介质谐振器天线和天线装置

技术领域

以下描述涉及介质谐振器天线和天线装置。

背景技术

无线通信系统的最近发展已经显著改变了我们的生活方式。需要具有每秒千兆位数据速度的高级移动系统来支持潜在的无线应用，诸如但不限于，多媒体装置、物联网(IoT)和智能交通系统。鉴于当前第四代(4G)通信系统的有限带宽能力，这可能难以实现。为了克服这种带宽限制，国际电信联盟已经为潜在的第五代(5G)应用范围授权了毫米波(mmWave)的频谱。

近来，需要用于移动装置的mmWave 5G天线模块具有缩小的尺寸。由于移动装置(诸如，移动电话)已经变得越来越薄，因此天线模块的尺寸也已经减小。

因此，由于天线模块的尺寸减小，因此天线性能(诸如，天线增益和带宽)以及低频带与高频带之间的隔离可能劣化。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此其可能包含不形成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

提供本发明内容是为了按照简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一总体方面，一种介质谐振器天线包括：介质材料块；第一馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有第一高度；以及第二馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有第二高度，其中，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元被设置为相对于所述介质材料块的下表面的中心区域彼此对称。

所述第一高度和所述第二高度可以是从所述介质材料块的所述下表面测量的。

所述介质谐振器天线还可包括：屏蔽过孔，设置在所述介质材料块中，并且设置在所述第一馈电单元与所述第二馈电单元之间。

所述屏蔽过孔可被构造为与所述中心区域叠置。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，并且所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与第一直线叠置，所述第一直线与所述第一边和所述第二边的交点叠置。

所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可分别是设置在所述介质材料块中的过孔。

所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可分别是设置在所述介质材料块的外表面上的馈电带。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，并且所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与第一直线叠置，所述第一直线与所述第一边和所述第二边中的一个平行。

所述介质谐振器天线还可包括：第三馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有所述第一高度，以及第四馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有所述第二高度，其中，所述第三馈电单元和所述第四馈电单元被构造为与第二直线叠置，所述第二直线与所述介质材料块的所述下表面的所述中心区域相交，并且其中，在所述第三馈电单元与所述中心区域之间形成有第一间隔，并且在所述第四馈电单元与所述中心区域之间形成有第二间隔。

所述介质材料块可被构造为在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸，所述下表面可包括与所述第一方向平行的两个第一边以及与所述第二方向平行的两个第二边，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与第一直线叠置，并且所述第一直线和所述第二直线与所述第一边和所述第二边的交点叠置。

所述介质材料块可被构造为在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与第一直线叠置，并且所述第一直线与所述第一方向平行，并且所述第二直线与所述第二方向平行。

所述下表面可包括与所述第一方向平行的两个第一边以及与所述第二方向平行的两个第二边，并且所述第一直线和所述第二直线可分别与所述第一边的中心和所述第二边的中心叠置。

所述介质材料块可包括从所述下表面堆叠的第一介质材料块、第二介质材料块和第三介质材料块，所述第一馈电单元可设置在所述第一介质材料块和所述第二介质材料块中，并且所述第二馈电单元可设置在所述第一介质材料块中。

所述介质材料块还可包括：第一介质层，设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间；以及第二介质层，设置在所述第二介质材料块与所述第三介质材料块之间，并且所述第一介质层的介电常数和所述第二介质层的介电常数可低于所述第一介质材料块的介电常数、所述第二介质材料块的介电常数和所述第三介质材料块的介电常数。

在一总体方面，一种介质谐振器天线包括：介质材料块；第一馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有第一高度；第二馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有与所述第一高度不同的第二高度；以及屏蔽过孔，设置在所述介质材料块中，并且被构造为与所述介质材料块的下表面的中心区域叠置，并且被构造为以相同的间隔与所述第一馈电单元和所述第二馈电单元分开。

所述第一高度和所述第二高度可以是从所述介质材料块的下表面测量的。

所述屏蔽过孔可具有第三高度，所述屏蔽过孔的所述第三高度可以是从所述介质材料块的所述下表面测量的，并且所述第三高度可等于或大于所述第二高度。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与设置在所述介质材料块的所述下表面上的直线叠置，并且所述直线可以与所述第一边和所述第二边中的一个平行。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可被构造为与设置在所述介质材料块的所述下表面上的直线叠置，并且所述直线可被构造为与所述第一边和所述第二边的交点叠置。

所述介质谐振器天线还可包括：第三馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有所述第一高度；以及第四馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有所述第二高度，其中，所述屏蔽过孔以相同的间隔与所述第三馈电单元和所述第四馈电单元间隔开。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可与所述介质材料块的所述下表面上的第一直线叠置，所述第三馈电单元和所述第四馈电单元可与所述介质材料块的所述下表面上的第二直线叠置，并且所述第一直线和所述第二直线可分别平行于所述第一边和所述第二边。

所述介质材料块的所述下表面可包括在第一方向上延伸的第一边以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二边，所述第一馈电单元和所述第二馈电单元可与所述介质材料块的所述下表面上的第一直线叠置，所述第三馈电单元和所述第四馈电单元可与所述介质材料块的所述下表面上的第二直线叠置，并且所述第一直线和所述第二直线可以是与所述第一边和所述第二边的交点叠置的对角线。

所述介质材料块可包括从所述下表面堆叠的第一介质材料块、第二介质材料块和第三介质材料块，所述第一馈电单元可设置在所述第一介质材料块和所述第二介质材料块中，并且所述第二馈电单元可设置在所述第一介质材料块中。

所述介质材料块还可包括：第一介质层，设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间；以及第二介质层，设置在所述第二介质材料块与所述第三介质材料块之间，并且所述第一介质层的介电常数和所述第二介质层的介电常数可低于所述第一介质材料块的介电常数、所述第二介质材料块的介电常数和所述第三介质材料块的介电常数。

在一总体方面，一种天线装置包括：介质材料块；第一馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有从所述介质材料块的下表面测量的第一高度；第二馈电单元，设置在所述介质材料块中，并且被构造为具有从所述介质材料块的所述下表面测量的第二高度；接地面，设置在所述介质材料块下方；以及图案部，连接到所述接地面，并且设置在所述第一馈电单元与所述第二馈电单元之间，其中，所述第一高度与所述第二高度不同。

所述天线装置还可包括：屏蔽过孔，设置在所述介质材料块中，并且以相同的间隔与所述第一馈电单元和所述第二馈电单元分开，并且所述图案部可被构造为与所述屏蔽过孔叠置。

所述图案部可包括延伸部分，所述延伸部分从所述介质材料块的与所述屏蔽过孔叠置的中心区域在所述第一馈电单元与所述第二馈电单元之间延伸。

所述图案部可包括：第一图案部，包括从与所述屏蔽过孔叠置的中心区域在所述第一馈电单元与所述第二馈电单元之间延伸的延伸部分；以及第二图案部，连接到所述第一图案部，并且被构造为围绕所述第一馈电单元和所述第二馈电单元。

所述第二图案部可包括延伸到所述介质材料块的所述下表面外部的部分。

所述天线装置还可包括第三馈电单元和第四馈电单元，所述第三馈电单元设置在所述介质材料块中并且被构造为具有所述第一高度，所述第四馈电单元设置在所述介质材料块中并且被构造为具有所述第二高度，并且所述图案部包括：第一延伸部分，从与所述屏蔽过孔叠置的中心区域在所述第一馈电单元与所述第二馈电单元之间延伸；第二延伸部分，从所述中心区域在所述第一馈电单元与所述第三馈电单元之间延伸；第三延伸部分，从所述中心区域在所述第二馈电单元与所述第四馈电单元之间延伸；以及第四延伸部分，从所述中心区域在所述第三馈电单元与所述第四馈电单元之间延伸。

所述介质材料块可包括从所述下表面堆叠的第一介质材料块、第二介质材料块和第三介质材料块。

所述第一馈电单元和所述第三馈电单元可设置在所述第一介质材料块和所述第二介质材料块中，并且所述第二馈电单元和所述第四馈电单元可设置在所述第一介质材料块中。

在一总体方面，一种天线包括：多层介质材料块；第一馈电单元，具有第一长度，设置在所述多层介质材料块的第一层和第二层中；第二馈电单元，具有与所述第一长度不同的第二长度，设置在所述多层介质材料块的所述第一层中，其中，所述第一馈电单元的所述第一长度大于所述第二馈电单元的所述第二长度。

所述第一层的介电常数可与所述第二层的介电常数不同。

所述天线可被配置为通过一个或更多个第一馈电单元发送和/或接收第一带宽的射频(RF)信号，并且通过一个或更多个第二馈电单元发送和/或接收第二带宽的RF信号。

所述第一带宽的中心频率可低于所述第二带宽的中心频率。

所述天线还可包括设置在所述多层介质材料块的下表面的中心区域上的屏蔽过孔，其中，所述屏蔽过孔设置在所述第一馈电单元和所述第二馈电单元之间的线上，并且其中，所述屏蔽过孔与所述第一馈电单元之间的间隔等于所述屏蔽过孔与所述第二馈电单元的间隔。

所述屏蔽过孔的长度可等于或大于所述第二馈电单元的所述第二长度。

通过下面的具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。

附图说明

图1示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图2A和图2B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图3示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图4A和图4B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图5示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图6A和图6B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图7示出了根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线的立体图。

图8A和图8B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图9示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图10A和图10B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图11示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图12A和图12B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图13示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图14A和图14B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图15示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图16A和图16B示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图17示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图18示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图19示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图20示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

图21示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图22示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图23示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图24示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图25示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图26示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图27示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图28示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图29示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图30示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

图31示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的立体图。

图32示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的截面图。

图33示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的俯视平面图。

图34A、图34B、图34C、图34D和图34E示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的制造方法的立体图。

图35示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图36示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图37示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图38示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图39示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图40示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图41示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图42示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图43示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

图44示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图45示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图46示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图47示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图48示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图49示出了根据另一实施例的示例天线装置的布局图。

图50示出了根据另一实施例的示例天线装置的布局图。

图51示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图52示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图53示出了根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

图54示出了根据一个或更多个实施例的包括示例天线装置的示例电子装置的示图。

图55、图56和图57示出了根据一个或更多个实施例的试验示例的结果的曲线图。

图58、图59、图60和图61示出了根据一个或更多个实施例的另一试验示例的结果的视图。

在全部附图和具体实施方式中，除非另外地描述或提供，否则相同的附图标记将被理解为指示相同或相似的要素、特征和结构。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型和等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可做出如在理解本申请的公开内容之后将易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略在理解本申请的公开内容之后知晓的特征的描述，注意，省略特征及其描述也不意在承认它们是公知的。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅是为了示出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或系统的很多可行方式中的一些可行方式。

尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

在整个说明书中，当要素(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”所述另一要素“上”、直接“连接到”所述另一要素或直接“结合到”所述另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其他要素。

在此使用的术语仅用于描述具体示例的目的，而不用于限制本公开。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。如在此使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项中的任意一项或者任意两项或更多项的任意组合。如在此使用的，术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、要素、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、要素、组件和/或它们的组合。

此外，在此可使用诸如第一、第二等的术语来描述组件。这些术语中的每个不用于定义相应组件的本质、顺序或序列，而是仅用于将相应组件与其他组件区分开。

除非另外定义，否则在此使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本公开所属领域普通技术人员在理解本申请的公开内容之后所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如，在本领域的背景下在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关技术和本申请的公开内容的上下文中的含义一致的含义，并且除非在此明确如此定义，否则不应被解释为理想化或过于形式化的意义。

此外，在一个或更多个示例中，短语“在平面上”表示从顶部观察对象，并且短语“在截面上”表示从侧面观察对象的被竖直切割的截面。

一个或更多个示例可提供一种可在减小天线尺寸的同时防止天线性能下降的天线和天线装置。

在一个或更多个示例中，图案、过孔、接地面、布线和电连接结构可包括金属材料(作为非限制性示例，铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或诸如他们的合金的导电材料)，并且可根据诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、减成工艺、加成工艺或半加成工艺(SAP)、改进的半加成工艺(MSAP)等的镀覆方法来形成，但不限于此。

在一个或更多个示例中，介质层和/或绝缘层可通过热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺)、或通过将无机填料和/或芯材料(诸如，玻璃纤维、玻璃布、玻璃织物等)浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的树脂(诸如，半固化片、味之素堆积膜(Ajinomoto build-up film，ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)、感光介电(PID)树脂、覆铜层压板(CCL)或者玻璃或陶瓷系列的绝缘体(诸如，液晶聚合物(LCP)、低温共烧陶瓷(LTCC)等))来实现。

在一个或更多个非限制性示例中，RF信号可具有根据以下协议的格式：Wi-Fi(IEEE 802.11族等)、WiMAX(IEEE 802.16族等)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、EV-DO(evolution-data only，CDMA 2000 1x的一种演进)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、增强型数据速率全球演进(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)，数字增强型无绳通信(DECT)、蓝牙、第三代(3G)、第四代(4G)、第五代(5G)以及在上述协议之后指定的其他任意无线和有线协议，但不限于此。

在下文中，参照附图详细描述各种示例。

参照图1、图2A和图2B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100a。图1示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图2A和图2B示出了作为示例的图1的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图1和图2A，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线(DRA)100a可包括：介质材料块111，具有沿着第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3延伸的形状，第二方向DR2与第一方向DR1不同，第三方向DR3与第一方向DR1和第二方向DR2垂直；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。然而，这仅是示例，并且多个连接部1和1a可设置在介质材料块111中。多个连接部1和1a中的连接部1a可分别与第一馈电单元11和第二馈电单元12叠置。

在示例中，介质材料块111可具有长方体形状，并且介质材料块111可具有通路孔，第一馈电单元11和第二馈电单元12插入到该通路孔中。

介质材料块111可包括与第一方向DR1平行的多个第一边Ea、与第二方向DR2平行的多个第二边Eb以及与第三方向DR3平行的的多个第三边Ec。介质材料块111沿着第一方向DR1可具有第一长度a，沿着第二方向DR2可具有第二长度b，并且沿着第三方向DR3可具有第三长度c，从而使得介质材料块111具有长方体形状。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第三方向DR3设置在介质材料块111的一部分内。

在非限制性示例中，第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可大于第二馈电单元12的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第二高度h2。在下文中，“馈电单元的高度”指的是该馈电单元的从介质材料块111的底表面测量的高度。

当电信号被施加到第一馈电单元11和第二馈电单元12时，在介质材料块111内部可发生特定频率的谐振，并且可根据介质谐振器天线100a的谐振频率发送和接收RF信号。

介质谐振器天线100a可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。在非限制性示例中，第一带宽的中心频率可以是约24GHz或约28GHz，并且第二带宽的中心频率可以是约39GHz。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可设置在虚拟第一直线L1上，虚拟第一直线L1穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并与第一方向DR1平行，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称。

在非限制性示例中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可与两个第二边Eb的大致中心部分相邻地设置。第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第一方向DR1彼此面对，并且介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11之间的第一间隔d1可约等于中心部分C与第二馈电单元12之间的第二间隔d2。

参照图2B，当第一馈电单元11和第二馈电单元12被设置为关于第一直线L1彼此对称时，第一馈电单元11和第二馈电单元12不仅可设置在第一位置11x和12x上，其中，第一馈电单元11和第二馈电单元12的中心设置在第一直线L1上，而且第一馈电单元11和第二馈电单元12还可设置在第二位置11y和12y以及第三位置11z和12z上，第二位置11y和第三位置11z设置在第一位置11x的两侧，第二位置12y和第三位置12z设置在第一位置12x的两侧，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12的边缘部分可设置在第一直线L1上。

因此，其中第一馈电单元11和第二馈电单元12彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第一位置11x和12x上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C2，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第二位置11y和12y上时关于对称中心部分C2彼此对称；以及对称中心部分C3，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第三位置11z和12z上时关于对称中心部分C3彼此对称。

因此，由于第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为彼此间隔开，以与沿着第一方向DR1彼此面对的第二边Eb相邻且关于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，并且在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第二馈电单元12的电信号产生的电场的分布长度可分别增加，因此，可在不增大介质材料块的尺寸的情况下加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，同时可减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。

在根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100a中，在介质材料块111中，由于具有不同高度的第一馈电单元11和第二馈电单元12分开地设置在一条直线上，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称且与介质材料块111的底表面的边缘Eb相邻，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100a的增益。

参照图3、图4A和图4B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100b。图3是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图4A和图4B是图3的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图3和图4A，根据本实施例的示例介质谐振器天线100b与根据上面参照图1、图2A和图2B描述的实施例的介质谐振器天线100a相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

参照图3和图4A，与根据上述示例的介质谐振器天线100a相似，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100b可包括：介质材料块111；第一长度的第一馈电单元11和第二长度的第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。在示例中，第一馈电单元11的第一长度或高度可与第二馈电单元12的第二长度或高度不同。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着介质材料块111的与第三方向DR3平行的边设置在介质材料块111的一部分内。

第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

介质谐振器天线100b可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。在非限制性示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100a不同，在示例介质谐振器天线100b中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可设置在虚拟第二直线L2上，该虚拟第二直线L2是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的对角线。

在示例中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可在与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb彼此相汇处与两个边缘相邻地设置。

在示例中，介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11之间的第三间隔d3可约等于中心部分C与第二馈电单元12之间的第四间隔d4。

参照图4B，当第一馈电单元11和第二馈电单元12被设置为关于第二直线L2彼此对称时，第一馈电单元11和第二馈电单元12不仅可设置在第一位置11x和12x上，其中，第一馈电单元11和第二馈电单元12的中心设置在第二直线L2上，而且第一馈电单元11和第二馈电单元12还可设置在第二位置11y和12y以及第三位置11z和12z上，第二位置11y和第三位置11z设置在第一位置11x的两侧，第二位置12y和第三位置12z设置在第一位置12x的两侧，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12的边缘部分可设置在第二直线L2上。

因此，其中第一馈电单元11和第二馈电单元12彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第一位置11x和12x上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C2，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第二位置11y和12y上时关于对称中心部分C2彼此对称；以及对称中心部分C3，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第三位置11z和12z上时关于对称中心部分C3彼此对称。

因此，由于第一馈电单元11和第二馈电单元12可在直线上设置为彼此间隔开，以与由彼此相汇的与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb形成的两个拐角相邻，从而彼此面对并且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，因此可加宽第一馈电单元11与第二馈电单元12之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第二馈电单元12的电信号产生的电场的分布长度可分别增加，因此，可在不增大介质材料块的尺寸的情况下加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽。

在根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100b中，在介质材料块111中，通过将具有不同高度的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置在穿过中心部分C的对角线上，以使第一馈电单元11和第二馈电单元12彼此间隔开且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100b的增益。

上述示例天线的许多特征适用于根据本示例的天线。

参照图5、图6A和图6B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100c。图5是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图6A和图6B是图5的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图5、图6A和图6B，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100c与参照图1、图2A和图2B描述的根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100a相似。因此，将省略对相同构成要素的详细描述。

参照图5和图6A，与根据上述示例的示例介质谐振器天线100a相似，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100c可包括：介质材料块111；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第三方向DR3设置在介质材料块111的一部分内。

在示例中，第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

介质谐振器天线100c可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可与两个第二边Eb的中心部分相邻地设置，可沿着第一方向DR1彼此面对，并且可设置在虚拟第一直线L1上，该虚拟第一直线L1穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且可与第一方向DR1平行，并且介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11之间的第一间隔d1可约等于中心部分C与第二馈电单元12之间的第二间隔d2。

然而，与根据上述示例的示例介质谐振器天线100a不同，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100c还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。在示例中，屏蔽过孔13可以是接地过孔，其可用作对应馈电单元之间的去耦寄生图案。

在示例中，屏蔽过孔13可设置在第一馈电单元11与第二馈电单元12之间。在非限制性示例中，屏蔽过孔13可与第一馈电单元11和第二馈电单元12间隔开以与第一馈电单元11和第二馈电单元12具有大致相等的间隔，并且在示例中，屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可低于第一馈电单元11的第一高度h1，并且可等于或高于第二馈电单元12的第二高度h2。然而，本公开不限于此，并且可包括以下情况：屏蔽过孔13的第三高度h3等于或高于第一馈电单元11的第一高度h1，或者低于第二馈电单元12的第二高度h2。

参照图6B，其中第一馈电单元11和第二馈电单元12彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第一位置11x和12x上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C2，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第二位置11y和12y上时关于对称中心部分C2彼此对称；以及对称中心部分C3，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第三位置11z和12z上时关于对称中心部分C3彼此对称。此外，屏蔽过孔13可设置在介质材料块111的底表面的包括中心部分C1、C2和C3的中心部分C上，例如，如图6B所示，屏蔽过孔13可设置在第一位置13x、第二位置13y和第三位置13z上，第二位置13y和第三位置13z位于第一位置13x的两侧。

如此，由于示例介质谐振器天线100c还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13设置在第一馈电单元11和第二馈电单元12之间，与第一馈电单元11和第二馈电单元12间隔开以与第一馈电单元11和第二馈电单元12具有大致相等的间隔，并且可具有等于或高于第二馈电单元12的第二高度h2的第三高度h3，因此可进一步减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。

此外，根据示例介质谐振器天线100c，在介质材料块111中，通过将具有不同高度的第一馈电单元11和第二馈电单元12在直线上设置为彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称且与介质材料块111的底表面的边缘相邻，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100c的增益。

根据上述实施例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的天线。

参照图7、图8A和图8B描述根据另一实施例的介质谐振器天线100d。图7是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图，并且图8A和图8B是图7的介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图7、图8A和图8B，示例介质谐振器天线100d与根据参照图3、图4A和图4B描述的实施例的示例介质谐振器天线100b相似。因此，将省略对相同构成要素的详细描述。

参照图7和图8A，与根据上述示例的示例介质谐振器天线100b相似，示例介质谐振器天线100d可包括：介质材料块111；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第三方向DR3设置在介质材料块111的一部分内。

第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

介质谐振器天线100d可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可与虚拟第二直线L2叠置，该虚拟第二直线L2是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的对角线，第一馈电单元11和第二馈电单元12可在与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb彼此相汇处与两个边缘相邻地设置，并且介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11之间的第三间隔d3可约等于中心部分C与第二馈电单元12之间的第四间隔d4。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100b不同，根据本示例的介质谐振器天线100d还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

屏蔽过孔13可设置在第一馈电单元11与第二馈电单元12之间，屏蔽过孔13可与第一馈电单元11和第二馈电单元12间隔开以与第一馈电单元11和第二馈电单元12具有大致相等的间隔，屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可低于第一馈电单元11的第一高度h1，并且可等于或高于第二馈电单元12的第二高度h2。然而，本公开不限于此，并且屏蔽过孔13的第三高度h3可等于或高于第一馈电单元11的第一高度h1，或者低于第二馈电单元12的第二高度h2。此外，在示例中，屏蔽过孔13的第三高度h3可高于第一馈电单元11的第一高度h1。

参照图8B，其中第一馈电单元11和第二馈电单元12彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第一位置11x和12x上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C2，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第二位置11y和12y上时关于对称中心部分C2彼此对称；以及对称中心部分C3，第一馈电单元11和第二馈电单元12在设置在第三位置11z和12z上时关于对称中心部分C3彼此对称。此外，屏蔽过孔13可设置在介质材料块111的底表面的包括中心部分C1、C2和C3的中心部分C上。

如此，由于根据本实施例的介质谐振器天线100d还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13设置在第一馈电单元11和第二馈电单元12之间，与第一馈电单元11和第二馈电单元12间隔开以与第一馈电单元11和第二馈电单元12具有大致相等的间隔，并且可具有等于或高于第二馈电单元12的第二高度h2的第三高度h3，因此可进一步减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。

此外，根据本实施例的介质谐振器天线100d，通过将不同高度的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为在穿过介质材料块111中的中心部分C的对角线上彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号。可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100d的增益。

根据上述示例的天线的许多特征适用于根据本示例的天线。

参照图9、图10A和图10B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100e。图9是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图10A和图10B是图9的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图9、图10A和图10B，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100e与根据参照图1、图2A和图2B描述的示例的介质谐振器天线100a相似。因此，将省略对相同构成要素的详细描述。

参照图9和图10A，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100e可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111中；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

与根据上述示例的示例介质谐振器天线100a不同，根据本示例的示例介质谐振器天线100e可包括馈电单元或过孔11a、11b、12a和12b，馈电单元或过孔11a、11b、12a和12b包括设置在介质材料块111内部的第一馈电单元或过孔11a、第二馈电单元或过孔11b、第三馈电单元或过孔12a以及第四馈电单元或过孔12b。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可沿着第三方向DR3设置在介质材料块111的一部分内。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可具有沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可具有第二高度h2，并且第一高度h1可高于第二高度h2。然而，这仅是示例，并且第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可具有彼此不同的高度，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可具有彼此不同的高度。

介质谐振器天线100e可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100e可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的四个边(分别平行于第一方向DR1和第二方向DR2)的中心部分大致相邻地设置，并且第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第一直线L1叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第三直线L3叠置，第一直线L1和第三直线L3穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且分别与第一方向DR1和第二方向DR2平行。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在四个位置，即，相对于介质材料块111的底表面的中心部分C的上、下、左和右。

可在介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11a之间以及在中心部分C与第二馈电单元11b之间形成第一间隔d1，并且可在中心部分C与第三馈电单元12a之间以及在中心部分C与第四馈电单元12b之间形成第二间隔d2，并且第一间隔d1和第二间隔d2可大致相等。

在示例中，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为沿着第一方向DR1相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为沿着第二方向DR2相对于底表面的中心部分C彼此对称。

参照图10B，当第一馈电单元11a和第四馈电单元12b被设置为关于第一直线L1彼此对称时，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b不仅可设置在第一位置11ax和12bx上，其中，第一馈电单元11a的中心和第四馈电单元12b的中心设置在第一直线L1上，而且第一馈电单元11a和第四馈电单元12b还可设置在第二位置11ay和12by以及第三位置11az和12bz上，第二位置11ay和第三位置11az设置在第一位置11ax的两侧，第二位置12by和第三位置12bz设置在第一位置12bx的两侧，并且第一馈电单元11a的边缘部分和第四馈电单元12b的边缘部分设置在第一直线L1上。另外，当第二馈电单元11b和第三馈电单元12a被设置为关于第三直线L3彼此对称时，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a不仅可设置在第四位置11bx和12ax上，其中，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a的中心设置在第三直线L3上，而且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a还可设置在第五位置11by和12ay以及第六位置11bz和12az上，第五位置11by和第六位置11bz设置在第四位置11bx的两侧，第五位置12ay和第六位置12az设置在第四位置12ax两侧上，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a的边缘部分设置在第三直线L3上。

因此，其中第一馈电单元11a和第四馈电单元12b彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第一位置11ax和12bx上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C21，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第二位置11ay和12by上时关于对称中心部分C21彼此对称；对称中心部分C31，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第三位置11az和12bz上时关于对称中心部分C31彼此对称；对称中心部分C22，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第五位置11by和12ay上时关于对称中心部分C22彼此对称；以及对称中心部分C32，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第六位置11bz和12az上时关于对称中心部分C32彼此对称。

因此，由于第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为彼此间隔开，以与第一边Ea(与第一方向DR1平行)和第二边Eb(与第二方向DR2平行)相邻，并且在虚拟第一直线L1和第三直线L3(穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且分别与第一方向DR1和第二方向DR2平行)上相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，因此可加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

在根据本示例的示例介质谐振器天线100e中，通过在介质材料块111中将第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的高度形成为不同，并且将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在穿过中心部分C的第一直线L1和第三直线L3上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100e的增益。

上述示例天线的许多特征适用于根据本示例的天线。

参照图11、图12A和图12B描述根据实施例的示例介质谐振器天线100f。图11是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图，并且图12A和图12B是图11的介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图11、图12A和图12B，根据本实施例的介质谐振器天线100f与根据上面参照图9、图10A和图10B描述的实施例的介质谐振器天线100e相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

参照图11和图12A，根据本示例的示例介质谐振器天线100f可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可具有沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可具有第二高度h2，并且在示例中，第一高度h1可高于第二高度h2。

介质谐振器天线100f可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100f可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，并且在示例中，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第二直线L2叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第四直线L4叠置，第二直线L2和第四直线L4是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角部分的对角线。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

可在介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11a之间以及在中心部分C与第二馈电单元11b之间形成第三间隔d3，可在中心部分C与第三馈电单元12a之间以及在中心部分C与第四馈电单元12b之间形成第四间隔d4，并且第三间隔d3和第四间隔d4可几乎相同。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

参照图12B，当将第一馈电单元11a和第四馈电单元12b设置为关于第二直线L2彼此对称时，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b不仅可设置在第一位置11ax和12bx上，其中，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b的中心设置在第二直线L2上，而且第一馈电单元11a和第四馈电单元12b还可设置在第二位置11ay和12by以及第三位置11az和12bz上，第二位置11ay和第三位置11az设置在第一位置11ax的两侧，第二位置12by和第三位置12bz设置在第一位置12bx的两侧，并且第一馈电单元11a的边缘部分和第四馈电单元12b的边缘部分设置在第二直线L2上。另外，当第二馈电单元11b和第三馈电单元12a被设置为关于第四直线L4彼此对称时，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a不仅可设置在第四位置11bx和12ax上，其中，第二馈电单元11b的中心和第三馈电单元12a的中心设置在第四直线L4上，而且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a还可设置在第五位置11by和12ay以及第六位置11bz和12az上，第五位置11by和第六位置11bz设置在第四位置11bx的两侧，第五位置12ay和第六位置12az设置在第四位置12ax两侧，并且第二馈电单元11b的边缘部分和第三馈电单元12a的边缘部分设置在第四直线L4上。

因此，其中第一馈电单元11a和第四馈电单元12b彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第一位置11ax和12bx上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C21，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第二位置11ay和12by上时关于对称中心部分C21彼此对称；对称中心部分C31，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第三位置11az和12bz上时关于对称中心部分C31彼此对称；对称中心部分C22，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第五位置11by和12ay上时关于对称中心部分C22彼此对称；以及对称中心部分C32，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第六位置11bz和12az上时关于对称中心部分C32彼此对称。

因此，通过将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在第二直线L2和第四直线L4(穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且作为两条对角线)上彼此间隔开，以分别与四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下进一步加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

在根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100f中，通过在介质材料块111中将第一馈电单元11a和第二馈电单元11b形成为具有第一高度并且将第三馈电单元12a和第四馈电单元12b形成为具有第二高度，并且通过将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在穿过中心部分C的两条对角线的第二直线L2和第四直线L4上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100f的增益。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图13、图14A和图14B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100g。图13是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图14A和图14B是图13的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图13、图14A和图14B，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100g与根据上面参照图9、图10A和图10B描述的一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100e相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

参照图13和图14A，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100g可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b均可具有沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，第三馈电单元12a和第四馈电单元12b均可具有第二高度h2，并且在示例中，第一高度h1可高于第二高度h2。

介质谐振器天线100g可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100g可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的四个边(平行于第一方向DR1和第二方向DR2)的大致中央部分相邻地设置，并且第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第一直线L1叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第三直线L3叠置，第一直线L1和第三直线L3穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且分别与第一方向DR1和第二方向DR2平行。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在四个位置，即，相对于介质材料块111的底表面的中心部分C的上、下、左和右。

参照图14A，在示例中，可在介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11a之间以及在中心部分C与第二馈电单元11b之间形成第一间隔d1，并且可在中心部分C与第三馈电单元12a之间以及在中心部分C与第四馈电单元12b之间形成第二间隔d2。在示例中，第一间隔d1和第二间隔d2可彼此大致相等。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为沿着第一方向DR1相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为沿着第二方向DR2相对于底表面的中心部分C彼此对称。

因此，通过将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在虚拟第一直线L1和虚拟第三直线L3(穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且分别平行于第一方向DR1和第二方向DR2)上彼此间隔开，以分别与第一边Ea(与第一方向DR1平行)和第二边Eb(与第二方向DR2平行)相邻，并且相对于介质材料块111的底表面的中心部分彼此对称，可加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

然而，在示例中，与根据上述示例的介质谐振器天线100e不同，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100g还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

屏蔽过孔13可设置在位于第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间的中心部分C处。在示例中，屏蔽过孔13可与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b间隔开，以与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有大致相同的间隔。在示例中，屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可低于第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1，并且可等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。然而，这仅是示例，并且屏蔽过孔13的第三高度h3可大于或等于第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1，并且可小于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

参照图14B，与上面参照图10B所描述的相似，其中第一馈电单元11a和第四馈电单元12b彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括以下全部对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第一位置11ax和12bx上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C21，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第二位置11ay和12by上时关于对称中心部分C21彼此对称；对称中心部分C31，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第三位置11az和12bz上时关于对称中心部分C31彼此对称；对称中心部分C22，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第五位置11by和12ay上时关于对称中心部分C22彼此对称；以及对称中心部分C32，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第六位置11bz和12az上时关于对称中心部分C32彼此对称。此外，屏蔽过孔13可设置在介质材料块111的底表面的包括中心部分C1、C21、C31、C22和C32的中心部分C处，例如，如图14B所示，屏蔽过孔13可设置在中心部分C1、第二位置13y1和第三位置13z1以及第四位置13y2和第五位置13z2上。

因此，由于示例介质谐振器天线100g还可包括设置在第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间的屏蔽过孔13，并且屏蔽过孔13可与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b分开，以与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有几乎相同的间隔，并且由于屏蔽过孔13的第三高度h3可等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2，因此可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

在根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100g中，通过在介质材料块111中将第一馈电单元11a和第二馈电单元11b与第三馈电单元12a和第四馈电单元12b形成为具有不同的高度，并且将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在穿过中心部分C的第一直线L1和第三直线L3上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100g的增益。

此外，由于根据本示例的示例介质谐振器天线100g还可包括屏蔽过孔13，因此可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图15、图16A和图16B描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100h。图15是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图16A和图16B是图15的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图15、图16A和图16B，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100h与根据上面参照图11、图12A和图12B描述的示例的示例介质谐振器天线100f相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

参照图15和图16A，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100h可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可具有沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可具有第二高度h2。在示例中，第一高度h1可高于第二高度h2。

介质谐振器天线100h可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100h可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第二直线L2叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第四直线L4叠置，第二直线L2和第四直线L4是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角部分的对角线。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

可在介质材料块111的底表面的中心部分C与第一馈电单元11a之间以及在中心部分C与第二馈电单元11b之间形成第三间隔d3，可在中心部分C与第三馈电单元12a之间以及在中心部分C与第四馈电单元12b之间形成第四间隔d4，并且在示例中，第三间隔d3和第四间隔d4可大致相同。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

因此，通过将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在第二直线L2和第四直线L4(作为穿过中心部分C的两条对角线)上彼此间隔开，以分别与四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下进一步加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100f不同，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100h还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

屏蔽过孔13可设置在第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间，屏蔽过孔13可被设置为与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b间隔开，以与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有几乎相同的间隔。屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可小于第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1，并且等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。然而，这仅是示例，并且屏蔽过孔13的第三高度h3可大于或等于第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1，并且可小于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

参照图16B，与关于图12B的上面描述相似，其中第一馈电单元11a和第四馈电单元12b彼此对称的介质材料块111的底表面的中心部分C不表示介质材料块111的底表面的严格中心区域，而是中心部分C可以是预定区域，该预定区域可包括所有以下对称中心部分：对称中心部分C1，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第一位置11ax和12bx上时关于对称中心部分C1彼此对称；对称中心部分C21，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第二位置11ay和12by上时关于对称中心部分C21彼此对称；对称中心部分C31，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b在设置在第三位置11az和12bz上时关于对称中心部分C31彼此对称；对称中心部分C22，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第五位置11by和12ay上时关于对称中心部分C22彼此对称；以及对称中心部分C32，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a在设置在第六位置11bz和12az上时关于对称中心部分C32彼此对称。此外，屏蔽过孔13可设置在介质材料块111的底表面的包括中心部分C1、C21、C31、C22和C32的中心部分C处。

因此，由于根据本示例的介质谐振器天线100h还可包括设置在第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间的屏蔽过孔13，其中，屏蔽过孔13可被设置为与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b间隔开，以与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有几乎相同的间隔，并且由于屏蔽过孔13的第三高度h3可等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2，因此可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据本示例的介质谐振器天线100h，由于在介质材料块111中第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度与第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度可不同，通过将第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b设置为在穿过中心部分C的两条对角线的第二直线L2和第四直线L4上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，可通过实现一个介质材料块111来发送和接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100h的增益。

此外，由于根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100h还可包括屏蔽过孔13，因此可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图17和图18描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100i。图17是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图18是图17的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图17和图18，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100i可包括：第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b，沿着介质材料块111的四个拐角(由与第一方向DR1平行的对应第一边Ea和与第二方向DR2平行的对应第二边Eb相交而形成)从介质材料块111的底表面在第三方向DR3上延伸；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电带21a和第二馈电带21b可具有从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，第三馈电带22a和第四馈电带22b可具有第二高度h2，并且在示例中，第一高度h1可高于第二高度h2。

介质谐振器天线100i可通过第一馈电带21a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电带21b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100i可通过第三馈电带22a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电带22b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可与两条对角线叠置，两条对角线穿过介质材料块111的底表面的中心部分C，并且穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角。第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔。

第一馈电带21a和第四馈电带22b可被设置为相对于作为参考的底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电带21b和第三馈电带22a可被设置为相对于作为参考的底表面的中心部分C彼此对称。

因此，第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可设置在四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)处，并且被设置为在穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的两条对角线上彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称。因此，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号产生的电场的分布长度可增加，因此，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

在根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100i中，可在介质材料块111中形成不同高度的第一馈电带21a和第二馈电带21b与第三馈电带22a和第四馈电带22b，并且第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可被设置为在介质材料块111的四个拐角处彼此间隔开，以与作为穿过底表面的中心部分C的两条对角线的第二直线L2和第四直线L4叠置且相对于中心部分C彼此对称。因此，可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100i的增益。

根据上述示例的天线的许多特征适用于根据一个或更多个实施例的示例天线。

参照图19和图20描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100j。图19是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图，并且图20是图19的示例介质谐振器天线的俯视平面图。

参照图19和图20，根据本示例的介质谐振器天线100j与根据上面参照图17和图18描述的示例的介质谐振器天线100i相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据本示例的介质谐振器天线100j可包括：第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b，沿着介质材料块111的四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)从介质材料块111的底表面在第三方向DR3上延伸；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电带21a和第二馈电带21b可具有从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1，第三馈电带22a和第四馈电带22b可具有第二高度h2。在示例中，第一高度h1可高于第二高度h2。

介质谐振器天线100j可通过第一馈电带21a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，并且可通过第二馈电带21b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号。类似地，介质谐振器天线100j可通过第三馈电带22a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电带22b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可设置在四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)处，并且可被设置为彼此间隔开，以与第二直线L2和第四直线L4叠置并且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，第二直线L2和第四直线L4为穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的两条对角线。因此，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号产生的电场的分布长度可增加。因此，可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100i不同，根据本示例的介质谐振器天线100c还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

在示例中，屏蔽过孔13可设置在连接第一馈电带21a和第四馈电带22b的虚拟对角线上，并且设置在连接第二馈电带21b和第三馈电带22a的虚拟对角线上，屏蔽过孔13可被设置为与第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b间隔开以与第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b具有大致相同的间隔。在示例中，屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可低于第一馈电带21a和第二馈电带21b的第一高度h1，并且可等于或高于第三馈电带22a和第四馈电带22b的第二高度h2。然而，这仅是示例，并且屏蔽过孔13的第三高度h3可大于或等于第一馈电带21a和第二馈电带21b的第一高度h1，并且可小于第三馈电带22a和第四馈电带22b的第二高度h2。

因此，根据本示例的介质谐振器天线100j还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13设置在第一馈电带21a与第四馈电带22b之间以及第二馈电带21b与第三馈电带22a之间，与第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b分开以与第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b具有大致相同的间隔，并且可具有等于或高于第三馈电带22a和第四馈电带22b的第二高度h2的第三高度h3。因此，可另外减少通过施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

在根据本示例的示例介质谐振器天线100j中，可在介质材料块111中形成不同高度的第一馈电带21a和第二馈电带21b与第三馈电带22a和第四馈电带22b，并且第一馈电带21a、第二馈电带21b、第三馈电带22a和第四馈电带22b可被设置为在介质材料块111的四个拐角处彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称且与穿过中心部分C的两条对角线叠置，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100j的增益。

此外，由于根据本示例的示例介质谐振器天线100j还可包括屏蔽过孔13，因此可另外减少通过施加到第一馈电带21a和第二馈电带21b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电带22a和第四馈电带22b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图21描述根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100k。图21是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图21，根据本实施例的介质谐振器天线100k与根据参照图1、图2A和图2B描述的实施例的介质谐振器天线100a相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

示例介质谐振器天线100k可包括：介质材料块111；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。

在示例中，介质材料块111可包括沿着第三方向DR3顺序地设置的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130。在示例中，第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可相同。然而，这仅是示例，并且第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可彼此不同。在示例中，第一介质材料块110的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可高于第二介质材料块120的介电常数。然而，这仅是示例，并且第一介质材料块110的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可小于或等于第二介质材料块120的介电常数。第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可以是可变的。

在示例中，第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130可具有相同的平面形状，并且可沿着第三方向DR3彼此叠置。当第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130沿着第三方向DR3层叠并接合在一起时，相邻介质材料块的侧面(即，四对侧表面)可分别无缝地彼此连接而没有台阶，以被设置为共面。

包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130的介质材料块111可具有长方体形状(仅为示例)，并且介质材料块111可具有通路孔，第一馈电单元11和第二馈电单元12通过该通路孔插入。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第三方向DR3设置在介质材料块111的一部分内。在示例中，第一馈电单元11可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第二馈电单元12可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

介质谐振器天线100k可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可与沿着第一方向DR1彼此面对的两个第二边Eb的中心区域相邻地设置，并且可沿着穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且与第一方向DR1平行的虚拟第一直线L1设置，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔。

因此，根据本示例的介质谐振器天线100k可包括设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第一介质材料块110和第二介质材料块120中的第一馈电单元11以及设置在第一介质材料块110中的第二馈电单元12，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C以相同的间隔彼此对称且与介质材料块111的底表面的边缘相邻，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，并且可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100k的增益。

根据上述示例的天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图22描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100l。图22示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图22，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100l与根据上述示例的介质谐振器天线100k相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100l可包括：介质材料块111；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。

介质材料块111可包括沿着第三方向DR3顺序地设置的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130。第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可相同。然而，这仅是示例，并且第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可彼此不同。

第一馈电单元11可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第二馈电单元12可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

示例介质谐振器天线100l可通过第一馈电单元11发送和/或接收第一带宽的RF信号，并且可通过第二馈电单元12发送和/或接收与第一带宽不同的第二带宽的RF信号。在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率。

然而，与根据上述示例的示例介质谐振器天线100k不同，在根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100l中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可设置在作为穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的对角线的虚拟第二直线L2上。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb彼此相汇的两个拐角相邻地设置。

在示例中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大体上相同的间隔。

因此，第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为彼此间隔开，以与由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb的相汇而形成的两个拐角相邻，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可彼此面对，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，从而可加宽第一馈电单元11与第二馈电单元12之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，通过施加到第一馈电单元11的电信号产生的电场的分布长度和通过施加到第二馈电单元12的电信号产生的电场的分布长度可分别增加，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽。

因此，根据本示例的示例介质谐振器天线100l可包括设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第一介质材料块110和第二介质材料块120中的第一馈电单元11以及设置在第一介质材料块110中的第二馈电单元12，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称并且与两个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb的相汇而形成)相邻，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100l的增益。

上述示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图23描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100m。图23示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图23，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100m可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

介质材料块111可包括沿着第三方向DR3顺序地设置的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130。在示例中，第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可相同。然而，这仅是示例，并且第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可彼此不同。

在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

示例介质谐振器天线100m可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第二直线L2叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第四直线L4叠置，第二直线L2和第四直线L4是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C且分别穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角部分的对角线。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在介质材料块111的四个拐角处。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔。第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

因此，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在第二直线L2和第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上彼此间隔开，以分别与四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，从而可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下进一步加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度和由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，使得可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100m可包括设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第一介质材料块110和第二介质材料块120中的第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及设置在第一介质材料块110中的第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在第二直线L2和第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100m的增益。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图24描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100n。图24示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图24，示例介质谐振器天线100n与上面参照图23描述的示例介质谐振器天线100m相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100n可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

示例介质谐振器天线100n可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与第二直线L2叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与第四直线L4叠置，第二直线L2和第四直线L4是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角部分的对角线。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100m不同，在根据本示例的示例介质谐振器天线100n中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第三介质材料块130的一部分以及第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第四高度h4可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

因此，通过调节第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的高度，可调节由介质谐振器天线100n发送和接收的RF信号的频带。

根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100n可包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b，设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第三介质材料块130的一部分、第一介质材料块110和第二介质材料块120中；以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在第一介质材料块110中。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在第二直线L2和第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称。因此，可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100n的增益。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图25描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100o。图25示出了根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图25，示例介质谐振器天线100o与根据上面参照图23描述的示例的示例介质谐振器天线100m相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

参照图25，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100o可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中。第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中，并且第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

示例介质谐振器天线100o可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a并且第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C且作为两条对角线的第二直线L2和第四直线L4上彼此间隔开，以分别与四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻，并且相对于介电材料的底表面的中心部分C彼此对称，从而可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下进一步加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度和由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，使得可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

然而，与根据上述示例的介质谐振器天线100m不同，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100o还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

屏蔽过孔13可设置在第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间的对角线上以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间的对角线上，屏蔽过孔13可与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b间隔开几乎相同的间隔，或者被设置为与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有几乎相同的间隔，并且屏蔽过孔13的从介质材料块111的底表面测量的第三高度h3可低于第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1且等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

因此，根据本示例的介质谐振器天线100o还可包括屏蔽过孔13，屏蔽过孔13设置在第一馈电单元11a与第四馈电单元12b之间以及第二馈电单元11b与第三馈电单元12a之间，并且与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b间隔开以与第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b具有大致相同的间隔，并且屏蔽过孔13可具有可等于或高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2的第三高度h3，因此可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100o可包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b，设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第一介质材料块110和第二介质材料块120中；以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在第一介质材料块110中。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在第二直线L2和第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称。因此，可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100o的增益。

此外，根据本示例的介质谐振器天线100o还可包括屏蔽过孔13，因此，可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图26描述根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100p。图26是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图26，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100p与根据上面参照图22描述的示例的介质谐振器天线100l相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100p可包括：介质材料块111；第一馈电单元11和第二馈电单元12，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，设置在介质材料块111下方，即，附接到介质材料块111的底表面。

第一馈电单元11可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，第二馈电单元12可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第二馈电单元12的第二高度h2。

在示例中，第一馈电单元11和第二馈电单元12可与其中与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交处的两个拐角相邻，并且可设置在作为穿过介质材料块111的底表面的中心部分C的对角线的虚拟第二直线L2上，并且可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有几乎相同的间隔。

因此，第一馈电单元11和第二馈电单元12可被设置为彼此间隔开，以与两个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻，并且彼此面对以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，从而加宽第一馈电单元11和第二馈电单元12之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11的电信号而发送和接收的第一带宽的RF信号与通过施加到第二馈电单元12的电信号而发送和接收的第二带宽的RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11的电信号产生的电场的分布长度和由施加到第二馈电单元12的电信号产生的电场的分布长度可分别增加，因此可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽。

与根据上述实施例的介质谐振器天线100l不同，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100p还可包括：第一天线贴片31，设置在介质材料块111的第一介质材料块110和第二介质材料块120之间；以及第二天线贴片41，设置在第二介质材料块120和第三介质材料块130之间。然而，这仅是示例，并且第一天线贴片31和第二天线贴片41可可变地设置在介质材料块111的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130之间。

第一天线贴片31可与第二馈电单元12间隔开并耦合，使得第一天线贴片31可以以电容耦合馈电法被馈电，并且第二天线贴片41可与第一馈电单元11间隔开并耦合，使得第二天线贴片41可以以电容耦合馈电法被馈电。根据本示例的示例介质谐振器天线100p还可包括第一天线贴片31和第二天线贴片41，从而增加要发送和接收的RF信号的带宽。

第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着第三方向DR3与第一天线贴片31和第二天线贴片41不叠置，由此在介质材料块111内部发生的特定频率的谐振不会受馈电到第一馈电单元11和第二馈电单元12的电信号的干扰。

第一天线贴片31和第二天线贴片41的尺寸和形状可改变。此外，馈电单元11和12与天线贴片31和41之间的间隔也可改变，从而可改善天线的设计自由度。

根据上述各种实施例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图27描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100q。图27是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图27，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100q与根据上面参照图23描述的示例的介质谐振器天线100m相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100q可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

介质材料块111可包括沿着第三方向DR3顺序地设置的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130。

在非限制性示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

示例介质谐振器天线100q可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100q可包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b，设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)的第一介质材料块110和第二介质材料块120中；以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在第一介质材料块110中。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100q的增益。

与根据上述示例的示例介质谐振器天线100m不同，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100q还可包括设置在介质材料块111的第一介质材料块110和第二介质材料块120之间的第一天线贴片31以及设置在第二介质材料块120和第三介质材料块130之间的第二天线贴片41，从而可增加要发送和接收的RF信号的带宽。然而，这仅是示例，并且第一天线贴片31和第二天线贴片41可以可变地设置在介质材料块111的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130之间。

在非限制性示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可沿着第三方向DR3与第一天线贴片31和第二天线贴片41不叠置。因此，在介质材料块111内部，发生的特定频率的谐振不会受馈电到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号的干扰。

可改变第一天线贴片31和第二天线贴片41的尺寸和形状，并且可改变馈电单元11a、11b、12a和12b与天线贴片31和41之间的分开间隔，从而可改善天线的设计自由度。

根据上述实施例的天线的许多特征适用于根据本实施例的天线。

参照图28描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100r。图28是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图28，根据本示例的示例介质谐振器天线100r与根据上面参照图24描述的示例的示例介质谐振器天线100n相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100r可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

示例介质谐振器天线100r可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第三介质材料块130的至少一部分中以及设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第四高度h4可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100r可包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b，设置在第三介质材料块130的至少一部分以及第一介质材料块110和第二介质材料块120中；以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)中的第一介质材料块110中。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称。因此，可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100r的增益。

与根据上述示例的介质谐振器天线100n不同，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100r还可包括设置在介质材料块111的第一介质材料块110和第二介质材料块120之间的第一天线贴片31以及设置在第二介质材料块120和第三介质材料块130之间的第二天线贴片41，从而增加要发送和接收的RF信号的带宽。然而，这仅是示例，并且第一天线贴片31和第二天线贴片41可以可变地设置在介质材料块111的第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130之间。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可沿着第三方向DR3与第一天线贴片31和第二天线贴片41不叠置。因此，在介质材料块111内部，发生的特定频率的谐振不会受馈电到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号的干扰。

可改变第一天线贴片31和第二天线贴片41的尺寸和形状，并且可改变馈电单元11a、11b、12a和12b与天线贴片31和41之间的分开间隔。因此，可改善天线的设计自由度。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图29描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100s。图29是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图29，根据本示例的示例介质谐振器天线100s与根据上面参照图25描述的示例的介质谐振器天线100o相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据本示例的介质谐振器天线100s可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面；以及屏蔽过孔13，与介质材料块111的底表面的中心部分C叠置。

根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100s可包括设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中的第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及设置在介质材料块111(包括第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130)中的第一介质材料块110中的第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b和第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100s的增益。参照图29，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b也可进一步设置在第三介质材料块130的一部分中。第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的高度h4可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的高度h2。

此外，根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100s还可包括屏蔽过孔13，因此，可另外减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。

与根据上述示例的示例介质谐振器天线100o不同，根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100s还可包括设置在介质材料块111的第一介质材料块110和第二介质材料块120之间的第一天线贴片31以及设置在第二介质材料块120和第三介质材料块130之间的第二天线贴片41，从而增加要发送和接收的RF信号的带宽。

第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可沿着第三方向DR3与第一天线贴片31和第二天线贴片41不叠置，因此在介质材料块111内部，发生的特定频率的谐振不会受馈电到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号的干扰。

可改变第一天线贴片31和第二天线贴片41的尺寸和形状，并且可改变馈电单元11a、11b、12a和12b与天线贴片31和41之间的分开间隔，从而可改善天线的设计自由度。

上述根据一个或更多个实施例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图30描述根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线100t。图30是根据一个或更多个实施例的示例介质谐振器天线的立体图。

参照图30，根据本示例的示例介质谐振器天线100t与根据上面参照图23描述的示例的介质谐振器天线100m相似。因此，省略了对相同构成要素的详细描述。

根据一个或更多个实施例的介质谐振器天线100t可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

示例介质材料块111可包括沿着第三方向DR3顺序地设置的第一介质材料块110和第二介质材料块120，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第一介质材料块110的至少一部分和第二介质材料块120的至少一部分中，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

可通过改变包括在介质材料块111中的第一介质材料块110和第二介质材料块120的介电常数和层厚度来调节介质材料块111的介电常数，因此可调节通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号以及通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号。

在包括第一介质材料块110和第二介质材料块120的介质材料块111中，包括设置在第一介质材料块110的至少一部分内和第二介质材料块120的至少一部分内的第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及设置在第一介质材料块110中的第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4(穿过中心部分C且作为两条对角线)上间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，从而可通过实现同一介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可加宽第一带宽的RF信号的带宽和第二带宽的RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的RF信号与第二带宽的RF信号之间的干扰来增加介质谐振器天线100t的增益。

根据上述示例的示例天线的许多特征适用于根据本示例的示例天线。

参照图31至图33描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200a。图31是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的立体图，图32是图31的示例天线装置的截面图，并且图33是图31的示例天线装置的俯视平面图。

参照图31至图33，根据一个或更多个实施例的示例天线装置200a可包括：天线单元100；连接基板200，设置在天线单元100下方；主电路单元300，设置在连接基板200下方；RF-SiP(射频系统级封装件)400，设置在主电路单元300下方；以及无源组件500，连接到RF-SiP 400。

天线装置200a的天线单元100可包括：多个馈电单元11a、11b、12a和12b及屏蔽过孔13，设置在介质材料块111内部；以及多个连接部1和1a，附接到介质材料块111的底表面。

介质材料块111可包括：第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130，沿着第三方向DR3顺序地设置；第一介质层140a，设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间；以及第二介质层140b，设置在第二介质材料块120与第三介质材料块130之间。

在非限制性示例中，第一介质材料块110、第二介质材料块120、第三介质材料块130、第一介质层140a和第二介质层140b可具有相同的平面形状，并且可沿着第三方向DR3彼此叠置。当第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130沿着第三方向DR3层叠并接合在一起时，相邻介质材料块的侧表面(即，四对侧表面)可彼此平滑地连接而没有台阶，以分别设置为共面。

在非限制性示例中，第一介质层140a和第二介质层140b的介电常数可低于第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130的介电常数。在示例中，第一介质层140a和第二介质层140b可具有粘合特性。

作为非限制性示例，包括第一介质材料块110、第二介质材料块120、第三介质材料块130、第一介质层140a和第二介质层140b的介质材料块111可具有长方体形状，并且介质材料块111可具有通路孔，馈电单元11a、11b、12a和12b以及屏蔽过孔13插入到通路孔中。

在示例中，第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可相同。然而，这仅是示例，并且第一介质材料块110的介电常数、第二介质材料块120的介电常数和第三介质材料块130的介电常数可彼此不同。

在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b可设置在第一介质材料块110和第二介质材料块120中，并且第一介质层140a、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在第一介质材料块110中。在示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的沿着第三方向DR3从介质材料块111的底表面测量的第一高度h1可高于第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2。

天线单元100可通过第一馈电单元11a发送和/或接收第一带宽的第一极化RF信号，可通过第二馈电单元11b发送和/或接收第一带宽的第二极化RF信号，可通过第三馈电单元12a发送和/或接收第二带宽的第一极化RF信号，并且可通过第四馈电单元12b发送和/或接收第二带宽的第二极化RF信号。

在示例中，第一带宽的中心频率可低于第二带宽的中心频率，第一极化可以是水平极化，并且第二极化可以是垂直极化。

在示例中，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可与虚拟第二直线L2叠置，第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可与虚拟第四直线L4叠置，虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4是穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且穿过由两个第一边Ea和两个第二边Eb相交而形成的拐角部分的对角线。第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可相对于介质材料块111的底表面的中心部分C对称地设置在四个拐角处。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有大致相同的间隔，第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相当于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

在示例中，在介质材料块111内部产生谐振的馈电单元11a、11b的高度h1以及馈电单元12a和12b的高度h2可大于0.25λ，从而在减小输入电抗的同时引起谐振，0.25λ是通过将操作频率(λ)乘以0.25而获得的值。在非限制性示例中，第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的第一高度h1可以是约0.32λ，并且第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第二高度h2可以是约0.25λ，但不限于此。

第一馈电单元11a和第四馈电单元12b可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称，并且第二馈电单元11b和第三馈电单元12a可被设置为相对于底表面的中心部分C彼此对称。

第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条对角线上彼此间隔开，以与四个拐角(由与第一方向DR1平行的第一边Ea和与第二方向DR2平行的第二边Eb相交而形成)相邻，并且相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，从而可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下进一步加宽第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔。

因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰。此外，在介质材料块111中，由施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号产生的电场的分布长度以及由施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号产生的电场的分布长度可形成为较大，使得可在不增加介质材料块111的尺寸的情况下加宽第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽。

在示例中，天线单元100的介质材料块111的第三介质材料块130的厚度可比第一介质材料块110的厚度和第二介质材料块120的厚度厚，但不限于此。

天线单元100可通过多个连接部1a和1a连接到连接基板200，并且天线单元100的馈电单元11a、11b、11c和11d可通过连接部1a连接到可传输电信号的金属层202和203，金属层202和203不是接地面201。

连接基板200可包括接地面201以及多个金属层202和203。

接地面201可连接到屏蔽过孔13。此外，接地面201可连接到第一去耦图案210和第二去耦图案220。

第一去耦图案210可连接到屏蔽过孔13，并且第一去耦图案210可具有十字形状，以包括：第一部分210a，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a和第二馈电单元11b之间延伸；第二部分210b，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸；第三部分210c，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸；以及第四部分210d，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸。

第二去耦图案220可连接到第一去耦图案210，并且可包括：第一部分220a，围绕第一馈电单元11a；第二部分220b，围绕第二馈电单元11b；第三部分220c，围绕第三馈电单元12a；以及第四部分220d，围绕第四馈电单元12b。

第二去耦图案220可延伸到介质材料块111的外部，但不限于此。

因此，在根据本示例的天线装置200a的天线单元100中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可在介质材料块111中彼此不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条对角线的虚拟第二直线L2和虚拟第四直线L4上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过使用一个介质材料块111来发送/接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200a的增益。

此外，由于根据本示例的天线装置200a可包括连接到接地面201的第一去耦图案210和第二去耦图案220以及形成在介质材料块111中的屏蔽过孔13，因此，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

连接基板200与主电路单元300以及主电路单元300与RF-SIP 400可通过连接部(诸如，但不限于，焊球、引脚、焊盘、垫或SOP(垫上焊料))连接。

根据参照图31至图33描述的示例的天线单元100可包括根据上述示例的介质谐振器天线100a至100t中的一个。

根据上述示例的介质谐振器天线100a至100t的许多特征适用于根据本示例的示例天线装置200a。

接下来，参照图34A至图34E描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置的制造方法。图34A至图34E是示出根据一个或更多个实施例的示例天线装置的示例制造方法的立体图。

参照图34A，制备形成第一介质材料块110的第一介质材料板110a。在第一介质材料板110a的可由虚拟划分线SR划分的多个区域中，形成其中将形成第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的多个第一贯穿孔112a和多个第二贯穿孔112b。此时，可一起形成将形成屏蔽过孔13的贯穿孔。

参照图34B，利用镀覆在形成于第一介质材料板110a的多个区域中的多个第一贯穿孔112a和多个第二贯穿孔112b中填充金属层，以形成多个第三馈电单元12a和多个第四馈电单元12b。

参照图34C，在第一介质材料板110a上堆叠代表第二介质材料块120的第二介质材料板120a。在该示例中，可将具有粘附性的第一介质层140a堆叠在第一介质材料板110a与第二介质材料板120a之间。之后，在第二介质材料板120a、第一介质层140a和第一介质材料板110a中，形成其中将形成第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的多个第三贯穿孔111a和第四贯穿孔111b。

如图34D所示，利用镀覆在形成于多个区域中的多个第三贯穿孔111a和多个第四贯穿孔111b中填充金属层，以形成多个第一馈电单元11a和多个第二馈电单元11b。

如图34E所示，可在第二介质材料板120a上堆叠构成第三介质材料块130的第三介质材料板130a。在该示例中，可将具有粘附性的第二介质层140b堆叠在第二介质材料板120a与第三介质材料板130a之间。之后，可在第一介质材料板110a下方形成多个连接部1和1a。此外，可沿着虚拟划分线SR切割第三介质材料板130a、第二介质层140b、第二介质材料板120a、第一介质层140a和第一介质材料板110a，以形成多个天线，虚拟划分线SR用于将第三介质材料板130a、第二介质层140b、第二介质材料板120a、第一介质层140a和第一介质材料板110a划分为分别包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的多个区域。

因此，可执行如上所述的以下步骤：在介质材料板110a和120a中形成多个过孔11a、11b、12a和12b；以及通过切割介质材料板110a、120a和130a形成多个天线。类似地，第一介质材料块110、第二介质材料块120、第三介质材料块130、第一介质层140a和第二介质层140b可具有相同的平面形状，因此可沿着第三方向DR3彼此叠置。当第一介质材料块110、第二介质材料块120和第三介质材料块130沿着第三方向DR3层叠并接合在一起时，相邻介质材料块的侧面(即，四对侧表面)可无缝地彼此连接而没有台阶，以分别被设置为共面。

接下来，参照图35描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200b。图35是示出根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图35，根据本示例的示例天线装置200b包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，可形成在介质材料块111中；以及第一去耦图案210，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面根据参照图31至图33描述的示例的天线装置200a的第一馈电单元11a和第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b以及屏蔽过孔13的许多特征适用于根据本示例的示例天线装置200b的第一馈电单元11a和第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b以及屏蔽过孔13。

根据一个或更多个实施例的示例天线装置200b可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可被设置为与由介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb相交而形成的四个拐角相邻。

此外，根据本示例的示例天线装置200b可包括具有十字形状的第一去耦图案210，第一去耦图案210可包括：第一部分210a，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸；第二部分210b，连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸；第三部分210c，连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸；以及第四部分210d，连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸。

在根据本示例的示例天线装置200b中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可形成为不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条对角线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200b的增益。

与上面根据参照图31至图33描述的示例的示例天线装置200a不同，根据本示例的示例天线装置200b可不包括第二去耦图案220。在根据本示例的示例天线装置200b中，第一去耦图案210的第一部分210a可在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第一去耦图案210的第二部分210b可在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第一去耦图案210的第三部分210c可在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，并且第一去耦图案210的第四部分210d可在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸。因此，通过连接到接地面201和形成在介质材料块111中的屏蔽过孔13的第一去耦图案210，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于根据本示例的天线装置200b。

参照图36描述根据一个或更多个实施例的天线装置200c。图36是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图36，根据一个或更多个实施例的示例天线装置200c包括：第一馈电单元11a和第二馈电单元11b以及第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在介质材料块111中；以及第一去耦图案210，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面根据参照图31至图33描述的示例的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于根据本示例的天线装置200c的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

根据一个或更多个实施例的示例天线装置200c可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可与介质材料块111的底表面的四个拐角相邻地设置。

此外，根据一个或更多个实施例的示例天线装置200c可包括第一去耦图案210，第一去耦图案210具有十字形状，以包括：第一部分210a，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a和第二馈电单元11b之间延伸；第二部分210b，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸；第三部分210c，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸；以及第四部分210d，从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸，并且根据本示例的天线装置200c的第一去耦图案210的宽度可比根据上述示例的天线装置200b的第一去耦图案210的宽度宽。

在示例天线装置200c中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a并且第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条对角线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200c的增益。

第一去耦图案210的第一部分210a可在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第一去耦图案210的第二部分210b可在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第一去耦图案210的第三部分210c可在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第一去耦图案210的第四部分210d可在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸，并且天线装置200c的第一去耦图案210的宽度可比根据上述示例的天线装置200b的第一去耦图案210的宽度宽。

因此，通过连接到接地面201以及形成在介质材料块111中的屏蔽过孔13的第一去耦图案210，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于根据本示例的示例天线装置200c。

参照图37描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200d。图37是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图37，根据一个或更多个实施例的示例性天线装置200d可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在介质材料块111中；以及第一去耦图案210，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于根据本示例的示例天线装置200d的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200d的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可与介质材料块111的底表面的四个边的中心部分相邻地设置。

此外，示例天线装置200d的第一去耦图案210可具有十字形状，其可包括从连接到屏蔽过孔13的中心部分朝向介质材料块111的底表面的四个拐角延伸的第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸；第三部分210c在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸。

在示例天线装置200d中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C且与底表面的两个边Ea和Eb平行的两条直线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过使用一个介质材料块111来发送/接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200d的增益。

通过包括具有十字形状的第一去耦图案210(包括从连接到屏蔽过孔13的中心部分朝向介质材料块111的底表面的四个拐角延伸的第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸；第三部分210c在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸)，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200d。

参照图38描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200e。图38是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图38，根据一个或更多个实施例的示例性天线装置200e可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，设置在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200e的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200e可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可被设置为与由介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb相交而形成的四个拐角相邻。

此外，示例天线装置200e可包括：第一去耦图案210，具有十字形状，并且包括第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个四边形形式的去耦图案。

在示例天线装置200e中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条对角线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200e的增益。

此外，由于示例天线装置200e可包括形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个四边形形状的第一去耦图案210和第二去耦图案220，因此通过屏蔽过孔13以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200e。

参照图39描述根据另一实施例的示例天线装置200f。图39是根据另一实施例的天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图39，根据一个或更多个实施例的天线装置200f可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b，形成在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200f的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

根据一个或更多个实施例的示例天线装置200f可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可与由介质材料块111的底表面的四个边的中心部分相邻地设置。

此外，示例天线装置200f可包括：第一去耦图案210，具有十字形状，以包括第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个四边形形式的去耦图案。

在示例天线装置200f中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C且与底表面的两个边Ea和Eb平行的两条直线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200f的增益。

此外，由于示例天线装置200f可包括形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个四边形形状的第一去耦图案210和第二去耦图案220，因此通过屏蔽过孔13、第一去耦图案210和第二去耦图案220，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

此外，介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb可形成斜线，而不平行于接地面201的边缘。因此，通过将介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb设置为形成相对于接地面201的边缘的斜线，当设置多个介质材料块111时，相邻介质材料块111之间的相邻部分的面积可被设置为是小的，从而减少通过两个相邻介质材料块111内的谐振频率发送和接收的RF信号之间的干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200f。

接下来，参照图40描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200g。图40是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图40，根据一个或更多个实施例的示例天线装置200g可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b，设置在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200g的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200g可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可与介质材料块111的底表面的四个边的中心部分相邻地设置。

此外，示例天线装置200g可包括：第一去耦图案210，具有交叉的“X”形状，包括从连接到屏蔽过孔13的中心部分朝向介质材料块111的底表面的四个拐角延伸的第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a在第一馈电单元11a和第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个菱形形式的去耦图案。

在示例天线装置200g中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C且可与介质材料块111的底表面的两个边Ea和Eb平行的两条直线上彼此间隔开，以相对于介质材料块111的底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200g的增益。

此外，由于示例天线装置200g可包括可形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b中的每个的四个菱形形状的第一去耦图案210和第二去耦图案220，因此，通过屏蔽过孔13、第一去耦图案210和第二去耦图案220，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200g。

参照图41描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200h。图41是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图41，根据一个或更多个实施例的示例天线装置200h可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，形成在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200h的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200h可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可被设置为与由介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb相交而形成的四个拐角相邻。

此外，示例天线装置200h可包括：第一去耦图案210，可具有十字形状，包括第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d从连接到屏蔽过孔13的中心部分在第三馈电单元12a与第四馈电单元12b之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个圆环形式的去耦图案。

在示例天线装置200h中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可设置在穿过中心部分C的两条对角线上并且可彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现一个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200h的增益。

由于示例天线装置200h可包括围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第一去耦图案210和第二去耦图案220，因此通过连接到接地面201的第一去耦图案210和第二去耦图案220以及形成在介质材料块111中的屏蔽过孔13，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200h。

参照图42描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置200i。图42是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图42，示例天线装置200i可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，形成在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200i的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200i可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，可与介质材料块111的底表面的四个边的中心部分相邻地设置，并且设置在穿过介质材料块111的底表面的中心部分C并且平行于介质材料块111的底表面的四个边的两条直线上。

此外，示例天线装置200i可包括：第一去耦图案210，具有十字形状，以包括从连接到屏蔽过孔13的中心部分朝向介质材料块111的底表面的四个拐角延伸的第一部分210a、第二部分210b以及第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d在第四馈电单元12b与第三馈电单元12a之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b第三馈电单元12am和第四馈电单元12b的四个圆环形状的去耦图案。

在示例天线装置200i中，在介质材料块111中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12bm的高度可不同，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条直线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现单个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200i的增益。

此外，由于示例天线装置200i可包括围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的第一去耦图案210和第二去耦图案220，因此通过连接到接地面201的第一去耦图案210和第二去耦图案220以及形成在介质材料块111中的屏蔽过孔13，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

此外，示例天线装置200i的介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb可形成斜线，而不平行于接地面201的边缘。因此，通过将介质材料块111的底表面的第一边Ea和第二边Eb设置为形成相对于接地面201的边缘的斜线，当设置多个介质材料块111时，相邻介质材料块111之间的相邻部分的面积可被设置为是小的，从而减少通过两个相邻介质材料块111内的谐振频率发送和接收的RF信号之间的干扰。

上述示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置200i。

参照图43描述示例天线装置200j。图43是示例天线装置的一部分的俯视平面图。

参照图43，示例性天线装置200j可包括：第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，形成在介质材料块111中；以及第一去耦图案210和第二去耦图案220，连接到屏蔽过孔13和接地面201。

上面参照图31至图33描述的示例天线装置200a的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13的许多特征适用于示例天线装置200j的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a、第四馈电单元12b和屏蔽过孔13。

示例天线装置200j可包括第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b，第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与介质材料块111的底表面的中心部分C具有相同的间隔，并且可与介质材料块111的底表面的四个边的中心部分相邻地设置。

此外，示例天线装置200j可包括：第一去耦图案210，具有十字形形状，以包括从连接到屏蔽过孔13的中心部分朝向介质材料块111的底表面的四个拐角延伸的第一部分210a、第二部分210b、第三部分210c和第四部分210d，第一部分210a在第一馈电单元11a与第二馈电单元11b之间延伸，第二部分210b在第一馈电单元11a与第三馈电单元12a之间延伸，第三部分210c在第二馈电单元11b与第四馈电单元12b之间延伸，第四部分210d在第四馈电单元12b与第三馈电单元12a之间延伸；以及第二去耦图案220，连接到第一去耦图案210，并且与第一去耦图案210一起形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个圆环形状的去耦图案。

在示例天线装置200j中，第一馈电单元11a的高度和第二馈电单元11b的高度与第三馈电单元12a的高度和第四馈电单元12b的高度可在介质材料块111中形成为不同，并且第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a并且第四馈电单元12b可被设置为在穿过中心部分C的两条虚拟直线上彼此间隔开，以相对于底表面的中心部分C彼此对称，因此可通过实现单个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置200j的增益。

示例天线装置200j可包括形成围绕第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的四个圆环形状的去耦图案的第一去耦图案210和第二去耦图案220。因此，通过连接到接地面201的第一去耦图案210和第二去耦图案220以及形成在介质材料块111上的屏蔽过孔13，可减少通过施加到第一馈电单元11a和第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与通过施加到第三馈电单元12a和第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰，可减少通过施加到第一馈电单元11a的电信号而发送和接收的第一带宽的第一极化RF信号与通过施加到第二馈电单元11b的电信号而发送和接收的第一带宽的第二极化RF信号之间的干扰，并且可减少通过施加到第三馈电单元12a的电信号而发送和接收的第二带宽的第一极化RF信号与通过施加到第四馈电单元12b的电信号而发送和接收的第二带宽的第二极化RF信号之间的干扰。

根据上述实施例的天线100a至100t的许多特征适用于根据本实施例的天线装置200j。

接下来，参照图44描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000a。图44是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图44，示例天线装置1000a可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10a。

与根据上述示例的天线100a、100c和100k类似，多个示例天线10a可包括与介质材料块111的两个边的中心部分相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个示例天线10a的介质材料块111的底表面的边缘可平行于或大体上垂直于布置方向DRa，并且多个天线10a的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着与布置方向DRa垂直的直角方向DRb彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与直角方向DRb平行的直线叠置。

因此，通过将多个示例天线10a的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为沿着直角方向DRb彼此面对，每个天线10a的RF信号的谐振方向可平行于直角方向DRb，从而防止相邻天线10a的RF信号彼此干扰。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000a。

参照图45描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000b。图45是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图45，根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000b可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10b。

与根据上述示例的天线100a、100c和100k类似，多个示例天线10b可包括与介质材料块111的两个边的中心部分相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个天线10a的介质材料块111的底表面的边缘可平行于或大体上垂直于布置方向DRa，并且多个天线10a的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着布置方向DRa彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与布置方向DRa平行的虚拟直线叠置。

因此，通过将多个示例天线10a的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为沿着布置方向DRa彼此面对，每个天线10a的RF信号的谐振方向可平行于布置方向DRa，从而可沿着天线布置方向DRa加强相邻天线10a的RF信号。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000b。

参照图46描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000c。图46是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图46，示例天线装置1000c可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10c。

与根据上述示例的天线100a、100c和100k类似，多个示例天线10c可包括与介质材料块111的两个边的中心部分相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个示例天线10c的介质材料块111的底表面的边缘可形成相对于布置方向DRa的斜线，并且多个示例天线10c的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着相对于布置方向DRa倾斜的方向彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与相对于布置方向DRa倾斜的方向平行的虚拟直线叠置。

因此，多个天线10c的介质材料块111的底表面的边缘可被设置为形成相对于布置方向DRa的斜线，从而减小两个相邻天线10c之间的相邻部分的面积，从而减少两个相邻天线10c之间的干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000c。

参照图47描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000d。图47是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图47，示例天线装置1000d可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10d。

与根据上述示例的天线100a、100c和100k类似，多个天线10d可包括与介质材料块111的两个边的中心部分相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个示例天线10d的介质材料块111的底表面的边缘可形成相对于布置方向DRa的斜线，并且多个天线10c的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着相对于布置方向DRa倾斜的方向彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与相对于布置方向DRa倾斜的方向平行的直线叠置。

因此，通过将多个天线10d的介质材料块111的底表面的边缘设置为形成相对于布置方向DRa的斜线，可减小两个相邻天线10d之间的相邻部分的面积，从而减少两个相邻天线10D之间的干扰。

根据上述示例的天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000d。

参照图48描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000e。图48是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图48，示例天线装置1000e可包括沿着布置方向DRa布置的多个示例天线10e。

与根据上述示例的天线100b、100d、100l和100p类似，多个示例天线10e可包括与介质材料块111的底表面的两个相对拐角相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个天线10e的介质材料块111的底表面的边缘可平行于或大体上垂直于布置方向DRa，并且多个天线10e的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着相对于布置方向DRa倾斜的倾斜方向彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与倾斜方向平行的虚拟直线叠置。

因此，通过将多个天线10e的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为沿着相对于布置方向DRa倾斜的倾斜方向彼此面对，天线10e中的每个的RF信号的谐振方向可平行于相对于布置方向DRa倾斜的对角线方向，从而防止相邻天线10e的RF信号彼此干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000e。

参照图49描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000f。图49是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图49，示例天线装置1000f可包括沿着布置方向DRa布置的多个示例天线10f。

与上述示例天线100b、100d、100l和100p类似，多个天线10f可包括与介质材料块111的底表面的两个相对拐角部分相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12，多个天线10f的介质材料块111的底表面的边缘可平行于或大体上垂直于布置方向DRa，并且第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着相对于布置方向DRa倾斜的倾斜方向彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与倾斜方向平行的直线叠置。

因此，通过将多个天线10f的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为沿着相对于布置方向DRa倾斜的倾斜方向彼此面对，天线10f中的每个的RF信号的谐振方向可平行于相对于布置方向DRa倾斜的倾斜方向，从而防止相邻天线10f的RF信号彼此干扰。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000f。

参照图50描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000g。图50是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图50，示例天线装置1000g可包括沿着布置方向DRa布置的多个示例天线10g。

与示例天线100b、100d、100l和100p类似，多个天线10g可包括与介质材料块111的底表面的两个相对拐角相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个天线10g的介质材料块111的底表面的边缘可相对于布置方向DRa倾斜，并且多个天线10g的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着与布置方向DRa垂直的直角方向DRb彼此面对，并且与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与直角方向DRb平行的虚拟直线叠置。

因此，可将多个天线10g设置为使得多个天线10g的介质材料块111的底表面的边缘相对于布置方向DRa倾斜，从而减小两个相邻天线10g之间的相邻部分的面积，然后减少两个相邻天线10g之间的干扰。

上述示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000g。

参照图51描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000h。图51是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图51，示例天线装置1000h可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10h。

与根据上述示例的天线100b、100d、100l和100p类似，多个示例天线10h可包括可与介质材料块111的底表面的两个相对拐角相邻地设置的第一馈电单元11和第二馈电单元12。

多个天线10h的介质材料块111的底表面的边缘可相对于布置方向DRa倾斜，并且多个天线10h的第一馈电单元11和第二馈电单元12可沿着布置方向DRa彼此面对，并且可与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与布置方向DRa平行的虚拟直线叠置。

因此，多个天线10h的介质材料块111的底表面的边缘可被设置为相对于布置方向DRa倾斜，从而减小两个相邻天线10h之间的相邻部分的面积，进而减少两个相邻天线10h之间的干扰。

此外，通过将多个天线10h的第一馈电单元11和第二馈电单元12设置为沿着布置方向DRa彼此面对，可使天线10h中的每个的RF信号的谐振方向平行于布置方向DRa，从而可沿着天线布置方向DRa加强相邻天线10h的RF信号。

上述天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000h。

参照图52描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000i。图52是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图52，示例天线装置1000i可包括沿着布置方向DRa布置的多个天线10i。

与根据上述示例的天线100f、100h、100m、100n、100o、100q、100r、100s和100t类似，多个示例天线10i可包括与介质材料块111的底表面的四个拐角相邻地设置的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b。

多个示例天线10i的介质材料块111的底表面的边缘可平行于或大体上垂直于布置方向DRa，并且多个天线10i的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b可与穿过介质材料块111的底表面的中心部分的两条虚拟对角线叠置。

此外，多个示例天线10i的接地面201可包括去耦图案210。

可加宽多个示例天线10i的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔，因此可通过实现单个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置1000i的增益。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000i。

参照图53描述根据一个或更多个实施例的示例天线装置1000j。图53是根据一个或更多个实施例的示例天线装置的布局图。

参照图53，示例天线装置1000j可包括沿着布置方向DRa布置的多个示例天线10j。

与根据上述示例的天线100e和100g类似，多个示例天线10j可包括与介质材料块111的四个边的中心部分相邻地设置的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b。

多个天线10j的介质材料块111的底表面的边缘可相对于布置方向DRa倾斜，并且多个天线10j的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12ba可与穿过介质材料块111的底表面的中心部分且与相对于布置方向DRa倾斜的方向平行的虚拟直线叠置。

因此，多个天线10j的介质材料块111的底表面的边缘可被设置为相对于布置方向DRa倾斜，从而减小两个相邻天线10j之间的相邻部分的面积，进而减少两个相邻天线10j之间的干扰。

此外，多个天线10j的接地面201可包括去耦图案210。

可加宽多个天线10j的第一馈电单元11a、第二馈电单元11b、第三馈电单元12a和第四馈电单元12b之间的间隔，因此可通过实现单个介质材料块111来发送和/或接收不同频带的RF信号，可扩展第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽以及第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号的带宽，并且可通过减少第一带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号与第二带宽的第一极化RF信号和第二极化RF信号之间的干扰来增加天线装置1000j的增益。

根据上述示例的示例天线100a至100t的许多特征适用于示例天线装置1000j。

参照图54描述根据一个或更多个实施例的包括示例天线装置的示例电子装置。图54是示出根据一个或更多个实施例的包括示例天线装置的示例电子装置的简化图。

参照图54，根据一个或更多个实施例的示例电子装置2000包括一个或更多个天线装置1000，并且一个或更多个天线装置1000可设置在电子装置2000的组板40中。

作为非限制性示例，电子装置2000可以是智能电话、个人数字助理、数字摄像机、数字静态相机、网络系统、计算机、监视器、平板电脑、膝上型电脑、上网本、电视、视频游戏机、智能手表、汽车部件等，但不限于此。

在示例中，电子装置2000可具有多边形侧面，并且天线装置1000可与电子装置2000的多个侧面的至少一部分相邻地设置。

在组板40中，还可设置有通信模块610和基带电路620。天线装置可通过同轴电缆630连接到通信模块610和/或基带电路620。

作为非限制性示例，通信模块610可包括以下项之中的至少一项以执行数字信号处理：存储器芯片，诸如，易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如，ROM)和闪存；应用处理器芯片，诸如，中央处理器(例如，CPU)、图形处理器(例如，GPU)、数字信号处理器、加密处理器、微处理器、微控制器；逻辑芯片，诸如，模数转换器和专用集成电路(ASIC)。

作为非限制性示例，基带电路620可通过执行模数转换、模拟信号的放大、滤波和频率转换来生成基带信号。从基带电路620输入和输出的基带信号可通过电缆传输到天线设备。

在示例中，基带信号可通过电连接结构、芯过孔和布线被传送到集成电路(IC)。IC可将基带信号转换成毫米波段的RF信号。

在示例中，天线装置1000可包括上述天线装置1000a至1000j中的任意一种。

上述天线装置1000a至1000j的许多特征适用于电子装置2000的天线装置1000。

现在，参照图55至图57和表1描述试验示例。图55至图57是示出试验示例的结果的曲线图。

在本试验示例中，形成图31至图33所示的根据一个或更多个实施例的天线装置200a，第一示例(示例1)(在与天线装置200a不同，没有屏蔽过孔13)、第二示例(示例2)(与天线装置200a相似，形成有位于介质材料块111的中心部分处的一个屏蔽过孔13)以及第三示例(示例3)(形成有设置在介质材料块111的中心部分处的三个屏蔽过孔)中，测量第一带宽的RF信号和第二带宽的RF信号的S参数，并且其结果在作为曲线图的图55至图57示出并且在表1中示出。

图55示出了第一示例(示例1)的结果，并且在图55中，a1表示第一带宽的RF信号的结果，而b1表示第二带宽的RF信号的结果。图56示出了第二示例(示例2)的结果，并且在图56中，a2表示第一带宽的RF信号的结果，而b2表示第二带宽的RF信号的结果。图57示出了第三示例(示例3)的结果，并且在图57中，a3表示第一带宽的RF信号的结果，而b3表示第二带宽的RF信号的结果。

在下面的表1中，对于第一示例(示例1)、第二示例(示例2)和第三示例(示例3)，示出了第一带宽的RF信号和第二带宽的RF信号在低频范围的约28GHz处的差值以及第一带宽的RF信号和第二带宽的RF信号在高频范围的约39GHz处的差值。

表1：

参照图54至图56以及表1，可以看出，与没有屏蔽过孔13的第一示例(示例1)(与天线装置200a不同)相比，在形成有设置在介质材料块111的中心部分上的一个屏蔽过孔13的第二示例(示例2)(与天线装置200a相似)中，隔离特性增加了约两倍或更多倍。还可以看出，与形成有设置在介质材料块111的中心部分上的一个屏蔽过孔13的第二示例(示例2)(与天线装置200a相似)相比，在形成有设置在介质材料块111的中心部分上的三个屏蔽过孔的第三示例(示例3)中，隔离特性的变化不大，并且低频带的隔离特性小。因此，如在根据示例的天线100a至100t中那样，通过形成设置在介质材料块111的中心部分上的一个屏蔽过孔13，可增加天线的隔离特性。

参照图58至图61描述另一试验示例。图58至图61是示出另一试验示例的结果的视图。

在本试验示例中，形成图31至图33所示的根据示例的天线装置200a，并且当发送和接收第一带宽的RF信号和第二带宽的RF信号时，观察介质材料块111的电流，并且其结果在图58至图61中示出。图58和图59示出了第一带宽的结果，并且图60和图61示出了第二带宽的结果。

参照图58至图61，发现，当发送和接收第一带宽的RF信号时，针对整个介质材料块111发生谐振，并且当发送和接收第二带宽的RF信号时，介质材料块111的第一介质材料块110发生的谐振和第三介质材料块130发生的谐振彼此对称。因此，如在根据实施例的天线100a至100t中那样，通过在一个介质材料块111中形成具有不同高度的第一带宽的馈电单元和第二带宽的馈电单元，实现了谐振，使得可发送/接收两个不同带宽的RF信号。

尽管本公开包括具体示例，但在理解本申请的公开内容之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果以不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其他组件或它们的等同物组件代替或补充所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案来限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的所有变型将被解释为包括在本公开中。