液晶组合物及液晶显示元件

文献发布时间：2023-06-19 11:39:06

技术领域

本发明涉及聚合性化合物、含有聚合性化合物的液晶组合物、及使用其的液晶显示元件。

背景技术

PSA(Polymer Sustained Alignment，聚合物维持取向)型液晶显示元件是具有为了控制液晶分子的预倾角而在单元内形成有聚合物结构物的结构的液晶显示元件，由于高速响应性、高对比度度，因此被实用作为液晶显示元件。

PSA型液晶显示元件的制造通过以下方式来进行，即，将含有液晶性化合物及聚合性化合物的聚合性组合物注入基板间，在施加电压而使液晶分子取向的状态下，使聚合性化合物聚合，从而固定液晶分子的取向。作为该PSA型液晶显示元件的显示不良(即，烧屏)的原因，已知有因杂质所导致的显示不良、及液晶分子的取向的变化(预倾角的变化)。

由液晶分子的预倾角变化所引起的烧屏为：在构成显示元件的情形，在长时间连续显示相同图案时，聚合物的结构产生变化，其结果，预倾角发生变化。因此，需要下述聚合性化合物，该聚合性化合物形成带有聚合物结构不会产生变化的刚直结构的聚合物。

以往，为了通过使聚合物的刚直性提高来防止烧屏，在专利文献1中公开有，使用具有作为环结构的联苯结构的聚合性化合物来构成显示元件，在专利文献2中公开有，使用具有作为环结构的三联苯结构的聚合性化合物来构成显示元件。

如上述专利文献1、上述专利文献2的实施例也所示的那样，进行了以下尝试，即：通过使用如下那样的具备联苯骨架的化合物(A)、具备三联苯骨架的化合物(B)，来改善因预倾角的变化所引起的烧屏。

[化1]

近年来，在液晶元件的制造中，以提高生产效率为目的，要求聚合速度适度地快速的液晶组合物。然而，含有化合物(A)、化合物(B)的液晶组合物由于聚合速度不充分，因此要求有所改善。另外，以往的聚合性化合物还被要求要进一步改善赋予预倾角及溶解性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2010/084823

专利文献2：日本特开2012-241125号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明所要解决的课题在于提供一种聚合性化合物、及使用该聚合性化合物的液晶组合物及液晶显示元件，该聚合性化合物的聚合速度充分快、且能以更短的紫外线照射时间来形成预倾角。另外，本发明所要解决的课题在于提供一种用于制造PSA型或PSVA型液晶显示元件的含有聚合性化合物的液晶组合物，该PSA型或PSVA型液晶显示元件没有因预倾角的变化所导致的显示不良、或者显示不良极少，具有充分的预倾角，响应性能优异，以及，提供一种使用其的液晶显示元件。

用于解决课题的手段

本发明人等进行潜心研究的结果，发现通过含有具有特定的化学结构的聚合性化合物的液晶组合物，可解决上述课题，从而完成本申请发明。

发明的效果

含有本发明的聚合性化合物的液晶组合物是下述液晶组合物，即：不会使折射率各向异性(Δn)及向列相-各向同性液相转移温度(Tni)降低，显示低粘度(η)、低旋转粘性(γ1)、及高弹性常数(K33)，聚合性化合物的聚合速度和预倾角的形成充分快，没有聚合性化合物的析出。另外，使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件可充分得到预倾角，聚合性化合物的残留量少，显示高电压保持率(VHR)及高速响应，没有取向不良、烧屏等显示不良，或者取向不良、烧屏等显示不良被抑制，显示优异的显示品质。

本发明的液晶组合物通过使用特定的聚合性化合物，可抑制预倾角及聚合性化合物的残留量，通过用于制造的能量耗费的优化和削减，可容易地提高生产效率。因此，本发明的液晶组合物及使用其的液晶显示元件非常有用。

具体实施方式

本发明的液晶组合物是含有1种或2种以上通式(I)所表示的聚合性化合物的液晶组合物。

[化2]

(式中，X

[化3]

在X

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(c)萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

上述的基(a)、基(b)及基(c)可分别独立地被碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数1～8的卤化烷基、碳原子数1～8的卤化烷氧基、卤素原子、氰基、硝基或-S

[化4]

(式中，R

在存在多个M

含有通式(I)所表示的聚合性化合物的液晶组合物为适度快的聚合速度，且能以短的紫外线照射时间来赋予目标预倾角。进一步，如果为适度快的聚合速度，则可使聚合性化合物的残留量变少。因此，可提高制造PSA型液晶显示元件的生产效率。另外，实现不会产生预倾角的变化所导致的显示不良(例如，烧屏等不良情形)、或者上述显示不良极少等效果。再者，本说明书中的显示不良考虑了：聚合后的预倾角随时间变化所导致的显示不良、未反应的聚合性化合物的残留量所引起的显示不良、电压保持率降低所导致的显示不良。

(聚合性化合物)

通式(I)所表示的化合物包含X

[化5]

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，X

[化6]

上述烷基及烷氧基的优选碳原子数为1～6，更优选为1～4，进一步优选为1～3。另外，上述烷基及烷氧基可为直链状或支链状，但特别优选为直链状。X

作为上述可被氟原子取代的碳原子数1至8的烷基，优选为直链状烷基，可列举甲基、乙基、丙基或丁基、或者这些基的氢原子被氟原子取代的氟化烷基等，其中，优选为甲基、乙基、丙基、单氟甲基、二氟甲基、三氟甲基，进一步优选为甲基或乙基，特别优选为甲基。从电子共轭的观点，以及由于随着碳原子数增加则取代基的数量变多，会变得容易引起聚合速度及聚合度降低，特别优选为甲基。

此处，X

在X

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，X

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，M

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

上述的基(a)、基(b)及基(c)可分别独立地被碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氰基、硝基或P

[化7]

(式中，R

更优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基、3-甲基-1,4-亚苯基、2-甲氧基-1,4-亚苯基、3-甲氧基-1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基或萘-2,6-二基，更优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基、3-甲基-1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、或3-氟-1,4-亚苯基，进一步优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基或2-氟-1,4-亚苯基，特别优选为1,4-亚苯基。

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，L

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，m

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，P

优选为P

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，S

上述通式(I)、通式(ia)及通式(ib)中，Z

另外，上述通式(I)所表示的化合物优选以通式(I-Np)表示。

[化8]

(式中，X

[化9]

在X

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

[化10]

(式中，R

在存在多个M

通式(I)中所含的P

上述通式(I-Np)中，X

[化11]

上述烷基及烷氧基的优选碳原子数为1～6，更优选为1～4，进一步优选为1～3。另外，上述烷基及烷氧基可为直链状或支链状，特别优选为直链状。X

作为上述可被氟原子取代的碳原子数1至8的烷基，优选为直链状烷基，可列举甲基、乙基、丙基或丁基或这些基的氢原子被氟原子取代的氟化烷基等，其中，优选为甲基、乙基、丙基、单氟甲基、二氟甲基、三氟甲基，进一步更优选为甲基或乙基，特别优选为甲基。从电子共轭的观点，以及随着碳原子数增加时取代基数量变多，变得容易引起聚合速度及聚合度降低，因此特别优选为甲基。

此处，X

在X

在上述通式(I-Np)中，X

上述通式(I-Np)中，M

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

在上述的基(a)、基(b)及基(c)中，优选可分别独立地被碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氰基、硝基或P

[化12]

(式中，R

更优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基、3-甲基-1,4-亚苯基、2-甲氧基-1,4-亚苯基、3-甲氧基-1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基或萘-2,6-二基，进一步优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基、3-甲基-1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、或3-氟-1,4-亚苯基，特别优选为1,4-亚苯基、2-甲基-1,4-亚苯基或2-氟-1,4-亚苯基，尤其优选为1,4-亚苯基。特别是，在M

在上述通式(I-Np)中，L

在上述通式(I-Np)中，q

在上述通式(I-Np)中，P

在上述式(R-1)～(R-9)中，R

在上述通式(I-Np)中，由于S

在上述通式(I-Np)中，S

在上述通式(I-Np)中，Z

另外，上述通式(I-Np)所表示的化合物优选为以通式(i-Np-1)或通式(i-Np-2)表示。

[化13]

(式中，M

[化14]

在X

在存在多个M

其中，通式(i-Np-1)或通式(i-Np-2)中所含的P

在上述通式(i-Np-1)或通式(i-Np-2)中，M

上述通式(I)所表示的化合物优选为以通式(ia-1)、通式(ib-1)、通式(ia-2)、通式(ib-2)、通式(ia-3)、通式(ib-3)、通式(ia-4)及通式(ib-4)表示。

[化15]

(式中，X

[化16]

(式中，X

通式(ia-1)、通式(ib-1)、通式(ia-2)、通式(ib-2)、通式(ia-3)、通式(ib-3)、通式(ia-4)或通式(ib-4)中，X

在通式(ia-3)、通式(ib-3)、通式(ia-4)或通式(ib-4)中的Z

从具有充分的预倾角，且提高电压保持率(VHR)的观点而言，上述通式(I)所表示的化合物优选为通式(II)所表示的化合物。

[化17]

通式(II)所表示的化合物包含X

[化18]

(式中，M

[化19]

在X

通式(II)、通式(iia)及通式(iib)中的X

由于环的数量如果增加，则会有紫外线的极大吸收波长会朝向长波长区域迁移的倾向，因此从以短的紫外线照射时间即可具有充分的预倾角、聚合性化合物的残留量变少的观点而言优选。

通式(II)、通式(iia)及通式(iib)中，m

作为本发明的通式(I)所表示的聚合性化合物，具体而言，优选为通式(i-1)至通式(i-515)所表示的化合物。通式(i-1)至通式(i-515)所表示的化合物中，优选为通式(i-1)至通式(i-120)、通式(i-161)至通式(i-193)、通式(i-201)至通式(i-290)及通式(i-331)至通式(i-505)，更优选为通式(i-1)～通式(i-12)、通式(i-18)～通式(i-20)、通式(i-31)～通式(i-42)、通式(i-48)～通式(i-50)、通式(i-161)～通式(i-173)、通式(i-181)～通式(i-193)、通式(i-201)～通式(i-220)、通式(i-231)～通式(i-250)、通式(i-331)～通式(i-505)。在重视溶解性的情形时，优选为通式(i-1)～通式(i-12)、通式(i-18)～通式(i-20)、通式(i-31)～通式(i-42)、通式(i-48)～通式(i-50)、通式(i-201)～通式(i-220)及通式(i-231)～通式(i-250)，在重视聚合性化合物的聚合速度的情形时，优选为通式(i-161)～通式(i-173)、通式(i-181)～通式(i-193)及通式(i-331)～通式(i-505)。

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

[化33]

[化34]

[化35]

[化36]

[化37]

[化38]

[化39]

[化40]

[化41]

[化42]

[化43]

[化44]

[化45]

[化46]

[化47]

[化48]

[化49]

[化50]

[化51]

[化52]

[化53]

[化54]

[化55]

[化56]

[化57]

[化58]

[化59]

[化60]

[化61]

[化62]

[化63]

[化64]

[化65]

[化66]

[化67]

[化68]

[化69]

[化70]

[化71]

[化72]

通式(I)所表示的化合物可由通式(Im)所表示的化合物来制造。

[化73]

(式中，M

[化74]

在X

通式(II)所表示的化合物可由通式(IIm)所表示的化合物来制造。

[化75]

通式(IIm)所表示的化合物包含X

[化76]

(式中，M

[化77]

在X

通式(Im)中的X

通式(I-Np)所表示的化合物可由通式(I-Npm)所表示的化合物来制造。

[化78]

(式中，M

[化79]

在X

在存在多个M

通式(I-Npm)中所含的Y

通式(i-Np-1)或通式(i-Np-2)所表示的化合物可由通式(i-Np-1m)或通式(i-Np-2m)所表示的化合物来制造。

[化80]

(式中，M

[化81]

在X

在存在多个M

其中，通式(i-Np-1m)或通式(i-Np-2m)中所含的Y

通式(Im)、通式(IIm)、通式(iima)、通式(iimb)、通式(I-Npm)、通式(i-Np-1m)或通式(i-Np-2m)中的Y

通式(Im)、通式(IIm)、通式(iima)、通式(iimb)、通式(I-Npm)、通式(i-Np-1m)或通式(i-Np-2m)所表示的化合物例如可由通式(Im)、通式(IIm)、通式(iima)、通式(iimb)、通式(i-Np-1m)或通式(i-Np-2m)所表示的化合物中Y

[化82]

(式中，P

具体而言，可利用以下方法来制造。

(制法1)通式(ia-3-1)所表示的化合物的制造

在乙醇溶剂中，在碳酸钾和四(三苯基膦)钯(0)存在下，通过4-溴-1-萘酚与末端带有甲氧基的硼酸经铃木偶合而得到苯基萘衍生物(S-1)，接着，在乙酸中，利用氢溴酸而得到将甲氧基转换成酚性羟基的二羟基化合物(S-2)。进一步，在二氯甲烷溶剂中，在二甲基胺基吡啶存在下，通过使用甲基丙烯酸的经由二异丙基碳二酰亚胺的缩合反应，而可获得目标化合物(ia-3-1)。

[化83]

(上述式中，M

(制法2)通式(ia-3-1)所表示的化合物的制造

在二氯甲烷溶剂中，在对甲苯磺酸吡啶鎓存在下，使4-溴-1-萘酚与3,4-二氢-2H-吡喃反应，而得到萘的羟基保护体(S-3)，接着，在乙醇溶剂中，在碳酸钾和四(三苯基膦)钯(0)存在下，通过与末端带有羟基的硼酸的铃木偶合而得到苯基萘衍生物(S-4)，进一步，在THF中，加入盐酸水溶液使其反应，从而得到二羟基化合物(S-2)。然后，在二氯甲烷溶剂中，在二甲基胺基吡啶存在下，通过使用甲基丙烯酸的经由二异丙基碳二酰亚胺的缩合反应，而可获得目标化合物(ia-3-1)。

[化84]

(上述式中，M

(制法3)通式(iia-3-2)所表示的化合物的制造

在二氯甲烷溶剂中，在二甲基胺基吡啶存在下，通过使用甲基丙烯酸的经由二异丙基碳二酰亚胺的缩合反应，从而由(S-4)获得(S-5)。进一步，在THF中加入盐酸水溶液并使其反应，从而获得羟基化合物(S-6)。然后，在二氯甲烷溶剂中，在二异丙基乙胺存在下，通过使用丙烯酰氯的酯化反应，而可获得目标化合物(ia-3-2)。

[化85]

(上述式中，M

(液晶组合物)

在将通式(I)所表示的化合物添加于液晶组合物的情形时，可添加1种或2种以上本发明的通式(I)所表示的化合物，除了通式(I)所表示的化合物以外，可进一步含有液晶组合物中所使用的公知的聚合性化合物、抗氧化剂等。

本发明的液晶组合物中的通式(I)所表示的聚合性化合物的含量的下限优选为0.01质量％，优选为0.02质量％，优选为0.03质量％，优选为0.04质量％，优选为0.05质量％，优选为0.06质量％，优选为0.07质量％，优选为0.08质量％，优选为0.09质量％，优选为0.1质量％，优选为0.12质量％，优选为0.15质量％，优选为0.17质量％，优选为0.2质量％，优选为0.22质量％，优选为0.25质量％，优选为0.27质量％，优选为0.3质量％，优选为0.32质量％，优选为0.35质量％，优选为0.37质量％，优选为0.4质量％，优选为0.42质量％，优选为0.45质量％，优选为0.5质量％，优选为0.55质量％。本发明的液晶组合物中的通式(I)所表示的聚合性化合物的含量的上限优选为5质量％，优选为4.5质量％，优选为4质量％，优选为3.5质量％，优选为3质量％，优选为2.5质量％，优选为2质量％，优选为1.5质量％，优选为1质量％，优选为0.95质量％，优选为0.9质量％，优选为0.85质量％，优选为0.8质量％，优选为0.75质量％，优选为0.7质量％，优选为0.65质量％，优选为0.6质量％，优选为0.55质量％，优选为0.5质量％，优选为0.45质量％，优选为0.4质量％。

如果更进一步详述，则为了得到充分的预倾角、或聚合性化合物的残留量少、或高电压保持率(VHR)，其含量优选为0.2至1.5质量％，在重视抑制低温时的析出的情形时，其含量优选为0.01至1.0质量％。另外，在含有多种通式(I)所表示的聚合性化合物的情形时，优选为各自的含量为0.01至0.6质量％。因此，为了解决这些全部课题，特别希望在0.1至1.0质量％的范围内调整通式(I)所表示的聚合性化合物。

本发明的液晶组合物优选为含有1种或2种以上通式(L)所表示的化合物。通式(L)所表示的化合物相当于介电性大致为中性的化合物(Δε的值为-2～2)。因此，优选为将分子内所具有的卤素等极性基的个数设为2个以下，优选为设为1个以下，优选为不具有。

[化86]

(式中，R

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

上述的基(a)、基(b)及基(c)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，

当n

通式(L)所表示的化合物可单独使用，可组合使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所希望的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种。或者在本发明的其他实施方式为2种，为3种，为4种，为5种，为6种，为7种，为8种，为9种，为10种以上。

在本发明的组合物中，通式(L)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。优选含量的上限值为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低、需要响应速度快的组合物的情形时，优选为上述的下限值高且上限值高。进而，在将本发明的组合物的Tni保持得高、需要温度稳定性良好的组合物的情形时，优选为上述的下限值高且上限值高。另外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选为降低上述的下限值，且上限值低。

当重视可靠性的情形时，优选为R

存在于分子内的卤素原子优选为0、1、2或3个，优选为0或1，当重视与其他液晶分子的相溶性的情形时，优选为1。

关于R

作为烯基，优选为选自式(R1)至式(R5)中任一者表示的基(各式中的黑点表示环结构中的碳原子)。

[化87]

在重视响应速度的情形时，n

在要求增大Δn的情形时，A

[化88]

更优选为表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。

在重视响应速度的情形时，Z

通式(L)所表示的化合物，分子内的卤素原子数优选为0个或1个。

通式(L)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1)～(L-7)所表示的化合物组中的化合物。

通式(L-1)所表示的化合物为下述化合物。

[化89]

(式中，R

通式(L-1)所表示的化合物可单独使用，或可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为15％，为20％，为25％，为30％，为35％，为40％，为45％，为50％，为55％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为95％，为90％，为85％，为80％，为75％，为70％，为65％，为60％，为55％，为50％，为45％，为40％，为35％，为30％，为25％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低、需要响应速度快的组合物的情形时，优选为上述的下限值高且上限值高。进而，在将本发明的组合物的Tni保持得高、需要温度稳定性良好的组合物的情形时，优选为上述的下限值适中，且上限值适中。另外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选为上述的下限值低且上限值低。

通式(L-1)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1-1)所表示的化合物组中的化合物。

[化90]

(式中，R

通式(L-1-1)所表示的化合物，优选为选自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示的化合物，特别优选为式(L-1-1.3)所表示的化合物。

[化91]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

通式(L-1)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1-2)所表示的化合物组中的化合物。

[化92]

(式中，R

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-2)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％，为55％，为50％，为45％，为42％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％。

进而，通式(L-1-2)所表示的化合物，优选为选自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示的化合物。尤其是式(L-1-2.2)所表示的化合物，由于特别改善本发明的组合物的响应速度，因此优选。另外，较响应速度更要求高的Tni时，优选为使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示的化合物。式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示的化合物的含量，为了使低温下的溶解度良好，不优选设在30％以上。

[化93]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-2.2)所表示的化合物优选含量的下限值为10％，为15％，为18％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％，为38％，为40％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％，为55％，为50％，为45％，为43％，为40％，为38％，为35％，为32％，为30％，为27％，为25％，为22％。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物及式(L-1-2.2)所表示的化合物的合计的优选含量的下限值为10％，为15％，为20％，为25％，为27％，为30％，为35％，为40％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％，为55％，为50％，为45％，为43％，为40％，为38％，为35％，为32％，为30％，为27％，为25％，为22％。

通式(L-1)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1-3)所表示的化合物组中的化合物。

[化94]

(式中，R

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-3)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为30％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％，为55％，为50％，为45％，为40％，为37％，为35％，为33％，为30％，为27％，为25％，为23％，为20％，为17％，为15％，为13％，为10％。

进而，通式(L-1-3)所表示的化合物，优选为选自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.13)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示的化合物。尤其是式(L-1-3.1)所表示的化合物，由于特别改善本发明的组合物的响应速度，因此优选。另外，相较于响应速度，更要求高Tni时，优选为使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.13)所表示的化合物。式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.13)所表示的化合物的合计含量，为了使低温下的溶解度良好，不优选设在20％以上。

[化95]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-3.1)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为18％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％，为17％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％。

通式(L-1)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示的化合物组中的化合物。

[化96]

(式中，R

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-4)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为25％，为23％，为20％，为17％，为15％，为13％，为10％。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-5)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为25％，为23％，为20％，为17％，为15％，为13％，为10％。

进而，通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示的化合物，优选为选自式(L-1-4.1)至式(L-1-5.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示的化合物。

[化97]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-4.2)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为18％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％，为17％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％。

优选组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示的化合物中的2种以上的化合物，优选组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物，这些化合物的合计含量的优选含量的下限值，相对于本发明的组合物总量，为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为18％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％，关于上限值，相对于本发明的组合物总量，为80％，为70％，为60％，为50％，为45％，为40％，为37％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％。当重视组合物的可靠性的情形时，优选为组合选自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示的化合物中的2种以上的化合物，当重视组合物的响应速度的情形时，优选为组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物。

通式(L-1)所表示的化合物，优选为选自通式(L-1-6)所表示的化合物组中的化合物。

[化98]

(式中，R

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-6)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％，为55％，为50％，为45％，为42％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％。

进而，通式(L-1-6)所表示的化合物，优选为选自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示的化合物组中的化合物。

[化99]

通式(L-2)所表示的化合物为下述化合物。

[化100]

(式中，R

通式(L-2)所表示的化合物可单独使用，或可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

当重视低温下的溶解性的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高，相反地，当重视响应速度的情形时，如果将含量设定得低一些，则效果高。进而，在改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-2)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

进而，通式(L-2)所表示的化合物，优选为选自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示的化合物。

[化101]

通式(L-3)所表示的化合物为下述化合物。

[化102]

(式中，R

通式(L-3)所表示的化合物可单独使用，或可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-3)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

在得到高双折射率的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高，相反地，在重视高Tni的情形时，如果将含量设定得低一些，则效果高。进而，在改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

进而，通式(L-3)所表示的化合物，优选为选自式(L-3.1)至式(L-3.7)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-3.2)至式(L-3.5)所表示的化合物。

[化103]

通式(L-4)所表示的化合物为下述化合物。

[化104]

(式中，R

通式(L-4)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

在本发明的组合物中，通式(L-4)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为14％，为16％，为20％，为23％，为26％，为30％，为35％，为40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％，为40％，为35％，为30％，为20％，为15％，为10％，为5％。

通式(L-4)所表示的化合物，例如优选为式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物。

[化105]

根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可含有式(L-4.1)所表示的化合物，或可含有式(L-4.2)所表示的化合物，或可含有式(L-4.1)所表示的化合物与式(L-4.2)所表示的化合物两者，或可含有所有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物。相对于本发明的组合物的总量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示的化合物优选含量的下限值为3％，为5％，为7％，为9％，为11％，为12％，为13％，为18％，为21％，优选上限值为45％，为40％，为35％，为30％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％。

当含有式(L-4.1)所表示的化合物与式(L-4.2)所表示的化合物两者的情形时，两化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为15％，为19％，为24％，为30％，优选上限值为45％，为40％，为35％，为30％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(L-4)所表示的化合物，例如优选为式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示的化合物，优选为式(L-4.4)所表示的化合物。

[化106]

根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可含有式(L-4.4)所表示的化合物，或可含有式(L-4.5)所表示的化合物，或可含有式(L-4.4)所表示的化合物与式(L-4.5)所表示的化合物两者。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示的化合物优选含量的下限值为3％，为5％，为7％，为9％，为11％，为12％，为13％，为18％，为21％。优选上限值为45％，为40％，为35％，为30％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％。

在含有式(L-4.4)所表示的化合物与式(L-4.5)所表示的化合物两者的情形时，两化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为15％，为19％，为24％，为30％，优选上限值为45％，为40％，为35％，为30％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(L-4)所表示的化合物，优选为式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示的化合物，特别优选为式(L-4.9)所表示的化合物。

[化107]

通式(L-5)所表示的化合物为下述化合物。

[化108]

(式中，R

通式(L-5)所表示的化合物可单独使用，或可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

在本发明的组合物中，通式(L-5)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为14％，为16％，为20％，为23％，为26％，为30％，为35％，为40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％，为40％，为35％，为30％，为20％，为15％，为10％，为5％。

通式(L-5)所表示的化合物，优选为式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示的化合物，特别优选为式(L-5.1)所表示的化合物。

这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％。这些化合物的优选含量的上限值为20％，为15％，为13％，为10％，为9％。

[化109]

通式(L-5)所表示的化合物，优选为式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示的化合物。

[化110]

通式(L-5)所表示的化合物，优选为选自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示的化合物组中的化合物，特别优选为式(L-5.7)所表示的化合物。

[化111]

通式(L-6)所表示的化合物为下述化合物。

[化112]

(式中，R

通式(L-6)所表示的化合物可单独使用，或可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为14％，为16％，为20％，为23％，为26％，为30％，为35％，为40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％，为40％，为35％，为30％，为20％，为15％，为10％，为5％。当重点在于增大Δn的情形时，优选为增多含量，当重点在于低温下的析出的情形时，优选为含量较少。

通式(L-6)所表示的化合物，优选为式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示的化合物。

[化113]

可组合的化合物的种类并没有特别限制，优选自这些化合物之中含有1种～3种，进一步优选含有1种～4种。另外，由于所选择的化合物的分子量分布广也对溶解性有效，因此优选例如自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示的化合物选择1种化合物，自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示的化合物选择1种化合物，自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示的化合物选择1种化合物，自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示的化合物选择1种化合物，再适当将这些加以组合。其中，优选含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示的化合物。

进而，通式(L-6)所表示的化合物，例如优选为式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示的化合物，其中，优选为式(L-6.11)所表示的化合物。

[化114]

通式(L-7)所表示的化合物为下述化合物。

[化115]

(式中，R

式中，R

可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能组合。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种。

在本发明的组合物中，通式(L-7)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为2％，为3％，为5％，为7％，为10％，为14％，为16％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物的优选含量的上限值为30％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为10％，为5％。

当期望本发明的组合物为高Tni的实施方式的情形时，优选为使式(L-7)所表示的化合物的含量多一点，当期望低粘度的实施方式的情形时，优选为使含量少一点。

进而，通式(L-7)所表示的化合物，优选为式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示的化合物，优选为式(L-7.2)所表示的化合物。

[化116]

进而，通式(L-7)所表示的化合物，优选为式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示的化合物，优选为式(L-7.11)所表示的化合物。

[化117]

进而，通式(L-7)所表示的化合物，为式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示的化合物。优选为式(L-7.21)所表示的化合物。

[化118]

进而，通式(L-7)所表示的化合物，优选为式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示的化合物，优选为式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示的化合物。

[化119]

进而，通式(L-7)所表示的化合物，优选为式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示的化合物，优选为式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示的化合物。

[化120]

进而，通式(L-7)所表示的化合物，优选为式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示的化合物。

[化121]

本发明的组合物优选为含有1种或2种以上的选自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示的化合物中的化合物。这些化合物相当于介电性为负的化合物(Δε的符号为负，其绝对值大于2)。

[化122]

(式中，R

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(d)1,4-亚环己烯基，

上述的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示的化合物，优选为Δε为负且其绝对值大于3的化合物。

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，R

另外，当其所结合的环结构为苯基(芳香族)的情形时，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，当其所结合的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情形时，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，碳原子及存在的情形时氧原子的合计优选在5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选为选自式(R1)至式(R5)中任一者表示的基(各式中的黑点表示环结构中的碳原子)。

[化123]

当要求增大Δn的情形时，A

[化124]

更优选为表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基或1,4-亚苯基。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。优选含量的上限值为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％，为20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-2)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。优选含量的上限值为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％，为20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-3)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。优选含量的上限值为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％，为20％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低，需要响应速度快的组合物的情形时，优选为上述的下限值低且上限值低。进而，在将本发明的组合物的Tni保持得高，需要温度稳定性良好的组合物的情形时，优选为上述的下限值低且上限值低。另外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选为提高上述的下限值，且上限值高。

作为通式(N-1)所表示的化合物，可列举下述通式(N-1a)～(N-1g)所表示的化合物组。

[化125]

(式中，R

更具体而言，通式(N-1)所表示的化合物，优选为选自通式(N-1-1)～(N-1-22)所表示的化合物组中的化合物。

通式(N-1-1)所表示的化合物为下述化合物。

[化126]

(式中，R

通式(N-1-1)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

当重视改善Δε的情形时，优选为将含量设定得高一些，当重视低温下的溶解性的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高，当重视Tni的情形时，如果将含量设定得低一些，则效果高。进而，当改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-1)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

进而，通式(N-1-1)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.25)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-1.1)～(N-1-1.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-1.1)及式(N-1-1.3)所表示的化合物。

[化127]

式(N-1-1.1)～(N-1-1.25)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

通式(N-1-2)所表示的化合物为下述化合物。

[化128]

(式中，R

通式(N-1-2)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

当重视改善Δε的情形时，优选为将含量设定得高一些，当重视低温下的溶解性的情形时，如果将含量设定得低一些，则效果高，当重视Tni的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高。进而，当改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-2)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％，为37％，为40％，为42％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％，为48％，为45％，为43％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％。

进而，通式(N-1-2)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.25)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)及式(N-1-2.20)所表示的化合物，当重视改良Δε的情形时，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示的化合物，当重视改良Tni的情形时，优选为式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示的化合物，当重视改良响应速度的情形时，优选为式(N-1-2.20)所表示的化合物。

[化129]

式(N-1-2.1)至式(N-1-2.25)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％，为3％。

通式(N-1-3)所表示的化合物为下述化合物。

[化130]

(式中，R

通式(N-1-3)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

当重视改善Δε的情形时，优选为将含量设定得高一些，当重视低温下的溶解性的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高，当重视Tni的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高。进而，当改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-3)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

进而，通式(N-1-3)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-3.1)～(N-1-3.7)及式(N-1-3.21)所表示的化合物，优选为式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示的化合物。

[化131]

式(N-1-3.1)～式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)及式(N-1-3.21)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，优选为式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)的组合、或选自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)中的2种或3种的组合。单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-4)所表示的化合物为下述化合物。

[化132]

(式中，R

通式(N-1-4)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-4)所表示的化合物优选含量的下限值为3％，为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为11％，为10％，为8％。

进而，通式(N-1-4)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.24)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-4.1)～(N-1-4.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)及式(N-1-4.4)所表示的化合物。

[化133]

式(N-1-4.1)～(N-1-4.24)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为3％，为5％，为7％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为11％，为10％，为8％。

通式(N-1-5)所表示的化合物为下述化合物。

[化134]

(式中，R

通式(N-1-5)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

当重视Δε的改善的情形时，优选为将含量设定得高一些，当重视低温下的溶解性的情形时，如果将含量设定得低一些，则效果高，当重视Tni的情形时，如果将含量设定得高一些，则效果高。进而，当改良滴痕、烧屏特性的情形时，优选为将含量的范围设定在中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-5)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为8％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

进而，通式(N-1-5)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-5.1)至式(N-1-5.12)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示的化合物。

[化135]

式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为8％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-10)所表示的化合物为下述化合物。

[化136]

(式中，R

通式(N-1-10)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-10)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

进而，通式(N-1-10)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.14)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-10.1)～(N-1-10.5)所表示的化合物，优选为式(N-1-10.1)及式(N-1-10.2)所表示的化合物。

[化137]

式(N-1-10.1)及式(N-1-10.2)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-11)所表示的化合物为下述化合物。

[化138]

(式中，R

通式(N-1-11)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-11)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

进而，通式(N-1-11)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.14)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-11.1)～(N-1-11.14)所表示的化合物，优选为式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示的化合物。

[化139]

式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示的化合物可单独使用，可组合使用，单独或这些化合物相对于本发明的组合物总量的优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-12)所表示的化合物为下述化合物。

[化140]

(式中，R

通式(N-1-12)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-12)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-13)所表示的化合物为下述化合物。

[化141]

(式中，R

通式(N-1-13)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-13)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-14)所表示的化合物为下述化合物。

[化142]

(式中，R

通式(N-1-14)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-14)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-15)所表示的化合物为下述化合物。

[化143]

(式中，R

通式(N-1-15)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-15)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-16)所表示的化合物为下述化合物。

[化144]

(式中，R

通式(N-1-16)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-16)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-17)所表示的化合物为下述化合物。

[化145]

(式中，R

通式(N-1-17)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-17)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-18)所表示的化合物为下述化合物。

[化146]

(式中，R

通式(N-1-18)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-18)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

进而，通式(N-1-18)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-18.1)～(N-1-18.3)所表示的化合物，优选为式(N-1-18.2)及式(N-1-18.3)所表示的化合物。

[化147]

通式(N-1-20)所表示的化合物为下述化合物。

[化148]

(式中，R

通式(N-1-20)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-20)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-21)所表示的化合物为下述化合物。

[化149]

(式中，R

通式(N-1-21)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-21)所表示的化合物优选含量的下限值为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％。

通式(N-1-22)所表示的化合物为下述化合物。

[化150]

(式中，R

通式(N-1-22)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-22)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为5％。

进而，通式(N-1-22)所表示的化合物，优选为选自式(N-1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.5)所表示的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.4)所表示的化合物。

[化151]

通式(N-3)所表示的化合物，优选为选自通式(N-3-2)所表示的化合物组中的化合物。

[化152]

(式中，R

通式(N-3-2)所表示的化合物可单独使用，可组合2种以上的化合物使用。可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-3-2)所表示的化合物优选含量的下限值为3％，为5％，为10％，为13％，为15％，为17％，为20％，为23％，为25％，为27％，为30％，为33％，为35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％，为40％，为38％，为35％，为33％，为30％，为28％，为25％，为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为10％，为8％，为7％，为6％，为5％。

进而，通式(N-3-2)所表示的化合物，优选为选自式(N-3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示的化合物组中的化合物。

[化153]

本发明的组合物优选含有1种或2种以上通式(J)所表示的化合物。这些化合物相当于介电性为正的化合物(Δε大于2)。

[化154]

(式中，R

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

上述的基(a)、基(b)及基(c)可分别独立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代，

当n

通式(J)中，R

当重视可靠性的情形时，R

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中任一者表示的基。(各式中的黑点表示烯基结合的环结构中的碳原子)

[化155]

当要求增大Δn的情形时，A

[化156]

更优选为表示下述结构。

[化157]

可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所希望的性能组合使用。使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种。另外进一步，在本发明的其他实施方式为4种，为5种，为6种，为7种以上。

在本发明的组合物中，通式(J)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，通式(J)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值例如在本发明的一个方式，为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低、需要响应速度快的组合物的情形时，优选为使上述的下限值低一些且使上限值低一些。进而，在将本发明的组合物的Tni保持得高、需要温度稳定性良好的组合物的情形时，优选为使上述的下限值低一些且使上限值低一些。另外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选为使上述的下限值高一些，且使上限值高一些。

当重视可靠性的情形时，R

作为通式(J)所表示的化合物，优选为通式(M)所表示的化合物。

本发明的组合物，优选为含有1种或2种以上通式(M)所表示的化合物。这些化合物相当于介电性为正的化合物(Δε大于2)。

[化158]

(式中，R

(a)1,4-亚环己基(存在于该基中的1个-CH

(b)1,4-亚苯基(存在于该基中的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可被-N＝取代)，

上述的基(a)及基(b)上的氢原子可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，

当n

通式(M)中，R

当重视可靠性的情形时，R

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中任一者表示的基。(各式中的黑点表示烯基结合的环结构中的碳原子)

[化159]

当要求增大Δn的情形时，A

[化160]

更优选为表示下述结构。

[化161]

可组合的化合物的种类并没有特别限制，可根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率等所希望的性能组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式为1种，为2种，为3种。另外进一步，在本发明的其他实施方式为4种，为5种，为6种，为7种以上。

在本发明的组合物中，通式(M)所表示的化合物的含量，必须根据低温下的溶解性、转移温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能作适当调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(M)所表示的化合物优选含量的下限值为1％，为10％，为20％，为30％，为40％，为50％，为55％，为60％，为65％，为70％，为75％，为80％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值例如在本发明的一个方式为95％，为85％，为75％，为65％，为55％，为45％，为35％，为25％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低、需要响应速度快的组合物的情形时，优选为使上述下限值低一些且使上限值低一些。进而，在将本发明的组合物的Tni保持得高、需要温度稳定性良好的组合物的情形时，优选为使上述下限值低一些且使上限值低一些。另外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选为使上述下限值高一些，且使上限值高一些。

本发明的液晶组合物虽然含有通式(I)所表示的聚合性化合物，但可并用其他聚合性化合物。通过并用其他聚合性化合物，可更进一步加快聚合性化合物的聚合速度及预倾角的形成。另外，可充分得到预倾角，聚合性化合物的残留量少，得到高电压保持率(VHR)，进一步可抑制液晶显示元件的烧屏。作为该其他聚合性化合物，优选为以下通式(P)所表示的化合物，

[化162]

(上述通式(P)中，R

[化163]

(式中，R

上述的基(a

其中，不包括通式(I)所表示的化合物)。另外，优选为含有1种或2种以上该聚合性单体。

在本发明的通式(P)中，R

另外，优选为分子内所存在的Z

关于通式(P)所表示的化合物的合计含量，相对于含有本申请的通式(P)所表示的化合物的组合物，优选为含有0.05～10％，优选为含有0.1～8％，优选为含有0.1～5％，优选为含有0.1～3％，优选为含有0.2～2％，优选为含有0.2～1.3％，优选为含有0.2～1％，优选为含有0.2～0.56％。

关于通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选下限值，相对于含有本申请的通式(P)所表示的化合物的组合物，为0.01％，为0.03％，为0.05％，为0.08％，为0.1％，为0.15％，为0.2％，为0.25％，为0.3％。

关于通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选上限值，相对于含有本申请的通式(P)所表示的化合物的组合物，为10％，为8％，为5％，为3％，为1.5％，为1.2％，为1％，为0.8％，为0.5％。

如果含量较少，则添加通式(P)所表示的化合物的效果难以显现，会产生液晶组合物的取向控制力弱，或取向控制力随时间经过而变弱等问题，如果过多，则会产生固化后所残存的量变多、固化费时、液晶的可靠性降低等问题。因此，考虑它们的平衡而设定含量。

关于通式(I)所表示的化合物及通式(P)所表示的化合物的合计含量，相对于含有这些化合物的组合物，优选为含有0.05～10％，优选为含有0.1～8％，优选为含有0.1～5％，优选为含有0.1～3％，优选为含有0.2～2％，优选为含有0.2～1.3％，优选为含有0.2～1％，优选为含有0.2～0.56％。

关于通式(I)所表示的化合物及通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选下限值，相对于含有这些化合物的组合物，为0.01％，为0.03％，为0.05％，为0.08％，为0.1％，为0.15％，为0.2％，为0.25％，为0.3％。

关于通式(I)所表示的化合物及通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选上限值，相对于含有这些化合物的组合物，为10％，为8％，为5％，为3％，为1.5％，为1.2％，为1％，为0.8％，为0.5％。

如果含量较少，则添加通式(I)所表示的化合物及通式(P)所表示的化合物的效果难以显现，会产生液晶组合物的取向控制力弱，或取向控制力随时间经过而变弱等问题，如果过多，则会产生固化后所残存的量变多、固化费时、液晶的可靠性降低等问题。因此，考虑它们的平衡而设定含量。

作为本发明的通式(P)所表示的化合物的优选例子，可列举下述式(P-1-1)～式(P-1-46)所表示的聚合性化合物。

[化164]

[化165]

[化166]

[化167]

[化168]

(式中，P

作为本发明的通式(P)所表示的化合物的优选例子，可列举下述式(P-2-1)～式(P-2-14)所表示的聚合性化合物。

[化169]

(式中，P

作为本发明的通式(P)所表示的化合物的优选例子，可列举下述式(P-3-1)～式(P-3-15)所表示的聚合性化合物。

[化170]

[化171]

(式中，P

作为本发明的通式(P)所表示的化合物的优选例子，可列举下述式(P-4-1)～式(P-4-21)所表示的聚合性化合物。

[化172]

[化173]

[化174]

[化175]

(式中，P

于在本发明的组合物中添加单体的情形时，即便在不存在聚合引发剂的情形，也会进行聚合，但为了促进聚合，可含有聚合引发剂。作为聚合引发剂，可列举安息香醚类、二苯基酮类、苯乙酮类、苄基缩酮(benzyl ketal)类、氧化酰基膦(acyl phosphine oxide)等。

本发明的组合物可进一步含有通式(Q)所表示的化合物。

[化176]

(式中，R

更具体而言，通式(Q)所表示的化合物优选为下述通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物。

[化177]

式中，R

在本申请发明的组合物中，优选为含有1种或2种通式(Q)所表示的化合物，进一步优选为含有1种至5种，其含量优选为0.001至1％，进一步优选为0.001至0.1％，特别优选为0.001至0.05％。

本发明的液晶组合物除了上述化合物以外，可含有通常的向列型液晶、近晶型液晶、胆固醇液晶、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂或红外线吸收剂等。

另外，作为本发明中可使用的抗氧化剂或光安定剂，更具体而言优选为以下(III-1)～(III-40)所表示的化合物。

[化178]

[化179]

[化180]

[化181]

[化182]

[化183]

[化184]

[化185]

[化186]

(式中，n表示0至20的整数)。

本申请发明的组合物中，优选为含有1种或2种以上通式(Q)所表示的化合物或选自通式(III-1)～(III-40)中的化合物，进一步优选为含有1种至5种，其含量优选为0.001至1％，进一步优选为0.001至0.1％，特别优选为0.001至0.05％。

本发明的液晶组合物在20℃的介电常数各向异性(Δε)优选为-2.0～-8.0，更优选为-2.0～-5.0，特别优选为-2.5～-5.0。

本发明的液晶组合物在20℃的折射率各向异性(Δn)优选为0.08～0.14，更优选为0.09～0.13，特别优选为0.09～0.12。如果更详而言之，则当对应于薄的单元间隙(gap)的情形时，优选为0.10～0.13，而当对应于厚的单元间隙的情形时，则优选为0.08～0.10。

本发明的液晶组合物在20℃的粘度(η)优选为10～50mPa·s，优选为10～40mPa·s，优选为10～35mPa·s，优选为10～30mPa·s，进一步优选为10～25mPa·s，特别优选为10～22mPa·s。

本发明的液晶组合物在20℃的旋转粘性(γ

本发明的液晶组合物的向列相-各向同性液相转移温度(Tni)优选为60℃～120℃，更优选为70℃～100℃，特别优选为70℃～85℃。

本发明的液晶组合物的优选的实施方式优选为区分为液晶组合物整体显示正的介电常数各向异性的情形、以及液晶组合物整体显示负的介电常数各向异性的情形。

例如，在本发明的液晶组合物整体显示正的介电常数各向异性的情形时，优选为含有通式(I)所表示的聚合性化合物、1种或2种以上选自通式(J)所表示的化合物中的化合物、及通式(L)所表示的化合物。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(J)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(J)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(P)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(P)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

例如，在本发明的液晶组合物整体显示负的介电常数各向异性的情形时，优选为含有通式(I)所表示的聚合性化合物、1种或2种以上选自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示的化合物中的化合物、及通式(L)所表示的化合物。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％、为83质量％、为82质量％、为81质量％、为80质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)及通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为68质量％、为70质量％、为71质量％、为73质量％、为75质量％、为78质量％、为80质量％、为81质量％、为83质量％、为85质量％、为86质量％、为87质量％、为88质量％、为89质量％、为90质量％、为91质量％、为92质量％、为93质量％、为94质量％、为95质量％、为96质量％、为97质量％、为98质量％、为99质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％、为83质量％、为82质量％、为81质量％、为80质量％、为79质量％、为78质量％、为77质量％、为76质量％、为75质量％、为74质量％、为73质量％、为72质量％、为71质量％、为70质量％、为69质量％、为68质量％、为67质量％、为66质量％、为65质量％、为64质量％、为63质量％、为62质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1a)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为38质量％、为40质量％、为41质量％、为43质量％、为45质量％、为48质量％、为50质量％、为61质量％、为63质量％、为65质量％、为66质量％、为67质量％、为68质量％、为69质量％、为70质量％、为72质量％、为74质量％、为76质量％、为78质量％、为80质量％、为82质量％、为84质量％、为86质量％、为88质量％、为90质量％、为92质量％。

本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1d)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的上限值优选为100质量％、为99质量％、为98质量％、为97质量％、为96质量％、为95质量％、为94质量％、为93质量％、为92质量％、为91质量％、为90质量％、为89质量％、为88质量％、为87质量％、为86质量％、为85质量％、为84质量％、为83质量％、为82质量％、为81质量％、为80质量％、为79质量％、为78质量％、为77质量％、为76质量％、为75质量％、为74质量％、为73质量％、为72质量％、为71质量％、为70质量％、为69质量％、为68质量％、为67质量％、为66质量％、为65质量％、为64质量％、为63质量％、为62质量％。

另外，本发明的液晶组合物整体中的仅由通式(I)、通式(N-1d)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)及通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占有的比例的下限值优选为38质量％、为40质量％、为41质量％、为43质量％、为45质量％、为48质量％、为50质量％、为61质量％、为63质量％、为65质量％、为66质量％、为67质量％、为68质量％、为69质量％、为70质量％、为72质量％、为74质量％、为76质量％、为78质量％、为80质量％、为82质量％、为84质量％、为86质量％、为88质量％、为90质量％、为92质量％。

本申请发明的组合物优选为不含有在分子内具有过氧(-CO-OO-)结构等氧原子彼此结合的结构的化合物。

在重视组合物的可靠性及长期稳定性的情形时，优选为将具有羰基的化合物的含量设为相对于上述组合物的总质量为5％以下，更优选为设为3％以下，进一步优选为设为1％以下，最优选为实质上不含有。

在重视利用UV照射的稳定性的情形时，优选为将氯原子所取代的化合物的含量设为相对于上述组合物的总质量为15％以下，优选为设为10％以下，优选为设为8％以下，更优选为设为5％以下，优选为设为3％以下，进一步优选为实质上不含有。

优选为使分子内的环结构均为六员环的化合物的含量较多，优选为将分子内的环结构均为六员环的化合物的含量设为相对于上述组合物的总质量为80％以上，更优选设为90％以上，进一步优选设为95％以上，最优选为实质上仅由分子内的环结构均为六员环的化合物构成组合物。

为了抑制因组合物的氧化所导致的劣化，优选为使具有亚环己烯基作为环结构的化合物的含量较少，优选为将具有亚环己烯基的化合物的含量设为相对于上述组合物的总质量为10％以下，优选为设为8％以下，更优选为设为5％以下，优选为设为3％以下，进一步优选为实质上不含有。

在重视粘度的改善及Tni的改善的情形时，优选为使在分子内具有氢原子可被取代为卤素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量较少，优选为将在分子内具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量设为相对于上述组合物的总质量为10％以下，优选为设为8％以下，更优选为设为5％以下，优选为设为3％以下，进一步优选为实质上不含有。

在本申请中，所谓实质上不含有，是指除非有意地含有的物质以外不含有的含义。

(液晶显示元件)

使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件具有高速响应这样的显著的特征，并且可充分得到倾斜角(tilt angle)，没有未反应的聚合性化合物或少至不会产生问题，由于电压保持率(VHR)高，因此没有取向不良、显示不良等不良情形或不良情形充分被抑制。另外，由于可容易地控制倾斜角及聚合性化合物的残留量，因此能容易地将用于制造的能源成本优化及削减，因此最适合于生产效率的提升和稳定的量产。

使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件尤其对于有源矩阵驱动用液晶显示元件有用，可用于PSA模式、PSVA模式、VA模式、PS-IPS模式、PS-FFS模式、IPS模式、FFS模式用液晶显示元件。

作为本发明的液晶显示元件的一例，优选为具有：相对配置的第1基板及第2基板，设置在上述第1基板或上述第2基板的公共电极，设置在上述第1基板或上述第2基板、具有薄膜晶体管的像素电极，以及设置在上述第1基板与第2基板间的含有液晶组合物的液晶层。可视需要，以与上述液晶层抵接的方式，在第1基板及/或第2基板的至少一个基板的相对面侧设置控制液晶分子取向方向的取向膜。作为该取向膜，可配合液晶显示元件的驱动模式，适当选择垂直取向膜、水平取向膜等，可使用摩擦取向膜(例如，聚酰亚胺)或光取向膜(分解型聚酰亚胺等)等公知的取向膜。进而，可将滤色器适当设置于第1基板或第2基板上，另外，可在上述像素电极、公共电极上设置滤色器。

使用于本发明的液晶显示元件的液晶单元的2片基板可使用玻璃或如塑料那样具有柔软性的透明材料，其中一者可为硅等不透明的材料。具有透明电极层的透明基板，例如可通过将铟锡氧化物(ITO)溅射于玻璃板等透明基板上而得。

滤色器例如可通过颜料分散法、印刷法、电沉积法或染色法等制成。以通过颜料分散法制成滤色器的方法作为一例来说明，将滤色器用的固化性着色组合物涂布于该透明基板上，施以图案化处理，然后通过加热或照光使之固化。通过对红、绿、蓝这3个颜色分别进行此工序，可制成滤色器用的像素部。另外，可在该基板上设置设有TFT、薄膜二极管、金属绝缘体金属比电阻元件等有源元件的像素电极。

优选以公共电极、像素电极层成为内侧的方式使上述第1基板及上述第2基板相对。

第1基板与第2基板的间隔可经由间隔物加以调整。此时，优选调整成所得到的调光层的厚度成为1～100μm。进一步优选为1.5～10μm，当使用偏光板的情形时，优选以对比度成为最大的方式来调整液晶的折射率各向异性Δn与单元厚度d的积。另外，当具有二片偏光板的情形时，可调整各偏光板的偏光轴，调整成视野角、对比度为良好。进而，还可使用用于扩展视野角的相位差膜。作为间隔物，例如可列举：玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子、光阻剂(photoresist)材料等。然后，以设有液晶注入口的形状将环氧系热固化性组合物等密封剂丝网印刷于该基板，将该基板彼此贴合，进行加热使密封剂热固化。

将液晶组合物夹持于2片基板间的方法，可使用通常的真空注入法或ODF法等。

作为使本发明的液晶组合物所含有的聚合性化合物聚合的方法，为了得到液晶的良好取向性能，较理想为适度的聚合速度，因此，优选通过单一或并用或依序地照射紫外线或电子线等活性能量线，使之聚合。当使用紫外线的情形时，可使用偏光光源，可使用非偏光光源。另外，当在2片基板间夹持液晶组合物的状态下进行聚合的情形时，至少照射面侧的基板必须对于活性能量线具有适当的透明性。另外，可使用下述方式：在照光时使用掩模仅使特定部分聚合后，改变电场、磁场或温度等条件，由此改变未聚合部分的取向状态，并进一步照射活性能量线使之聚合。尤其是当进行紫外线曝光时，优选一边对液晶组合物施加交流电场一边进行紫外线曝光。所施加的交流电场优选为频率10Hz～10kHz的交流，更优选为频率60Hz～10kHz，电压取决于液晶显示元件的所要的预倾角(pretilt angle)来选择。即，可通过施加电压来控制液晶显示元件的预倾角。在PSVA模式的液晶显示元件那样的、在没有施加电压时液晶分子的取向(即液晶的初期取向)相对于基板大致垂直的液晶显示元件中，从取向稳定性及对比度的观点而言，优选将预倾角控制为80度～89.9度。再者，所谓大致垂直，包含如上所述那样具有预倾角的角度，优选为液晶分子长轴方向与基板的角度为70度以上，更优选为75度以上，进一步优选为80度以上。

使本发明的液晶组合物含有的聚合性化合物聚合时所使用的紫外线或电子线等活性能量线的照射时的温度并无特别限制。例如，当将本发明的液晶组合物应用在具备具有取向膜的基板的液晶显示元件的情形时，优选在上述液晶组合物保持液晶状态的温度范围内。优选为在接近室温的温度、即典型地15～35℃使之聚合。

另一方面，例如当将本发明的液晶组合物应用在具备不具有取向膜的基板的液晶显示元件的情形时，可为较上述应用在具备具有取向膜的基板的液晶显示元件的照射时的温度范围广的温度范围。

作为产生紫外线的灯，可使用金属卤化物灯、高压水银灯、超高压水银灯等。另外，作为照射的紫外线的波长，优选照射不是液晶组合物的吸收波长区域的波长区域的紫外线，视需要，优选将紫外线滤除后使用。所照射的紫外线的强度优选为0.1mW/cm

以上虽然对本发明的液晶显示元件及液晶显示元件的制造方法的一例进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式。

例如，本发明的液晶显示元件可将其一部分的构成替换成发挥相同功能的其他构成，也可追加任意构成。另外，本发明的液晶显示元件的制造方法可具有含有任意目的而追加的工序，可被替换成可得到相同作用·效果的任意工序。

实施例

以下举出实施例更进一步详述本发明，但本发明并没有限定于这些实施例。另外，下述实施例及比较例的组合物中的「％」意指「质量％」。实施例中关于化合物的记载使用以下的代号。

<液晶化合物的合成>

(参考例1)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入1,4-萘二醇5.0g(31毫摩尔)、甲基丙烯酸6.4g(74毫摩尔)、二甲基胺基吡啶800mg、二氯甲烷100ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，在氮气环境下，缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺9.3g(74毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中加入二氯甲烷150ml，以5％盐酸水溶液进行洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-1)表示的目标化合物7.2g。

[化187]

红外线吸收光谱(IR)(KBr)：1740-1730,1600,760cm

熔点：67℃

(参考例2)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入1,5-萘二醇6.4g(40毫摩尔)、甲基丙烯酸7.6g(88毫摩尔)、二甲基胺基吡啶1.0g(8毫摩尔)、二氯甲烷200ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，滴加二异丙基碳二酰亚胺11.6g(92毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应24小时。过滤反应液后，以10％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。去除溶剂后，通过2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/甲醇所进行的重结晶来获得式(RM-2)表示的目标化合物2.9g。

[化188]

红外线吸收光谱(IR)(KBr)：1740,1240,1120,950,780cm

熔点：113℃

(实施例3)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入4-溴-1-萘酚12g(62毫摩尔)、对甲氧基苯基硼酸8.6g(56毫摩尔)、碳酸钾13g(98毫摩尔)、四三苯基膦钯1g、四氢呋喃200ml、纯水100ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得式(1)所示的化合物9g。

[化189]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入式(1)所示的化合物9g、乙酸36ml、氢溴酸22ml，于120℃使其回流5小时。反应结束后，进行冷却，以水及水/甲醇混合溶剂洗涤析出的结晶后，进行真空干燥，从而获得式(2)所示的化合物7.5g。

[化190]

进一步，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(2)所示的化合物7.5g(31毫摩尔)、甲基丙烯酸6.4g(74毫摩尔)、二甲基胺基吡啶800mg、二氯甲烷100ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺9.3g(74毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷150ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-3)表示的目标化合物6.5g。

[化191]

(物性值)

红外线吸收光谱(IR)(KBr)：1740,1640,1600-1580,810cm

熔点：117℃

(实施例4)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入5-溴-1-萘酚24g(124毫摩尔)、对甲氧基苯基硼酸17.2g(112毫摩尔)、碳酸钾26g(196毫摩尔)、四三苯基膦钯2g、四氢呋喃400ml、纯水200ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得式(3)所示的化合物18g。

[化192]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入式(3)所示的化合物18g、乙酸72ml、氢溴酸44ml，于120℃使其回流5小时。反应结束后，进行冷却，以水及水/甲醇混合溶剂洗涤析出的结晶后，进行真空干燥，从而获得式(4)所示的化合物15g。

[化193]

进一步，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(4)所示的化合物15g(62毫摩尔)、甲基丙烯酸12.8g(148毫摩尔)、二甲基胺基吡啶1.6g、二氯甲烷200ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺18.6g(148毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷300ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-4)表示的目标化合物12.1g。

[化194]

(物性值)

熔点：99℃

(实施例5)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入1,4-二溴萘20g(70毫摩尔)、对羟基苯基硼酸19.4g(141毫摩尔)、碳酸钾34g(245毫摩尔)、四三苯基膦钯4g、四氢呋喃300ml、纯水150ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用10倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得式(5)所示的化合物11g。

[化195]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(5)所示的化合物11g(35毫摩尔)、甲基丙烯酸7.2g(84毫摩尔)、二甲基胺基吡啶940mg、二氯甲烷70ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺10.6g(84毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷100ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-5)表示的目标化合物11.2g。

[化196]

(物性值)

熔点：163℃

(实施例6)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入1,5-二溴萘20g(70毫摩尔)、对羟基苯基硼酸19.4g(141毫摩尔)、碳酸钾34g(245毫摩尔)、四三苯基膦钯4g、四氢呋喃300ml、纯水150ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用10倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得式(6)所示的化合物11g。

[化197]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(6)所示的化合物11g(35毫摩尔)、甲基丙烯酸7.2g(84毫摩尔)、二甲基胺基吡啶940mg、二氯甲烷70ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺10.6g(84毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷100ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-6)表示的目标化合物12.5g。

[化198]

(物性值)

熔点：223℃

(实施例7)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入4-溴-1-萘酚12g(54毫摩尔)、(4-(四氢-2H-吡喃-2-基氧基)苯基)硼酸11.9g(54毫摩尔)、碳酸钾18.7g(135毫摩尔)、四三苯基膦钯1.5g、四氢呋喃200ml、纯水100ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得(7)所示的化合物14g。

[化199]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(7)所示的化合物14g(44毫摩尔)、甲基丙烯酸5.3g(61毫摩尔)、二甲基胺基吡啶530mg、二氯甲烷77ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺7.2g(57毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷35ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(8)表示的化合物14g。

[化200]

进一步，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(8)所示的化合物14g、四氢呋喃70ml、10％盐酸水溶液28ml，于40℃使其反应5小时。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(9)表示的化合物8.9g。

[化201]

最后，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(9)所示的化合物8.9g(29毫摩尔)、二异丙基乙胺4.5g(35毫摩尔)、二氯甲烷120ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加丙烯酰氯3g(34毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。于反应液中添加二氯甲烷50ml，以盐酸水溶液进行洗涤，接着，以水进行洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过10倍量(重量比)的二氧化硅柱来进行精制，从而获得式(RM-7)表示的目标化合物6.5g。

[化202]

(物性值)

红外线吸收光谱(IR)(KBr)：1730,1640,1600-1580,760cm

熔点：101℃

(实施例8)

加入上述式(5)所示的化合物8.5g(27毫摩尔)、甲基丙烯酸2.3g(27毫摩尔)、二甲基胺基吡啶160mg、二氯甲烷60ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺3.4g(27毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷30ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过10倍量(重量比)的二氧化硅柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(10)表示的目标化合物4.4g。

[化203]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(10)所示的化合物4.4g(12毫摩尔)、二异丙基乙胺1.8g(14毫摩尔)、二氯甲烷50ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加丙烯酰氯1.2g(13毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。于反应液中添加二氯甲烷20ml，以盐酸水溶液进行洗涤，接着，以水进行洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，从而获得式(RM-8)表示的目标化合物4.1g。

[化204]

(物性值)

熔点：148℃

(实施例9)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入4-溴-1-萘酚10g(44毫摩尔)、3-氟-4-甲氧基苯基硼酸8g(47毫摩尔)、碳酸钾9g(70毫摩尔)、四三苯基膦钯500mg、四氢呋喃200ml、纯水100ml，于氮气环境中将反应器加热至85℃，使其反应。于反应结束后，加入乙酸乙酯，以5％盐酸水溶液、纯水、饱和食盐水洗涤有机层。将溶剂蒸馏除去后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱来进行精制，从而获得式(11)所示的化合物9g。

[化205]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入式(11)所示的化合物9g、乙酸36ml、氢溴酸22ml，于120℃使其回流5小时。反应结束后，进行冷却，以水及水/甲醇混合溶剂洗涤析出的结晶后，进行真空干燥，从而获得式(12)所示的化合物7.3g。

[化206]

进一步，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入上述式(12)所示的化合物7g(27毫摩尔)、甲基丙烯酸6.6g(77毫摩尔)、二甲基胺基吡啶200mg、二氯甲烷100ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺8.3g(66毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷150ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(RM-9)表示的目标化合物4.2g。

[化207]

(物性值)

LC-MS 391.1(MS+H)

(参考例3)

在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，加入4-溴-1-萘甲酸6.8g(27毫摩尔)、4-甲氧基苯酚4.7g(38毫摩尔)、二甲基胺基吡啶100mg、二氯甲烷100ml，将反应容器利用冰浴而保持在5℃以下，于氮气环境下缓慢滴加二异丙基碳二酰亚胺4.2g(33毫摩尔)。在滴加结束后，将反应容器返回至室温并使其反应5小时。过滤反应液后，在滤液中添加二氯甲烷150ml，以5％盐酸水溶液洗涤，进一步以饱和食盐水进行洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，利用通过二氯甲烷/己烷所进行的重结晶来获得式(13)表示的化合物7.7g。

[化208]

接着，在具备搅拌装置、冷却器及温度计的反应容器中，滴加镁0.6g(23.7毫摩尔)、THF 22mL、式(13)所示的化合物7.7g后，于66℃使其回流1小时。之后，冷却至5℃，滴加硼酸三甲酯2.7g(25.9毫摩尔)，于室温使其反应1小时。冷却至5℃，加入5％盐酸水溶液30ml，于室温搅拌1小时。以水洗涤后，加入5％碳酸氢钠水溶液10ml，冷却至5℃，加入30％的过氧化氢水溶液1ml及甲苯22ml。进一步，依序以水、饱和食盐水洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏除去后，通过2倍量(重量比)的氧化铝柱来进行精制，使其干燥。利用通过二氯甲烷/甲醇所进行的重结晶来获得式(14)表示的化合物7.7g。

[化209]

除了将实施例3的式(1)所示的化合物变更为式(14)所示的化合物以外，以相同方法获得式(15)所示的化合物6.6g。

[化210]

除了将实施例3的式(2)所示的化合物变更为式(15)所示的化合物以外，以相同方法获得式(RM-10)所示的目标化合物7.8g。

[化211]

(物性值)

LC-MS 417.2(MS+H)

<液晶组合物的制备·评价>

以下的实施例中关于化合物的记载使用以下的代号。

(侧链)

-n -C

n- C

-On -OC

-V -CH＝CH

-V1 -CH＝CH-CH

V- CH

1V- CH

(连接基)

-1O- -CH

-n- -C

(环结构)

[化212]

实施例中，测定的特性如下。

Tni：向列相-各向同性液相转移温度(℃)

Δn：于20℃的折射率各向异性

Δε：于20℃的介电常数各向异性

(液晶显示元件的制造方法)

首先，将下述的含聚合性化合物的液晶组合物以真空注入法注入于含有涂布诱发垂直取向的聚酰亚胺取向膜并经摩擦处理的附有ITO的基板的液晶单元(单元间隙3.5μm)。

然后，对注入有含聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元，使用荧光UV灯，照射任意时间的紫外线，从而获得液晶显示元件。此时，将荧光UV灯调整成以中心波长313nm的条件测定的照度为3mW/cm

(聚合性化合物残留量的评价方法)

测定以上述照射条件照射紫外线150秒后的液晶显示元件中的聚合性化合物的残留量[ppm]。说明该聚合性化合物的残留量的测定方法。首先于试管中加入已分解的液晶显示元件和乙腈，摇晃并进行过滤，从而得到含有液晶组合物、聚合物、未反应的聚合性化合物的溶出成分的乙腈溶液。以高效液相色谱对其进行分析，求出各成分的峰面积。由作为指标的液晶化合物的峰面积与未反应的聚合性化合物的峰面积比、及当初所添加的聚合性化合物的量，确定聚合性化合物的残留量。此外，聚合性化合物的残留量的检测限为100ppm。

(预倾角的评价方法)

首先，测定注入有含聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元的预倾角，作为预倾角(紫外线照射前)。一边对该液晶单元以频率100Hz施加10V电压，一边以上述照射条件照射紫外线150秒。然后，测定预倾角作为预倾角(紫外线照射后)。将从测定的预倾角(紫外线照射前)减去预倾角(紫外线照射后)所得的值作为通过紫外线照射所致的预倾角变化量[°]。预倾角使用Shintech制造的OPTIPRO进行测定。

(VHR的评价方法)

对注入有含聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元以上述照射条件照射紫外线60分钟，测定VHR。VHR的测定条件为1V、60Hz、60℃。

(烧屏的评价方法)

对注入有含聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元以上述照射条件照射紫外线60分钟，然后，进行预倾角的变化所致的显示不良(烧屏)的评价。首先，测定液晶显示元件的预倾角，作为预倾角(初期)。一边对该液晶显示元件以频率100Hz施加30V电压，一边照射背光24小时。然后，测定预倾角作为预倾角(试验后)。将从测定的预倾角(初期)减去预倾角(试验后)所得的值作为预倾角变化量(＝预倾角变化的绝对值)[°]。预倾角使用Shintech制造的OPTIPRO进行测定。预倾角变化量越接近0[°]，发生因预倾角变化所引起的显示不良的可能性越低，如果在0.5[°]以上，则发生因预倾角变化所引起的显示不良的可能性越高。

(液晶组合物的制备与评价结果)

制备LC-001～LC-005的液晶组合物，测定其物性值。液晶组合物的构成与其物性值的结果如表1所示。

[表1]

(比较例1、参考例4、实施例11～16)

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-R1)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为比较例1。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-2)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为参考例4。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-3)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例11。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-4)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例12。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-5)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例13。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-6)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例14。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-7)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例15。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-8)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例16。

[化213]

关于比较例1、参考例4、及实施例11～16的含聚合性化合物的液晶组合物，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量、紫外线照射所致的预倾角变化量、烧屏试验的预倾角变化量、及紫外线照射后的VHR如以下表2所示。

[表2]

可知：作为本发明的含聚合性化合物的液晶组合物的实施例11～16，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量比比较例1及参考例4少，聚合性化合物的聚合速度充分快。另外，可知：紫外线照射所致的预倾角变化量显示大于比较例1及参考例4的值，能以短时间来形成预倾角。另外，照射60分钟的紫外线后的VHR为充分高的值。由以上可确认到：本发明的含聚合性化合物的液晶组合物，聚合性化合物的反应速度充分快，能以短时间形成预倾角，显示充分高的VHR。

(比较例2、参考例5～6、实施例17～23)

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.3质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为比较例2。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-1)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为参考例5。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-2)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为参考例6。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例17。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-4)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例18。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-5)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例19。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-6)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例20。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例21。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-8)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例22。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-11)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例23。

[化214]

关于比较例2、参考例5～6、及实施例17～23的含聚合性化合物的液晶组合物，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量、紫外线照射所致的预倾角变化量、紫外线照射后的VHR、及烧屏试验的预倾角变化量如以下表3及表4所示。

[表3]

[表4]

可知：作为本发明的含聚合性化合物的液晶组合物的实施例17～23，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量比比较例2及参考例5～6少，聚合性化合物的聚合速度充分快。可知：紫外线照射所致的预倾角变化量显示大于比较例2及参考例5～6的值，能以短时间来形成预倾角。另外，确认到：照射紫外线后的VHR充分高，烧屏试验的预倾角变化量充分小。

(比较例3及实施例24～29)

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.30质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为比较例3。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例24。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-4)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例25。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-5)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例26。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-6)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例27。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例28。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-8)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例29。

[化215]

关于比较例3及实施例24～29的含聚合性化合物的液晶组合物，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量、紫外线照射所致的预倾角变化量、紫外线照射后的VHR、及烧屏试验的预倾角变化量如以下表5所示。

[表5]

可知：作为本发明的含聚合性化合物的液晶组合物的实施例24～29，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量少于比较例3，聚合性化合物的聚合速度充分快。可知：紫外线照射所致的预倾角变化量显示大于比较例3的值，能以短时间来形成预倾角。另外，确认到：照射紫外线后的VHR充分高，烧屏试验的预倾角变化量充分小。

(比较例4及实施例30)

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-C)所表示的化合物0.30质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为比较例4。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-C)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例30。

[化216]

关于比较例4及实施例30的含聚合性化合物的液晶组合物，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量、紫外线照射所致的预倾角变化量、紫外线照射后的VHR、及烧屏试验的预倾角变化量如以下表6所示。

[表6]

可知：作为本发明的含聚合性化合物的液晶组合物的实施例30，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量少于比较例4，聚合性化合物的聚合速度充分快。可知：紫外线照射所致的预倾角变化量显示大于比较例4的值，能以短时间来形成预倾角。另外，确认到：照射紫外线后的VHR充分高，烧屏试验的预倾角变化量充分小。

(实施例31～36、参考例7)

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.25质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.05质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例31。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.20质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.1质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例32。

对99.6质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.36质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.04质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例33。

对实施例17，进一步添加式(H-1)所表示的抗氧化剂50ppm，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例34。

对实施例17，进一步添加式(H-2)所表示的抗氧化剂50ppm，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例35。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-9)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例36。

对99.7质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-A)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-10)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为参考例7。

确认到：实施例31～36与实施例11～30同样，解决了本发明的课题。

[化217]

(比较例5及实施例37～38)

对99.7质量份的液晶组合物LC-002，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.30质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为比较例5。

对99.7质量份的液晶组合物LC-002，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-3)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例37。

对99.7质量份的液晶组合物LC-002，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例38。

关于比较例5及实施例37～38的含聚合性化合物的液晶组合物，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量、紫外线照射所致的预倾角变化量、紫外线照射后的VHR、及烧屏试验的预倾角变化量如以下表7所示。

[表7]

可知：作为本发明的含聚合性化合物的液晶组合物的实施例37～38，紫外线照射后的聚合性化合物的残留量少于比较例5，聚合性化合物的聚合速度充分快。可知：紫外线照射所致的预倾角变化量显示大于比较例5的值，能以短时间来形成预倾角。另外，确认到：照射紫外线后的VHR和比较例5为相同程度，烧屏试验的预倾角变化量充分小。

(实施例39～41)

对99.7质量份的液晶组合物LC-003，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例39。

对99.7质量份的液晶组合物LC-004，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例40。

对99.7质量份的液晶组合物LC-005，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份及式(RM-7)所表示的化合物0.03质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例41。

确认到：实施例39～41与实施例11～38同样，解决了本发明的课题。

(实施例42)

对99.2质量份的液晶组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的式(RM-B)所表示的化合物0.27质量份、式(RM-3)所表示的化合物0.03质量份及式(SRM-1)所表示的化合物0.5质量份，将由此获得的含聚合性化合物的液晶组合物设为实施例42。

[化218]

对实施例42的组合物以在上述液晶显示元件的制造方法中除了使用不具有取向膜的液晶单元以外的相同方法进行评价，结果确认到：实施例42与实施例11～41同样，解决了本发明的课题。

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该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
专利发明人：高地学;林正直;井之上雄一;后藤麻里奈;林卓央;
专利申请人：DIC株式会社;

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