掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体制程技术领域，具体而言，涉及一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质。

背景技术

在半导体制程领域中，掩模版属于光刻工艺的一项必须器件，而在掩模版的实际使用过程中，通常会因光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)导致曝光图形与掩模版图案存在明显变形和失真，使曝光图形明显无法达到预期曝光效果。为此，业界通过采用光学邻近矫正(Optical Proximity Correction，OPC)技术对掩模版图案进行修改，以保证修改后的掩模版图案对应产生的曝光图形能够尽可能地达到用户期望的图形效果。而在OPC技术的实际利用过程中，如何提升对掩模版图案的矫正精准度，便是影响曝光图形达到预期曝光效果的重要因素。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备和可读存储介质，能够从对称掩模图案到非对称掩模图案地根据真实曝光图形轮廓对掩模版图案进行步进式OPC建模，并在每次建模前相应地对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，以提升对掩模版图案的矫正精准度，确保最终确定出的掩模版图案所对应的曝光图形达到预期曝光效果。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种掩模版图案修正方法，所述方法包括：

降序地对待修正掩模版图案中各掩模图案进行对称性能排序，得到图案排序结果；

依次针对所述图案排序结果中每个图案次序，确定所述待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及漂移校准图案，其中所述漂移校准图案包括该图案次序及其以前的掩模图案；

获取所述校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓；

根据所述漂移校准图案在所述真实曝光图形轮廓及所述仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿；

采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为所述待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案；

将与最后一个图案次序对应的OPC模型所输出的掩模版图案，作为所述待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案。

在可选的实施方式中，所述根据所述漂移校准图案在所述真实曝光图形轮廓及所述仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿的步骤，包括：

从所述真实曝光图形轮廓中提取与所述漂移校准图案对应的第一图形轮廓，并从所述仿真曝光图形轮廓中提取与所述漂移校准图案对应的第二图形轮廓；

计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量；

采用所述轮廓漂移量对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

在可选的实施方式中，所述计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的步骤，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

对所述漂移校准图案中的所有掩模图案各自的轮廓漂移量进行均值运算，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

在可选的实施方式中，所述计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的步骤，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

根据所述漂移校准图案中各掩模图案的图案次序，确定所述漂移校准图案中的每个掩模图案的漂移权重，其中漂移权重越大则对应掩模图案的对称性能越好；

根据所述漂移校准图案中每个掩模图案的漂移权重，对所述漂移校准图案中每个掩模图案的轮廓漂移量进行加权求和，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

第二方面，本申请提供一种掩模版图案修正装置，所述装置包括：

图案排序模块，用于降序地对待修正掩模版图案中各掩模图案进行对称性能排序，得到图案排序结果；

图案校准模块，用于依次针对所述图案排序结果中每个图案次序，确定所述待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及漂移校准图案，其中所述漂移校准图案包括该图案次序及其以前的掩模图案；

轮廓获取模块，用于获取所述校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓；

轮廓补偿模块，用于根据所述漂移校准图案在所述真实曝光图形轮廓及所述仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿；

模型构建模块，用于采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为所述待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案；

修正输出模块，用于将与最后一个图案次序对应的OPC模型所输出的掩模版图案，作为所述待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案。

在可选的实施方式中，所述轮廓补偿模块包括：

轮廓提取子模块，用于从所述真实曝光图形轮廓中提取与所述漂移校准图案对应的第一图形轮廓，并从所述仿真曝光图形轮廓中提取与所述漂移校准图案对应的第二图形轮廓；

漂移计算子模块，用于计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量；

漂移补偿子模块，用于采用所述轮廓漂移量对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

在可选的实施方式中，所述漂移计算子模块计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的方式，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

对所述漂移校准图案中的所有掩模图案各自的轮廓漂移量进行均值运算，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

在可选的实施方式中，所述漂移计算子模块计算所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的方式，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

根据所述漂移校准图案中各掩模图案的图案次序，确定所述漂移校准图案中的每个掩模图案的漂移权重，其中漂移权重越大则对应掩模图案的对称性能越好；

根据所述漂移校准图案中每个掩模图案的漂移权重，对所述漂移校准图案中每个掩模图案的轮廓漂移量进行加权求和，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

第三方面，本申请提供一种计算机设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器可执行所述机器可执行指令，实现前述实施方式中任意一项所述的掩模版图案修正方法。

第四方面，本申请提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现前述实施方式中任意一项所述的掩模版图案修正方法。

本申请实施例的有益效果包括如下内容：

本申请通过对待修正掩模版图案中各掩模图案降序地进行对称性能排序，并依次针对得到的图案排序结果中每个图案次序，确定待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及包括该图案次序及其以前的掩模图案的漂移校准图案。接着，获取该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓，并根据该漂移校准图案在真实曝光图形轮廓与仿真曝光图形轮廓中的轮廓分布状况，对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿，进而采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案，从而从对称掩模图案到非对称掩模图案地根据真实曝光图形轮廓实现对掩模版图案的步进式OPC建模，并通过每次建模前对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，提升OPC模型对掩模版图案的矫正精准度，以确保通过最后一个图案次序的OPC模型输出的目标掩模版图案能够产生达到预期曝光效果的曝光图形。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的计算机设备的组成示意图；

图2为本申请实施例提供的掩模版图案修正方法的流程示意图；

图3为图2中的步骤S240所包括的子步骤的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的掩模版图案修正装置的组成示意图；

图5为图4中的轮廓补偿模块的组成示意图。

图标：10-计算机设备；11-存储器；12-处理器；13-通信单元；100-掩模版图案修正装置；110-图案排序模块；120-图案校准模块；130-轮廓获取模块；140-轮廓补偿模块；150-模型构建模块；160-修正输出模块；141-轮廓提取子模块；142-漂移计算子模块；143-漂移补偿子模块。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

申请人通过辛苦调研发现，传统的OPC模型需要采用不同长度的量尺去量测曝光图形中各子图形的边界尺寸及各子图形之间的子图形距离，而后采用量测到的边界尺寸及子图形距离反向式地针对待修正掩模版图案进行参数拟合，进而构建出对应的OPC模型。而新一代的OPC模型已经开始考虑利用真实曝光图形的图形轮廓直接参与到建模过程中，以提升OPC模型构建效率。但需要注意的是，因OPE效应的影响，通常导致同一掩模版图案的真实曝光图形与仿真曝光图形之间存在明显的轮廓漂移问题。

在此情况下，为确保基于最终构建出的OPC模型对应输出的修正后掩模版图案能够实现预期曝光效果，本申请实施例通过提供一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质，从掩模版图案中的对称掩模图案到非对称掩模图案地对该掩模版图案进行步进式OPC建模，并在每次建模前均对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，从而逐步提升OPC模型与掩模版图案的契合度，同步提升OPC模型对掩模版图案的矫正精准度，确保最终确定出的掩模版图案所对应的曝光图形达到预期曝光效果。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

请参照图1，图1是本申请实施例提供的计算机设备10的组成示意图。在本申请实施例中，所述计算机设备10能够针对待修正的掩模版图案进行步进式OPC建模，同时逐步提升OPC模型与掩模版图案的契合度，以及OPC模型对掩模版图案的矫正精准度，确保最后构建出的OPC模型输出能够实现预期曝光效果的掩模版图案，以完成掩模版图案修正操作。其中，所述计算机设备10可以是，但不限于，服务器、终端设备、个人计算机等。

在本实施例中，所述计算机设备10包括存储器11、处理器12、通信单元13及掩模版图案修正装置100。其中，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13各个元件相互之间接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。

在本实施例中，所述存储器11可存储有光学仿真软件的软件功能模块及计算机程序等，所述存储器11还可存储有由研究人员设计出的待修正掩模版图案。其中，所述存储器11可以是，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，只读存储器(ReadOnly Memory，ROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。其中，所述存储器11用于存储计算机程序，所述处理器12在接收到执行指令后，可相应地执行所述计算机程序。

本实施例中，所述处理器12可以是一种具有信号的处理能力的集成电路芯片。所述处理器12可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)及网络处理器(Network Processor，NP)、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件中的至少一种。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。其中，所述处理器12可用于执行图像轮廓提取操作。

在本实施例中，所述通信单元13用于通过网络建立所述计算机设备10与其他电子设备之间的通信连接，并通过所述网络收发数据，其中所述网络包括有线通信网络和/或无线通信网络。例如，所述计算机设备10可通过所述通信单元13与光刻设备通信连接，以控制所述光刻设备基于当前选定的掩模版图案在晶圆上进行曝光、显影及刻蚀等操作，得到与当前选定的掩模版图案相对应的曝光图形；所述计算机设备10也可通过所述通信单元13与特征尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimension-Search Engine Marketing，CDSEM)通信连接，以控制所述特征尺寸扫描电子显微镜对成型在晶圆上的与当前选定的掩模版图案相对应的真实曝光图形进行图像采集，得到该真实曝光图形的具体轮廓分布状况。

在本实施例中，所述掩模版图案修正装置100包括至少一个能够以软件或固件的形式存储于所述存储器11中或固化在所述计算机设备10的操作系统中的软件功能模块。所述处理器12可用于执行所述存储器11存储的可执行模块，例如所述掩模版图案修正装置100所包括的软件功能模块及计算机程序等。所述计算机设备10通过所述掩模版图案修正装置100对待修正的掩模版图案进行步进式OPC建模，并逐步提升OPC模型与掩模版图案的契合度，及OPC模型对掩模版图案的矫正精准度，确保最后构建出的OPC模型输出能够实现预期曝光效果的掩模版图案，以完成掩模版图案修正操作。

可以理解的是，图1所示的框图仅为所述计算机设备10的一种组合示意图，所述计算机设备10还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。

在本申请中，为确保所述计算机设备10能够对待修正的掩模版图案进行步进式OPC建模，并提升OPC建模对掩模版图案的矫正精准度，最终修正出的掩模版图案所对应的真实曝光图形能够达到预期曝光效果，本申请通过提供应用于所述计算机设备10的掩模版图案修正方法实现前述目的，下面对本申请提供的掩模版图案修正方法进行详细描述。

请参照图2，图2是本申请实施例提供的掩模版图案修正方法的流程示意图。在本申请实施例中，图2所示的掩模版图案修正方法的具体流程和步骤如下文所示。

步骤S210，降序地对待修正掩模版图案中各掩模图案进行对称性能排序，得到图案排序结果。

在本实施例中，所述待修正掩模版图案为当前选定的需要修正的掩模版图案，其中所述待修正掩模版图案可以包括至少一个对称掩模图案及至少一个非对称掩模图案，所述对称掩模图案的对称性能强于所述非对称掩模图案。当计算机设备10获取到待修正掩模版图案后，会根据该待修正掩模版图案中各掩模图案的对称性能强弱程度，采用降序的方式对所述各掩模图案的对称性能强弱程度进行排序，得到对应的图案排序结果。此时，所述图案排序结果用于表示待修正掩模版图案中各掩模图案在对称性能方面的强弱排名状况，所述图案排序结果包括待修正掩模版图案中各掩模图案的图案次序，其中所述图案次序越小，则表明对应掩模图案的对称性能越好。

步骤S220，依次针对图案排序结果中每个图案次序，确定待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及漂移校准图案。

在本实施例中，所述计算机设备10在确定出与待修正掩模版图案对应的图案排序结果后，会针对该待修正掩模版图案进行步进式修正处理，以完成对该待修正掩模版图案的修正操作。其中，所述步进式修正处理所对应的修正次数与所述图案排序结果的图案次序总数相对应，每次步进式修正处理时会对应创建一个OPC模型，并以创建出的OPC模型所输出的掩模版图案作为下次步进式修正处理的处理对象，从而渐进地对待修正掩模版图案进行矫正，并逐步提升OPC模型与掩模版图案的契合度，及OPC模型对掩模版图案的矫正精准度。

所述计算机设备10在执行对该待修正掩模版图案的修正操作时，会依次针对所述图案排序结果中每个图案次序，确定所述待修正掩模版图案在该图案次序处所对应的校验掩模版图案及漂移校准图案。所述漂移校准图案包括所述待修正掩模版图案中与该图案次序对应的掩模图案以及位于该图案次序之前的所有图案次序所对应的掩模图案。

其中，针对所述图案排序结果的第一个图案次序，该图案次序处的校验掩模版图案即为所述待修正掩模版图案，该图案次序处的漂移校准图案仅包括第一个图案次序所对应的掩模图案。针对所述图案排序结果的剩余的每个图案次序，该图案次序处的校验掩模版图案即为前一图案次序处步进式修正出的掩模版图案，该图案次序处的漂移校准图案包括当前图案次序的掩模图案，及当前图案次序之前的掩模图案。

下面以一个例子对上述步骤S220进行说明：若待修正掩模版图案包括掩模图案a、掩模图案b、掩模图案c及掩模图案d，其中掩模图案b对应图案次序1，掩模图案d对应图案次序2，掩模图案a对应图案次序3，掩模图案d对应图案次序4，则针对图案次序1来说，图案次序1处的校验掩模版图案即为所述待修正掩模版图案，图案次序1处的漂移校准图案为掩模图案b。

针对图案次序2来说，图案次序2处的校验掩模版图案即为在图案次序1处通过构建OPC模型输出的掩模版图案，图案次序2处的漂移校准图案包括掩模图案b及掩模图案d。

针对图案次序3来说，图案次序3处的校验掩模版图案即为在图案次序2处通过构建OPC模型输出的掩模版图案，图案次序3处的漂移校准图案包括掩模图案b、掩模图案d及掩模图案a。

针对图案次序4来说，图案次序4处的校验掩模版图案即为在图案次序3处通过构建OPC模型输出的掩模版图案，图案次序4处的漂移校准图案包括掩模图案b、掩模图案d、掩模图案a及掩模图案c。

步骤S230，获取校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓。

在本实施例中，当所述计算机设备10针对单个图案次序，确定出该图案次序处所对应的校验掩模版图案后，可通过所述通信单元13控制光刻设备针对具有所述校验掩模版图案的掩模版结构在晶圆上进行真实曝光试验，以将所述校验掩模版图案映射到晶圆上，得到所述交易掩模版图案在真实环境下受到OPE效应影响的真实曝光图形。接着，所述计算机设备10可通过所述通信单元13控制特征尺寸扫描电子显微镜对所述晶圆上的真实曝光图形进行图像采集，并对采集到的真实曝光图形图像进行轮廓提取，得到所述校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓。

同时，所述计算机设备10可通过调用自身存储的光学仿真软件对该校验掩模版图案进行曝光模拟仿真，以仿真得到该校验掩模版图案在无外界环境干扰(即排除光学邻近效应影响的理想环境)的情况下的仿真曝光图形，并对该仿真曝光图形进行轮廓提取，得到所述校验掩模版图案的仿真曝光图形轮廓。

步骤S240，根据漂移校准图案在真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

在本实施例中，当所述计算机设备10针对单个图案次序，确定出该图案次序处的漂移校准图案，并获得与该图案次序处的校验掩模版图案相匹配的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓后，会在得到的真实曝光图形轮廓中确定出该漂移校准图案所对应的真实轮廓分布状况，并在得到的仿真曝光图形轮廓中确定出该漂移校准图案所对应的仿真轮廓分布状况。而后，根据该漂移校准图案的真实轮廓分布状况与仿真轮廓分布状况之间的轮廓差异状况，对该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓进行漂移补偿，使漂移补偿后的真实曝光图形轮廓更趋向于真实环境与无外界干扰相平衡的状态。

步骤S250，采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案。

在本实施例中，当所述计算机设备10针对单个图案次序，通过该图案次序的漂移校准图案的真实轮廓分布状况与仿真轮廓分布状况，完成对该图案次序处的校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓的轮廓漂移补偿操作后，会基于补偿后的真实曝光图形轮廓针对所述待修正掩模版图案进行OPC模型构建，以通过前述的轮廓漂移补偿操作提升构建出的OPC模型与待修正掩模版图案的契合度，并同步提升该OPC模型对待修正掩模版图案的矫正精准度，以完成待修正掩模版图案在上述单个图案次序处的步进式修正处理。

而后，所述计算机设备10会基于在上述单个图案次序处构建出的OPC模型输出一个新掩模版图案，以通过该OPC模型完成在上述单个图案次序处的步进式修正处理。此时，所述计算机设备10会将输出的新掩模版图案作为该待修正掩模版在下一个图案次序处的校验掩模版图案。

由此，所述计算机设备10得以通过按照所述图案排序结果的各个图案次序重复执行上述步骤S220～步骤S250的方式，从对称掩模图案到非对称掩模图案地根据真实曝光图形轮廓实现对待修正掩模版图案的步进式OPC建模，并在每次OPC建模前对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，提升OPC模型对待修正掩模版图案的矫正精准度，使最后构建出的OPC模型输出能够实现预期曝光效果的掩模版图案。

步骤S260，将与最后一个图案次序对应的OPC模型所输出的掩模版图案，作为所述待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案。

在本实施例中，当所述计算机设备10通过重复执行上述步骤S220～步骤S250确定出与所述图案排序结果中最后一个图案次序相对应的OPC模型后，会直接将该最后一个图案次序的OPC模型所输出的掩模版图案，作为所述待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案，以通过该目标掩模版图案在真实曝光时产生达到预期曝光效果的真实曝光图形。

由此，本申请能够通过上述步骤S210～步骤S260的相互配合，从对称掩模图案到非对称掩模图案地根据真实曝光图形轮廓实现对待修正掩模版图案的步进式OPC建模，并在每次OPC建模前对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，提升OPC模型对待修正掩模版图案的矫正精准度，确保最后构建出的OPC模型输出的目标掩模版图案能够产生达到预期曝光效果的曝光图形。

在本申请中，为确保所述计算机设备10能够有效地对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿，确保构建出的OPC模型具有更高的掩模版图案矫正精准度，本申请通过对上述步骤S240的具体执行过程进行详细阐述，以实现有效的轮廓漂移补偿功能。下面对上述步骤S240的具体执行过程进行详细阐述。

请参照图3，图3是图2中的步骤S240所包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤S240可以包括子步骤S241～子步骤S243。

子步骤S241，从真实曝光图形轮廓中提取与漂移校准图案对应的第一图形轮廓，并从仿真曝光图形轮廓中提取与漂移校准图案对应的第二图形轮廓。

在本实施例中，针对同属于一个图案次序的校验掩模版图案及漂移校准图案来说，所述第一图形轮廓即为同一图案次序的漂移校准图案在与对应图案次序的校验掩模版图案相匹配的真实曝光图形轮廓中的曝光图形轮廓，所述第二图形轮廓即为同一图案次序的漂移校准图案在与对应图案次序的校验掩模版图案相匹配的仿真曝光图形轮廓中的曝光图形轮廓。

子步骤S242，计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

在本实施例中，当确定出某个漂移校准图案所对应的第一图形轮廓及第二图形轮廓后，可采用演算法对该漂移校准图案所包括的各掩模图案在所述第一图形轮廓及所述第二图形轮廓中的轮廓分布差异状况进行轮廓漂移量演算，确定该漂移校准图案在本次步进式修正过程中存在的曝光轮廓偏移量。其中，所述轮廓漂移量可通过量测轮廓边界点、量测轮廓填充线、量测轮廓网格面积等量测方式中的一种或多种组合确定。

在本实施例的一种实施方式中，所述计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的步骤，可以包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

对所述漂移校准图案中的所有掩模图案各自的轮廓漂移量进行均值运算，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

在本实施例的另一种实施方式中，所述计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的步骤，可以包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

根据所述漂移校准图案中各掩模图案的图案次序，确定所述漂移校准图案中的每个掩模图案的漂移权重，其中漂移权重越大则对应掩模图案的对称性能越好；

根据所述漂移校准图案中每个掩模图案的漂移权重，对所述漂移校准图案中每个掩模图案的轮廓漂移量进行加权求和，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

其中，所述计算机设备10可根据所述漂移校准图案所涉及的掩模图案数目以及用于表示对应掩模图案的对称性能强弱程度的图案次序，为所述漂移校准图案中的各掩模图案分配合适数值的漂移权重。

子步骤S243，采用轮廓漂移量对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

在本实施例中，当确定出某个漂移校准图案所对应的轮廓漂移量后，可通过采用该轮廓漂移量对与该漂移校准图案归属于同一图案次序的校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓进行尺寸调整和/或位置调整，以完成对该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

由此，本申请可通过执行上述子步骤S241～子步骤S243的方式，有效地对校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓进行漂移补偿，确保构建出的OPC模型具有更高的掩模版图案矫正精准度。

在本申请中，为确保所述计算机设备10所包括的掩模版图案修正装置100能够正常实施，本申请通过对所述掩模版图案修正装置100进行功能模块划分的方式实现其功能。下面对本申请提供的掩模版图案修正装置100的具体组成进行相应描述。

请参照图4，图4是本申请实施例提供的掩模版图案修正装置100的组成示意图。在本申请实施例中，所述掩模版图案修正装置100包括图案排序模块110、图案校准模块120、轮廓获取模块130、轮廓补偿模块140、模型构建模块150及修正输出模块160。

图案排序模块110，用于降序地对待修正掩模版图案中各掩模图案进行对称性能排序，得到图案排序结果。

图案校准模块120，用于依次针对图案排序结果中每个图案次序，确定待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及漂移校准图案，其中漂移校准图案包括该图案次序及其以前的掩模图案。

轮廓获取模块130，用于获取校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓。

轮廓补偿模块140，用于根据漂移校准图案在真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

模型构建模块150，用于采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为所述待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案。

修正输出模块160，用于将与最后一个图案次序对应的OPC模型所输出的掩模版图案，作为待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案。

请参照图5，图5是图4中的轮廓补偿模块140的组成示意图。在本实施例中，所述轮廓补偿模块140可以包括轮廓提取子模块141、漂移计算子模块142及漂移补偿子模块143。

轮廓提取子模块141，用于从真实曝光图形轮廓中提取与漂移校准图案对应的第一图形轮廓，并从仿真曝光图形轮廓中提取与漂移校准图案对应的第二图形轮廓。

漂移计算子模块142，用于计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

漂移补偿子模块143，用于采用轮廓漂移量对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿。

在本实施例的一种实施方式中，所述漂移计算子模块142计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的方式，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

对所述漂移校准图案中的所有掩模图案各自的轮廓漂移量进行均值运算，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

在本实施例的另一种实施方式中，所述漂移计算子模块142计算第一图形轮廓与第二图形轮廓之间的轮廓漂移量的方式，包括：

针对所述漂移校准图案中的每个掩模图案，确定该掩模图案在所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓中各自对应的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置，并根据得到的图形轮廓尺寸及图形轮廓位置计算该掩模图案的轮廓漂移量；

根据所述漂移校准图案中各掩模图案的图案次序，确定所述漂移校准图案中的每个掩模图案的漂移权重，其中漂移权重越大则对应掩模图案的对称性能越好；

根据所述漂移校准图案中每个掩模图案的漂移权重，对所述漂移校准图案中每个掩模图案的轮廓漂移量进行加权求和，得到所述第一图形轮廓与所述第二图形轮廓之间的轮廓漂移量。

需要说明的是，本申请实施例所提供的掩模版图案修正装置100，其基本原理及产生的技术效果与前述掩模版图案修正方法相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述针对掩模版图案修正方法的描述内容。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

综上所述，在本申请实施例提供的掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质中，本申请通过对待修正掩模版图案中各掩模图案降序地进行对称性能排序，并依次针对得到的图案排序结果中每个图案次序，确定待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及包括该图案次序及其以前的掩模图案的漂移校准图案。接着，获取该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓，并根据该漂移校准图案在真实曝光图形轮廓与仿真曝光图形轮廓中的轮廓分布状况，对真实曝光图形轮廓进行漂移补偿，进而采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案，从而从对称掩模图案到非对称掩模图案地根据真实曝光图形轮廓实现对掩模版图案的步进式OPC建模，并通过每次建模前对真实曝光图形轮廓进行轮廓漂移补偿，提升OPC模型对掩模版图案的矫正精准度，以确保通过最后一个图案次序的OPC模型输出的目标掩模版图案能够产生达到预期曝光效果的曝光图形。

以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应当以权利要求的保护范围为准。