发光装置、发光装置的制造方法、发光装置的制造装置

技术领域

本发明涉及一种发光装置，其包括含有量子点的发光元件。

背景技术

近年来,实现了使用量子点(Quantum dot)构成发光元件，并实现了包含该发光元件的发光装置的开发、实用化。在这样的发光装置中使用的量子点中,例如,如下述专利文献1中记载,使用由2～100nm的等级的尺寸的粒子(半导体纳米粒子)构成的化合物半导体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特表2007-537886号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而,如上所述的现有的发光装置具有发光元件,该发光元件包括阳极、阴极以及设置在这些阳极和阴极之间的发光层(量子点层),该发光元件利用作为发光层内所包含的发光材料的量子点进行发光。即，在这样的发光元件中，空穴和电子通过阳极和阴极之间的驱动电流在发光层内复合，由此产生的激子从量子点的导带能级(conduction band)迁移到价带能级(valence band)，从而发出光(荧光)。

然而,如上述的现有发光装置中,由于量子点的结构上的缺陷部分,存在发光效率降低的问题。具体而言,空穴和/或电子被量子点中的缺陷部分捕获,这些空穴和/或电子无助于发光而失活,产生发光效率降低的问题。

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供能够防止因量子点的缺陷部分而导致发光效率降低的发光装置、发光装置的制造方法以及发光装置的制造装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明涉及的发光装置是一种包括第一电极、第二电极、包含所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层的发光元件，在所述量子点层中层叠有多个量子点，所述多个量子点包含核、覆盖所述核的壳、在所述壳的表面配位并具有缺陷补偿性的配体。

此外，本发明涉及的发光装置的制造方法是包含发光元件的发光装置的制造方法，所述发光元件包括第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的所述量子点层，所述发光装置的制造方法包括：合成工序，合成量子点和配体，所述量子点包含核以及覆盖所述核的壳，所述配体具有缺陷补偿性；配位工序，使所述配体在所述量子点的所述壳的表面配位；成膜工序，由在溶剂中分散有所述量子点的溶液，形成所述量子点层叠而成的所述量子点层，所述量子点配位有所述配体。

此外，本发明涉及的发光装置的制造装置是制造包含发光元件的发光装置的制造装置，所述发光元件包括第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的所述量子点层，所述发光装置的制造装置包括：合成装置，合成量子点和配体，所述量子点包含核以及覆盖所述核的壳，所述配体具有缺陷补偿性；配位装置，其使所述配体在所述量子点的所述壳的表面配位；成膜装置，其由在溶剂中分散有所述量子点的溶液，形成所述量子点层叠而成的所述量子点层，所述量子点配位有所述配体。

有益效果

由于量子点中具有缺陷补偿性的配体配位于覆盖核的壳,因此能够防止因该量子点的缺陷部分而引起的发光效率降低。

附图说明

图1是说明本发明的第一实施方式涉及的发光装置的图,图1(a)是上述发光装置的剖面图,图1(b)是说明上述发光装置所具备的量子点的图。

图2是说明上述发光装置的制造方法的一例的图。

图3是示出上述发光装置所包含的量子点层的形成方法的一例的流程图。

图4是说明上述量子点及其形成方法的图,图4(a)是表示配体配位前的量子点的图,图4(b)是说明上述配体的构成的图,图4(c)是说明上述量子点的结构的图,图4(d)是说明上述量子点的配位方法的图。

图5是说明上述发光装置的具体效果的一例的图表。

图6是说明本发明的第二实施方式所涉及的发光装置的图,图6的(a)是示出上述发光装置的俯视图,图6的(b)是图6的(a)的VIb—VIb线剖视图。

图7是说明图6所示的发光装置中包含的量子点的图,图7的(a)是说明红色发光元件的量子点的图,图7的(b)是说明绿色发光元件的量子点的图,图7的(c)是说明蓝色发光元件的量子点的图。

图8是表示上述第一或第二各实施方式涉及的发光装置的制造装置的框图。

具体实施方式

以下，将基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明不限于以下的实施方式。此外,在以下的说明中,例示并说明将本发明应用于能够构成显示装置的发光元件的情况。另外，各图中的构成部件的尺寸并非忠实地表示实际的构成部件的尺寸以及各构成部件的尺寸比例等的尺寸。

《第一实施方式》

图1是说明本发明的第一实施方式涉及的发光装置的图,图1(a)是上述发光装置的截面图,图1(b)是说明上述发光装置所具备的量子点的图。另外，在以下说明中，从发光装置的量子点层到第一电极的方向记载为为“向下”，从发光装置的量子点层到第二电极的方向记载为“向上”。

如图1的(a)所示，发光装置2具有在形成有未图示的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的阵列基板4上层叠各层的结构。在阵列基板4上，通过从下层开始依次层叠第一电极6、空穴注入层8、空穴传输层10、量子点层12、电子传输层14、电子注入层16和第二电极18而形成发光元件P。

另外,除了上述说明以外,例如,作为用于发光层的量子点层12的材料,也可以省略空穴注入层8、空穴输送层10、电子输送层14以及电子注入层16的至少一层的设置。

阵列基板4是形成有驱动第一电极6和第二电极18的TFT的基板。基板的材质可以是玻璃，也可以是可弯曲的塑料。当将塑料用作阵列基板4时，可以获得柔性的发光装置2。TFT可以通过现有公知的方法形成在阵列基板4上。

在本实施例中，第一电极6是阳极，第二电极18是阴极。第一电极6和第二电极18中的至少一个是透明或半透明电极，作为透明电极可以包括例如ITO、IZO或ISO等的透明氧化物。半透明电极可以包括Al、Ag或MgAg等的金属材料。此外，第一电极6或第二电极18也可以包括金属材料，作为金属材料优选为具有高可见光反射率的Al、Cu、Au或Ag等。

空穴注入层8、空穴传输层10、电子传输层14以及电子注入层16可以包含用于现有公知的发光元件的各层的材料。作为空穴注入层可以包括例如PEDOT：PSS、MoO

量子点层12具有多个量子点20(半导体纳米粒子)。量子点20可以包括层叠在量子点层12中的一层到多层。量子点20是具有价带能级和导带能级，且通过价带能级的空穴和导带能级的电子的复合而发光的发光材料。来自量子点20的发光因量子限制效应而具有窄光谱，因而可以获得具有相对深的色度的发光。

此外，在本实施方式中，如图1的(b)所示，量子点20包括核22、覆盖核22的壳24、配位在壳24的表面的配体26。

核22和壳24可以包含具有现有公知的核/壳结构的量子点的材料。在本实施例中，优选地，核22包括C、Si、Ge、Sn、P、Se、Te、Cd、Zn、Mg、S、In、O。壳24包括Cd、Se、S、Zn、Te、In、P、O、Te、Mg。尽管核22被壳24覆盖，但是为了简化附图中的图示，透过壳24图示核22。

配体26具备长链部28以及缺陷补偿部32,缺陷补偿部32具有缺陷补偿性。在配体26中,通过壳24的表面和缺陷补偿部32进行配位,该配位体26与量子点20进行配位。此外,在配位体26中,长链部28的一端与缺陷补偿部32连接。

缺陷补偿部32具备补偿量子点20中存在的结构缺陷的上述缺陷补偿性,例如包含具有氮原子的官能团。具体而言,缺陷补偿部32含有伯胺、仲胺、苯胺、吡啶、吡咯、哌啶和亚胺中的至少一种官能团。此外,缺陷补偿部32通过配位于壳24的表面,抑制来自第一电极6的空穴以及来自第二电极18的电子被上述结构缺陷捕获,进行量子点20的缺陷补偿。更具体而言,缺陷补偿部32所包含的上述官能团中的氮原子具有碱性,该氮原子通过其碱性与量子点20中所包含的金属离子、质子这样的带正电的离子形成配位键。进而,在该配位结合的金属离子中,通过与配体26的相互作用进行电子能级的分裂以及重组。与这样的配体26的相互作用引起的分裂以及重组的现象也在量子点20的内部(即,核22以及壳24)与配体26之间产生,进行电子能级的重组,其结果,量子点20中的俘获能级的影响减弱,进行该量子点20的缺陷补偿。

此外，长链部28从-(CH

此外,在本实施方式中,长链部28的原子数设定为3以上且17以下。由此,在本实施方式中,既能够防止发光装置2(发光元件P)的驱动电压变大,又能够得到充分的缺陷补偿性(详情后述)。另外,在此所说的长链部28的原子数是指该长链部28的主链所含的原子数,即使在该调查部28含有侧链的情况下,也不包含该侧链的原子数。

接着，参照图2具体说明本实施方式的发光装置2的制造方法。图2是用于说明发光装置2的制造方法的一例的图。

在本实施方式的发光装置2的制造方法中,首先,制作具备上述TFT、与该TFT连接的各种配线的阵列基板4,使用溅射法等在阵列基板4上形成与该TFT电连接的第一电极6。接着，在第一电极6的上层，通过涂布形成等来从下方依次形成空穴注入层8和空穴输送层10，得到图2的(a)所示的层叠结构。然后形成量子点层12。

在此，将参照图3和图4详细地说明量子点层12的形成方法。图3是表示上述发光装置所包含的量子点层的形成方法的一例的流程图。图4是说明上述量子点及其形成方法的图,图4(a)是示出配位有配体之前的量子点的图,图4(b)是说明上述配体的构成的图,图4(c)是说明上述量子点的构成的图,图4(d)是说明上述量子点的配位方法的图。

首先,合成配位有配体26之前的量子点20a(步骤S1)。也就是说,如图4的(a)所示,合成具有核/壳结构的量子点20a，其具备核22和覆盖该核22的壳24。该量子点20a也可以用化学合成法等现有公知的合成方法合成。此时，如果将得到的量子点20a的核22的直径设为DL，则直径DL优选为2～10nm。

此外，与上述量子点20a的合成分开地，进行图4的(b)所示的配体26的合成(步骤S2)。即,上述步骤S1及步骤S2也可以相互独立地进行,或者依次进行步骤S1及步骤S2中的一方及另一方。此外,该配体26的合成中,能够适当使用例如使构成缺陷补偿部32的上述官能团与上述长链部28发生化学反应,进一步适当使用蒸馏、重结晶、使用过滤材料或吸附材料的方法等进行精制。此时，如果将从所获得的配体26的一端到另一端即从缺陷补偿部32的端部到长链部28的端部的长度设为配体的长度LL，则长度LL优选为0.5～5nm，更优选为0.5nm～3nm。

在此,对构成缺陷补偿部32的每个官能团的、具体的配体26的合成进行说明。

例如,具有伯胺或仲胺作为缺陷补偿部32的配体26是通过对具有所期望的长链部28的结构和吸电子性的官能团(卤化烷基、磺酸烷基酯等)的化合物使用氨、胺等作为亲核剂的亲核取代反应、以及对具有所期望的长链部28的结构的硝基化合物、腈化合物作用氢化铝锂等还原剂的还原反应等而得到的。

此外,例如,具有具备苯胺、吡啶、吡咯这样的环状结构(环状化合物)的缺陷补偿部32的配体26通过对上述环状化合物进行以下反应得到：使用具有期望的长链部28结构的卤代烷基的Friedel-Crafts反应等芳香族亲电取代反应、或者使具有期望的长链部28结构的酮类化合物与氨、胺作用的环化反应。

此外,例如,具有具备哌啶结构的缺陷补偿部32的配体26是对通过上述方法合成的具有吡啶结构的配体26,使用Ni等作为催化剂的氢化反应而得到的。

此外,例如,具有具备亚胺结构的缺陷补偿部32的配体26通过具有期望的长链部28结构的醛或酮与伯胺的脱水缩合反应而得到。

接着，合成的量子点20a的壳24的表面与配体26的配位部32进行配位结合，得到图4的(c)中所示的配体26配位后的量子点20(步骤S3)。上述配位可以通过在分散有量子点20a溶液中添加使配体26分散的溶液的方法、或者在上述两种溶液混合之后离心分离除去残渣的方法等进行。图4的(c)示出一个配体26配位于壳24上的状态，但是比这更多的配体26可以配位于一个量子点20中。

由此，如图4的(d)所示，获得了量子点20分散在溶剂12a中的溶液12b。溶剂12a可以是上述混合液的溶剂，例如，十六烷、十八烷等非环脂肪族溶剂，环己烷等环脂肪族溶剂或甲苯等芳香族溶剂。

接下来，如图2的(b)所示，将量子点20分散的溶液12b涂布在空穴输送层10的上面(步骤S4)。接着,在溶液12b中部分去除溶剂12a(步骤S5)。由此，获得图2的(c)所示的量子点层12，完成量子点层12的形成工序。

最后，通过涂布形成等，在量子点层12的上层从下方开始依次形成电子输送层14、电子注入层16和第二电极18，得到图2的(d)所示的层叠结构。由此，得到本实施方式涉及的发光装置2。

本实施方式的发光装置2在量子点层12中包括由具有缺陷补偿性的配体26配位的量子点20。因此,在本实施方式的发光装置2中,能够防止在量子点20的缺陷部分中空穴和电子被捕获,能够防止由该量子点20的缺陷部分引起的发光效率降低。其结果,在本实施方式的发光装置2中,能够防止用于使该发光装置2发光的电流以及电压变高。再者,在本实施方式中,由于能够抑制用于发光的电流和电压,因此能够容易地实现发光装置2的低功耗化,且能够容易地构成长寿命且可靠性优异的发光装置2。

在此,参照图5,对本实施方式的发光装置2中的效果进行具体说明。图5是说明上述发光装置的具体效果的一个例子的图表。

以下,对本发明的发明者等实施的验证试验的结果(效果)进行具体说明。在该验证试验中,准备了使用辛胺构成缺陷补偿部32且长链部28的原子数为7的实施方式品1、和使用十六烷基胺构成缺陷补偿部32且长链部28所含的长链部28的原子数为15的实施方式品2。进而,准备了使用壬酸构成缺陷补偿部32且长链部28的原子数为7的比较品1、使用辛硫醇构成缺陷补偿部32且长链部28所含的长链部28的原子数为7的比较品2。然后,在验证试验中,准备分别包含这些实施方式品1、实施方式品2、比较品1和比较品2，并且使配体26以外的构成为相同构成的发光装置,在进行发光动作时,求出使供给的电流的电流密度发生变化时的亮度变化。

在本实施方式品1以及本实施方式品2中,如图5的实线的曲线70以及虚线的曲线80分别所示,即使在使电流密度的值稍微增大的情况下,也能够确认亮度的值变化为较大的值。即,在这些本实施方式品1及本实施方式品2中,证实了通过该缺陷补偿部32来充分地补偿量子点20中存在的构造缺陷,可靠地防止发光效率降低。

与此相对,在比较品1和比较品2中,如图5的单点划线的曲线91和双点划线的曲线92分别所示,确认了即使在使电流密度的值较大地变化的情况下,亮度值也没什么变化。即,在这些比较品1和比较品2中,证实了通过该缺陷补偿部32,量子点20中存在的结构缺陷未被充分补偿,不能防止发光效率降低。

此外,在本发明的发明人等的其他验证试验中,在发出白色光的发光装置2中,使用上述官能团(即,伯胺、仲胺、苯胺、吡啶、吡咯、哌啶和亚胺中的至少一种官能团)构成缺陷补偿部32,并且针对变更了长链部28所含的长链部28的原子数的情况下的发光性能进行了调查。表1示出该验证试验的结果的一个例子。另外,在表1中,作为上述发光装置2,用〇标记表示表现出良好的发光性能的,用X标记表示表现不良的发光性能。

[表1]

由表1可知,在发光装置2中,当包含在长链部28的长链部28的原子数为3以上且17以下时,确认了其发光性能良好。

另一方面,当上述长链部28的原子数小于3时,在配体26中,其缺陷补偿性不充分,发光性能降低。即,这是因为,在这种长链部28的原子数少的情况下,在形成量子点层12时,容易发生量子点20彼此的凝集,无法将配体26充分地配位于量子点20的表面(壳24的表面)。此外,在长链部28的原子数超过17的情况下,发光装置2的驱动电压的值过大,发光性能降低。

《第二实施方式》

图6是说明本发明的第二实施方式所涉及的发光装置的图,图6的(a)是表示上述发光装置的俯视图,图6的(b)是图6的(a)的Vlb-VIb线剖视图。

在图中,本实施方式与上述第一实施方式的不同点在于,设置分别发出红色光、绿色光以及蓝色光的红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件以代替发出白色光的白色发光元件。此外,对与上述第一实施方式相同的要素标注相同的附图标记,并省略其重复的说明。

此外，如图6所示，本实施方式涉及的发光装置34与先前实施方式的发光装置2相比，还具备边缘罩36，除了从第一电极6到量子点层12的各层分别被分割为多个发光元件之外，也可以具有相同的结构。即，从第一电极6到量子点层12的每一层针对多个划分的发光元件中的每一个形成。另外，在本实施方式中，电子传输层14、电子注入层16和第二电极18共用地形成在多个被分割的发光元件上。

具体而言，在本实施方式的发光装置34中，如图6所示，从第一电极6到量子点层12的各层被分割为红色发光元件RP、绿色发光元件GP和蓝色发光元件BP。红色发光元件RP中的量子点层12作为量子点具有在发光时发射红色光的红色量子点20R。进一步，绿色发光元件GP和蓝色发光元件BP中的量子点层12分别包括作为量子点的绿色量子点20G和蓝色量子点20B，在发光时分别发出绿色光和蓝色光。

此处，蓝光是在400nm以上且500nm以下的波长带中具有发光中心波长的光。此外，绿光是在超过500nm且600nm以下的波长带中具有发光中心波长的光。此外，红光是在超过600nm且780nm以下的波长带中具有发光中心波长的光。

接着,还参照图7对红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B进行具体说明。图7是说明图6所示的发光装置中包含的量子点的图,图7的(a)是说明红色发光元件的量子点的图,图7的(b)是说明绿色发光元件的量子点的图,图7的(c)是说明蓝色发光元件的量子点的图。

如图7的(a)～图7的(c)所示，红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B中的每一个与先前实施方式中的量子点20相同地包括核22、覆盖核22的壳24和配位于壳24表面的配体26。

量子点发出的光的波长通常与量子点的核心直径的大小成比例。因此，红色量子点20R、绿色量子点20G和蓝色量子点20B具有彼此不同的大小。例如，绿色量子点20G的核22的直径小于红色量子点20R的核22的直径，且大于蓝色量子点20B的核22的直径。与此同时，在本实施方式中，绿色量子点20G的配体26的长度比红色量子点20R的配体26的长度短，且比蓝色量子点20B的配体26的长度长。

如图7的(a)～图7的(c)所示，在红色量子点20R、绿色量子点20G和蓝色量子点20B的每一个中，量子点的核的直径分别为直径DLR、直径DLG和直径DLB。在这种情况下，也可以直径DLR＞直径DLG＞直径DLB。此外，如图7的(a)～图7的(c)所示，在红色量子点20R、绿色量子点20G和蓝色量子点20B的每一个中，配体的长度分别为长度LLR、长度LLG和长度LLB，在这种情况下，可以是长度LLR＞长度LLG＞长度LLB。另外,在红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B中,缺陷补偿部32能够由具有相同的官能团的物质构成，或者分别由具有彼此不同的官能团的物质构成。

本实施方式中的各量子点的直径和配体的长度具有上述尺寸，从而可以更有效地设计发射各自波长的光的量子点。进而,在红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B中,如后详述,包含在长链部28中的长链部28的原子数分别被适当地确定,构成为在对应的红色发光元件RP、绿色发光元件GP以及蓝色发光元件BP各自中起到良好的发光性能。

红色量子点20R、绿色量子点20G和蓝色量子点20B的每一个可以通过与上述第一实施方式中的量子点20相同的制造方法来制造。在此，可以通过改变长链部28的长度来设计各个量子点中的配体26的长度。

在本实施方式中的发光装置34的制造方法中，首先在阵列基板4上形成边缘罩36。接着，对于由边缘罩36分割的区域分别形成第一电极6、空穴注入层8、空穴输送层10和量子点层12。此时，在红色发光元件RP、绿色发光元件GP和蓝色发光元件BP的每一个中，量子点层12分别由分散有红色量子点20R、绿色量子点20G和蓝色量子点20B的溶液形成。

在量子点层12的形成中，例如，首先将分散有红色量子点20R的溶液12b涂布在红色发光元件RP中的空穴传输层10的上层，部分去除红色发光元件RP中的溶剂12a。由此，形成红色发光元件RP中的量子点层12。通过在绿色发光元件GP和蓝色发光元件BP中进行同样的工序，分别在绿色发光元件GP和蓝色发光元件BP中形成量子点层12。

另外，空穴注入层8和空穴输送层10可以在各个发光元件中包含不同的材料，也可以对各个发光元件中的每个量子点20的材料选择适当的材料来形成。

最后，与上述第一实施方式相同地，通过涂布形成等，在量子点层12和边缘罩36的上层从下方依次形成电子输送层14、电子注入层16和第二电极18。由此，得到图6所示的发光装置34。

本实施方式涉及的发光装置34包括量子点层12,量子点层12在各自对应的发光元件中包含分别发出红色、绿色以及蓝色的红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B。因此,本实施方式所涉及的发光装置34与第一实施方式不同,能够不设置彩色滤光片而进行彩色显示。此外,在红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B的各色中,能够使具有适当的长度的配体26配位,因此能够更高效地进行对应的量子点的缺陷补偿。

在此,具体说明本发明的发明者等实施的验证试验的结果。在该验证试验中,在具有红色发光元件RP、绿色发光元件GP以及蓝色发光元件BP的发光装置34中,使用上述官能团(即,伯胺、仲胺、苯胺、吡啶、吡咯、哌啶以及亚胺中的至少一个的官能团)构成各色的缺陷补偿部32,并对变更了长链部28所包含的长链部28的原子数的情况下的发光性能进行了调查。该验证试验的结果的一例如表2、表3和表4所示。另外,在表2～表4中,作为上述发光装置2,用〇标记表示表现出良好的发光性能的发光装置,用X标记表示表现出不良的发光性能的发光装置。

[表2]

[表3]

[表4]

由表2可知,在红色发光元件RP中,当长链部28的原子数为3以上且17以下时,确认了其发光性能良好。

另一方面,在红色发光元件RP中,上述长链部28的原子数小于3时,基于该配体26的缺陷补偿性不充分,发光性能降低。即,这是因为,在这样长链部28的原子数少的情况下,在形成量子点层12时,容易发生红色量子点20R彼此的凝集,不能在红色量子点20R的表面(壳24的表面)充分地配位配体26。此外,在长链部28的原子数超过17的情况下,红色发光元件RP的驱动电压的值过大,发光性能降低。

此外,由表3可知,在绿色发光元件GP中,当长链部28所含有的长链部28的原子数为3以上且14以下时,确认了其发光性能良好。

另一方面,绿色发光元件GP中,上述长链部28的原子数小于3时,该配体26的缺陷补偿性不充分,发光性能降低。即,这是因为,在这样长链部28的原子数少的情况下,在形成量子点层12时,容易发生绿色量子点20G彼此的凝集,无法在绿色量子点20G的表面(壳24的表面)充分地配位配体26。此外,在长链部28的原子数超过14的情况下,绿色发光元件GP的驱动电压的值过大,发光性能降低。

此外,由表4可知,蓝色发光元件BP在长链部28所包含的长链部28的原子数为3以上且11以下的情况下,确认了其发光性能良好。

另一方面,在蓝色发光元件BP中,在上述长链部28的原子数小于3时,该配位体26的缺陷补偿性不充分,发光性能降低。即,这是因为,在这样长链部28的原子数少的情况下,在形成量子点层12时,容易发生蓝色量子点20B彼此的凝集,不能在蓝色量子点20B的表面(壳24的表面)充分地配位配体26。此外,在长链部28的原子数超过11的情况下,蓝色发光元件BP的驱动电压的值过大,发光性能降低。

此外,本发明的发明人等在本实施方式中也与上述第一实施方式同样,在红色、绿色及蓝色的各颜色中,准备上述比较品1及比较品2的同时准备本实施方式品,实施了确认电流密度与亮度的关系的验证试验。该验证试验的结果与图5所示的内容大致相同。即,在红色、绿色以及蓝色的各色的本实施方式品中,即使在使电流密度的值稍大的情况下,也可确认亮度的值变化为大的值。具体而言,电流密度和亮度的关系根据红色、绿色和蓝色各色的发光波长而变化,因此图5所示内容和亮度(纵轴)的值对于上述各种颜色不同,但相对值大致在图5中用曲线70以及曲线80表示。另一方面,在红色、绿色以及蓝色的各色的比较品1以及比较品2中,确认了即使在使电流密度的值较大地变化的情况下,亮度的值也几乎不变化。

此外,在本实施方式中,构成为与绿色量子点20G配位的配体26中所包含的长链部28的原子数比与红色量子点20R配位的配位体26中所包含的长链部28的原子数少,比与蓝色量子点20B配位的配位体26中包含的长链部的原子数多。由此,在本实施方式中,能够在红色量子点20R、绿色量子点20G以及蓝色量子点20B的各自中进行缺陷补偿,并更高效地发出各个波长的光。

接着,参照图8,对在上述第1或第2各实施方式中使用的发光装置的制造装置进行具体说明。图8是表示上述第一或第二的各实施方式的发光装置的制造装置的框图。

由图8所示，发光装置的制造装置50包括控制器52、合成装置54、配位装置56和成膜装置45。控制器52控制合成装置54、配位装置56和成膜装置58。合成装置54在上述各实施方式中合成核/壳结构的量子点20a和配体26。配位装置56在上述各实施例中使核/壳结构的量子点20a和配体26配位。成膜装置58进行上述各实施方式涉及的发光装置的、包含量子点层12的各层的成膜。

工业上的实用性

本发明在具有量子点的发光装置中是有用的。

附图标记说明

2、34 发光装置

6 第一电极

12 量子点层

18 第二电极

20 量子点(白色量子点)

20R 红色量子点

20G 绿色量子点

20B 蓝色量子点

22 核

24 壳

26 配体

28 长链部

32 缺陷补偿部

P 发光元件

RP 红色发光元件

GP 绿色发光元件

BP 蓝色发光元件