图；

图3示出了图1中折射部的一种光路示意图；

图4示出了本申请另一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图5示出了图4中折射部的一种光路示意图；

图6示出了本申请又一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图7示出了本申请再一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图8出了图7中光调整层的一种光路示意图；

图9示出了本申请还一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图10示出了本申请又一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图11示出了本申请又一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图12示出了本申请一实施例提供的阵列基板的制造方法流程示意图；

图13是本申请第三方面实施例提供的一种阵列基板的制作流程图。

附图标记说明：

1、阵列基板；

11、衬底；12、光调整层；120、子光调整层；121、折射部；121a、第一部分；121b、第二部分；122、遮光部；13、TFT元件；131、有源层；131a、沟道区；131b、源区；131c、漏区；132、第一缓冲层；132a、支撑部；133、第二缓冲层；134、栅极层；135、源漏极层；135a、源极；135b、漏极；136、绝缘层；

P1、第一表面；P2、第二表面。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

随着显示技术的快速发展，显示装置经历了从液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode

本申请的发明人发现并认识到，由于TFT具有半导体元件，当光线照射至该半导体元件时，会使得半导体元件产生光生载流子，即半导体材料受到光激发，电子受激跃迁导致产生的电子-空穴对。光生载流子会导致TFT的电学稳定性造成不利影响，导致产生显示不均、残影、偏色等不良显示效果。如显示装置中的驱动TFT在光照条件下，其导电沟道的材料被光照射后激发，形成光生载流子，影响驱动TFT关态的稳定性，可能会造成残影、显示不均、低灰阶偏色等不良显示效果。

特别是，当前主流的显示技术中，如有源矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示面板普遍采用了低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)工艺，虽然较传统非晶硅(Amorphous Silicon，A-Si)的TFT大幅提升了载流子迁移率，但也因此使得上述光生载流子所造成的影响愈发突出。

进一步的，由于在显示面板制造过程中的某些工艺，如Mark对位工艺需要利用光照进行定位，或由于显示装置自身结构以及外界环境等因素的影响，而导致很难做到完全避免光线照射到TFT。

基于此，为了至少一定程度上缓解或解决上述技术问题，提出本申请。

为了更好的理解本申请，下面结合图1至图13对本申请实施例的阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法进行详细描述。

本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板1，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种阵列基板1的结构示意图。

如图1所示，本申请实施例提供一种阵列基板1，包括：衬底11、光调整层12和有源层131。光调整层12设置于衬底11，有源层131设置于光调整层12背离衬底11的一侧。光调整层12具有折射部121，沿阵列基板1的厚度方向，至少部分有源层131在衬底11上的正投影位于折射部121在衬底11上的正投影之内，折射部用于改变由衬底入射的光线路径，以减少入射至有源层的光量。进入折射部的光线会经由折射部偏折，因此光线被发散进而使得实际照射至有源层131的光量更少，可以减缓光生载流子导致TFT特性偏移的现象，提高TFT工作准确性。

具体的，折射部可以包括高折射率材料，这里的高折射率是相对于折射部的相邻膜层的折射率而言，也就是说，折射部的折射率大于与折射部相邻膜层的折射率。

可选的，请继续参阅图1，折射部121在阵列基板1的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲。在弯曲结构的作用下，通过折射部121而照射至有源层131上的光线被发散，能够减小实际照射至有源层131上的光量，减少光线进入有源层131，以减缓光生载流子导致TFT特性偏移的现象，提高TFT的工作准确性，也提高了显示面板的显示效果及产品的可靠性。

请参阅图2，图2为图1中TFT元件13的局部放大示意图。

在一些具体的实施例中，TFT元件13的结构及设置位置如图2所示，衬底11的一侧设置有TFT元件13，TFT元件13包括栅极层134、源漏极层135及绝缘层136。栅极层134包括多个间隔设置的栅极，源漏极层135包括多个间隔设置的源极135a和漏极135b，源极135a与漏极135b分别连接于有源层131的两端。可以理解的是，在衬底11上形成有多个TFT元件13。栅极可以是或者可以包括铜、金、银、铁等金属材料。源极135a和漏极135b的材料可以与栅极类似，同为金属材料；也可以是或者可以包括经掺杂的半导体材料。栅极层134和源漏极层135以及有源层131之间分别设置有绝缘层136。绝缘层136的材料可以是或者可以包括透明且绝缘的材料，如氧化硅或氮化硅。

具体的，以光线从衬底11下方入射为例做描述，但并不限于此种入射方式。请参阅图3，图3示出了图1中折射部121的一种光路示意图。

如图3所示，光线由衬底11下方垂直入射的情况下，若无折射部121，则光线会垂直照射到有源层131，导致产生大量光生载流子，进而破坏TFT特性的稳定性。由于具有折射部121，在折射部121弯曲结构的作用下，从折射部121的弯曲面出射的光线被偏折和分散，因此实际照射至有源层131上的光强较低，减缓了光生载流子的产生。

需要说明的是，折射部121的两个表面中的至少一者朝向另一者凹陷成型，成型后的结构可以看作近似凹透镜的结构。这里所说的凹透镜结构既可以是平凹结构，如两个表面的一者凹陷而另一者为平面；凹透镜结构也可以是双凹结构，如两个表面彼此均朝向对方凹陷。技术人员可以根据实际需要和工艺难度来选择具体结构，以实现较好的光线发散效果，即，将通过折射部121而照射至有源层131上的光线进行发散，减少射入有源层131的进光量，至少一定程度上减缓有源层131上产生光生载流子的现象，避免TFT特性偏移，提高TFT特性的准确度。

可选的，衬底11的材料可以为或者可以包括石英、玻璃等无机材料，也可以是或者可以包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇(PET)等有机材料。

折射部121的材料可以包括半导体材料，例如非晶硅，可以调节上下膜层的粘附力。

可选的，光调整层12具有折射部121以及位于折射部121之间的镂空区域，设置镂空区域可以避免光调整层12在衬底11上的正投影完全覆盖衬底11，避免光调整层12整面设置，减少了光调整层12的遮光面积，提高光调整层12的光线透过率。

进一步的，沿阵列基板1的厚度方向，光调整层12的折射部121与驱动TFT所在区域对应设置，减少由衬底11下方入射并照射至驱动TFT的光线强度，提高驱动TFT的稳定性，减缓TFT特性偏移，提高显示装置的显示效果。

示例性的，显示面板包括透光区和非透光区，在透光区的光调整层12设置有上述镂空区域，可以提高透过率，增加透光区的透光性能，也可以提高设置在光调整层12上方的感光元件的感光性能。

请参阅图4，图4示出了本申请另一实施例提供的阵列基板1的结构示意图。

在一些实施例中，如图4所示，有源层131包括沟道区131a和位于沟道区131a两侧的源区131b和漏区131c。沿阵列基板1的厚度方向，沟道区131a、源区131b和漏区131c中至少一者在衬底11上的正投影与折射部121在衬底11上的正投影至少部分交叠设置。对不同区域针对性的设置折射部121，减少光线对于不同区域的照射程度，以减少光线照射至有源层131而产生光生载流子的现象。

示例性的，沿阵列基板1的厚度方向，沟道区131a在衬底11上的正投影与折射部121在衬底11上的正投影至少部分交叠设置。由于光线照射对沟道区131a的影响较大，因此将折射部121与沟道区131a对应设置可以有效缓解光线照射至沟道区131a而产生光生载流子的现象。

示例性的，沿阵列基板1的厚度方向，源区131b和漏区131c在衬底11上的正投影与折射部121在衬底11上的正投影至少部分交叠设置。源区131b和漏区131c位于沟道区131a两侧，与沟道区131a相邻，因此照射到源区131b和漏区131c的光线也有可能影响到沟道区131a，因此将折射部121设置在源区131b和漏区131c，一方面可以减缓光线对源区131b和漏区131c自身的照射，另一方面也减缓光线对沟道区131a的照射，减缓光生载流子的产生，提高TFT特性的准确度。

请参阅图5，图5示出了图4中折射部121的一种光路示意图。

在一些实施例中，如图5所示，沟道区131a在衬底11上的正投影位于折射部121在衬底11上的正投影之内。也就是说折射部121完全覆盖了沟道区131a，最大程度的减缓由衬底11下方射入至沟道区131a的光线强度，减缓光线对沟道区131a的直射，避免光生载流子对TFT特性造成的影响。

可选的，沿厚度方向，至少部分源区131b和/或漏区131c在衬底11上的正投影在折射部121在衬底11上的正投影之内。也就是说折射部121的正投影完整覆盖了沟道区131a以及与沟道区131a相连的部分源区131b和/或部分漏区131c，由于源区131b和漏区131c位于沟道区131a两侧并与沟道区131a相连，因此光线照射到源区131b和/或漏区131c也可能会对沟道区131a造成影响。将折射部121覆盖沟道区131a以及与沟道区131a相连的部分区域一方面可以避免光线由衬底11下方直射至沟道区131a，另一方面还可以防止光线照射至与沟道区131a相连的区域而对沟道区131a产生影响，避免光线直接或间接作用于沟道区131a，而使得沟道区131a产生光生载流子，有效提高TFT的工作可靠性。

请参阅图6，图6示出了本申请又一实施例提供的阵列基板1的结构示意图。

在一些实施例中，如图6所示，折射部121包括与沟道区131a对应的第一部分121a及与源区131b和/或漏区131c对应的第二部分121b。及沟道区131a在衬底11上的正投影位于第一部分121a在衬底11上的正投影之内，源区131b和/或漏区131c在衬底11上的正投影位于第二部分121b在衬底11上的正投影之内。沿第一部分121a至第二部分121b的方向，折射部121的厚度具有逐渐增大的趋势。这里所说的第一部分121a和第二部分121b两者既可以是一体式设置，也可以是分体设置。以下以第一部分121a和第二部分121b为一体式连接为例做描述，但并不限于此。沿第一部分121a至第二部分121b的方向，折射部121的厚度具有逐渐增大的趋势，当光线穿过折射部121后会被偏折，而穿过折射部121的光线会朝向折射部121厚度较大的方向进行偏折。可以理解为光线朝向远离第一部分121a的方向或朝向远离第一部分121a中心的方向进行偏折，即光线朝向远离沟道区131a的方向或朝向远离沟道区131a中心的方向进行偏折。因此该结构设置可以分散光线对沟道区131a的照射，减轻光生载流子导致的TFT特性偏移的现象。

需要说明的是，第一部分121a与第二部分121b的材料及光学特性可以相同也可以不同。示例性的，第一部分121a与第二部分121b的材料相同，可以将二者同时制作，简化工艺步骤。可选的，第一部分121a的透光率小于第二部分121b的透光率。第一部分121a的透光率较小，第二部分121b的透光率较大，第一方面可以减缓光线对沟道区131a的照射，特别是避免光线对沟道区131a的直射；第二方面可以减缓光线照射至与沟道区131a相连的区域，进而间接对沟道区131a造成影响；第三方面可以提高光调整层12的透过率。

请参阅图7和图8，图7示出了本申请再一实施例提供的阵列基板1的结构示意图；图8示出了图7中光调整层的一种光路示意图。

在一些实施例中，如图7所示，光调整层12还包括遮光部122，折射部121在衬底11上的正投影至少部分环绕于遮光部22在衬底11上的正投影的外周；沟道区131a在衬底11上的正投影位于遮光部122在衬底11上的正投影之内。如图8所示，遮光部122可以将由衬底11下方射入至沟道区131a的光线完全遮挡，最大程度的避免光线对沟道区131a的直射，提高TFT特性的稳定性。进一步的，折射部121与源区131b和漏区131c对应，经过折射部121的光线会被偏折和分散，使得外部光线不会照射到沟道区131a的周侧，全方位保护沟道区131a不被光线照射。

可选的，遮光部122的材料可以是或者可以包括不透光的材料，如金属材料。

可选的，遮光部122的材料还可以是或者还可以包括吸光材料，如黑色树脂。

请参阅图9，图9示出了本申请还一实施例提供的阵列基板1的结构示意图。

在一些实施例中，折射部121在阵列基板1的厚度方向上具有相对的两个表面，这两个表面包括朝向有源层的第一表面P1，第一表面朝向远离有源层的方向凹陷成型。具体的，如图9所示，折射部121在阵列基板1的厚度方向具有相对的第一表面P1和第二表面P2，其中第一表面P1朝向有源层131，第二表面P2朝向衬底11。可选的，第一表面P1朝向第二表面P2凹陷成型，即第一表面P1朝向远离有源层131的方向凹陷成型。位于衬底11下方的光线通过第二表面P2入射后再由第一表面P1出射，由于第一表面P1为凹陷结构，光线经过该凹陷结构会被偏折，以形成发散光线，减少了入射至有源层131的光线强度，减缓有源层131上产生光生载流子的现象，提高TFT特性的准确度。

可选的，折射部121的材料包括：AL、MO、非晶硅、黑色树脂中的至少一者。

可选的，折射部121的折射率为1.5～3.5。在该数值范围内，光线经折射部121折射后呈发散状态，与该折射部121对应的沟道区131a受到光线照射的强度较弱，同时分散的光线也不会影响到相邻的TFT的沟道区131a。

请参阅图10，图10示出了本申请又一实施例提供的阵列基板1的结构示意图。

在一些实施例中，如图10所示，第二表面P2朝向远离衬底11方向凹陷。光线穿过第二表面P2后会被偏折和分散，因此使得照射至沟道区131a的光线减少、光强降低，减缓光生载流子的形成。

可选的，请继续参阅图10，阵列基板1还包括设置于衬底11和光调整层12之间的第一缓冲层132，第一缓冲层132包括用于支撑折射部121的支撑部132a，支撑部132a朝向折射部121的表面凸出设置，提高折射部121的稳定性。

在上述一些实施例中，如图10所示，阵列基板1还包括第二缓冲层133，可以将遮光层或折射部121设置于第二缓冲层133内部，减少阵列基板1厚度，第二缓冲层133可以复用为平坦化层，便于后续膜层的制造。

进一步的，支撑部132a的折射率小于或等于折射部121的折射率，以避免光线经支撑部132a的偏转角度过大而降低了折射部121对光线的偏折效果，降低了支撑部132a对折射部121偏折效果的影响，提高了折射部121的可靠性。基于相同或相近的理由，支撑部132a的凸度小于折射部121的凹度，也就是说支撑部132a凸起结构对光线的汇聚程度小于折射部121的凹陷结构对光线的发散程度，因此这样设置可以减缓支撑部132a凸起设置影响到折射部121对光线的偏折效果。

请参阅图11，图11示出了本申请又一实施例提供的阵列基板1的结构示意图。

在一些实施例中，如图11所示，光调整层12包括沿衬底11厚度方向层叠设置的多个子光调整层120，至少部分子光调整层120具有折射部121；沿衬底11厚度方向，至少部分子光调整层120的折射部121与沟道区131a对应设置。设置多个子光调整层120，由于子光调整层120具有折射部121，各子调整层上的折射部121可以将光线多次偏折，光线更为发散，也就是说经多次偏折后射向沟道区131a的光线强度减小，减缓沟道区131a受光照后产生光生载流子的现象，提高TFT特性的准确度，也提高了显示效果。

技术人员根据实际需要可以调整各子光调整层120的透过率、反射率、折射率等光学特性，以使各子光调整层120具有相同或不同的光学特性，以提高光线的偏折效果，即减少光线对沟道区131a的照射，减缓光生载流子的产生。

本申请第二方面的实施例提供一种显示装置，包括上述任意一实施例提供的阵列基板1。

本申请实施例提供的显示装置能够至少一定程度上减缓光线照射至有源层131上导致产生光生载流子，保证TFT特性的准确度，提高显示装置的显示效果。另外，本申请实施例提供的显示装置由于采用了上述任意一实施例提供的阵列基板1，因而具有上述实施例的阵列基板1的效果，在此不再赘述。

可以理解的是，本申请实施例提供的显示装置可以是如手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、门禁、控制台、智能固定电话、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本申请第三方面的实施例提供一种阵列基板1的制作方法。

请参阅图12和13，图12是本申请第三方面实施例提供的一种阵列基板1的制作方法流程示意图，图13是本申请第三方面实施例提供的一种阵列基板1的制作流程图。该阵列基板1可以为上述任一第一方面实施例提供的阵列基板1。

如图12和图13所示，本申请实施例提供一种阵列基板1的制作方法，包括：

步骤S01：在衬底11上形成折射材料层，对折射材料进行图案化处理形成光调整层12，光调整层12包括折射部121。其中，折射部121在阵列基板1的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面中的至少一者朝向衬底11弯曲。

步骤S02：在折射部121上形成半导体材料层，对半导体材料层进行图案化处理形成具有沟道区131a的有源层131。其中，沿阵列基板1的厚度方向，至少部分有源层131在衬底11上的正投影位于折射部121在衬底11上的正投影之内。

在由上述步骤制成的弯曲结构的作用下，通过折射部121而照射至有源层131上的光线被发散，能够减小实际照射至有源层131上的光量，减少光线进入有源层131，以减缓光生载流子导致TFT特性偏移的现象，提高TFT的工作准确性，也提高了显示面板的显示效果及产品的可靠性。

如上所述，折射部121在阵列基板1的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面包括朝向有源层131的第一表面P1、以及朝向衬底11的第二表面P2。可选的，第一表面P1为平面或为朝向第二表面P2凹陷形成的曲面；可选的，第二表面P2为平面或为朝向第一表面P1凹陷形成的曲面。

在步骤S01中，可以采用半色调掩膜版(Half Tone Mask，HTM)工艺，通过控制不同区域曝光程度，以使第一表面P1朝向第二表面P2弯曲。

可选的，在步骤S01中，在衬底上层叠设置多层光调整层120，至少部分光调整层120具有折射部121，通过光调整层120的光线会被多次偏折分散，使得实际照射至有源层131上的光量更少，或者使得光线分散照射至其他区域而不会照射到沟道区131a，减缓光生载流子的产生。

在步骤S01之前还包括：

步骤S011：提供一种衬底11。

步骤S012：在衬底11上形成第一缓冲层132。

可选的，在步骤S012中，在衬底11上形成具有支撑部132a的第一缓冲层132，便于在后续步骤中，能够制作出第二表面P2朝向第一表面P1凹陷的折射部131结构。

在步骤S02之前还包括：

步骤S21：在光调整层12上形成第二缓冲层133。第二缓冲层复用为平坦化层，便于制作后续膜层结构。

可选的，在步骤S21中，光调整层12位于第二缓冲层133的内部，可以减薄阵列基板1厚度并简化工艺过程。

本申请提供的制作方法简单，工艺成熟，通过该方法制备的阵列基板1能将光线偏折以减缓光线对有源层131的照射，至少一定程度上减缓有源层131上产生光生载流子，提高TFT特性的准确度，保证正常显示。

虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。