显示基板及其制造方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制造方法。

背景技术

传统技术中，电子设备的天线通常设置在显示器以外的区域。随着技术的进步，显示器在诸如手机、电视、平板电脑、笔记本电脑、台式计算机等电子设备上所占空间越来越大。这使得电子设备上可用于部署的天线的空间越来越小。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种显示基板，包括：

衬底；

偏振层，设置在所述衬底的出光侧；

公共电极层，设置在所述衬底的入光侧；

遮光层，设置在所述公共电极层的远离所述衬底的一侧；以及

至少一个天线阵列，每个天线阵列包括多个天线单元，每个天线单元包括设置在所述衬底的出光侧的第一辐射部和设置在所述衬底的入光侧的接地部。

例如，所述天线单元还包括第二辐射部，所述第二辐射部设置在所述第一辐射部的远离所述衬底的一侧。

例如，所述第一辐射部设置在所述偏振层上面向所述衬底的一侧，所述第二辐射部设置在所述偏振层上远离所述衬底的一侧。

例如，所述第一辐射部和所述第二辐射部设置在所述偏振层的同一侧，所述显示基板还包括设置在所述第一辐射部与所述第二辐射部之间的第一绝缘层。

例如，所述第二辐射部在所述衬底上的投影范围在所述第一辐射部在所述衬底上的投影范围之内。

例如，所述接地部设置在所述遮光层的远离所述公共电极层的一侧。

例如，所述遮光层包括黑矩阵；并且所述接地部在所述衬底上的投影在所述黑矩阵在所述衬底上的投影之内。

例如，所述接地部设置在所述衬底与所述公共电极层之间。

例如，所述显示基板还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述接地部与所述公共电极层之间。

例如，所述第一辐射部设置在所述偏振层的面向所述衬底的一侧或者远离所述衬底的一侧。

例如，所述第一辐射部和所述接地部均为金属栅格，所述金属栅格的栅格线宽度小于或等于5μm，相邻栅格线之间的距离大于或等于200μm。

例如，所述金属栅格由铜、金和银中的至少一种制成。

例如，所述第一辐射部在所述衬底上的投影范围落入所述接地部在所述衬底上的投影范围之内；并且所述第一辐射部包括用于辐射能量的第一部和用于向第一部馈电的第二部，所述第二部从所述第一部延伸至所述显示基板的边缘。

例如，所述至少一个天线阵列包括第一天线阵列、第二天线阵列、第三天线阵列和第四天线阵列中的至少一个，所述第一天线阵列中的多个天线单元沿所述显示基板的第一边缘排列，所述第二天线阵列中的多个天线单元沿所述显示基板的与所述第一边缘相对的第二边缘排列，所述第三天线阵列中的多个天线单元沿所述显示基板的第三边缘排列，所述第四天线阵列中的多个天线单元沿所述显示基板的与所述第三边缘相对的第四边缘排列。

例如，所述第一天线阵列、所述第二天线阵列、所述第三天线阵列和所述第四天线阵列各自包括4个或更多个天线单元。

根据本公开的另一方面，提供了一种上述显示基板的制造方法，包括：

在衬底的入光侧形成公共电极层、遮光层和至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部；以及

在所述衬底的出光侧形成偏振层和所述至少一个天线阵列的多个天线单元的第一辐射部。

例如，所述制造方法还包括：在所述第一辐射部的远离所述衬底的一侧形成第二辐射部，使得所述第二辐射部在所述衬底上的投影范围在所述第一辐射部在所述衬底上的投影范围之内。

例如，所述在衬底的入光侧形成公共电极层、遮光层和至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部包括：

在所述衬底的入光侧表面形成所述公共电极层；

在所述公共电极层上形成所述遮光层，所述遮光层包括黑矩阵；

在所述黑矩阵上形成所述至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部，使得所述接地部在所述衬底上的投影在所述黑矩阵在所述衬底上的投影之内。

例如，所述在衬底的入光侧形成公共电极层、遮光层和至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部包括：

在所述衬底的入光侧表面形成所述至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部；

在所述至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成公共电极层；以及

在所述公共电极层上形成所述遮光层。

例如，通过磁控溅射、热蒸发和电镀中的至少一种来形成所述第一辐射部和所述接地部。

附图说明

图1示出了根据本公开实施例的显示基板的示意图。

图2示出了根据本公开实施例的显示基板中的天线单元的俯视图。

图3a示出了根据本公开实施例的显示基板沿图2中AA线的截面图。

图3b示出了根据本公开实施例的显示基板沿图2中BB线的截面图。

图3c示出了根据本公开另一实施例的显示基板沿图2中AA线的截面图。

图3d示出了根据本公开又一实施例的显示基板沿图2中AA线的截面图。

图3e示出了根据本公开再一实施例的显示基板沿图2中AA线的截面图。

图4示出了根据本公开另一实施例的显示基板中的天线单元的俯视图。

图5a示出了根据本公开一实施例的显示基板沿图4中AA线的截面图。

图5b示出了根据本公开另一实施例的显示基板沿图4中AA线的截面图。

图6a示出了图4的天线单元的接地部的示意结构图。

图6b示出了图4的天线单元的第一辐射部的示意结构图。

图6c示出了图4的天线单元的第二辐射部的示意结构图。

图7a示出了根据本公开另一实施例的显示基板中的天线单元的截面图。

图7b示出了图7a的天线单元的接地部和黑矩阵的示意结构图。

图8a至图8e分别示出了根据本公开实施例的天线单元的多个示例的平面图。

图9示出了根据本公开实施例的显示基板的制造方法的流程图。

图10示出了根据本公开另一实施例的显示基板的制造方法的流程图。

图11示出了根据本公开又一实施例的显示基板的制造方法的流程图。

图12a和图12b分别示出了本公开实施例的天线阵列在没有第二绝缘层和具有第二绝缘层的情况下的天线方向图。

图12c和图12d分别示出了本公开实施例的以单一频段辐射能量的天线阵列以及以双频段辐射能量的天线阵列的天线方向图。

图13a和图13b分别示出了本公开实施例的天线阵列在没有第二绝缘层和具有第二绝缘层的情况下的情况下的天线端口S11参数的曲线图。

图13c示出了本公开实施例的以双频段辐射能量的天线阵列的S11参数的曲线图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部。基于所描述的本公开实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例都属于本公开保护的范围。应注意，贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在以下描述中，一些具体实施例仅用于描述目的，而不应该理解为对本公开有任何限制，而只是本公开实施例的示例。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或配置。应注意，图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。

除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或科学术语应当是本领域技术人员所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似词语并不表示任何顺序、数量或重要性，而只是用于区分不同的组成部分。

本公开的实施例提供了一种显示基板，其中设置有至少一个天线阵列，天线阵列中的天线单元的辐射部和接地部分别设置在显示基板的衬底的两侧。通过将天线阵列设置在显示基板中，扩展了可用于布置天线阵列的空间。

图1示出了根据本公开实施例的显示基板的示意图。

如图1所示，显示基板100包括至少一个天线阵列。在图1中以四个天线阵列(第一天线阵列10A、第二天线阵列10B、第三天线阵列10C和第四天线阵列10D，下文统称天线阵列10)为例进行了示意，然而本公开的实施例不限于此，天线阵列10的数量和位置可以根据需要来设置。例如显示基板可以包括天线阵列10A、10B、10C和10D中的任意一个或多个，当然显示基板也可以包括五个或更多个天线阵列。

每个天线阵列10包括多个天线单元110，使该天线阵列10可以用作多输入多输出(Muiti-input Multi-output)天线阵列。图1中为例简明起见仅对天线阵列10A的天线单元110进行了标记。在图1中，第一天线阵列10A中的多个天线单元110沿显示基板100的第一边缘(如图1所示的上边缘)排列，第二天线阵列10B中的多个天线单元110沿显示基板100的与第一边缘相对的第二边缘(如图1所示的下边缘)排列，第三天线阵列10C中的多个天线单元110沿显示基板100的第三边缘(如图1所示的左边缘)排列，第四天线阵列10D中的多个天线单元沿显示基板100的与所述第三边缘相对的第四边缘(如图1所示的右边缘)排列。在图1中，每个天线阵列10包括四个天线单元110，然而本公开的实施例不限于此，天线单元110的数量和排列方式可以根据需要来设置。例如天线单元110的数量可以为2

图2示出了根据本公开实施例的显示基板中的天线单元的俯视图。

如图2所示，天线单元110包括第一辐射部1101和接地部1102。第一辐射部1101包括用于辐射能量的第一部1101A和用于向第一部1101A馈电的第二部1101B。第二部1101B从第一部1101A延伸至显示基板的边缘。例如，可以以图1所示的方式设置各个天线单元110，使得每个天线单元的第一辐射部1101的第二部1101B延伸至天线面板100的边缘。

在图1和图2的示例中，第一辐射部1101的第一部1101A具有轴对称形状(图2中是矩形)，第一辐射部1101的第二部1101B呈条形，第二部1101B沿着第一部1101A的对称轴从第一部1101A延伸至显示基板的边缘。在与第二部1101B的延伸方向垂直的方向上，第二部1101B的宽度小于第一部1101A的宽度。另外，在图1和图2的示例中，接地部1102为面积大于第一辐射部1101的矩形。然而本公开的实施例不限于此，第一辐射部1101和接地部1102的形状和尺寸是可以根据需要来设置的，下文将对此进一步详细说明。

图3a示出了根据本公开实施例的显示基板沿图2中AA线的截面图。图3b示出了根据本公开实施例的显示基板沿图2中BB线的截面图。

如图3a和3b所示，除了天线单元110之外，显示基板100还包括衬底20、偏振层30、公共电极层40和遮光层50。偏振层30设置在衬底20的出光侧，公共电极层40设置在衬底20的入光侧，遮光层50设置在公共电极层40的远离衬底20的一侧。衬底20可以由诸如玻璃之类的透光材料制成，用于将入光侧的光透射至出光侧。偏振层30可以为偏振片，用于对于从衬底20出射的光进行偏振。公共电极层40可以包括公共电极，其用于与阵列基板上的电极配合来实现显示。遮光层50可以包括黑矩阵。

如图3a和3b所示，天线单元110的第一辐射部1101可以设置在衬底20的出光侧，天线单元110的接地部1102可以设置在衬底20的入光侧，第一辐射部1101在衬底20上的投影范围可以落入接地部1102在衬底20上的投影范围之内。第一辐射部1101和接地部1102可以由诸如铜、金、银等低电阻、低损耗的金属制成，例如制造成金属栅格的形式。

在图3a和图3b的示例中，第一辐射部1101设置在偏振层30上远离衬底20的一侧，接地部1102设置在衬底20与公共电极层40之间。然而本公开的实施例不限于此，天线单元110可以根据需要以其他方式设置在显示基板中。例如，可以在接地部1102与公共电极层40之间设置绝缘层60(第二绝缘层)，如图3c所示。绝缘层60可以由氮化硅(SiN)或(氧化硅SiO)制成。可以通过等离子增强化学气相沉积(PEVCD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)工艺来形成绝缘层60。在一些实施例中，可以将第一辐射部1101设置在偏振层30上靠近衬底20的一侧，如图3d所示。在一些实施例中，可以将接地部1102设置在遮光层50的远离公共电极层40的一侧，如图3e所示。在图3c至图3e的示例中，第一辐射部1101的第一部1101A和第二部1101B位于同一层，虽然为了简明起见仅示出了沿AA线的截面图，但是第二部1101B在截面图中的位置能够被第一部1101A体现。

图4示出了根据本公开另一实施例的显示基板中的天线单元的俯视图。图4的显示基板与图2类似，区别至少在于图4的显示基板还包括第二辐射部1103。为了简明起见，下面将主要对区别部分进行详细描述。

如图4所示，天线单元包括第一辐射部1101、第二辐射部1103和接地部1102。以上参考图1至图3对第一辐射部1101和接地部1102的描述同样适用于图4。在图4中，第二辐射部1103可以设置面积小于第一辐射部1101(例如小于第一辐射部1101的第一部的面积)，从而比第一辐射部1101以更高的频率辐射能量，同时确保第一辐射部1101能够不被第二辐射部1103完全遮挡以便以较低频率辐射能量。虽然图4中将第二辐射部1103示为矩形形状，然而本公开的实施例不限于此，第二辐射部1103的形状、尺寸以及相对于第一辐射部1101的位置可以根据需要来设置。

图5a示出了根据本公开一实施例的显示基板沿图4中AA线的截面图。图5a的显示基板与图3e类似，区别至少在于图5a的显示基板还包括第二辐射部1103，其设置在第一辐射部1101的远离衬底20的一侧。为了简明起见，下面将主要对区别部分进行详细说明。

在图5a中，第一辐射部1101和所述第二辐射部1103均设置在偏振层30上，其中第一辐射部1101设置在偏振层30上面向衬底20的一侧，第二辐射部1103设置在偏振层30远离衬底20的一侧。第二辐射部1103在衬底20上的投影范围在第一辐射部1101在衬底20上的投影范围之内。与第一辐射部1101不同，第二辐射部1103可以不具有馈电线(如图4所示)，可以通过第一辐射部1101与第二辐射部1103的耦合作用将能量从第一辐射部1101传递至第二辐射部1103。第一辐射部1101、第二辐射部1103和接地部1102均可以由诸如铜、金、银等低电阻、低损耗的金属制成，例如制造成金属栅格的形式。通过设置第一辐射部1101和第二辐射部1103，可以使天线阵列能够在两个不同的频段辐射能量。例如，可以利用第一辐射部1101实现第一频段(例如中心频率约28GHz)的能量辐射，利用第二辐射部1103实现第二频段(例如中心频率约39GHz)的能量辐射，从而在显示基板中实现符合在第五代移动通信(5G，5th-Generation)标准的毫米波天线阵列的部署。

图5b示出了根据本公开另一实施例的显示基板沿图4中AA线的截面图。图5b的显示基板与图5a类似，区别至少在于图5b的显示基板的第一辐射部1101和第二辐射部1103设置在偏振层30的同一侧，并且在第一辐射部1101与所述第二辐射部1103之间还设有绝缘层70(第一绝缘层)。为了简明起见，下面将主要对区别部分进行详细说明。

在图5b中，第一辐射部1101和第二辐射部1103均设置在偏振层30的面向衬底20的一侧，在第一辐射部1101与所述第二辐射部1103之间设有绝缘层70以将二者电隔离。在一些实施例中，可以将彼此间设有绝缘层70的第一辐射部1101和第二辐射部1103设置在偏振层30的远离衬底20的一侧。绝缘层70可以为由诸如PET(Polyethylene Terephthalate)或透明聚酰亚胺之类的透明绝缘材料制成的绝缘膜。

虽然图5a和图5b中均以类似于图3a的方式来布置衬底20的入光侧的结构，然而本公开的实施例不限于此。衬底20的入光侧结构可以按照上述任意实施例的方式来布置。

图6a至图6c分别示出了图4的天线单元的接地部、第一辐射部和第二辐射部的示意结构图。图6a至图6c的天线单元的结构适用于上述任意实施例的显示基板。

如图6a至图6c所示，第一辐射部1101、第二辐射部1103和接地部1102中的一个或多个可以为金属栅格。金属栅格的栅格线宽度可以小于或等于5μm，相邻栅格线之间的距离可以大于或等于200μm，以确保显示基板的透过率在期望范围内。相邻栅格线之间的距离可以小于500μm(即天线辐射波长的二十分之一)，以确保天线性能在期望范围内。金属栅格可以由铜、金和银中的至少一种制成。通过磁控溅射、热蒸发和电镀中的至少一种来形成金属栅格。在图6a至图6c中，金属栅格的栅格线相对于金属栅格的边缘以预设的角度(例如约45度)倾斜，然而本公开的实施例不限于此，金属栅格可以根据需要而具有其他的形状和布局。

图7a示出了根据本公开另一实施例的显示基板中的天线单元的截面图。图7b示出了图7a的天线单元的接地部和黑矩阵的示意结构图。图7a的显示基板与图3e的显示基板类似，区别至少在于第一辐射部1101和接地部1102采用了如图6a和图6c所示的金属栅格结构。为了简明起见，下面将主要对区别部分进行详细描述。

在图7a和图7b中，遮光层50为黑矩阵，第一辐射部1101和接地部1102为金属栅格，其中接地部1102设置在遮光层50的远离公共电极层40的一侧，接地部1102在衬底20上的投影在黑矩阵50在衬底20上的投影之内。如图7b所示，接地部1102的金属栅格可以与黑矩阵以相同的方式布局，而接地部1102的金属栅格的栅格线宽度小于黑矩阵的矩阵单元的宽度，从而使接地部1102被黑矩阵遮挡。通过这种方式，可以进一步减小天线单元对显示的影响。

图8a至图8e分别示出了根据本公开实施例的天线单元的多个示例的平面图。如图8a所示，天线单元的第一辐射部1101的用于辐射能量的第一部1101A可以设计为圆形，用于向第一部1101A馈电的第二部1101B可以设计为条形，所述条形的宽度小于所述圆形的直径。第二部1101B沿着所述第一部1101A的对称轴的延长线从第一部1101A延伸至显示基板的边缘，例如可以按照如图1所示的方式布置各个天线单元。天线单元的第一辐射部1101还可以设计成其他形状，例如第一辐射部1101的第一部1101A可以为六边形(如图8b所示)、三角形(如图8c所示)、四个角以预设的弧度被裁切的矩形(如图8d所示)以及两个角沿直线裁切的矩形(如图8e所示)，第一辐射部1101的第二部1101B可以均设计为条形(如图8a至8e所示)。

然而本公开的实施例不限于此，第一辐射部1101的第一部1101A和第二部1101B可以根据需要设计成其他的形状和尺寸。在一些实施例中，显示基板上的多个天线阵列可以均采用相同结构和/或尺寸的天线单元。在另一些实施例中，一个天线阵列的天线单元的结构和/或尺寸可以不同于另一个天线阵列的天线单元的结构和/或尺寸，而在同一个天线阵列中的各个天线单元具有相同的结构和尺寸。

另外，虽然以上图8a至图8e以包括第一辐射部1101的天线单元为例进行了示意，然而在一些实施例中，还可以如上所述来设置第二辐射部。第二辐射部可以与第一辐射部1101的用于辐射能量的第一部1101A具有相同或不同的形状，但是面积小于第一部1101A。

图9示出了根据本公开实施例的显示基板的制造方法的流程图。该制造方法可以用来制造上述任意实施例的显示基板。

在步骤S901，在衬底的入光侧形成公共电极层、遮光层和至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部。

在一些实施例中，可以在衬底的入光侧依次形成至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部、公共电极层和遮光层，从而得到如图3a和图3b所示的衬底入光侧结构。在一些实施例中，还可以在公共电极层和遮光层之间形成绝缘层，从而得到如图3c所示的衬底入光侧结构。在一些实施例中，还可以在衬底的入光侧依次形成公共电极层、遮光层和天线单元的接地部，从而得到如图3e所示的衬底入光侧结构。

在步骤S902，在衬底的出光侧形成偏振层和所述至少一个天线阵列的多个天线单元的第一辐射部。

可以将第一辐射部设置在偏振层的远离衬底的一侧(如图3a至图3c所示)，或者面向衬底的一侧(如图3d和图3e所示)。在一些实施例中，还可以在第一辐射部远离衬底的一侧设置第二辐射部，如图5a和图5b所示。

图10示出了根据本公开另一实施例的显示基板的制造方法的流程图。

在步骤S1001，在衬底的入光侧表面形成公共电极层。

在步骤S1002，在公共电极层上形成遮光层，所述遮光层包括黑矩阵。

在步骤S1003，在黑矩阵上形成至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部，使得所述接地部在衬底上的投影在黑矩阵在所述衬底上的投影之内。

通过上述步骤S1001至S1003可以得到例如图5a和图5b所示的衬底入光侧结构。在一些实施例中，可以如图7a和图7b所示将接地部设计为金属栅格的形式，金属栅格的栅格线宽小于黑矩阵的单元宽度，从而使接地部被黑矩阵遮挡。可以通过磁控溅射、热蒸发和电镀中的至少一种工艺来形成接地部，例如形成如图6a所示的金属栅格形式的接地部。

在步骤S1004，在所述衬底的出光侧形成偏振层和所述至少一个天线阵列的多个天线单元的第一辐射部和第二辐射部。

第二辐射部可以被形成在第一辐射部的远离衬底的一侧，使得第二辐射部在衬底上的投影范围在第一辐射部在所述衬底上的投影范围之内。可以通过磁控溅射、热蒸发和电镀中的至少一种工艺来形成第一辐射部和第二辐射部，例如形成如图6b和图6c所示的金属栅格形式的第一辐射部和第二辐射部。

在一些实施例中，可以在偏振层的一侧(例如，用于面向衬底设置的一侧)表面形成第一辐射部，在偏振层的另一侧(例如，用于远离衬底设置的一侧)形成第二辐射部，以得到包括偏振层、第一辐射部和第二辐射部的组合结构，然后将该组合结构例如以贴合的方式设置在衬底的出光侧，从而得到例如图5a所示的衬底出光侧结构。

在一些实施例中，可以在诸如PET或透明聚酰亚胺制成的第一绝缘层两侧分别形成第一辐射部和第二辐射部以得到第一组合结构，将第一组合结构例如以贴合的方式设置在偏振层的一侧(例如用于面向衬底设置的一侧或者用于远离衬底设置的一侧)，以得到第二组合结构，然后将该第二组合结构例如以贴合的方式设置在衬底的出光侧表面上。通过上述方式可以得到例如图5b所示的衬底出光侧结构，其中包括第一辐射部1101、第二辐射部1103和绝缘层70(第一绝缘层)的第一组合结构位于偏振层30远离面向的一侧。当然也可以使第一组合结构位于偏振层远离衬底的一侧。

图11示出了根据本公开又一实施例的显示基板的制造方法的流程图。

在步骤S1101，在衬底的入光侧表面形成至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部。

在步骤S1102，在所述至少一个天线阵列的多个天线单元的接地部上形成第二绝缘层。例如可以通过等离子增强化学气相沉积(PEVCD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)来形成第二绝缘层。

在步骤S1103，在第二绝缘层上形成公共电极层。

在步骤S1104，在公共电极层上形成遮光层。

通过上述步骤S1101至S1104可以形成例如图3c所示的衬底入光侧结构。

在步骤S1105，在衬底的出光侧形成偏振层和所述至少一个天线阵列的多个天线单元的第一辐射部。

在一些实施例中，可以在偏振层的一侧(例如用于面向衬底设置的一侧)表面上形成第一辐射部，以得到包括偏振层和第一辐射部的组合结构，然后将该组合结构例如以贴合的方式设置在衬底的出光侧，从而得到例如图3d和图3e所示的衬底出光侧结构。在一些实施例中，可以在偏振层的另一侧(例如用于远离衬底设置的一侧)表面上形成第一辐射部，以得到包括偏振层和第一辐射部的组合结构，然后将该组合结构例如以贴合的方式设置在衬底的出光侧，从而得到例如图3a至图3c所示的衬底出光侧结构。

下面将参考图12a至图13b来说明本公开实施例的显示基板的天线性能。

图12a和图12b分别示出了本公开实施例的天线阵列在没有第二绝缘层和具有第二绝缘层的情况下的天线方向图(针对在单一频段辐射能量的情况)，图12c和图12d分别示出了本公开实施例的以单一频段(中心频率约28GHz)辐射能量的天线阵列以及以双频段(中心频率分别约28GHz和39GHz)辐射能量的天线阵列的天线方向图(针对包括第二绝缘层的情况)。图12a至图12d中，横坐标Theta表示角度(以度deg为单位)，纵坐标表示增益(以dBi为单位)，图中虚线表示如图1所示的沿水平方向排列的两个天线阵列(10C和10D)的方向图曲线，实线表示如图1所示的沿垂直方向排列的两个天线阵列(10A和10B)的方向图曲线。

从图12a和图12b可以看出，本公开实施例的天线阵列在显示基板中设有第二绝缘层(如图3d所示)和没有第二绝缘层(如图3a至图3c、图3e、图4、图5a和图5b所示)的情况下均能够实现期望的方向性。从图12c和图12d可以看出，本公开实施例的天线阵列在单频天线结构(如图2至图3e所示)和双频天线结构(如图4至图5b所示)下均能够实现期望的方向性。

图13a和图13b分别示出了本公开实施例的天线阵列在没有第二绝缘层和具有第二绝缘层的情况下的情况下的天线端口S11参数的曲线图(针对在单一频段辐射能量的情况)，图13c示出了本公开实施例的以双频段(中心频率分别为约28GHz和39GHz)辐射能量的天线阵列的S11参数的曲线图(针对具有第二绝缘层的情况)。图13a至图13c中，横坐标Freq表示频率(以GHz为单位)，纵坐标S(1，1)表示S11参数值(以dB为单位)。S11参数作为天线的S参数之一，表示天线的回波损耗特性，S11参数值越大表示天线的反射功率与输入功率的比值越大，即回波损耗越大，S11参数值越小表示天线的回波损耗越低。

从图13a和图13b可以看出，在具有第二绝缘层和不具有第二绝缘层的情况下，本公开实施例的天线阵列均能够达到期望的谐振效果。从图13c可以看出，本公开实施例的天线阵列在第一频段(中心频率约28GHz)和第二频段(中心频率约39GHz)均能够达到期望的谐振效果。

本领域的技术人员可以理解，上面所描述的实施例都是示例性的，并且本领域的技术人员可以对其进行改进，各种实施例中所描述的结构在不发生结构或者原理方面的冲突的情况下可以进行自由组合。

在详细说明本公开的较佳实施例之后，熟悉本领域的技术人员可清楚的了解，在不脱离随附权利要求的保护范围与精神下可进行各种变化与改变，且本公开亦不受限于说明书中所举示例性实施例的实施方式。