无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法

技术领域

本发明涉及铜铝复合材料领域，具体涉及无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法。

背景技术

公开号为CN101758071B的中国专利公开了一种铝与铜复合金属板带的生产方法，该方法为将半固态的铝或铝合金和固态铜板带进行无氧连续铸轧，制得铝与铜复合金属板带。

现有技术存在的问题有：1.碱洗脱脂和打磨需使用两道工序，碱洗后还需烘干、清洗、烘干、打磨，工序繁琐；2.打磨辊单面机械打磨，可能会因为打磨辊磨损，存在漏打或打磨不足的问题，难以保证铜带表面完全无氧化层，进而影响氧化层去除。

发明内容

本发明的目的是解决以上缺陷，提供无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法。

本发明的目的是通过以下方式实现的：无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法，包括以下步骤：

S1，静置，将温度680-850℃的铝液静置4-18分钟；

S2，浇铸，将S1中静置完成的铝液浇入铸造嘴中，等待浇铸出的铝液冷却结晶至半熔化半固体状态，得到半固态铝液；

S3，铜带预处理，将铜带放入保护气环境中，进行激光清洗，清洗至表面无油脂和氧化层，得到无油脂和氧化层的铜带；

S4，铜带加热，将S3中的得到无油脂和氧化层的铜带在线直接加热至250-400℃，所述S3和S4均在同一保护气环境中进行；

S5，制作坯料，将S4中加热后的铜带与S2中半固态铝液接触，并进行无氧连续铸轧，铜铝复合轧制压力为5*10^6N-14*10^6N，轧制速度为0.3-2m/s，张力为3*10^6N-9*10^6N，得到铜铝复合板带坯料；

S6，二次精轧，将S5得到的铜铝复合板带坯料进行二次精轧，校准板厚宽度，经二次精轧制得铜铝复合板带，铜铝复合板带的厚度为2.5-15mm，其中铜和铝的结合强度不低于铝的强度。

优选的，保护气体为氮气。

优选的，所述S1中的温度为760℃，静置时间为12分钟。

优选的，所述S1中的温度为850℃，静置时间为18分钟。

优选的，所述S1中的温度为830℃，静置时间为17分钟。

优选的，所述S2中激光清洗的去除深度为8-10um。

优选的，所述S2中激光清洗的去除深度为11-15um。

本发明所产生的有益效果是：激光清洗可通过设备调节设定具体清晰深度，确保表面氧化层完全去除，同时激光高温清洗可去出氧化层和表层油脂，减少场地占用，在无氧环境中扎制的可防止在扎制过程中界面氧化，同时铜带复合前的预热，有助于提升铜带表面活化能，提高复合过程中金属分子间结合力。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例一，

无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法，包括以下步骤：

S1，静置，将温度760℃的铝液静置12分钟；

S2，浇铸，将S1中静置完成的铝液浇入铸造嘴中，等待浇铸出的铝液冷却结晶至半熔化半固体状态，得到半固态铝液；

S3，铜带预处理，将2.5mm铜带放入保护气环境中，本实施例保护气体为氮气，进行激光清洗，清洗去除材料深度为8-10um，清洗至表面无油脂和氧化层，得到无油脂和氧化层的铜带；

S4，铜带加热，将S3中的得到无油脂和氧化层的铜带在线直接加热至280℃，所述S3和S4均在同一保护气环境中进行；

S5，制作坯料，将S4中加热后的铜带与S2中半固态铝液接触，并进行无氧连续铸轧，铜铝复合轧制压力为5*10^6N，轧制速度为1.5m/s，张力为6*10^6N，得到铜铝复合板带坯料；

S6，二次精轧，将S5得到的铜铝复合板带坯料进行二次精轧，校准板厚宽度，经二次精轧制得铜铝复合板带，铜铝复合板带的厚度为6mm，其中铜和铝的结合强度不低于铝的强度。

实施例二，

无氧式铜与铝复合式金属板带的制备方法，包括以下步骤：

S1，静置，将温度850℃的铝液静置18分钟；

S2，浇铸，将S1中静置完成的铝液浇入铸造嘴中，等待浇铸出的铝液冷却结晶至半熔化半固体状态，得到半固态铝液；

S3，铜带预处理，将4mm铜带放入保护气环境中，本实施例保护气体为氮气，进行激光清洗，清洗去除材料深度为11-15um，清洗至表面无油脂和氧化层，得到无油脂和氧化层的铜带；

S4，铜带加热，将S3中的得到无油脂和氧化层的铜带在线直接加热至350℃，所述S3和S4均在同一保护气环境中进行；

S5，制作坯料，将S4中加热后的铜带与S2中半固态铝液接触，并进行无氧连续铸轧，铜铝复合轧制压力为12*10^6N，轧制速度为1.2m/s，张力为9*10^6N，得到铜铝复合板带坯料；

S6，二次精轧，将S5得到的铜铝复合板带坯料进行二次精轧，校准板厚宽度，经二次精轧制得铜铝复合板带，铜铝复合板带的厚度为12mm，其中铜和铝的结合强度不低于铝的强度。

以上内容是结合具体的优选实施例对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应视为本发明的保护范围。