一种防护型MOS管并联驱动电路

技术领域

本发明涉及MOS管并联驱动电路，具体涉及一种防护型MOS管并联驱动电路。

背景技术

MOS管是金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffectTransistor)。随着电子电力技术的发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等，得到了越来越广泛的应用。在低压大功率的许多应用场合，如电动三轮车、小型电动叉车等，为了满足电流的要求，大多数都会采用并联MOS管的方法。

但MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效解决，这样就可能会因电流不均导致单个MOS管损坏，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，而一组MOS管的损坏又会带来更多的连带故障。同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了MOS管的保护电路，也会因为对保护状态的误判或者反应不及时而无法起到有效作用，同样容易导致多个并联的MOS管直通、损坏，大大提高了研发成本。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术所存在的上述缺点，本发明提供了一种防护型MOS管并联驱动电路，能够有效克服现有技术所存在的不能及时将故障MOS管从MOS管并联电路中切断隔离的缺陷。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种防护型MOS管并联驱动电路，包括MOS管并联电路，所述MOS管的栅极、源极之间连接有滤波电路和钳位二极管，所述MOS管的栅极上连接有限流电阻，以在高压电平进入MOS管的栅极时将该MOS管切断隔离。

优选地，所述限流电阻包括限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12，所述限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12分别与MOS管的栅极相连。

优选地，所述钳位二极管包括钳位二极管D2，所述钳位二极管D2并联于MOS管的栅极、源极之间。

优选地，所述滤波电路包括电阻R80、电容C16，所述电阻R80、电容C16并联于MOS管的栅极、源极之间。

优选地，所述MOS管的栅极、源极分别相连在一起，形成MOS管并联电路。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明所提供的一种防护型MOS管并联驱动电路，当MOS管并联电路中的某个MOS管发生击穿故障时，高压电平进入该MOS管的栅极，而钳位二极管能够将电压钳位在安全电平上，此时该MOS管上对应的限流电阻会因大电流流过瞬间烧断，进而将该MOS管所在故障环路切断隔离，达到保护MOS管并联电路中其他MOS管的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的电路示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一种防护型MOS管并联驱动电路，如图1所示，包括MOS管并联电路，MOS管的栅极、源极之间连接有滤波电路和钳位二极管，MOS管的栅极上连接有限流电阻，以在高压电平进入MOS管的栅极时将该MOS管切断隔离。

限流电阻包括限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12，限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12分别与MOS管的栅极相连。

钳位二极管包括钳位二极管D2，钳位二极管D2并联于MOS管的栅极、源极之间。

滤波电路包括电阻R80、电容C16，电阻R80、电容C16并联于MOS管的栅极、源极之间。

MOS管的栅极、源极分别相连在一起，形成MOS管并联电路。

本申请技术方案中，如图1所示，CON1为MOS管的栅极输入信号，电阻R80、电容C16为栅极输入信号的抗干扰电路，钳位二极管D2、限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12为防护型MOS管并联驱动电路中的关键元件。其中，钳位二极管D2为可瞬间吸收大电流的限压器件，限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12为串在每个MOS管栅极的小功率限流电阻，Q10、Q11、Q12是一组并联的MOS管。

当同组中的某个MOS管发生击穿故障时，高压电平会进入该MOS管的栅极，如果没有钳位二极管D2、限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12这四个器件，进入该MOS管栅极的高压电平很快会加到同组其它MOS管的栅极，造成连带损坏。

钳位二极管D2、限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12这四个器件的作用是：假设当高压电平串入Q10的栅极，钳位二极管D2会将CON1上的电压钳位在安全电平上，此时限流电阻R10会因大电流流过瞬间烧断，断开Q10的栅极与其它MOS管的连接，达到保护同组中Q11、Q12的目的。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不会使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。