显示设备

本申请要求于2022年6月9日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0070293号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用整包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例的各方面涉及一种显示设备。

背景技术

显示设备可视地显示数据。显示设备可以用作诸如移动电话的相对小尺寸产品或者诸如电视机的相对大尺寸产品的显示器。

这种显示设备可以均包括包含显示区域和非显示区域的基底，并且在显示区域中，栅极线和数据线彼此绝缘。多个像素区域可以限定在显示区域中，并且每个像素区域中的像素响应于来自彼此交叉的栅极线和数据线的电信号发射光，以在外部显示图像。薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极布置在每个像素区域中，并且对电极公共地包括在像素区域中。被配置为将电信号传输到显示区域中的像素的各种线、栅极驱动器、数据驱动器和控制器可以连接到的垫(“pad”，又被称为“焊盘”或“焊垫”)等可以布置在非显示区域中。

最近，显示设备已经用于各种领域。此外，随着显示设备的厚度和重量已经减小，显示设备的使用范围已经扩大。最近，随着显示设备的使用多样化，已经进行了各种设计以改善显示设备的质量。

在该背景技术部分中公开的上面的信息仅是为了增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。

发明内容

一个或更多个实施例的各方面包括一种显示设备，其中可以相对减小施加到显示区域的信号的信号延迟的偏差，并且可以防止或减小由信号延迟偏差引起的水平不规则性。

根据本公开的实施例的技术特征不限于上面提到的那些，并且本领域普通技术人员可以从下面的描述中清楚地理解未提到的其它技术目标。

附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将提供描述而明显，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。

根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，在基底上限定了显示区域和在显示区域的外围上的外围区域；导线，布置在外围区域的在第一方向上的一侧并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一绝缘线，布置在导线上并布置在导线之中彼此相邻的第一导线与第二导线之间，并且在第二方向上延伸；以及第二绝缘线，布置在导线上，布置在导线之中彼此相邻的第三导线与第四导线之间，并且在第二方向上延伸。

根据一些实施例，第一导线、第二导线、第三导线和第四导线可以在第一方向上顺序地布置，并且显示设备还可以包括至少一条第三绝缘线，布置在多条导线上，布置在多条导线之中位于第二导线与第三导线之间的导线之间，并且在第二方向上延伸。

根据一些实施例，至少一条第三绝缘线在第二方向上的长度可以小于第一绝缘线在第二方向上的长度和第二绝缘线在第二方向上的长度中的每个。

根据一些实施例，至少一条第三绝缘线在第一方向上的宽度可以大于或基本上等于第一绝缘线在第一方向上的宽度和第二绝缘线在第一方向上的宽度中的每个。

根据一些实施例，在第一绝缘线的沿第二方向延伸的两侧的第一边缘可以布置在第一导线的在第二方向上的第一中心线与第二导线的第二中心线之间，并且在第二绝缘线的两侧的沿第二方向延伸的第二边缘可以布置在第三导线的在第二方向上的第三中心线与第四导线的在第二方向上的第四中心线之间。

根据一些实施例，显示设备还可以包括绝缘图案，布置为与多条导线之中的第二导线和第三导线的至少一部分叠置，并且将第一绝缘线连接到第二绝缘线。

根据一些实施例，绝缘图案可以设置为多个，并且多个绝缘图案可以在第二方向上彼此分开布置。

根据一些实施例，多条导线中的每条可以包括在第二方向上彼此分开布置的多条下导线和在第二方向上延伸并与多条下导线叠置的上导线，并且布置在绝缘图案之间的多条导线中的每条的多条下导线的数目可以是k(其中，k是正整数)，该绝缘图案是多个绝缘图案之中的在第二方向上彼此相邻的绝缘图案。

根据一些实施例，多条导线中的每条可以包括在第二方向上彼此分开布置的多条下导线和在第二方向上延伸并与多条下导线叠置的上导线，并且多条导线中的每条的多条下导线和多个绝缘图案可以在第二方向上交替地布置。

根据一些实施例，第一绝缘线和第二绝缘线可以均设置为多条，多条第一绝缘线可以在第二方向上彼此分开布置，多条第二绝缘线可以在第二方向上彼此分开布置，多条第一绝缘线和多条第二绝缘线可以在第二方向上交替地布置，并且绝缘图案可以包括多个第一绝缘图案和多个第二绝缘图案，多个第一绝缘图案将多条第一绝缘线的相应的第一端连接到多条第二绝缘线的相应的第二端，多个第二绝缘图案将多条第一绝缘线的相应的第三端连接到多条第二绝缘线的相应的第四端，其中，第三端面对第一端，并且第四端面对第二端。

根据一些实施例，多个第一绝缘图案和多个第二绝缘图案可以在第二方向上交替地布置。

根据一些实施例，显示设备还可以包括：晶体管，布置在显示区域中并且包括半导体层和在半导体层上的栅电极；缓冲层，在基底与半导体层之间；以及层间绝缘层，布置在栅电极上，其中，多条导线中的每条可以包括：下导线，布置在基底与缓冲层之间；以及上导线，在层间绝缘层上与下导线叠置并且电连接到下导线。

根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在显示区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素可以包括：发光二极管，包括阳极和阴极；驱动晶体管，被配置为控制流到发光二极管的驱动电流的大小；扫描晶体管，被配置为响应于扫描信号将数据电压传输到驱动晶体管的栅极；以及感测晶体管，被配置为响应于感测信号将感测电压或初始化电压传输到发光二极管的阳极，其中，可以根据通过多条导线中的一些导线传输的扫描时钟信号分别输出扫描信号，并且可以根据通过多条导线中的其它导线传输的感测时钟信号分别输出感测信号。

根据一些实施例，多条导线中的一些导线可以包括第一导线和第二导线，并且多条导线中的其它导线可以包括第三导线和第四导线。

根据一些实施例，显示设备还可以包括：第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，布置在显示区域中并且包括第一颜色发射层；第二颜色量子点层和第三颜色量子点层，分别布置在第二发光二极管和第三发光二极管上；穿透层，布置在第一发光二极管上；以及第一颜色滤色器层、第二颜色滤色器层和第三颜色滤色器层，分别布置在穿透层、第二颜色量子点层和第三颜色量子点层上。

根据一些实施例，一种显示设备包括：基底，在基底上限定有显示区域和在显示区域的外围上的外围区域；多条导线，布置在外围区域的在第一方向上的一侧并且在与第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个绝缘图案，在第二方向上布置在多条导线上并且具有在第一方向上的纵向方向，其中，在平面上，多个绝缘图案与多条导线中的一些导线至少部分地叠置。

根据一些实施例，多条导线中的一些导线中的每条可以包括在第二方向上彼此分开布置的多条下导线和在第二方向上延伸并与多条下导线叠置的上导线，并且布置在绝缘图案之间的多条导线中的一些导线中的每条的多条下导线的数目可以是k(其中，k是正整数)，所述绝缘图案是多个绝缘图案之中的在第二方向上彼此相邻的绝缘图案。

根据一些实施例，多条导线中的一些导线中的每条可以包括在第二方向上彼此分开布置的多条下导线和在第二方向上延伸并与多条下导线叠置的上导线，并且多条导线中的一些导线中的每条的多条下导线和多个绝缘图案可以在第二方向上交替地布置。

根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在显示区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：发光二极管，包括阳极和阴极；驱动晶体管，被配置为控制流到发光二极管的驱动电流的大小；扫描晶体管，被配置为响应于扫描信号将数据电压传输到驱动晶体管的栅极；以及感测晶体管，被配置为响应于感测信号将感测电压或初始化电压传输到发光二极管的阳极，其中，响应于通过多条导线传输的扫描时钟信号和感测时钟信号分别输出扫描信号和感测信号。

根据一些实施例，显示设备还可以包括：第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，布置在显示区域中并且包括第一颜色发射层；第二颜色量子点层和第三颜色量子点层，分别布置在第二发光二极管和第三发光二极管上；穿透层，布置在第一发光二极管上；以及第一颜色滤色器层、第二颜色滤色器层和第三颜色滤色器层，分别布置在穿透层、第二颜色量子点层和第三颜色量子点层上。

根据用于实施公开的以下详细描述、权利要求和附图，除了上述那些之外的其它方面、特征和特性将变得明显。

可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的任何组合来实现一般和具体的各方面。

附图说明

通过以下结合附图的描述，公开的特定实施例的上述和其它方面、特征和特性将更加明显，在附图中：

图1是根据一些实施例的显示设备的示意性框图；

图2是根据一些实施例的像素的等效电路图；

图3是根据一些实施例的时钟布线部分和栅极驱动器的示意性框图；

图4是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图5是分别示出了图4的沿着线I-I'截取的导线和绝缘线以及图1的沿着线II-II'截取的像素的示例剖视图；

图6是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图7是图6的沿着线III-III'截取的导线和绝缘线的剖视图；

图8是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图9是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图10是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图11是图10的沿着线IV-IV'截取的导线、绝缘线和绝缘图案的示例剖视图；

图12是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图13是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图14是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图15是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；

图16是根据一些实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；

图17是根据一些实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；

图18是根据一些实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；

图19是根据一些实施例的显示设备的示意性剖视图；

图20是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图；以及

图21是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。关于此，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的各方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或它们的变型。

由于公开允许各种变化和多种实施例，因此具体实施例将在附图中示出并在书面描述中详细描述。参考用于示出本公开的一些实施例的各方面的附图，以便获得对本公开、其优点以及通过实施本公开实现的目的的充分理解。然而，公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里所阐述的实施例。

在下文中，将通过参照附图解释本公开的一些实施例的各方面来更详细地描述本公开。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略对它们的描述。

将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”和“所述/该”也旨在包括复数形式。

还将理解的是，这里使用的术语“包含”和/或“包括”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区域或居间组件。

为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

当特定实施例可以不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。

在本说明书中，表述“A和/或B”表示A、B或者A和B两者。表述“A和B中的至少一个”表示A、B或者A和B两者。

将理解的是，当层、区域或组件被称为连接到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接和/或间接地连接到另一层、区域或组件。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区域或居间组件。将理解的是，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以电地且直接和/或间接连接到另一层、区域或组件。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区域或居间组件。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

图1是根据一些实施例的显示设备的示意性框图。

参照图1，显示设备1可以包括基底100、栅极驱动器200、时钟布线部分210、印刷电路板(PCB)300、柔性PCB(FPCB)310和数据驱动器320。

基底100可以包括显示区域DA和在显示区域DA的外围上的外围区域PA。显示区域DA是显示图像的区域，并且像素PX可以布置在显示区域DA中，像素PX包括至少一个薄膜晶体管和发光元件。外围区域PA是不显示图像的区域，并且用于将电压、信号等施加到显示区域DA中的像素PX的栅极线GL、数据线DL、栅极驱动器200、时钟布线部分210可以布置在外围区域PA中。

外围区域PA的一侧可以结合到FPCB 310并连接到PCB 300。安装在FPCB 310上的数据驱动器320可以被配置为通过数据线DL将数据信号(或数据电压)传送到显示区域DA中的像素PX。如图1中所示，栅极线GL可以在第一方向(例如，±x方向)上延伸并连接到显示区域DA中的像素PX，并且数据线DL可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸并连接到显示区域DA中的像素PX。

栅极驱动器200可以在外围区域PA的一侧沿第二方向(例如±y方向)布置。栅极驱动器200可以集成在外围区域PA中。栅极驱动器200可以包括用于向栅极线GL顺序地输出栅极信号的多个级ST。每个级ST可以连接到至少一条栅极线GL，并且被配置为将栅极信号传输到像素PX。

时钟布线部分210可以在外围区域PA的一侧沿第二方向(例如，±y方向)布置。时钟布线部分210可以集成在外围区域PA中。时钟布线部分210可以被配置为将时钟信号传输到栅极驱动器200的级ST。例如，如下面参照图3描述的，时钟布线部分210可以包括进位时钟信号线CR、感测时钟信号线SS、扫描时钟信号线SC和全局时钟信号线GB。进位时钟信号线CR可以被配置为将进位时钟信号CLK_CR传输到栅极驱动器200的级ST，感测时钟信号线SS可以被配置为将感测时钟信号CLK_SS传输到栅极驱动器200的级ST，扫描时钟信号线SC可以被配置为将扫描时钟信号CLK_SC传输到栅极驱动器200的级ST，全局时钟信号线GB可以被配置为将全局时钟信号CLK_GB传输到栅极驱动器200的级ST。

布置在FPCB 310的一侧的PCB 300可以包括信号控制器。信号控制器可以生成用于在显示区域DA中显示图像的各种信号，并且可以被配置为将控制信号传输到栅极驱动器200、时钟布线部分210和数据驱动器320以控制栅极驱动器200、时钟布线部分210和数据驱动器320。

图2是根据一些实施例的像素的等效电路图。

参照图2，像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的发光二极管LED。像素电路PC可以连接到被配置为传输扫描信号SCn的扫描线SCL、被配置为传输感测信号SSn的感测线SSL、被配置为传输感测电压VSEN或初始化电压VINT的感测电压线VL、被配置为传输数据电压Dm的数据线DL以及被配置为传输第一驱动电压ELVDD的驱动电源线PL。像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。发光二极管LED可以是有机发光二极管(OLED)。发光二极管LED的阴极可以是第二驱动电压ELVSS施加到的共电极。扫描线SCL对应于图1的栅极线GL中的一些，感测线SSL对应于图1的其它栅极线GL。

第一晶体管M1可以是其中根据栅极-源极电压来确定漏极电流的大小的驱动晶体管，第二晶体管M2和第三晶体管M3均可以是根据栅极-源极电压(基本上，栅极电压)来导通/截止的开关晶体管。第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均可以是薄膜晶体管。第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均可以是n沟道MOSFET(NMOS)。

第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均可以是包括包含氧化物半导体的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管，或者是包括包含多晶硅的半导体层的硅半导体薄膜晶体管。

第一晶体管M1可以被称为驱动晶体管，第二晶体管M2可以被称为扫描晶体管，并且第三晶体管M3可以被称为感测晶体管或初始化晶体管。

存储电容器Cst可以连接在驱动晶体管M1的栅极与发光二极管LED的阳极之间。存储电容器Cst可以包括连接到驱动晶体管M1的栅极的第一电极和连接到发光二极管LED的阳极的第二电极。

驱动晶体管M1可以被配置为根据栅极-源极电压来控制从驱动电源线PL流到发光二极管LED的驱动电流Id的大小。因为驱动电流Id，发光二极管LED可以发射具有特定亮度的光。驱动晶体管M1可以包括连接到存储电容器Cst的第一电极的栅极、连接到驱动电源线PL的漏极以及连接到发光二极管LED的源极。

扫描晶体管M2可以响应于扫描信号SCn将数据线DL连接到驱动晶体管M1。扫描晶体管M2可以被配置为响应于扫描信号SCn将数据电压Dm传输到驱动晶体管M1。例如，扫描晶体管M2可以响应于扫描信号SCn将数据线DL连接到驱动晶体管M1的栅极。扫描晶体管M2可以被配置为响应于扫描信号SCn将数据电压Dm传输到驱动晶体管M1的栅极。

感测晶体管M3可以响应于感测信号SSn将感测电压线VL连接到发光二极管LED的阳极。感测晶体管M3可以被配置为响应于感测信号SSn将感测电压VSEN或初始化电压VINT传输到发光二极管LED的阳极。

图2示出了驱动晶体管M1、扫描晶体管M2和感测晶体管M3各自是NMOS，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，驱动晶体管M1、扫描晶体管M2和感测晶体管M3中的至少一个可以是p沟道MOSFET(PMOS)。

图2示出了像素电路PC包括三个晶体管和一个存储电容器，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，像素电路PC可以包括七个晶体管和一个存储电容器。

图3是根据一些实施例的时钟布线部分和栅极驱动器的示意性框图。

参照图3，时钟布线部分210可以包括多条进位时钟信号线CR、多条感测时钟信号线SS、多条扫描时钟信号线SC和多条全局时钟信号线GB。进位时钟信号线CR、感测时钟信号线SS、扫描时钟信号线SC和全局时钟信号线GB可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸。

感测时钟信号线SS可以布置在进位时钟信号线CR的右侧，扫描时钟信号线SC可以布置在感测时钟信号线SS的右侧，并且全局时钟信号线GB可以布置在扫描时钟信号线SC的右侧。根据一些实施例，进位时钟信号线CR、感测时钟信号线SS、扫描时钟信号线SC和全局时钟信号线GB的位置可以改变。图3示出了时钟布线部分210包括六条进位时钟信号线CR、六条感测时钟信号线SS、六条扫描时钟信号线SC和六条全局时钟信号线GB，但是上述信号线中的每个的数量可以变化。

为了便于说明，图3通过使用具有附图标记1至6的参考字符CR示出了第一进位时钟信号线CR1至第六进位时钟信号线CR6，并且这同样适用于感测时钟信号线SS、扫描时钟信号线SC和全局时钟信号线GB，例如，第一感测时钟信号线SS1至第六感测时钟信号线SS6、第一扫描时钟信号线SC1至第六扫描时钟信号线SC6以及第一全局时钟信号线GB1至第六全局时钟信号线GB6。

第一进位时钟信号线CR1至第六进位时钟信号线CR6可以以规则的间隔布置。第一进位时钟信号线CR1可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的进位时钟信号连接线211。进位时钟信号连接线211可以连接到第一级ST1，并且被配置为将第一进位时钟信号CLK_CR1从第一进位时钟信号线CR1传输到第一级ST1。基于第一进位时钟信号线CR1描述了实施例，但是相同的描述可以适用于第二进位时钟信号线CR2至第六进位时钟信号线CR6。例如，如图3中所示，第二进位时钟信号线CR2可以被配置为通过进位时钟信号连接线211将第二进位时钟信号CLK_CR2传输到第二级ST2。第三进位时钟信号线CR3可以被配置为通过进位时钟信号连接线211将第三进位时钟信号CLK_CR3传输到第三级ST3。第四进位时钟信号线CR4可以被配置为通过进位时钟信号连接线211将第四进位时钟信号CLK_CR4传输到第四级ST4。第五进位时钟信号线CR5可以被配置为通过进位时钟信号连接线211将第五进位时钟信号CLK_CR5传输到第五级ST5。第六进位时钟信号线CR6可以被配置为通过进位时钟信号连接线211将第六进位时钟信号CLK_CR6传输到第六级ST6。

第一感测时钟信号线SS1至第六感测时钟信号线SS6可以以规则的间隔布置。第一感测时钟信号线SS1可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的感测时钟信号连接线212。感测时钟信号连接线212可以连接到第一级ST1，并且被配置为将第一感测时钟信号CLK_SS1从第一感测时钟信号线SS1传输到第一级ST1。基于第一感测时钟信号线SS1描述了实施例，但是相同的描述可以适用于第二感测时钟信号线SS2至第六感测时钟信号线SS6。例如，如图3中所示，第二感测时钟信号线SS2可以被配置为通过第二感测时钟信号线SS2将第二感测时钟信号CLK_SS2传输到第二级ST2。第三感测时钟信号线SS3可以被配置为通过感测时钟信号连接线212将第三感测时钟信号CLK_SS3传输到第三级ST3。第四感测时钟信号线SS4可以被配置为通过感测时钟信号连接线212将第四感测时钟信号CLK_SS4传输到第四级ST4。第五感测时钟信号线SS5可以被配置为通过感测时钟信号连接线212将第五感测时钟信号CLK_SS5传输到第五级ST5。第六感测时钟信号线SS6可以被配置为通过感测时钟信号连接线212将第六感测时钟信号CLK_SS6传输到第六级ST6。

第一扫描时钟信号线SC1至第六扫描时钟信号线SC6可以以规则间隔的布置。第一扫描时钟信号线SC1可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的扫描时钟信号连接线213。扫描时钟信号连接线213可以连接到第一级ST1，并且被配置为将第一扫描时钟信号CLK_SC1从第一扫描时钟信号线SC1传输到第一级ST1。基于第一扫描时钟信号线SC1描述了实施例，但是相同的描述可以适用于第二扫描时钟信号线SC2至第六扫描时钟信号线SC6。例如，如图3中所示，第二扫描时钟信号线SC2可以被配置为通过扫描时钟信号连接线213将第二扫描时钟信号CLK_SC2传输到第二级ST2。第三扫描时钟信号线SC3可以被配置为通过扫描时钟信号连接线213将第三扫描时钟信号CLK_SC3传输到第三级ST3。第四扫描时钟信号线SC4可以被配置为通过扫描时钟信号连接线213将第四扫描时钟信号CLK_SC4传输到第四级ST4。第五扫描时钟信号线SC5可以被配置为通过扫描时钟信号连接线213将第五扫描时钟信号CLK_SC5传输到第五级ST5。第六扫描时钟信号线SC6可以被配置为通过扫描时钟信号连接线213将第六扫描时钟信号CLK_SC6传输到第六级ST6。

第一全局时钟信号线GB1至第六全局时钟信号线GB6可以以规则的间隔布置。第一全局时钟信号线GB1至第六全局时钟信号线GB6可以分别电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的六条全局时钟信号连接线214，并且可以被配置为将第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6传输到第一级ST1。基于第一级ST1描述了实施例，但是相同的描述可以适用于第二级ST2至第六级ST6。

栅极驱动器200的第一级ST1至第六级ST6中的每个可以连接到进位时钟信号线CR、感测时钟信号线SS、扫描时钟信号线SC和六条全局时钟信号线GB1至GB6。也就是说，例如，可以将九个时钟信号施加到一个级。每个级可以响应于九个时钟信号输出扫描信号SCn(见图2)和感测信号SSn(见图2)。例如，第一进位时钟信号CLK_CR1、第一感测时钟信号CLK_SS1、第一扫描时钟信号CLK_SC1以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第一级ST1，并且第一级ST1可以响应于施加到第一级ST1的时钟信号中的至少一个输出第一扫描信号SCn1和第一感测信号SSn1。第一级ST1可以响应于第一扫描时钟信号CLK_SC1输出第一扫描信号SCn1，并且响应于第一感测时钟信号CLK_SS1输出第一感测信号SSn1。第二进位时钟信号CLK_CR2、第二感测时钟信号CLK_SS2、第二扫描时钟信号CLK_SC2以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第二级ST2，并且第二级ST2可以响应于施加到第二级ST2的时钟信号中的至少一个输出第二扫描信号SCn2和第二感测信号SSn2。第二级ST2可以响应于第二扫描时钟信号CLK_SC2输出第二扫描信号SCn2，并且响应于第二感测时钟信号CLK_SS2输出第二感测信号SSn2。第三进位时钟信号CLK_CR3、第三感测时钟信号CLK_SS3、第三扫描时钟信号CLK_SC3以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第三级ST3，并且第三级ST3可以响应于施加到第三级ST3的时钟信号中的至少一个输出第三扫描信号SCn3和第三感测信号SSn3。第三级ST3可以响应于第三扫描时钟信号CLK_SC3输出第三扫描信号SCn3，并且响应于第三感测时钟信号CLK_SS3输出第三感测信号SSn3。第四进位时钟信号CLK_CR4、第四感测时钟信号CLK_SS4、第四扫描时钟信号CLK_SC4以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第四级ST4，并且第四级ST4可以响应于施加到第四级ST4的时钟信号中的至少一个输出第四扫描信号SCn4和第四感测信号SSn4。第四级ST4可以响应于第四扫描时钟信号CLK_SC4输出第四扫描信号SCn4，并且响应于第四感测时钟信号CLK_SS4输出第四感测信号SSn4。第五进位时钟信号CLK_CR5、第五感测时钟信号CLK_SS5、第五扫描时钟信号CLK_SC5以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第五级ST5，并且第五级ST5可以响应于施加到第五级ST5的时钟信号中的至少一个输出第五扫描信号SCn5和第五感测信号SSn5。第五级ST5可以响应于第五扫描时钟信号CLK_SC5输出第五扫描信号SCn5，并且响应于第五感测时钟信号CLK_SS5输出第五感测信号SSn5。第六进位时钟信号CLK_CR6、第六感测时钟信号CLK_SS6、第六扫描时钟信号CLK_SC6以及第一全局时钟信号CLK_GB1至第六全局时钟信号CLK_GB6可以施加到第六级ST6，并且第六级ST6可以响应于施加到第六级ST6的时钟信号中的至少一个输出第六扫描信号SCn6和第六感测信号SSn6。第六级ST6可以响应于第六扫描时钟信号CLK_SC6输出第六扫描信号SCn6，并且响应于第六感测时钟信号CLK_SS6输出第六感测信号SSn6。

图4是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。

参照图4，显示设备1(见图1)可以包括布置在外围区域PA(见图1)的一侧的多条导线CL、第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2。

导线CL可以在第一方向(例如，±x方向)上布置并且在第二方向(例如，±y方向)上延伸。导线CL可以对应于图3的时钟信号线。例如，第一导线CL1和第二导线CL2可以对应于图3的扫描时钟信号线SC，并且第三导线CL3和第四导线CL4可以对应于图3的感测时钟信号线SS。可以响应于通过第一导线CL1和第二导线CL2传输的扫描时钟信号CLK_SC(见图3)分别输出扫描信号SCn(见图2)中的一些，并且可以响应于通过第三导线CL3和第四导线CL4传输的感测时钟信号CLK_SS(见图3)分别输出感测信号SSn(见图2)中的一些。

导线CL中的每条可以包括下导线和电连接到下导线的上导线。下导线可以与上导线叠置。例如，第一导线CL1可以包括第一下导线CL1a和第一上导线CL1b，并且第一下导线CL1a可以通过第一接触孔cnt1连接到第一上导线CL1b。第二导线CL2可以包括第二下导线CL2a和第二上导线CL2b，并且第二下导线CL2a可以通过第二接触孔cnt2连接到第二上导线CL2b。第三导线CL3可以包括第三下导线CL3a和第三上导线CL3b，并且第三下导线CL3a可以通过第三接触孔cnt3连接到第三上导线CL3b。第四导线CL4可以包括第四下导线CL4a和第四上导线CL4b，并且第四下导线CL4a可以通过第四接触孔cnt4连接到第四上导线CL4b。

每条导线CL的下导线可以设置为多条。下导线可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置，并且与上导线叠置。例如，第一导线CL1的第一下导线CL1a可以设置为多条。第一下导线CL1a可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置且与第一上导线CL1b叠置。第二导线CL2的第二下导线CL2a可以设置为多条。第二下导线CL2a可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置且与第二上导线CL2b叠置。第三导线CL3的第三下导线CL3a可以设置为多条。第三下导线CL3a可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置且与第三上导线CL3b叠置。第四导线CL4的第四下导线CL4a可以设置为多条。第四下导线CL4a可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置且与第四上导线CL4b叠置。

第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以分别布置在导线CL中的相邻导线CL之间，并且可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸。例如，第一绝缘线IL1可以布置在导线CL之中彼此相邻的第一导线CL1与第二导线CL2之间，并且第二绝缘线IL2可以布置在导线CL之中彼此相邻的第三导线CL3与第四导线CL4之间。第一绝缘线IL1的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的两侧的第一边缘IL1e可以位于第一导线CL1的在第二方向(例如，±y方向)上的第一中心线cl1与第二导线CL2的在第二方向(例如，±y方向)上的第二中心线cl2之间。第二绝缘线IL2的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的两侧的第二边缘IL2e可以位于第三导线CL3的在第二方向(例如，±y方向)上的第三中心线cl3与第四导线CL4的在第二方向(例如，±y方向)上的第四中心线cl4之间。

第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作支撑在如下面的图16中所示的形成发射层420时使用的第一掩模MASK1的支撑件。第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作支撑在如下面的图17所示的形成对电极430时使用的第二掩模MASK2的支撑件。第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作支撑如下面的图18中所示的用于形成封装层500的第三掩模MASK3的支撑件。

用作支撑件的第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以包括有机材料。当从显示设备1的外部引入的外部空气穿透包括有机材料的第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2时，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2的介电常数会改变。会在与具有改变的介电常数的第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2叠置的导线CL和不与上述第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2叠置的导线CL之间产生信号延迟的偏差，并且会由信号延迟的偏差引起水平不规则性(即，水平线瑕疵，例如，贯穿显示区域DA的亮线或暗线)。因为第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2布置在导线CL之间，所以第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2与导线CL叠置的区域可以减小，因此，可以减小信号延迟的偏差，并且可以防止或减小由偏差引起的水平不规则性。

图5是分别示出了图4的沿着线I-I'截取的导线和绝缘线以及图1的沿着线II-II'截取的像素的示例剖视图。

参照图5，显示设备1(见图1)可以包括布置在外围区域PA中的导线CL(见图4)、第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2以及布置在显示区域DA中的像素PX。

如上面参照图4描述的，每条导线CL可以包括下导线和电连接到下导线的上导线。下导线可以与上导线叠置。例如，第一导线CL1可以包括彼此叠置的第一下导线CL1a和第一上导线CL1b，第二导线CL2可以包括彼此叠置的第二下导线CL2a和第二上导线CL2b，第三导线CL3可以包括彼此叠置的第三下导线CL3a和第三上导线CL3b，并且第四导线CL4可以包括彼此叠置的第四下导线CL4a和第四上导线CL4b。

第一绝缘线IL1可以布置在第一导线CL1与第二导线CL2之间，并且第二绝缘线IL2可以布置在第三导线CL3与第四导线CL4之间。在第一绝缘线IL1的两侧的第一边缘IL1e可以布置在第一导线CL1的第一中心线cl1与第二导线CL2的第二中心线cl2之间，并且在第二绝缘线IL2的两侧的第二边缘IL2e可以位于第三导线CL3的第三中心线cl3与第四导线CL4的第四中心线cl4之间。

第一绝缘线IL1可以包括第一下绝缘线IL1a和第一上绝缘线IL1b，并且第二绝缘线IL2可以包括第二下绝缘线IL2a和第二上绝缘线IL2b。图5示出了第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2均具有多层的结构，但是根据一些实施例，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以均具有单层结构。例如，可以省略第一上绝缘线IL1b和第二上绝缘线IL2b。

像素PX可以包括薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的发光元件400。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act和栅电极GE，并且发光元件400可以包括像素电极410、发射层420和对电极430。

在下文中，参照图5根据堆叠结构详细地描述包括在显示设备1中的构造。

基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。基底100可以具有单层结构或多层结构，并且在多层结构的情况下，基底100还可以包括无机层。在一些实施例中，基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。

缓冲层110可以降低或防止或减少异物、污染物、湿气或外部空气从基底100的底部的渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层110可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机和无机材料的复合物，并且具有包括有机材料和无机材料的单层结构或多层结构。

半导体层Act可以布置在缓冲层110上。半导体层Act可以包括氧化物半导体材料。半导体层Act可以包括例如选自于由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。

例如，半导体层Act可以是InSnZnO(ITZO)半导体层、InGaZnO(IGZO)半导体层等。因为氧化物半导体具有宽的带隙(约3.1eV)、高的载流子迁移率和低的泄漏电流，电压降可以不大而与长时间操作无关，并且因此即使在低频率操作期间，根据电压降的亮度变化也可以不大。

半导体层Act可以包括沟道区以及在沟道区的一侧和另一侧的源区和漏区。半导体层Act可以是单层或多层。

第一下导线CL1a、第二下导线CL2a、第三下导线CL3a、第四下导线CL4a和第一电极E1可以布置在基底100与缓冲层110之间。第一下导线CL1a和第二下导线CL2a可以具有开口(或孔)，基底100的至少一部分通过该开口(或孔)暴露。第一电极E1可以布置为与半导体层Act的沟道区叠置。第一下导线CL1a、第二下导线CL2a、第三下导线CL3a、第四下导线CL4a和第一电极E1可以均包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以均是包括上述材料的单层或多层。例如，第一下导线CL1a、第二下导线CL2a、第三下导线CL3a、第四下导线CL4a和第一电极E1可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第一电极E1可以布置为与包括氧化物半导体材料的半导体层Act叠置。因为包括氧化物半导体材料的半导体层Act易受光的影响，所以第一电极E1可以防止或减少下述情况：因为由于从基底100入射的外部光而在半导体层Act中产生的光电流，所以包括氧化物半导体材料的薄膜晶体管TFT的器件特性改变。

栅极绝缘层113可以布置在半导体层Act上。栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO

如图5中所示，栅极绝缘层113可以被图案化以与半导体层Act的一部分叠置。也就是说，栅极绝缘层113可以被图案化以暴露半导体层Act的源区和漏区。

栅极绝缘层113与半导体层Act叠置的区域可以理解为半导体层Act的沟道区。可以对源区和漏区执行根据等离子体处理的导电工艺，并且在这种情况下，因为沟道区不暴露于等离子体处理，所以半导体层Act的与栅极绝缘层113叠置的部分(即，沟道区)可以具有与源区和漏区的性质不同的性质。也就是说，在对半导体层Act执行等离子体处理的情况下，布置在栅极绝缘层113上的栅电极GE可以用作自对准掩模以在半导体层Act与栅极绝缘层113叠置的位置处形成未对其执行等离子处理的沟道区，并且在沟道区的两侧可以形成对其执行了等离子体处理的源区和漏区。

根据一些实施例，栅极绝缘层113可以不被图案化成与半导体层Act的一部分叠置，并且可以布置在整个基底100上以覆盖半导体层Act。

在栅极绝缘层113上，栅电极GE可以布置为至少部分地与半导体层Act叠置。栅电极GE可以是包括选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或多种的金属的单层或多层。

层间绝缘层115可以布置为覆盖半导体层Act和栅电极GE。层间绝缘层115可以包括SiO

第一上导线CL1b、第二上导线CL2b、第三上导线CL3b、第四上导线CL4b和第二电极E2可以布置在层间绝缘层115上。第一上导线CL1b、第二上导线CL2b、第三上导线CL3b、第四上导线CL4b和第二电极E2可以均包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以是包括上述材料的单层或多层。例如，第一上导线CL1b、第二上导线CL2b、第三上导线CL3b、第四上导线CL4b和第二电极E2可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。

根据一些实施例，第一上导线CL1b可以通过第一接触孔cnt1(见图4)接触第一下导线CL1a，第二上导线CL2b可以通过第二接触孔cnt2(见图4)接触第二下导线CL2a，第三上导线CL3b可以通过第三接触孔cnt3(见图4)接触第三下导线CL3a，并且第四上导线CL4b可以通过第四接触孔cnt4接触第四下导线CL4a(见图4)。第一接触孔cnt1至第四接触孔cnt4可以形成在缓冲层110和层间绝缘层115中。

第二电极E2可以通过形成在层间绝缘层115中的接触孔接触半导体层Act的源区或漏区。

第一上导线CL1b、第二上导线CL2b、第三上导线CL3b、第四上导线CL4b和第二电极E2可以被钝化层117覆盖。钝化层117可以是包括无机材料的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、SiN

第一下绝缘线IL1a、第二下绝缘线IL2a和平坦化层119可以布置在钝化层117上。平坦化层119可以包括被构造为将薄膜晶体管TFT连接到像素电极410的接触孔。

第一下绝缘线IL1a、第二下绝缘线IL2a和平坦化层119可以均是包括有机材料的单层或多层，并且可以提供平坦的上表面。第一下绝缘线IL1a、第二下绝缘线IL2a和平坦化层119可以均包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的任何共混物。

发光元件400可以布置在平坦化层119上，并且发光元件400可以包括像素电极410、发射层420和对电极430。

像素电极410可以是(半)透光电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极410可以包括反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合。透明或半透明电极层可以包括选自于由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

第一上绝缘线IL1b可以布置在第一下绝缘线IL1a上，第二上绝缘线IL2b可以布置在第二下绝缘线IL2a上，并且像素限定层121可以布置在平坦化层119上。像素限定层121可以覆盖像素电极410的边缘并且具有暴露像素电极410的一部分的开口。像素限定层121可以增大像素电极410的边缘与布置在像素电极410上的对电极430之间的距离，因此可以防止或减少在像素电极410的边缘上产生电弧等。

第一上绝缘线IL1b、第二上绝缘线IL2b和像素限定层121可以均包括选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂组成的组中的一种或多种有机绝缘材料，并且可以根据旋涂方法等来形成。

发射层420可以布置在像素电极410和像素限定层121上，并且可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以包括低分子量或高分子量的有机材料，并且可以在有机发射层之上和在有机发射层下面选择性地布置诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层。

对电极430可以是透光电极或反射电极。在一些实施例中，对电极430可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有低逸出功且包括Li、Ca、Al、Ag、Mg和它们的化合物或者诸如LiF/Ca或LiF/Al的具有多层结构的材料的金属薄膜。此外，包括ITO、IZO、ZnO或In

因为包括有机发射层的发光元件400会容易地被外部湿气、氧等损坏，所以封装层500可以覆盖并保护发光元件400。封装层500可以布置在对电极430上，并且延伸到外围区域PA的至少一部分，同时覆盖显示区域DA。封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。第一无机封装层510和第二无机封装层530可以均包括选自于Al

图6是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图6示出了与关于图4描述的实施例相比有所修改的一些实施例的各方面，并且图6中示出的实施例在绝缘线的结构方面与关于图4描述的实施例不同。可以不重复与图4的描述相同的描述，并且主要描述图4和图6之间的差异。

参照图6，第一绝缘线IL1可以与第一导线CL1和第二导线CL2至少部分地叠置。第二绝缘线IL2可以与第三导线CL3和第四导线CL4至少部分地叠置。

例如，第一绝缘线IL1的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的一侧的第一边缘IL1e可以与第一导线CL1叠置，并且第一绝缘线IL1的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的另一侧的第一边缘IL1e可以与第二导线CL2叠置。第二绝缘线IL2的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的一侧的第二边缘IL2e可以与第三导线CL3叠置，并且第二绝缘线IL2的在第二方向(例如，±y方向)上延伸的另一侧的第二边缘IL2e可以与第四导线CL4叠置。

图7是图6的沿着线III-III'截取的导线和绝缘线的剖视图。图7是图5的修改示例，并且在绝缘线的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图5和图7之间的差异。

参照图7，第一绝缘线IL1可以布置在第一导线CL1与第二导线CL2之间，并且第二绝缘线IL2可以布置在第三导线CL3与第四导线CL4之间。在第一绝缘线IL1的两侧的第一边缘IL1e可以在第一导线CL1的第一中心线cl1与第二导线CL2的第二中心线cl2之间，并且在第二绝缘线IL2的两侧的第二边缘IL2e可以在第三导线CL3的第三中心线cl3与第四导线CL4的第四中心线cl4之间。

第一绝缘线IL1可以与第一导线CL1和第二导线CL2至少部分地叠置。第二绝缘线IL2可以与第三导线CL3和第四导线CL4至少部分地叠置。例如，第一绝缘线IL1的两侧的第一边缘IL1e可以分别与第一导线CL1和第二导线CL2叠置。第二绝缘线IL2的两侧的第二边缘IL2e可以分别与第三导线CL3和第四导线CL4叠置。

图8是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图8是图4的修改示例，并且在绝缘线的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图4和图8之间的差异。

参照图8，在第二方向(例如，±y方向)上延伸的至少一条绝缘线可以布置在导线CL之间，该导线CL布置在第二导线CL2与第三导线CL3之间。例如，第五导线CL5和第六导线CL6可以布置在第二导线CL2与第三导线CL3之间。第三绝缘线IL3可以布置在第二导线CL2与第五导线CL5之间，第四绝缘线IL4可以布置在第五导线CL5与第六导线CL6之间，并且第五绝缘线IL5可以布置在第六导线CL6与第三导线CL3之间。第一绝缘线IL1至第五绝缘线IL5可以用作掩模支撑件。

根据一些实施例，第三绝缘线IL3在第一方向(例如，±x方向)上的宽度W3可以大于第一绝缘线IL1在第一方向(例如，±x方向)上的宽度W1。基于第一绝缘线IL1描述了实施例，但是相同的描述可以适用于第二绝缘线IL2。

根据一些实施例，第四绝缘线IL4在第一方向(例如，±x方向)上的宽度W4可以与第一绝缘线IL1在第一方向(例如，±x方向)上的宽度W1基本相同。基于第一绝缘线IL1和第四绝缘线IL4提供了描述，但是相同的描述可以适用于第二绝缘线IL2和第五绝缘线IL5。

根据一些实施例，第三绝缘线IL3在第二方向(例如，±y方向)上的长度可以与第一绝缘线IL1在第二方向(例如，±y方向)上的长度基本相同。基于第一绝缘线IL1和第三绝缘线IL3提供了描述，但是相同的描述可以适用于第二绝缘线IL2、第四绝缘线IL4和第五绝缘线IL5。

图9是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图9是图8的修改示例，并且在绝缘线的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图8和图9之间的差异。

参照图9，第三绝缘线IL3在第二方向(例如，±y方向)上的长度l3可以小于第一绝缘线IL1在第二方向(例如，±y方向)上的长度l1。基于第一绝缘线IL1和第三绝缘线IL3提供了描述，但是相同的描述可以适用于第二绝缘线IL2、第四绝缘线IL4和第五绝缘线IL5。

图10是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图10是图4的修改示例，并且在绝缘线的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图4和图10之间的差异。

参照图10，显示设备1(见图1)可以包括被构造为将第一绝缘线IL1连接到第二绝缘线IL2的绝缘图案IP。绝缘图案IP可以与第二导线CL2和第三导线CL3的至少一些部分叠置。第一绝缘线IL1、第二绝缘线IL2和绝缘图案IP可以用作掩模支撑件。

绝缘图案IP可以设置为多个，并且绝缘图案IP可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置。导线CL的下导线可以布置在绝缘图案IP之中的在第二方向(例如，±y方向)上彼此相邻(或邻近)的绝缘图案IP之间。绝缘图案IP和导线CL中的每条的下导线可以在第二方向(例如，±y方向)上交替地布置。例如，第二导线CL2的第二下导线CL2a和第三导线CL3的第三下导线CL3a可以布置在彼此相邻的绝缘图案IP之间。绝缘图案IP、第二导线CL2的第二下导线CL2a和第三导线CL3的第三下导线CL3a可以在第二方向(例如，±y方向)上交替地布置。

图11是图10的沿着线IV-IV'截取的导线、绝缘线和绝缘图案的示例剖视图。图5和图11中同样的附图标记表示同样的元件，并且省略了其重复描述。

参照图11，绝缘图案IP可以被构造为将第一绝缘线IL1连接到第二绝缘线IL2。例如，绝缘图案IP可以包括被构造为将第一下绝缘线IL1a连接到第二下绝缘线IL2a的第一下绝缘图案IPa和被构造为将第一上绝缘线IL1b连接到第二上绝缘线IL2b的第二下绝缘图案IPb。

绝缘图案IP可以与第二导线CL2和第三导线CL3的至少一些部分叠置。绝缘图案IP可以与布置在第二导线CL2与第三导线CL3之间的导线的至少一些部分叠置。

图12是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图12是图10的修改示例，并且在绝缘线的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图10和图12之间的差异。

参照图12，绝缘图案IP可以设置为多个，并且绝缘图案IP可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置。导线CL中的每条的布置在绝缘图案IP之中的在第二方向(例如，±y方向)上彼此相邻(或相邻)的绝缘图案IP之间的下导线的数目可以是n。第二导线CL2的布置在彼此相邻的绝缘图案IP之间的第二下导线CL2a的数目可以是n。第三导线CL3的布置在彼此相邻的绝缘图案IP之间的第三下导线CL3a的数目可以是n。换言之，n条第二下导线CL2a和n条第三下导线CL3a可以布置在相邻的绝缘图案IP之间。这里，n是等于或大于2的正整数。

例如，五条第二下导线CL2a和五条第三下导线CL3a可以布置在相邻的绝缘图案IP之间。可选地，十条第二下导线CL2a和十条第三下导线CL3a可以布置在相邻的绝缘图案IP之间。

目前已经基于每条导线的下导线描述了彼此相邻的绝缘图案IP之间的距离，但是可以基于栅极驱动器200(见图1)的级ST(见图1)来描述。例如，n个级ST可以布置在相邻的绝缘图案IP之间。

图13是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。图13是图10的修改示例，并且在绝缘线和绝缘图案的结构方面与其不同。在下文中，不再重复与上面提供的描述相同的描述，并且主要描述图10和图13之间的差异。

参照图13，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2均可以设置为多条。第一绝缘线IL1可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置，并且第二绝缘线IL2可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开布置。第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以在第二方向(例如，±y方向)上交替地布置。

绝缘图案IP可以包括多个第一绝缘图案IP1和多个第二绝缘图案IP2。第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2可以在第二方向(例如，±y方向)上交替地布置。第一绝缘图案IP1中的每个可以将每条第一绝缘线IL1的第一端e1连接到每条第二绝缘线IL2的第二端e2。第二绝缘图案IP2中的每个可以将每条第一绝缘线IL1的第三端e3连接到每天第二绝缘线IL2的第四端e4。每条第一绝缘线IL1的第一端e1可以面对其第三端e3，并且每条第二绝缘线IL2的第二端e2可以面对其第四端e4。

图14是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。

参照图14，第一导线CL1'至第六导线CL6'可以布置在外围区域PA(见图1)的在第一方向(例如，±x方向)上的一侧。第一导线CL1'至第六导线CL6'可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸。第一导线CL1'至第六导线CL6'可以对应于上述图3的时钟信号线。例如，第一导线CL1'和第二导线CL2'可以对应于图3的扫描时钟信号线SC，并且第三导线CL3'至第六导线CL6'可以对应于图3的感测时钟信号线SS。

第一导线CL1'至第六导线CL6'中的每条可以包括下导线和电连接到下导线的上导线。下导线可以与上导线叠置。

第一绝缘线IL1'至第四绝缘线IL4'可以布置在外围区域PA的在第一方向(例如，±x方向)上的一侧。第一绝缘线IL1'至第四绝缘线IL4'可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸。第一绝缘线IL1'可以布置在第一导线CL1'与第二导线CL2'之间，并且第二绝缘线IL2'可以布置在第二导线CL2'与第三导线CL3'之间，第三绝缘线IL3'可以布置在第三导线CL3'与第四导线CL4'之间，并且第四绝缘线IL4'可以布置在第四导线CL4'与第五导线CL5'之间。

绝缘图案IP'可以在外围区域PA的在第二方向(例如，±y方向)上的一侧彼此分开布置。绝缘图案IP'可以被构造为将第一绝缘线IL1'至第四绝缘线IL4'彼此连接。绝缘图案IP'可以与第二导线CL2'至第六导线CL6'的至少一些部分叠置。

图14示出了第二导线CL2'的布置在相邻的绝缘图案IP'之间的下导线的数目是1，但是根据一些实施例，如上面参照图12所述的，第二导线CL2'的布置在相邻绝缘图案IP'之间的下导线的数目可以等于2或大于2。基于第二导线CL2'提供了描述，但是相同的描述可以适用于其它导线。

图15是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。

参照图15，第一导线CL1”至第六导线CL6”可以布置在外围区域PA(见图1)的在第一方向(例如，±x方向)上的一侧。第一导线CL1”至第六导线CL6”可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸。第一导线CL1”至第六导线CL6”可以对应于上述图3的时钟信号线。例如，第一导线CL1”和第二导线CL2”可以对应于图3的扫描时钟信号线SC，并且第三导线CL3”至第六导线CL6”可以对应于图3的感测时钟信号线SS。

第一导线CL1”至第六导线CL6”中的每条可以包括下导线和电连接到下导线的上导线。下导线可以与上导线叠置。

纵向方向为第一方向(例如，±x方向)的绝缘图案IP”可以在外围区域PA的在第二方向(例如，±y方向)上的一侧彼此分开地布置。绝缘图案IP”可以与一些导线CL”的至少一些部分叠置。例如，绝缘图案IP”可以与第二导线CL2”至第五导线CL5”的至少一些部分叠置。绝缘图案IP”可以用作掩模支撑件。

图15示出了第二导线CL2”的布置在相邻绝缘图案IP”之间的下导线的数目为1，但是根据一些实施例，如上面参照图12所述的，第二导线CL2”的布置在相邻绝缘图案IP”之间的下导线的数目可以等于2或大于2。基于第二导线CL2”提供了描述，但是相同的描述可以适用于其它导线。

图16至图18是根据一些实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图16至图18中同样的附图标记表示同样的元件，并且省略其重复描述。

首先，参照图16，顺序地形成基底100、第一绝缘线IL1、第二绝缘线IL2和像素限定层121，然后可以形成发射层420。可以通过使用第一掩模MASK1形成发射层420以覆盖显示区域DA。第一掩模MASK1可以是开口掩模。

在这种情况下，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作用于支撑第一掩模MASK1的支撑件。第一掩模MASK1可以具有第一突起M1g，并且第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以直接接触第一掩模MASK1的第一突起M1g。

参照图17，可以形成发射层420，然后可以形成对电极430。可以通过使用第二掩模MASK2形成对电极430以覆盖显示区域DA。第二掩模MASK2可以是开口掩模。

在这种情况下，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作用于支撑第二掩模MASK2的支撑件。第二掩模MASK2可以具有第二突起M2g，并且第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以直接接触第二掩模MASK2的第二突起M2g。

参照图18，可以形成对电极430，然后可以形成封装层500。可以通过使用第三掩模MASK3形成封装层500以覆盖显示区域DA。第三掩模MASK3可以是开口掩模。

在这种情况下，第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以用作用于支撑第三掩模MASK3的支撑件。第三掩模MASK3可以具有第三突起M3g，并且第一绝缘线IL1和第二绝缘线IL2可以直接接触第三掩模MASK3的第三突起M3g。

图19是根据一些实施例的显示设备的示意性剖视图。

参照图19，显示设备1可以包括显示单元DU和面对显示单元DU的滤色器单元CU。显示单元DU可以包括布置在基底100上的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以是在基底100上发射不同的颜色的像素。例如，第一像素PX1可以发射蓝光Lb，第二像素PX2可以发射绿光Lg，并且第三像素PX3可以发射红光Lr。

第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括包含有机发光二极管(OLED)的第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。根据一些实施例，第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403可以发射蓝光Lb。根据一些实施例，第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403可以分别发射蓝光Lb、绿光Lg和红光Lr。

滤色器单元CU可以包括第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630。从第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403发射的光可以穿过第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630，因此可以发射为蓝光Lb、绿光Lg和红光Lr。

第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630可以布置在上基底600的正上方。第一滤光器单元610可以包括下面描述的图21的穿透层619和第一颜色滤色器层611，第二滤光器单元620可以包括下面描述的图21的第二颜色量子点层629和第二颜色滤色器层621，并且第三滤光器单元630可以包括下面描述的图21的第三颜色量子点层639和第三颜色滤色器层631。

在这种情况下，组件在上基底600正上方的描述可以指示第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630直接形成在上基底600上以形成滤色器单元CU。然后，第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630可以分别面对第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3，从而使显示单元DU连接(或粘合)到滤色器单元CU。在这种情况下，包括在显示设备1中的基底的数目可以是2。

图19示出了显示单元DU通过粘合层ADH连接到滤色器单元CU。粘合层ADH可以是例如光学透明粘合剂(OCA)，但是一个或更多个实施例不限于此。可以省略粘合层ADH。根据一些实施例，粘合层ADH可以是填充材料700(见图21)并且可以缓冲外部压力等。填充材料700可以包括有机材料(诸如甲基硅酮、苯基硅酮或聚酰亚胺)。

图19示出了第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630布置在上基底600上，但是根据一些实施例，第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630可以布置在显示单元DU上。例如，封装层可以布置在第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403上，并且第一滤光器单元610、第二滤光器单元620和第三滤光器单元630可以布置在封装层上。穿透层619、第二颜色量子点层629、第三颜色量子点层639、第一颜色滤色器层611、第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631可以布置在封装层上。首先，可以在封装层上分别布置穿透层619、第二颜色量子点层629和第三颜色量子点层639，然后可以分别布置第一颜色滤色器层611、第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631。在这种情况下，可以省略上基底600，并且包括在显示设备1中的基底的数目可以是1。

图20是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性放大图。参照图20，放大了穿透层619、第二颜色量子点层629和第三颜色量子点层639。

参照图20，穿透层619可以穿透蓝色入射光Lib，使得蓝光Lb可以朝向上基底600(见图19)发射。穿透层619可以包括其上分散有第一散射颗粒619b的第一光敏聚合物619c。

第一光敏聚合物619c可以包括透光的有机材料，例如硅树脂、环氧树脂等。第一散射颗粒619b可以散射和发射蓝色入射光Lib，并且包括TiO

第二颜色量子点层629可以将蓝色入射光Lib转换为绿光Lg。第二颜色量子点层629可以包括第一量子点629a和其上分散有第二散射颗粒629b的第二光敏聚合物629c。

第一量子点629a可以被蓝色入射光Lib激发，并且各向同性地发射具有比蓝光Lb大的波长的绿光Lg。第二光敏聚合物629c可以包括透光有机材料并且可以是与第一光敏聚合物619c的材料相同的材料。第二散射颗粒629b可以通过散射尚未被吸收到第一量子点629a中的蓝色入射光Lib来增加第二颜色量子点层629的颜色转换率，以使更多的第一量子点629a被激发。第二散射颗粒629b可以包括与第一散射颗粒619b的材料相同的材料。

第三颜色量子点层639可以将蓝色入射光Lib转换为红光Lr。第三颜色量子点层639可以包括第二量子点639a和第三散射颗粒639b散布在其上的第三光敏聚合物639c。

第二量子点639a可以被蓝色入射光Lib激发，并且各向同性地发射具有比蓝光Lb大的波长的红光Lr。第三光敏聚合物639c可以是透光有机材料，并且可以是与第一光敏聚合物619c的材料相同的材料。第三散射颗粒639b可以通过散射尚未被吸收到第二量子点639a中的蓝色入射光Lib来增加第三颜色量子点层639的颜色转换率，以使更多的第二量子点639a被激发。第三散射颗粒639b可以是与第一散射颗粒619b的材料相同的材料。

如上面描述的，第二颜色量子点层629和第三颜色量子点层639可以均包括量子点材料。量子点的核可以是选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物之中和它们的组合。

II-VI族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组，所述三元化合物选自于由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组，所述四元化合物选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组。

III-V族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组；所述三元化合物选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组；所述四元化合物选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组。

IV-VI族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，所述二元化合物选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组，所述三元化合物选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组，所述四元化合物选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于SiC、SiGe和它们的混合物组成的组的二元化合物。

在这种情况下，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者以部分不同的浓度存在于相同的颗粒中。此外，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核与壳的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度向中心降低的浓度梯度。

在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，实施核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作通过防止或减少核的化学改变来维持半导体特性的保护层并且/或者可以用于向量子点提供电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度向中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。

例如，金属或非金属氧化物的示例可以包括二元化合物或三元化合物，所述二元化合物包括SiO

此外，半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是一个或更多个实施例不限于此。

量子点可以具有小于或等于约45nm，优选地小于或等于约40nm，并且更优选地小于或等于约30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在上述范围内可以改善色纯度和颜色再现性。此外，因为从量子点发射的光可以在所有方向上被释放，因此，可以改善光的视角。

此外，量子点的形状不具体限于本领域中通常使用的形状，并且更详细地，量子点的形状可以是圆形、金字塔形、多臂形、立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、板状纳米颗粒等。

量子点可以根据颗粒尺寸调整发射光的颜色，因此，量子点可以具有各种发射颜色(诸如蓝色、红色和绿色)。

图21是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。

参照图21，显示设备1(见图19)可以包括显示单元DU和滤色器单元CU。填充材料700可以布置在显示单元DU与滤色器单元CU之间。

显示单元DU可以包括基底100和布置在基底100上的第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403可以均包括第一颜色发射层。

滤色器单元CU可以包括上基底600、第一颜色滤色器层611、第二颜色滤色器层621、第三颜色滤色器层631、低折射率层603、第一覆盖层607、绝缘层609、穿透层619、第二颜色量子点层629、第三颜色量子点层639和第二覆盖层613。

在下文中，为了便于解释，以堆叠顺序(例如，在-z方向上)顺序地描述上基底600上的组件。

上基底600可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。当上基底600包括柔性或可弯曲材料时，上基底600可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素)。上基底600可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构，并且当上基底600具有多层结构时，上基底600还可以包括无机层。在一些实施例中，上基底600可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。

第一颜色滤色器层611可以布置在上基底600上以对应于第一发光二极管401，第二颜色滤色器层621可以布置在上基底600上以对应于第二发光二极管402，第三颜色滤色器层631可以布置在上基底600上以对应于第三发光二极管403。换句话说，当在垂直于上基底600的方向(±z方向)上观看时，第一颜色滤色器层611可以与第一发光二极管401叠置，第二颜色滤色器层621可以与第二发光二极管402叠置，并且第三颜色滤色器层631可以与第三发光二极管403叠置。

第一颜色滤色器层611可以仅使波长在约450nm至约495nm范围内的光通过，第二颜色滤色器层621可以仅使波长在约495nm至约570nm范围内的光通过，并且第三颜色滤色器层631可以仅使波长在约630nm至约780nm范围内的光通过。第一颜色滤色器层611、第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631可以减少显示设备1中的外部光反射。

例如，当外部光到达第一颜色滤色器层611时，上述预设范围内的波长的光可以仅通过第一颜色滤色器层611，并且其它波长的光可以被吸收到第一颜色滤色器层611中。因此，在入射到显示设备1的外部光之中的上述预设范围内的光仅通过第一颜色滤色器层611，并且光的一部分从布置在第一颜色滤色器层611下面的导电层(例如，对电极或像素电极)反射并释放到外部。最后，因为外部光的入射到第一发光二极管401的位置的一部分被反射到外部，所以可以减少外部光反射。上面的描述也可以适用于第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631。

根据一些实施例，如图21中所示，当在垂直于上基底600的方向(±z方向)上观看时，第一颜色滤色器层611和第二颜色滤色器层621可以至少部分地彼此叠置，并且第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631可以至少部分地彼此叠置。

第3-1颜色滤色器图案631pa和第2-1颜色滤色器图案621pa可以顺序地布置在第一颜色滤色器层611的一侧。第3-2颜色滤色器图案631pb可以布置在第一颜色滤色器层611的与第二颜色滤色器层621至少部分地叠置的另一侧。第3-2颜色滤色器图案631pb可以布置在第一颜色滤色器层611与第二颜色滤色器层621之间。第2-1颜色滤色器图案621pa可以具有与第二颜色滤色器层621的功能相同的功能，并且第3-1颜色滤色器图案631pa和第3-2颜色滤色器图案631pb可以具有与第三颜色滤色器层631的功能相同的功能。在这种情况下，在±z方向上彼此叠置的第一颜色滤色器层611的一侧、第3-1颜色滤色器图案631pa和第2-1颜色滤色器图案621pa可以具有与包括炭黑等的黑矩阵的功能相同的功能。在±z方向上彼此叠置的第一颜色滤色器层611的另一侧、第3-2颜色滤色器图案631pb和第二颜色滤色器层621的一侧可以具有与黑矩阵的功能相同的功能。

第1-1颜色滤色器图案611pa可以布置在上基底600与第三颜色滤色器层631的同第二颜色滤色器层621至少部分叠置的一侧之间。第1-2颜色滤色器图案611pb可以布置在第三颜色滤色器层631的另一侧与上基底600之间，并且第2-2颜色滤色器图案621pb可以布置在第三颜色滤色器层631的另一侧。第1-1颜色滤色器图案611pa和第1-2颜色滤色器图案611pb可以具有与第一颜色滤色器层611的功能相同的功能，并且第2-2颜色滤色器图案621pb可以具有与第二颜色滤色器层621的功能相同的功能。在这种情况下，在±z方向上彼此叠置的第1-1颜色滤色器图案611pa、第三颜色滤色器层631的一侧和第二颜色滤色器层621的另一侧可以具有与黑矩阵的功能相同的功能。在±z方向上彼此叠置的第1-2颜色滤色器图案611pb、第三颜色滤色器层631的另一侧和第2-2颜色滤色器图案621pb可以具有与黑矩阵的功能相同的功能。

低折射率层603可以布置在第一颜色滤色器层611、第二颜色滤色器层621和第三颜色滤色器层631上，以对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。第一覆盖层607可以布置在低折射率层603上。

低折射率层603的折射率可以小于第一覆盖层607的折射率。当第一覆盖层607包括无机材料(诸如SiO

第一覆盖层607可以一体地形成以对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。第一覆盖层607可以包括无机材料(诸如SiO

穿透层619可以布置在第一覆盖层607上以对应于第一发光二极管401，第二颜色量子点层629可以布置在第一覆盖层607上以对应于第二发光二极管402，第三颜色量子点层639可以布置在第一覆盖层607上以对应于第三发光二极管403。为此，绝缘层609可以布置在第一覆盖层607上，绝缘层609具有分别对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403的开口。绝缘层609中的开口分别对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403的描述可以表示，当在垂直于基底100的方向(±z方向)观看时，开口可以分别与第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403叠置。

绝缘层609可以包括各种材料，例如，无机材料(诸如SiO

如上面参照图20所描述的，穿透层619可以包括其上分散有第一散射颗粒619b的第一光敏聚合物619c，第二颜色量子点层629可以包括第一量子点629a和其上分散有第二散射颗粒629b的第二光敏聚合物629c，并且第三颜色量子点层639可以包括第二量子点639a和其上分散有第三散射颗粒639b的第三光敏聚合物639c。

第二覆盖层613可以布置在穿透层619、第二颜色量子点层629和第三颜色量子点层639上。第二覆盖层613可以一体地形成以对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。第二覆盖层613可以包括无机材料(诸如SiO

为了便于解释，以堆叠顺序(例如，在-z方向上)顺序地描述上基底600上的组件，但是当基于基底100(例如，在+z方向上)提供描述时，可以以相反的方式表示形成滤色器单元CU的层的堆叠顺序。例如，第一覆盖层607可以被描述为布置在穿透层619、第二颜色量子点层629和第三颜色量子点层639上，以对应于第一发光二极管401、第二发光二极管402和第三发光二极管403。低折射率层603可以被描述为布置在第一覆盖层607上。第一颜色滤色器层611可以布置在低折射率层603上以对应于第一发光二极管401，第二颜色滤色器层621可以布置在低折射率层603上以对应于第二发光二极管402，并且第三颜色滤色器层631可以布置在低折射率层603上以对应于第三发光二极管403。

根据一个或更多个实施例，可以改善施加到显示区域的信号的延迟的偏差。因此，可以防止或减少显示设备中的缺陷。然而，公开的范围不受效果限制。

应该理解的是，这里描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述一般应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。