显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。

背景技术

显示面板是一种具有图像显示功能的结构。

一种显示面板包括衬底，位于衬底上的像素定义层和多个第一电极，位于像素定义层上的多个隔断结构，位于第一电极远离衬底一侧功能层。其中，功能层与第一电极配合以实现发光功能，多个隔断结构与功能层存在高度差，隔断结构可以降低串色。

但是，在上述隔断结构处易产生裂纹，从而导致显示面板的耐弯折能力较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示面板以及显示面板的制造方法，所述技术方案如下：

根据本申请的第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底；

像素定义层以及多个第一电极，所述像素定义层以及所述多个第一电极位于所述衬底上，所述像素定义层包括多个第一开孔，所述多个第一电极分别位于所述多个第一开孔中；

多个第一隔断结构，所述多个第一隔断结构位于所述像素定义层远离所述衬底的一侧，且所述多个第一隔断结构在所述衬底上的正投影位于所述多个第一开孔在所述衬底上的正投影外，所述第一隔断结构包括沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的第一隔断块以及第二隔断块；

功能层，所述功能层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述功能层在所述多个第一隔断结构处断开，所述功能层用于与所述第一电极配合以实现发光功能；

封装层，所述封装层位于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述封装层包括多个第二开孔，所述第二隔断块位于所述第二开孔的对应位置。

可选地，所述第二隔断块包括无机材料。

可选地，所述功能层包括发光层以及第二电极，所述发光层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述发光层远离所述衬底的一侧；

所述第二电极与所述第二隔断块接触，所述第二隔断块的材料包括非晶硅或掺杂非晶硅。

可选地，所述第二电极与所述第一隔断块接触，所述第一隔断块的材料包括金属材料。

可选地，所述第二隔断块远离所述衬底一侧的上表面与所述封装层的第二开孔的远离所述衬底一侧的上端平齐。

可选地，在平行于所述衬底的方向上，所述第一隔断块凸出于所述第二隔断块。

另一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成像素定义层以及多个第一电极，所述像素定义层包括多个第一开孔，所述多个第一电极分别位于所述多个第一开孔中；

在所述像素定义层远离所述衬底的一侧形成多个目标隔断结构，所述目标隔断结构在所述衬底上的正投影位于所述多个第一个开孔在所述衬底上的正投影外，且所述目标隔断结构包括第一隔断结构以及与所述第一隔断结构连接的第二隔断结构，所述第二隔断结构位于所述第一隔断结构远离所述衬底的一侧；

在形成有所述目标隔断结构的衬底上形成功能层，所述功能层在所述多个目标隔断结构处断开，所述功能层用于与所述第一电极配合以实现发光功能；

在形成有所述功能层的衬底上形成封装层；

去除所述第二隔断结构以及位于所述第二隔断结构远离所述衬底一侧的功能层以及封装层。

可选地，所述去除所述第二隔断结构以及位于所述第二隔断结构远离所述衬底一侧的功能层以及封装层，包括：

在所述封装层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括多个光刻胶开口，所述第二隔断结构在所述衬底上的正投影位于所述光刻胶开口在所述衬底上的正投影内；

对位于所述光刻胶开口中的膜层进行刻蚀，以去除所述第二隔断结构以及位于所述第二隔断结构远离所述衬底一侧的功能层以及封装层；

去除所述光刻胶图案。

可选地，在所述像素定义层远离所述衬底的一侧形成多个目标隔断结构之后，所述方法还包括：

对所述多个目标隔断结构进行掺杂处理。

另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括壳体以及任一所述的显示面板，所述显示面板位于所述壳体中。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

提供了一种包括第一隔断结构的显示面板，该第一隔断结构位于像素定义层远离衬底的一侧，可以使功能层在多个第一隔断结构处断开，以实现降低串色的效果。另外，该第一隔断结构包括第一隔断块以及第二隔断块，且第二隔断块位于封装层的第二开孔中，则可以减小第一隔断结构与封装层的高度差，如此可以避免在第一隔断结构处产生裂纹，从而可以提升显示面板的耐弯折能力。

此外，第一隔断结构与封装层之间减小的高度差也可以提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种显示面板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；

图5是本申请实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；

图6是本申请实施例提供的一种目标隔断结构的制备流程示意图；

图7是本申请实施例提供的一种功能层和封装层的制备流程示意图；

图8是本申请实施例提供的一种显示面板中的部分结构示意图；

图9是本申请实施例提供的另一种显示面板中的部分结构示意图；

图10是本申请实施例提供的另一种显示面板的部分结构示意图。

通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

图1提供了一种显示面板的结构示意图，请参考图1，该显示面板10包括衬底11，位于衬底11上的像素定义层12和多个第一电极13，多个第一电极13分别位于像素定义层12的多个第一开孔K1中，位于像素定义层12远离衬底11一侧的多个隔断结构14，位于第一电极13远离衬底11一侧的功能层15，功能层15与第一电极13配合以实现发光功能，位于功能层15远离衬底11一侧的封装层16。

其中，隔断结构14与功能层15存在高度差，从而可以使功能层15在隔断结构14处断开，功能层15包括两部分，一部分功能层15位于第一电极13上，另一部分功能层15位于隔断结构14上，如此会增加在隔断结构14处的膜层的高度，且隔断结构14可以采用高硬度的金属材料，因此在隔断结构14处易产生裂纹，从而导致显示面板10的耐弯折能力较差。此外，隔断结构14处的膜层的高度增加，也不利于封装层16以及封装层16上方膜层的平整度，从而不利于显示面板10的显示均一性。

本申请实施例提供了一种显示面板，请参考图2，图2是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板20包括：衬底21。

像素定义层22以及多个第一电极23，像素定义层22以及多个第一电极23位于衬底21上，像素定义层22包括多个第一开孔K1，多个第一电极23分别位于多个第一开孔K1中。

多个第一隔断结构24，多个第一隔断结构24位于像素定义层22远离衬底21的一侧，且多个第一隔断结构24在衬底21上的正投影位于多个第一开孔K1在衬底21上的正投影外，第一隔断结构24包括沿远离衬底21的方向依次层叠设置的第一隔断块241以及第二隔断块242。

功能层25，功能层25位于第一电极23远离衬底21的一侧，功能层25在多个第一隔断结构24处断开，功能层25用于与第一电极23配合以实现发光功能。

封装层26，封装层26位于功能层35远离衬底21的一侧，封装层26包括多个第二开孔K2，第二隔断块242位于第二开孔K2的对应位置。

需要说明的是，第二隔断块242位于第二开孔K2的对应位置，可以是指第二隔断块242在衬底21上的正投影与第二开孔K2在衬底21上的正投影存在交叠，示例性的，第二隔断块242的至少部分可以位于第二开孔K2中。另外，功能层25也可以包括开孔，第二隔断块242的至少部分可以位于功能层25的开孔中。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括第一隔断结构的显示面板，该第一隔断结构位于像素定义层远离衬底的一侧，可以使功能层在多个第一隔断结构处断开，以实现降低串色的效果。另外，该第一隔断结构包括第一隔断块以及第二隔断块，且第二隔断块位于封装层的第二开孔中，则可以减小第一隔断结构与封装层的高度差，如此可以避免在第一隔断结构处产生裂纹，从而可以提升显示面板的耐弯折能力。

此外，第一隔断结构与封装层之间减小的高度差也可以提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

本申请实施例提供的显示面板可以为有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，OLED)显示面板，本申请实施例可以采用eLEAP工艺制备有机发光二极管显示面板，eLEAP是一个英文首字母缩写词，其中，e(environment positive)表示对环境更友好，L(Lithography with maskless depositon)表示无掩模板沉积和光刻技术，E(Extremelong life,low power,and high luminance)表示超长的寿命，低功耗和高亮度，A和P(Anyshape Patterning)表示可以做成任何形状的图形。eLEAP工艺不需要掩模板，可以实现提高分辨率的效果。

本申请实施例提供的功能层可以包括发光层以及第二电极，第一电极与第二电极配合可以使发光层发光。示例性的，本申请实施例提供了另一种包括发光层和第二电极的显示面板，请参考图3，图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，该显示面板20包括：衬底21，像素定义层22，多个第一电极23，多个第一隔断结构24，功能层25以及封装层26。其中，功能层25包括发光层251以及第二电极252，发光层251位于第一电极23远离衬底21的一侧，第二电极252位于发光层251远离衬底21的一侧。

可选地，在相邻像素之间，发光层251以及第二电极252均覆盖第一隔断块241，且第二电极252在第一隔断块241上方，将发光层251与第二隔断块242隔开，第二隔断块242表面与封装层26上表面齐平，如此设计，有利于减小第一隔断块241与封装层26的高度差；还有利于增强第二电极252与第一隔断块241，第二隔断块242的接触性，避免在第一隔断结构241处产生裂纹，例如：第二电极252与第一隔断块241为导电材料，相互接触可以提高接触性能不易剥离。

衬底21可以用于承载显示面板中的其他膜层，以提高其他膜层的平整度，在获取了衬底21后，可以对衬底21进行清洗和烘烤。衬底21上还可以设置有一些线路，如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列等，这些线路可以用于控制显示面板中的发光单元A发光。

像素定义层22位于衬底21上，像素定义层22可以用于划分多个发光单元A。在一种示例性的实施例中，像素定义层22包括多个第一开孔K1，第一开孔K1可以为发光单元A所在的区域。发光单元A可以包括第一电极23、发光层251以及第二电极252。另外，像素定义层22的制作工艺可以包括构图工艺。本申请实施例所涉及的构图工艺可以包括涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离光刻胶等。

第一电极23用于与功能层25配合以实现发光功能，具体的，第一电极23与第二电极252配合可以驱动发光层251发光。在本申请实施例中，第一电极23可以为阳极，第二电极252可以为阴极，发光层251可以为有机发光层，一个发光单元A中的发光层251可以包括一种颜色的发光材料，相邻的发光单元A中的发光层251可以包括不同颜色的发光材料，示例性的，发光层251包括第一子发光层F1，第二子发光层F2以及第三子发光层F3，第一子发光层F1包括红色的发光材料，第二子发光层F2包括绿色的发光材料，第三子发光层F3包括蓝色的发光材料。除此之外，一个发光单元A中还可以包括多种颜色的发光材料，本申请实施例对此不作限制。

多个第一隔断结构24位于像素定义层22远离衬底21的一侧，且多个第一隔断结构24在衬底21上的正投影位于多个第一开孔K1在衬底21上的正投影外。多个第一隔断结构24可以用于隔断发光层251以及第二电极252，本申请实施例提供的多个发光单元A中相邻的发光单元A可以发出不同颜色的光，因此多个第一隔断结构24还可以减少相邻发光单元A之间的混色。此外，相邻的发光单元A也可以发出相同颜色的光，本申请实施例对此不作限制。

第一隔断结构24包括沿远离衬底21的方向依次层叠设置的第一隔断块241以及第二隔断块242。本申请实施例提供的第一隔断结构24可以通过刻蚀去除一部分目标隔断结构得到，该目标隔断结构的形状可以与图1所示的隔断结构14类似，如此可以减小在第一隔断结构24处的膜层的高度，从而可以避免在第一隔断结构24处产生裂纹，有利于提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

可选地，第一隔断块241可以与第二电极252接触，第一隔断块241的材料可以包括金属材料，因此，第一隔断块241可以作为导线起到搭接两侧的第二电极252的作用，示例性的，当第二电极252为阴极时，第一隔断块241可以用于连接阴极并输入阴极信号。另外，第一隔断块241在垂直于衬底21方向上的厚度可以小于或等于发光层251在垂直于衬底21方向上的厚度，如此设计有利于减少第一隔断块241和第二隔断块242的整体厚度，进一步保证隔断结构24与封装层的高度差。当然，本申请实施例也可以对此不作限制。第一隔断块241的制造工艺可以包括对溅射(sputter)形成的整层的金属层进行构图工艺。

可选地，第二隔断块242位于第一隔断块241远离衬底21的一侧，第二隔断块242位于封装层26的第二开孔K2的对应位置。第二隔断块242与封装层26配合可以阻隔外部的水气或氧气与第一隔断块241接触，避免水汽入侵导致像素失效，另外还可以避免第一隔断块241的金属氧化导致第一隔断块241的电阻增加，进而可以实现减小阴极阻抗的效果。第二隔断块242可以包括金属材料或无机材料，当第二隔断块242包括无机材料，封装层26为无机封装层时，第二隔断块242远离衬底21一侧的上表面可以与封装层26远离衬底21一侧的上表面形成无机层界面，降低了无机封装失效的风险。当第二隔断块242包括无机材料时，第二隔断块242的制造工艺可以包括对等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition，PECVD)形成的整层的无机材料层进行构图工艺。

可选地，第二电极252与第二隔断块242接触，第二隔断块242的材料包括氮化硅或非晶硅。其中，非晶硅的结构内部有许多没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，即非晶硅具有导电特性。因此，当第二隔断块242的材料包括非晶硅时，并且由于第二电极252与第二隔断块242接触，则第二隔断块242可以减小阴极阻抗。

此外，第二隔断块242的材料还可以包括掺杂非晶硅，相较于非晶硅，采用掺杂非晶硅可以提升第二隔断块242的导电性，因此第二隔断块242可以进一步减小阴极阻抗。掺杂非晶硅的掺杂元素可以包括硼或磷，示例性的，当非晶硅掺杂硼时，可以使空穴的数量增多，导致自由电子的转移变得“通畅”，因此可以使掺杂硼后的非晶硅导电性增加；当非晶硅掺杂磷时，可以使自由电子的数量增多，因此可以使掺杂磷后的非晶硅导电性增加。掺杂非晶硅的制造工艺可以是在制备完成非晶硅后，通过热扩散或离子注入的方式对非晶硅进行掺杂处理，但本申请实施例对此并不作限制。

可选地，在平行于衬底21的方向上，第一隔断块241凸出于第二隔断块242。本申请实施例提供的第一隔断结构24可以通过刻蚀去除一部分目标隔断结构得到，第一隔断块241凸出于第二隔断块242所形成的结构可以便于使功能层25断开，避免出现串扰的问题。除此之外，还可以使第一隔断块241与第二电极252的接触面积更大，从而可以提升阴极信号的传输效率。另外，图3示出的第一隔断块241和第二隔断块242的截面形状均为矩形，该截面可以为平行于相邻两个发光单元A的连线方向上的截面，在本申请实施例中，第一隔断块241和第二隔断块242的截面形状还可以为其他形状，本申请实施例对此并不作限制。示例性的，第一隔断块241和第二隔断块242的截面形状可以均为梯形，或第一隔断块241的截面形状为矩形，第二隔断块242的截面形状为梯形。

封装层26，封装层26位于功能层35远离衬底21的一侧，封装层26包括多个第二开孔K2，第二隔断块242位于第二开孔K2的对应位置。封装层26可以用于保护发光单元A，防止外部的水气或氧气渗透到发光单元A。本申请实施例提供的封装层26可以为无机封装层，在封装层26远离衬底21的一侧还可以包括有机封装层和/或无机封装层，示例性的，封装层26远离衬底21的一侧的封装层可以为有机封装层，或无机封装层，或有机封装层或无机封装层的组合。其中，无机封装层的制作工艺可以包括化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)，有机封装层的制作工艺可以包括喷墨打印工艺。第二隔断块242位于封装层26的第二开孔K2的对应位置，即第一隔断结构与封装层之间高度差减小，如此有利于制作有机封装层时的流平，从而可以增加有机封装层的平整度，进而可以提升显示面板的显示均一性。

可选地，第二隔断块242远离衬底21一侧的上表面与封装层26的第二开孔K2的远离衬底一侧的上端平齐，如此可以增加封装层26的平整度，从而可以进一步提升后续制备的膜层的平整度，可以提升显示面板的显示均一性。同时，封装层26的平整度也可以避免在第一隔断结构24处产生裂纹，可以提升显示面板的耐弯折能力。另外，在本申请实施例中，请参考图2，在第二隔断块242位置的封装层26与相邻位置的封装层26可以存在微小的高度差，但本申请对此不作限制。在具体的制造工艺中，可以通过控制刻蚀工艺的相关参数，以使该高度差减小，从而可以进一步提升封装层的平整度。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括第一隔断结构的显示面板，该第一隔断结构位于像素定义层远离衬底的一侧，可以使功能层在多个第一隔断结构处断开，以实现降低串色的效果。另外，该第一隔断结构包括第一隔断块以及第二隔断块，且第二隔断块位于封装层的第二开孔中，则可以减小第一隔断结构与封装层的高度差，如此可以避免在第一隔断结构处产生裂纹，从而可以提升显示面板的耐弯折能力。

此外，第一隔断结构与封装层之间减小的高度差也可以提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

另一方面，本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法，请参考图4，图4是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图，该方法包括：

步骤401、提供衬底。

步骤402、在衬底上形成像素定义层以及多个第一电极。

像素定义层包括多个第一开孔，多个第一电极分别位于多个第一开孔中。

步骤403、在像素定义层远离衬底的一侧形成多个目标隔断结构。

目标隔断结构在衬底上的正投影位于多个第一个开孔在衬底上的正投影外，且目标隔断结构包括第一隔断结构以及与第一隔断结构连接的第二隔断结构，第二隔断结构位于第一隔断结构远离衬底的一侧。

步骤404、在形成有目标隔断结构的衬底上形成功能层。

功能层在多个目标隔断结构处断开，功能层用于与第一电极配合以实现发光功能。

步骤405、在形成有功能层的衬底上形成封装层。

步骤406、去除第二隔断结构以及位于第二隔断结构远离衬底一侧的功能层以及封装层。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括第一隔断结构的显示面板，该第一隔断结构位于像素定义层远离衬底的一侧，可以使功能层在多个第一隔断结构处断开，以实现降低串色的效果。另外，该第一隔断结构包括第一隔断块以及第二隔断块，且第二隔断块位于封装层的第二开孔中，则可以减小第一隔断结构与封装层的高度差，如此可以避免在第一隔断结构处产生裂纹，从而可以提升显示面板的耐弯折能力。

此外，第一隔断结构与封装层之间减小的高度差也可以提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

本申请实施例还提供了另一种显示面板的制造方法，请参考图5，图5是本申请实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图，该方法包括：

步骤501、提供衬底。

衬底可以用于承载显示面板中的其他膜层，以提高其他膜层的平整度，在获取了衬底后，可以对衬底进行清洗和烘烤。衬底上还可以设置有一些线路，如薄膜晶体管阵列等，这些线路可以用于控制显示面板中的发光单元发光。

步骤502、在衬底上形成像素定义层以及多个第一电极。

其中，像素定义层包括多个第一开孔，多个第一电极分别位于多个第一开孔中。

像素定义层以及多个第一电极可以在衬底上形成，像素定义层可以用于划分多个发光单元，第一电极可以用于与功能层配合以实现发光功能。在一种示例性的实施例中，像素定义层包括多个第一开孔，第一开孔可以为发光单元所在的区域。发光单元可以包括第一电极、发光层以及第二电极。另外，像素定义层的制作工艺可以包括构图工艺，具体的，首先可以形成整层的像素定义层，然后在像素定义层上形成光刻胶图案，光刻胶图案可以包括多个光刻胶开口，对位于光刻胶开口中的像素定义层进行刻蚀，再去除光刻胶图案，则形成了包括多个第一开孔的像素定义层。

步骤503、在像素定义层远离衬底的一侧形成多个目标隔断结构。

其中，目标隔断结构在衬底上的正投影位于多个第一个开孔在衬底上的正投影外，且目标隔断结构包括第一隔断结构以及与第一隔断结构连接的第二隔断结构，第二隔断结构位于第一隔断结构远离衬底的一侧。

多个目标隔断结构可以在像素定义层远离衬底的一侧形成，请参考图6，图6是本申请实施例提供的一种目标隔断结构的制备流程示意图，该目标隔断结构的制备流程可以包括：

步骤S601、在形成有像素定义层32和阳极33的衬底31上，通过溅射工艺形成金属层34。

步骤S602、在金属层34上形成光刻胶图案P，光刻胶图案P包括多个光刻胶开口。

步骤S603、对位于光刻胶开口中的金属层34进行刻蚀，再去除光刻胶图案P，以形成了第一隔断块341。

步骤S604、在形成有第一隔断块341的衬底31上形成中部隔断块371。

中部隔断块371在衬底31上的正投影位于第一隔断块341在衬底31上的正投影内，中部隔断块371的制备工艺可以包括等离子体增强化学气相沉积以及构图工艺等。

步骤S605、在形成有中部隔断块371的衬底31上形成上部隔断块372。

上部隔断块372在衬底31上的正投影位于第一隔断块341在衬底31上的正投影内，上部隔断块372的制备工艺与中部隔断块371的制备工艺类似，在此不再赘述。

步骤S606、对中部隔断块371以及上部隔断块372进行刻蚀，以得到目标隔断结构37。

其中，目标隔断结构37包括第一隔断块341，中部隔断块371以及上部隔断块372，第二隔断结构包括远离衬底31一侧的一部分中部隔断块371以及上部隔断块372。且第一隔断块341与上部隔断块372均凸出于中部隔断块371，如此可以便于功能层在目标隔断结构37处断开，避免出现串扰的问题。另外，第一隔断块341凸出于中部隔断块371，还可以使第一隔断块341与第二电极352的接触面积更大，从而可以提升阴极信号的传输效率。

第一隔断块341与上部隔断块372均凸出于中部隔断块371，可以通过中部隔断块371以及上部隔断块372的材料的刻蚀比不同来实现，即中部隔断块371的材料的刻蚀速率大于上部隔断块372的材料的刻蚀速率。示例性的，当中部隔断块371的材料包括氮化硅时，上部隔断块372的材料可以包括氧化硅；或当中部隔断块371的材料包括非晶硅时，上部隔断块372的材料可以包括氧化硅或氮化硅。另外，形成上部隔断块372的工艺中包括刻蚀工艺，本申请实施例也可以在刻蚀形成上部隔断块372的同时，对中部隔断块371进行刻蚀，以得到目标隔断结构37，从而可以进一步简化工艺。

此外，图6示出的第一隔断块341，中部隔断块371以及上部隔断块372的截面形状均为矩形，该截面可以为平行于相邻两个发光单元的连线方向上的截面。除此之外，第一隔断块341，中部隔断块371以及上部隔断块372的截面形状还可以为梯形，本申请实施例对此并不作限制。

步骤504、对多个目标隔断结构中的中部隔断块以及上部隔断块进行掺杂处理。

本申请实施例可以对目标隔断结构中的中部隔断块以及上部隔断块进行掺杂处理，如此可以提升中部隔断块的导电性，从而可以进一步减小阴极阻抗。掺杂处理采用的掺杂元素可以包括硼或磷。具体的，可以通过热扩散或离子注入法对多个目标隔断结构进行掺杂处理。示例性的，中部隔断块的材料为非晶硅，其中，热扩散可以利用高温驱动杂质进入非晶硅的结构内部；离子注入法可以通过高温离子轰击杂质，使杂质与非晶硅发生原子级的高能碰撞，如此可以使杂质进入非晶硅的结构内部。

另外，本申请实施例可以在形成中部隔断块之后对目标隔断结构进行掺杂处理，如此得到的目标隔断结构中，仅中部隔断块的材料为经过掺杂处理的材料，示例性的，中部隔断块的材料包括掺杂氮化硅或掺杂非晶硅。本申请实施例也可以在形成上部隔断块之后对目标隔断结构进行掺杂处理，如此得到的目标隔断结构中，中部隔断块和上部隔断块的材料均为经过掺杂处理的材料，示例性的，当中部隔断块的材料包括掺杂氮化硅时，上部隔断块的材料包括掺杂氧化硅；或当中部隔断块的材料包括掺杂非晶硅时，上部隔断块的材料包括掺杂氧化硅或掺杂氮化硅。

步骤505、在形成有目标隔断结构的衬底上形成功能层。

其中，功能层在多个目标隔断结构处断开，功能层用于与第一电极配合以实现发光功能。

功能层可以在形成有目标隔断结构的衬底上形成，功能层包括发光层以及第二电极，第一电极与第二电极配合可以驱动发光层发光。其中，发光层可以包括第一子发光层，第二子发光层以及第三子发光层。

在一种示例性的实施例中，第一子发光层，第二子发光层以及第三子发光层可以依次形成。请参考图7，图7是本申请实施例提供的一种功能层和封装层的制备流程示意图，第一子发光层以及与第一子发光层对应的第二电极和封装层的制备流程可以包括：

步骤S701、在形成有目标隔断结构37的衬底31上依次形成整层的第一子发光层F1，第二电极352以及封装层36。

步骤S702、在封装层36上形成光刻胶图案P，光刻胶图案P包括多个光刻胶开口。

步骤S703、对位于光刻胶开口中的第一子发光层F1，第二电极352以及封装层36进行刻蚀，并去除光刻胶图案P，以形成第一子发光层F1以及与第一子发光层F1对应的第二电极352和封装层36。

在以上工艺之后，请参考图8和图9，图8是本申请实施例提供的一种包括第二子发光层的显示面板中的部分结构示意图，图9是本申请实施例提供的另一种包括第三子发光层的显示面板中的部分结构示意图，本申请实施例可以采用与上述第一子发光层F1的形成工艺相同的工艺分别形成第二子发光层F2以及与第二子发光层F2对应的第二电极352和封装层36，第三子发光层F3以及与第三子发光层F3对应的第二电极352和封装层36，在此不再赘述。

此外，在形成功能层35时，目标隔断结构37可以使功能层35断开，并且功能层35包括两部分，一部分位于第一电极33远离衬底31的一侧上，另一部分位于目标隔断结构37远离衬底31的一侧上。

步骤506、在形成有功能层的衬底上形成封装层。

封装层可以在形成有功能层的衬底上形成，封装层的制作工艺可以包括化学气相沉积，具体请参考步骤505，在此不再赘述。

步骤507、在封装层上形成光刻胶图案。

其中，光刻胶图案包括多个光刻胶开口，第二隔断结构在衬底上的正投影位于光刻胶开口在衬底上的正投影内。

光刻胶图案可以在封装层上形成，请参考图10，图10是本申请实施例提供的另一种显示面板的部分结构示意图。其中，光刻胶图案P位于封装成36远离衬底31的一侧，光刻胶图案P包括多个光刻胶开口K3，第二隔断结构在衬底31上的正投影位于光刻胶开口K3在衬底31上的正投影内。

步骤508、对位于光刻胶开口中的膜层进行刻蚀，以去除第二隔断结构以及位于第二隔断结构远离衬底一侧的功能层以及封装层。

请参考图10，可以通过刻蚀去除第二隔断结构以及位于第二隔断结构远离衬底31一侧的功能层35以及封装层36，以得到第一隔断结构34，从而可以减小目标隔断结构37处的高度。其中，第一隔断结构34包括第一隔断块341以及第二隔断块342，第二隔断块342为未被刻蚀去除的另一部分中部隔断块371。

步骤509、去除光刻胶图案。

将光刻胶图案去除后可以得到图2和图3示出的显示面板。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括第一隔断结构的显示面板，该第一隔断结构位于像素定义层远离衬底的一侧，可以使功能层在多个第一隔断结构处断开，以实现降低串色的效果。另外，该第一隔断结构包括第一隔断块以及第二隔断块，且第二隔断块位于封装层的第二开孔中，则可以减小第一隔断结构与封装层的高度差，如此可以避免在第一隔断结构处产生裂纹，从而可以提升显示面板的耐弯折能力。

此外，第一隔断结构与封装层之间减小的高度差也可以提升后续的一些膜层的平整度，从而可以提升显示面板的显示均一性。

另外，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括壳体以及上述实施例提供的任意一个显示面板，该显示面板可以位于壳体中。该显示装置可以为各种包括显示功能的装置，如显示器、电视机、立式广告机、画屏装置、手机、各种智能可穿戴设备等。

由于该显示装置包括上述实施例提供的显示面板，进而该显示装置也可以具有类似的效果，也即是可以提升该显示装置的耐弯折能力和显示均一性。

本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。