半导体结构及其制作方法

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其广泛应用于各种电子产品中。存储器按照是否可以直接被中央处理器读取，可以分为内存和外存，内存又可以分为动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)、静态随机存储器SRAM(StaticRandom Access Memory)等。

存储器中通常包括：存储电容器以及与存储电容器相连的存储晶体管，存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，栅极用于控制源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，至少有利于提高半导体结构的导电能力。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于所述有源区之间的隔离结构；字线沟槽，所述字线沟槽沿第一方向贯穿所述有源区及所述隔离结构；字线，所述字线位于所述字线沟槽内；在第二方向截面上，所述有源区与所述隔离结构具有第一高度差，所述第二方向平行于所述衬底且垂直于所述第一方向。

另外，所述有源区包括凸出部，所述凸出部的侧面与所述字线相接触，在沿所述第二方向上，与所述凸出部相接触的所述字线的宽度小于与所述隔离结构相接触的所述字线的宽度。

另外，还包括：位于所述字线顶面的保护层，且所述保护层的侧面与所述有源区的侧面以及所述隔离结构的侧面相接触；在垂直于所述衬底表面方向上，所述凸出部的长度大于所述字线的长度。

另外，所述有源区包括凹陷部，所述凹陷部的侧面与所述字线相接触，在沿所述第一方向上，与所述凹陷部相接触的所述字线的宽度大于与所述隔离结构相接触的所述字线的宽度。

另外，还包括：位于所述字线顶面的保护层，且所述保护层的侧面与所述有源区的侧面以及所述隔离结构的侧面相接触；在垂直于所述衬底表面方向上，所述凹陷部的长度大于所述字线的长度。

另外，与所述有源区的侧面相接触的所述字线的侧面在所述衬底表面的正投影的形状为阶梯形。

另外，所述阶梯形为对称图形，且所述阶梯形相较于垂直于所述第二方向的平面对称。

另外，在垂直于所述第一方向上，所述阶梯形的高度值，与平行于所述第一方向上，相邻所述隔离结构之间的所述有源区的宽度值的比值为1/2～1。

另外，所述字线露出的所述隔离结构顶面低于所述字线露出的所述有源区顶面；还包括：位于所述字线顶面的保护层，且所述保护层还位于所述字线露出的所述隔离结构顶面。

根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括多个相互分立的有源区以及隔离相邻所述有源区的隔离结构，所述有源区沿第一方向延伸；图形化所述有源区以及所述隔离结构，形成字线沟槽，所述字线沟槽沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向不同，所述字线沟槽侧壁露出剩余的所述有源区以及剩余的所述隔离结构；对所述字线沟槽侧壁露出的所述有源区以及所述隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使在所述第二方向上，所述字线沟槽侧壁露出的所述有源区与所述隔离结构具有第一高度差；在进行所述圆滑化处理之后，形成填充所述字线沟槽的字线。

另外，所述圆滑化处理包括：刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构，以使所述隔离结构在所述第一方向上露出所述有源区；对露出的所述有源区进行刻蚀处理，且所述刻蚀处理对露出的所述有源区的拐角区域的刻蚀速率大于对所述拐角区域以外的区域的刻蚀速率。

另外，所述刻蚀处理使所述有源区在平行于所述第二方向上的厚度的减小1nm～3nm。

另外，在刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构的工艺步骤中，还对所述隔离结构顶面进行刻蚀，剩余所述隔离结构顶面与相邻的所述有源区围成凹陷区；形成所述字线后还包括：形成保护层，所述保护层位于所述字线表面且填充满所述字线沟槽，且所述保护层还填充满所述凹陷区。

另外，采用湿法刻蚀工艺刻蚀露出的所述有源区，且所述湿法刻蚀工艺的工艺参数包括采用物质的量浓度为20％～50％的硝酸溶液刻蚀所述有源区，且刻蚀时长为10s～30s。

另外，所述圆滑化处理的次数为2～10次。

本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：本申请实施例提供的半导体结构，包括沿第一方向贯穿有源区和隔离结构的字线沟槽，且有源区与隔离结构在第二方向上具有第一高度差，第二方向平行于衬底且垂直于第一方向，及填充字线沟槽的字线。通过提供一种在第二方向上字线沟槽内的有源区与隔离结构具有第一高度差的半导体结构，增加了有源区与字线的接触面积，从而增加电流流通面积，从而提高字线控制有源区内沟道的开启速度，改善半导体结构的工作效率。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本申请一实施例提供的一种半导体结构；

图2为本申请一实施例提供的一种半导体结构的局部放大示意图；

图3为本申请一实施例提供的另一种半导体结构的局部放大示意图；

图4为本申请一实施例提供的一种半导体结构的剖面示意图；

图5为本申请另一实施例提供的一种半导体结构；

图6为本申请另一实施例提供的一种半导体结构的局部放大示意图；

图7至图15为本申请一实施例提供的一种半导体结构的制作方法各步骤对应的结构示意图；

图16至图22为本申请另一实施例提供的一种半导体结构的制作方法各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

本申请实施提供一种半导体结构及其制作方法，提供一种在垂直于字线延伸方向上，与字线接触的有源区与隔离结构具有第一高度差的半导体结构，从而增加字线与有源区的接触面积，进而提高字线控制有源区内沟道区导通的能力。

下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

图1为本申请提供一种半导体结构示意图，图2为沿图1圆形虚线圈内的一种局部放大图，图3为沿图1圆形虚线圈内的另一种局部放大图，图4为图1沿X方向虚线的剖面示意图。

参考图1至图4，半导体结构包括：衬底10，衬底10包括相互间隔排布的有源区100以及位于有源区100之间的隔离结构110；字线沟槽120，字线沟槽120沿第一方向X贯穿有源区100及隔离结构110；字线130，字线130位于字线沟槽120内；在第二方向Y截面上，有源区100与隔离结构110具有第一高度差，第二方向Y平行于衬底10且垂直于第一方向X。

通过提供一种半导体结构，包括：沿第一方向X贯穿有源区100及隔离结构110的字线沟槽120，且在平行第二方向Y上与字线130接触的有源区100与隔离结构110具有第一高度差以及填充字线沟槽120的字线130，从而增加有源区100与字线130接触面积，进而提高字线130控制有源区100内沟道区导通的能力。

在一些实施例中，有源区100的材料可以是硅材料、锗材料或者砷化镓材料等化合物，可以理解的是，有源区100的材料可以根据需求选择对应的材料。有源区100朝向字线130 的区域内具有沟道区(channel)，半导体结构为NMOS管(Negative channel MetalOxide Semiconductor)，则沟道区内掺杂有N型离子，半导体结构为PMOS管(Positivechannel Metal Oxide Semiconductor)，则沟道区内掺杂有P型离子。

隔离结构110的材料可以是氧化硅材料、氮化硅材料或者氮氧化硅材料，可以理解的是，隔离结构110的材料可以根据需求选择对应的材料。

在一些实施例中，有源区100包括凸出部140，凸出部140的侧面与字线130相接触，在沿第二方向Y上，与凸出部140相接触的字线130的宽度小于与隔离结构110相接触的字线130的宽度。具有凸出部140的有源区100与字线130相接触，从而提高有源区100与字线130的接触面积，进而提高字线130控制有源区100内沟道区导通的能力。

凸出部140朝向字线130延伸，有源区100与字线130侧壁接触的界面即是凸出部140 与字线130接触的界面，可以理解的是，凸出部140顶点到凸出部140底边的距离即是第一高度差的值，且第一高度差越大，凸出部140的面积越大，与字线130的接触面积越大。

在一些实施例中，与有源区100的侧面相接触的字线130的侧面在衬底10表面的正投影的形状为阶梯形，通过控制阶梯的数量及阶梯的高度从而控制第一高度差大小。在一些实施例中，与有源区100的侧面相接触的字线130的侧面在衬底10表面的正投影还可以为圆弧状，也就是说，凸出部140在衬底10表面的正投影为圆弧状，圆弧状的凸出部140可以降低凸出部140出现尖端放电的可能性，进而减少半导体结构功能异常情况的出现。

在一些实施例中，字线130可以为包括半导体导电层以及金属层的叠层结构，半导体导电层的材料可以为多晶硅，金属层的材料可以为钨。在另一些实施例中，字线130也为仅包括半导体导电层或者金属层的单层结构。

半导体结构还可以包括：位于字线130顶面的保护层150，且保护层150的侧面与有源区100的侧面以及隔离结构110的侧面相接触；在垂直于衬底10表面方向上，凸出部140的长度大于字线130的长度。

可以理解的是，在垂直于衬底10表面方向上，凸出部140与字线130侧壁接触，凸出部 140还与至少部分厚度的保护层150的侧壁接触，保护层150用于保护字线130，从而保护半导体结构正常工作。

在一实施例中，在垂直于衬底10表面的方向上，凸出部140的长度与字线130及保护层 150长度的总和相等，即，凸出部140与字线130侧壁相接触，且凸出部140还与整个保护层150的侧壁相接触。相应的，与有源区100的侧面相接触的保护层150的侧壁在衬底10表面的正投影也可以为阶梯型。

在另一些实施例中，凸出部140可以仅与字线130的侧壁相接触，即在垂直于衬底10表面的方向上，凸出部140的长度小于或者等于字线130的长度，与保护层150相接触的有源区100与隔离结构110在衬底10表面的正投影为直线。更具体的，在垂直于衬底10表面的方向上，若凸出部140的长度小于字线130的长度，则部分厚度的字线130与凸出部140接触，剩余部分厚度的字线130与有源区100及隔离结构110的接触面在衬底10表面的正投影为直线。

在一些实施例中，保护层150的材料可以是氧化硅材料或者氮化硅材料等。

需要说明的是，由于在垂直于衬底10表面的方向上，与有源区100的侧面相接触的保护层150的侧面的每一阶梯的长宽较小，在图1中呈现有源区100与保护层150接触面呈类弧形。

在一些实施例中，阶梯形可以为对称图形，且阶梯形相较于垂直于第二方向Y的平面对称。在一些实施例中，在垂直于第一方向X上，阶梯形的高度值，与平行于第一方向X上，相邻隔离结构110之间的有源区100的宽度值的比值为1/2～1，当阶梯形的高度值与相邻隔离结构110之间的有源区100的宽度值的比值小于1/2时，增加有源区100与字线130的接触面积较小，改善效果不佳。

在一些实施例中，字线130露出的隔离结构110顶面还可以低于字线130露出的有源区 100顶面。则保护层150除位于字线130顶面外，保护层150还可以位于字线130露出的隔离结构110顶面。

在一些实施例中，字线沟槽120底面露出的有源区100与隔离结构110也具有第一高度差，且有源区100在第一方向X平面内的正投影也为阶梯形。在一些实施例中，字线沟槽120 底面露出的有源区100在第一方向X平面内的投影形状与字线沟槽120侧壁露出的有源区100 在衬底10表面的投影形状可以相同。

通过在字线沟槽120底面形成阶梯形的有源区100，从而增加了字线130底面与有源区 100接触面的接触面积，进而提高字线130控制有源区100内沟道区导通的能力。

本申请实施例提供的半导体结构，包括沿第一方向X贯穿有源区100和隔离结构110的字线沟槽120，且有源区100与隔离结构110在第二方向Y上具有第一高度差，第二方向Y 平行于衬底10且垂直于第一方向X，填充字线沟槽120的字线130。通过提供一种在第二方向Y上字线沟槽120内的有源区100与隔离结构110具有第一高度差的半导体结构，增加了有源区100与字线130的接触面积，从而增加电流流通面积，从而提高字线130控制有源区 100内沟道区导通的能力，改善半导体结构的工作效率。

本申请另一实施例还提供一种半导体结构，该半导体结构与前述实施例大致相同，主要区别包括：有源区与字线接触的部分为凹陷部，且与凹陷部接触的字线宽度大于与隔离结构接触的字线宽度，以下将结合附图对本申请另一实施例提供的半导体结构进行说明，需要说明的是前述实施例相同或相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做赘述。

图5为本申请另一实施例提供的半导体结构的结构示意图，图6为图5沿虚线方向的局部放大示意图。

参考图5及图6，半导体结构包括：衬底20，衬底20包括相互间隔排布的有源区200以及位于有源区200之间的隔离结构210；字线沟槽220，字线沟槽220沿第一方向X贯穿有源区200及隔离结构210；字线230，字线230位于字线沟槽220内；在平行于第二方向Y 截面上，有源区200与隔离结构210具有第一高度差，第二方向Y平行于衬底20且垂直于第一方向X。

在一些实施例中，有源区200包括凹陷部240，凹陷部240的侧面与字线230相接触，在沿第一方向X上，与凹陷部240相接触的字线230的宽度大于与隔离结构210相接触的字线230的宽度，凹陷部240朝向远离字线230延伸，通过形成具有凹陷部240的有源区200 从而提高有源区200与字线230的接触面积，提高字线230控制有源区200内沟道区导通的能力。

在一些实施例中，与有源区200的侧面相接触的字线230的侧面在衬底20表面的正投影的形状可以为阶梯形，也就是说，凹陷部240在衬底20表面的正投影的形状可以为阶梯形。在一些实施例中，阶梯形中的阶梯数量足够多，则凹陷部240在衬底20表面的正投影为类圆弧形。

具体地，阶梯形可以为对称图形，且阶梯形相较于垂直于第二方向Y的平面对称；此外，在垂直于第一方向X上，阶梯形的高度值与平行于第一方向X上相邻隔离结构210之间的有源区200的宽度值的比值为1/2～1。

需要说明的是，无论是具有阶梯形的凹陷部240或者是具有弧形的凹陷部240均增加了有源区200与字线230的接触面积，从而提高字线230控制有源区200内沟道区导通的能力，改善半导体结构的工作效率。

在一些实施例中，半导体结构还包括：位于字线230顶面的保护层250，且保护层250 的侧面与有源区200的侧面以及隔离结构210的侧面相接触；在垂直于衬底20表面方向上，凹陷部240的长度大于字线230的长度。

可以理解的是，在垂直于衬底20表面的方向上，凹陷部240的长度可以大于字线230的长度。也就是说，凹陷部240与字线230侧壁接触外，凹陷部240还与保护层250的侧壁接触。这样，与有源区200的侧面相接触的保护层250的侧面在衬底20表面的正投影的形状也为阶梯形。上述实施例通过提供一种具有凹陷部240的有源区200，凹陷部240与字线230接触的半导体结构，通过凹陷部240增加有源区200与字线230的接触面积，从而增加电流流通面积，从而提高字线230控制有源区200内沟道的开启速度，改善半导体结构的工作效率。

本申请实施例还提供了一种半导体结构的制作方法，可用于制作上述实施例提供的半导体结构。下面结合附图对本申请实施例提供的半导体结构的制作方法进行说明，需要说明的是，与前述半导体结构相同或者相应的部分，可参考前述的相应说明，以下将不做赘述。

图7至图15为本申请实施例提供的半导体结构的制作方法的各步骤对应的结构示意图。

参考图7，提供衬底10，衬底10包括相互间隔排布的有源区100以及位于有源区100之间的隔离结构110。

参考图8及图9，图9是图8沿虚线AA1方向上的剖面的示意图，图形化有源区100以及隔离结构110，形成字线沟槽120，字线沟槽120沿第一方向X延伸，字线沟槽120侧壁露出有源区100以及隔离结构110。

在一些实施例中，采用干法刻蚀工艺形成字线沟槽120，且在一些实施例中，干法刻蚀工艺刻蚀有源区100与刻蚀隔离结构110的刻蚀速率不同，可以使得形成的字线沟槽120的底面为凹凸不平的底面，例如，刻蚀工艺对有源区100的刻蚀速率大于对隔离结构110的刻蚀速率，则字线沟槽120底部的隔离结构110顶面高于有源区100顶面，刻蚀工艺对有源区 100的刻蚀速率小于对隔离结构110的刻蚀速率，则字线沟槽120底部的隔离结构110顶面低于有源区100顶面。

在一些实施例中，字线沟槽120底面的有源区100顶面和隔离结构110顶面高度也可以一致，字线沟槽120侧壁露出的有源区100侧面和隔离结构110侧面可以齐平。

参图10至图15，对字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区100以及隔离结构110进行至少一次圆滑化处理，以使在第二方向上Y，字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区100与隔离结构110具有第一高度差。

以下将结合附图对圆滑化处理进行详细说明。

参考图10及图11，图10是图9沿AA2方向的剖面示意图，图11是图10沿圆形虚线方向的局部放大示意图，刻蚀字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的隔离结构110，以使隔离结构110在第二方向Y上露出部分有源区100。

在一些实施例中，可以采用湿法刻蚀的方法刻蚀隔离结构110，刻蚀字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的隔离结构110。

当隔离结构110的材料是氧化硅时，湿法刻蚀工艺采用的刻蚀试剂为物质的量浓度为 40％～60％的氢氟酸溶液，例如是物质的量浓度为49％的氢氟酸溶液。

在一些实施例中，湿法刻蚀工艺的工艺时长为10s～30s，例如15s、17s或者20s，可以理解的是，可以通过调整湿法刻蚀溶剂的物质的量以及刻蚀时间对刻蚀深度进行控制。

参考图12，对露出的有源区100进行刻蚀处理，且刻蚀处理对露出的有源区100的拐角区域的刻蚀速率大于对拐角区域以外的区域的刻蚀速率。

在一些实施例中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀露出的有源区100，且湿法刻蚀工艺的工艺参数包括采用物质的量浓度为20％～50％的硝酸溶液刻蚀有源区100，且刻蚀时长为10s～30s。

在一些实施例中，刻蚀处理使有源区100在平行于第二方向上的厚度的减小1nm～3nm，刻蚀处理减少有源区100的厚度小则相应圆滑化处理的次数会增多，而刻蚀处理减少有源区100厚度过大，则可能会导致有源区100去除厚度过大，影响有源区100传导载离子能力。

可以理解的是，可以通过调整刻蚀试剂的物质的量浓度以及刻蚀时长进而控制刻蚀有源区100的厚度。

参考图13及图14，进行下一次的圆滑化处理。

具体的，参考图13，刻蚀部分字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的隔离结构110。

参考图14，对字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区100进行湿法刻蚀工艺。

可以理解的是，每多进行一次圆滑化处理，字线沟槽120(参考图9)露出的有源区100 的在衬底10表面的正投影就多一个台阶，且字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区100 的顶面到字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的隔离结构110的高度差增加，通过控制圆滑化处理的次数从而实现字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区100与隔离结构110具有第一高度差。

参考图15，在所有圆滑化处理结束之后，字线沟槽120(参考图9)侧壁露出的有源区 100与隔离结构110具有第一高度差。

圆滑化处理的次数可以为2～10次，可以理解的是，可以根据需求的第一高度差的大小从而调整圆滑化处理的次数。

圆滑化处理后的有源区100在衬底10(参考图1)表面的正投影为类圆弧形，可以理解的是，由于圆滑化形成的台阶的较小，故经过重复圆滑化处理后的有源区100呈类圆弧形，实际为若干个台阶组成的台阶形。

参考图1，在进行圆滑化处理之后，形成填充字线沟槽120的字线130。

在一些实施例中，前述在刻蚀字线沟槽120侧壁露出的隔离结构110的工艺步骤中，还可以对隔离结构110顶面进行刻蚀，剩余隔离结构110顶面与相邻的有源区100围成凹陷区；相应的，形成字线130后还可以包括：形成保护层150，保护层150位于字线130表面且填充满字线沟槽120，且保护层150还填充满凹陷区。

本申请实施例通过提供一种半导体结构的制作方法，在图形化衬底10上的有源区100与隔离结构110，形成沿第一方向X延伸的字线沟槽120之后，对字线沟槽120侧壁露出的有源区100及隔离结构110进行至少一次圆滑化处理；以在第二方向Y上字线沟槽120侧壁露出的有源区100及隔离结构110具有第一高度差，通过形成有源区100的凸出部140从而增加有源区100与字线130的接触面积，增加电流流通面积，从而提高字线130控制有源区100 内沟道的开启速度，改善半导体结构的工作效率。

本申请另一实施例还提供一种半导体结构的制作方法，可用于制作上述实施例提供的半导体结构。需要说明的是，本申请实施例提供的制作方法与前述实施例提供的制作方法主要区别在于：形成的字线沟槽侧壁有源区的形貌不同，与前述实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做赘述。

参考图16，图16是图10沿圆形虚线方向的局部放大图，刻蚀字线沟槽220(参考图5) 侧壁露出的有源区200。

参考图17，在字线沟槽220(参考图5)侧壁露出的有源区200的顶面及刻蚀有源区200 后露出的隔离结构210的侧壁形成一层氧化层260。

在一些实施例中，采用原子层沉积的方式在字线沟槽220(参考图5)侧壁露出的有源区 200的顶面及隔离结构210的侧壁形成氧化层260，原子层沉积有利于形成均匀性及致密性较好的氧化层260，且更容易控制氧化层260的厚度。

在一些实施例中，氧化层260的材料可以是氧化硅。

参考图18及图19，图18为沿图17AA3方向的剖面示意图，采用干法刻蚀的方法刻蚀氧化层260。

可以理解的是，为使字线沟槽220(参考图5)底部的氧化层260刻蚀干净，故通常向干法刻蚀的离子增加偏角，可以通过调整离子的入射角度从而将字线沟槽220(参考图5)侧壁的有源区200表面的氧化层260去除干净。

在一些实施例中，还可以保留隔离结构210侧壁的氧化层260，保留隔离结构210侧壁的氧化层260为后续刻蚀有源区200以提供工艺基础。

参考图20，湿法刻蚀字线沟槽220(参考图5)侧壁露出有源区200。

由于湿法刻蚀的各向同性，刻蚀后的有源区200在衬底20表面的投影为弧形。

在一些实施例中，有源区200的材料为硅，湿法刻蚀有源区200的试剂可以采用物质的量浓度为20％～50％的硝酸和水的混合溶液。

参考图21，去除氧化层260(参考图19)及字线沟槽220(参考图5)侧壁露出的部分隔离结构210，直至暴露有源区200的表面。

在一些实施例中，氧化层260(参考图19)与隔离结构210的材料相同都为氧化硅，在湿法刻蚀氧化层260(参考图19)的同时可以同步去除字线沟槽220(参考图5)侧壁露出的部分隔离结构210。

参考图22，湿法刻蚀字线沟槽220(参考图5)侧壁露出有源区200，以扩大有源区200 被刻蚀部分的曲率半径，进而增加有源区200与后续形成的字线230的接触面积。

在一些实施例中，还可以不形成氧化层，直接刻蚀有源区，相较于形成氧化层，不形成氧化层直接刻蚀形成有源区与字线的接触面积小于形成氧化层后再刻蚀有源区形成的有源区与字线的接触面积。

可以理解的是，通过重复进行前述的步骤，可以在有源区200内形成凹陷部240，且后续形成的字线230与凹陷部240的侧面相接触。

后续的工艺步骤包括：形成填充字线沟槽220的字线230，且凹陷部240的侧面与字线 230相接触；形成保护层250，保护层250覆盖字线230的表面且填充满字线沟槽220。有关字线230以及保护层250的形成方法和步骤，可参考前述实施例的具体说明，在此不再赘述。

上述实施例通过形成具有凹陷部240的有源区200，在通过凹陷部240与字线230相连，增加了有源区200与字线230的接触面积，从而增加电流流通面积，从而提高字线230控制有源区200内沟道的开启速度，改善半导体结构的工作效率。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。