NAND颗粒的处理方法、装置及存储产品

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及一种NAND颗粒的处理方法、装置及存储产品。

背景技术

目前最常使用的是标温NAND颗粒，与之相对的是宽温NAND颗粒，标温NAND颗粒是指在0～70℃的温度范围使用的NAND颗粒，宽温NAND颗粒的温度范围相较标温更广，例如，工规的宽温颗粒的温度范围为：-40～85℃。宽温NAND颗粒使用场景更广泛，越来越被市场接受。但同时相同代次的宽温NAND颗粒价格上也较标温NAND颗粒更昂贵，探究标温颗粒的宽温应用很有价值。此外，原厂一般都会在NAND颗粒规格上留有一定的裕量，故宽温颗粒也可进一步探究超宽温应用，例如，工规的颗粒的厂家宽温规格是-40～85℃，可进一步探究-50～100℃的超宽温应用。综上，亟需提供一种NAND颗粒超温度规格应用方案，摸底NAND颗粒应用极限，挖掘更大的产品价值。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的处理方法、装置及存储产品。

第一方面，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的处理方法，所述方法包括：

根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；

对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。

第二方面，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的应用方法，所述方法包括：

在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据第一方面提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

第三方面，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的处理装置，所述装置包括：

筛选模块，用于根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；

确定模块，用于对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。

第四方面，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的应用装置，所述装置包括：

设置模块，用于在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据第一方面提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

第五方面，本申请实施例提供了一种存储产品，包括目标NAND颗粒，所述目标NAND颗粒根据第一方面所提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

上述本申请提供的NAND颗粒的处理方法、装置及存储产品，根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。这样，从符合第一温度规格的NAND颗粒中筛选得到符合第二温度规格的NAND颗粒，有效降低符合第二温度规格的NAND颗粒的研发周期及生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对本申请保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。

图1示出了本申请实施例提供的NAND颗粒的处理方法的一流程示意图；

图2示出了本申请实施例提供的NAND颗粒的应用方法的一流程示意图；

图3示出了本申请实施例提供的NAND颗粒的处理装置的一结构示意图；

图4示出了本申请实施例提供的NAND颗粒的应用装置的一结构示意图。

图标：300-NAND颗粒的处理装置；301-筛选模块；302-确定模块；400-NAND颗粒的应用装置；401-设置模块。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下文中，可在本申请的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本申请的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本申请的各种实施例中被清楚地限定。

目前，在原厂相同代次的宽温NAND颗粒和标温NAND颗粒的生产工艺基本相同，不同点在于宽温NAND颗粒会有专门的Trim调参和更严格的测试筛选。原厂的宽温NAND颗粒是在同代次的标温NAND颗粒的生产工艺基础上，通过Trim调参和更严格的测试筛选出具备宽温应用能力的颗粒。故本质上讲，标温NAND颗粒也具备一定的宽温应用潜力。比如工规级NAND颗粒(使用温度范围：-40～85℃)，存在如下影响：(1)同代次的宽温NAND颗粒研发周期相较于标温NAND颗粒更长，需要约6个月左右，(2)宽温NAND颗粒的价格会明显高于标温NAND颗粒，约高15％左右，研发周期长及价格高将影响市场占有率及利润率。综上，亟需提供一种NAND颗粒超温度规格应用方案，摸底NAND颗粒应用极限，挖掘更大的产品价值。

实施例1

本申请实施例提供了一种NAND颗粒的处理方法。该方法可以从符合第一温度规格的NAND颗粒中筛选得到符合第二温度规格的NAND颗粒，有效降低符合第二温度规格的NAND颗粒的研发周期及生产成本。

参见图1，NAND颗粒的处理方法包括步骤S101-S102，下面对各步骤进行说明。

步骤S101，根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒。

在本实施例中，NAND颗粒是3D NAND，其模式可以包括：SLC、(p)MLC、TLC、QLC、PLC。SLC(Single-Level Cell)表示1Cell存储1bit数据。MLC(Multi-Level Cell)表示1Cell存储2bit数据。TLC(Trinary-Level Cell)表示1Cell存储3bit数据。QLC表示1Cell存储4bit数据。PLC表示1Cell存储5bit数据。pMLC(Pseudo-Multi-Level Cell)表示将TLC当作MLC使用的一种模式。

在本实施例中，第一温度规格可以为标温规格或宽温规格，标温规格可以为0-70℃温度规格，宽温规格可以分为-40～85℃温度规格。以3D 128层TLC NAND标温颗粒为例，其可进行SLC、pMLC、TLC三种模式的擦写读。相应的，SLC模式下的数据可靠性高于pMLC，pMLC模式下的数据可靠性高于TLC。对于3D 128层TLC模式的NAND标温(0-70℃)颗粒来说，不同模式下的宽温(-40～85℃)潜力也是不同的。一般情况下，SLC模式下的宽温潜力最大，pMLC模式次之，TLC最差。

需要说明的是，一般情况下，将25个Wafer封装为一个Lot。Wafer表示晶圆。3DNAND最常见的是300mm的晶圆，一般一张300mm晶圆约有1000个左右的Die。其中，Die表示能够独立执行命令和报告状态的最小单位。举例来说，从多个Lot中选择NAND颗粒，所选的NAND颗粒的Die较均匀覆盖Wafer各个区域，进一步的，可侧重覆盖Wafer薄弱区域选择NAND颗粒。

步骤S102，对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。

在本实施例中，第二温度规格可以为宽温规格或超宽温规格，宽温规格可以为-40～85℃温度规格，超宽温规格可以为-50～100℃温度规格。

若第一温度规格为标温规格，则第二温度规格为宽温规格或超宽温规格。若第一温度规格为宽温规格，则第二温度规格为超宽温规格。所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集，可以确保筛选得到的目标NAND颗粒能够具有较好的超温度应用能力。

在一实施方式中，步骤S102包括：

在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行稳定性测试，得到各NAND颗粒的稳定度评价结果；

从多个所述NAND颗粒中确定稳定度评价结果属于预设稳定度范围的目标NAND颗粒。

在本实施例中，稳定性测试可以包括高温写低温读、低温写高温读(CrossTemperature)测试和/或擦写(Program-Erase)磨损测试，进而得到各NAND颗粒的稳定度评价结果，根据稳定度评价结果确定各NAND是否能够满足第二温度规格的性能需求。

在一实施方式中，所述在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行稳定性测试，得到各NAND颗粒的稳定度评价结果，包括：

在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行高温写低温读、低温写高温读测试，得到各NAND颗粒的擦写读失败比例和多个页出错位计数，将各NAND颗粒的擦写读失败比例和多个页出错位计数确定为所述稳定度评价结果；

所述从多个所述NAND颗粒中确定稳定度评价结果属于预设稳定度范围的目标NAND颗粒，包括：

从多个所述NAND颗粒中确定擦写读失败比率小于等于预设失败阈值，和/或页出错位计数的差异小于等于设定差异阈值的目标NAND颗粒。

举例来说，若多个NAND颗粒为多个NAND标温颗粒，可以对NAND标温颗粒的所有Die进行-40、85℃的高温写低温读、低温写高温读测试，根据测试结果判断是否出现擦写读失败、出错位计数(Fail Bit Count，FBC)是否表现稳定、是否需要筛选Block等。

示范性的，根据具体需要可以预先设置一个预设失败阈值，若擦写读失败比率小于预设失败阈值，将该NAND判定可用于第二温度规格，宽温分析可继续进行；若擦写读失败比率大于等于预设失败阈值，则判定该NAND颗粒不能应用于该宽温规格。

进一步的，在完全相同条件下进行多次-40、85℃高温写低温读、低温写高温读测试，判定各NAND颗粒的多个页(Page)的出错位计数是否表现稳定，即判断各NAND颗粒的多个页(Page)的出错位计数的差异值是否大于设定的设定差异阈值。其中，页由多个Cell组成，页是执行读取操作的最小可寻址单元。

若各NAND颗粒的多个页(Page)的出错位计数的差异值大于设定的设定差异阈值，则判定该NAND颗粒不能应用于宽温规格。

在一实施方式中，所述方法还包括：

在所述第二温度范围下对所述目标NAND颗粒的各Block进行高温写低温读、低温写高温读测试，得到所述目标NAND颗粒的各Block的出错位计数；

根据主控纠错能力及预设筛块系数从所述目标NAND颗粒的各Block中确定得到出错位计数大于预设出错位计数阈值的坏Block。

补充说明的是，Block表示块，Block由多个页组成，Block是擦除操作的最小可寻址单元。

示范性的，通过多次-40/85℃的高温写低温读、低温写高温读测试，得到各NAND颗粒的出错位计数分布，根据主控纠错能力，判定是否需要筛选出错位计数偏大的Block。通过设定的筛块系数，将出错位计数大于预设出错位计数阈值的Block标记为坏(Bad)Block。

需要说明的是，一般每个Die都有几千个Block，全部进行擦写磨损测试耗时太长。因此，可从每个Die中挑选部分具有代表性的Block进行擦写磨损测试。

在一实施方式中，所述在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行高温写低温读、低温写高温读测试，包括：

将多个所述NAND颗粒划分为多个NAND颗粒组，将各NAND颗粒组分配对应的目标温度，各目标温度包括所述第二温度范围的端点温度；

将各NAND颗粒组的多个Block组分别分配对应的擦写轮次，各NAND颗粒的多个Block组根据各NAND颗粒的多个Block划分得到，各NAND颗粒的多个Block根据预设Block分布特征从各所述NAND颗粒组的各Die中筛选得到；

在各NAND颗粒的目标温度下，对各NAND颗粒的各Block进行对应擦写轮次的擦写磨损测试，对完成擦写磨损测试的各NAND颗粒的各Block分别进行高温写低温读、低温写高温读测试。

举例来说，若多个NAND颗粒为N个NAND标温颗粒，首先，将N个NAND标温颗粒均分为M组，每组NAND颗粒分别分配到宽温范围内的不同环境温度下进行擦写磨损测试，擦写测试的环境温度必须包含-40℃和85℃，其他温度点可根据需要搭配。其次，对不同环境温度下的NAND标温颗粒的各Die挑选具有代表性的Block，代表性的Block可以为根据经验确定的品质较若的Block，将挑选的Block均分为S组，每组Block分别分配到不同的擦写轮次(PECycle)。最后，观测不同环境温度、不同擦写轮次下，各挑选的Block是否出现擦写读失败等测试结果。具体的，对不同环境温度、不同擦写轮次下的Block进行多次完全相同条件的-40/85℃高温写低温读，低温写高温读测试，判定各Block的多个页出错位计数是否表现稳定，即判断各Block的多个页出错位计数的差异值是否大于预设差异阈值。若某一个Block的多个页出错位计数的差异值大于预设差异阈值，则判定该Block所在的NAND标温颗粒不能适用于该宽温规格。若某一个NAND标温颗粒的所有Block的多个页出错位计数的差异值均小于等于预设差异阈值，则判定NAND标温颗粒适用于该宽温规格。

在一实施方式中，所述方法还包括：

在所述第二温度范围下，对完成擦写磨损测试的各NAND颗粒的各Block分别进行数据保存测试及读干扰测试，得到各NAND颗粒的各Block的数据保存测试结果及读干扰测试结果；

根据各NAND颗粒的各Block的数据保存测试结果及读干扰测试结果确定各NAND颗粒在所述第二温度范围下的最大擦写轮次。

示范性的，对完成擦写磨损测试的各NAND标温颗粒的各Block区分Open Block和Close Block进行数据保持(Data Retention)测试。数据保持规格可参考原厂规格或根据实际需要调整。数据保持测试按照如下表1进行：

表1

其中，“-40℃Program HTDR-40℃Best Read”表示在-40℃对Block进行写操作，将数据在某一温度存储一段时间，在-40℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“-40℃Program HTDR 85℃Best Read”表示在-40℃对Block进行写操作，将数据在某一温度存储一段时间，在-85℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“85℃Program HTDR-40℃Best Read”表示在85℃对Block进行写操作，将数据在某一温度存储一段时间，在-40℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“85℃Program HTDR 85℃Best Read”表示在85℃对Block进行写操作，将数据在某一温度存储一段时间，在85℃采用理论上的最好读电压读取数据。

综合各测试结果，在使用最好读电压(Best Read)时，满足主控纠错能力和要求的数据保持规格的前提下，确定该NAND标温颗粒在宽温度条件下所能达到的最大擦写轮次。

对完成擦写磨损测试的各NAND标温颗粒的各Block，区分Block读干扰(ReadDisturb)和单页读干扰(Single Page Read Disturb)进行测试。读干扰规格可参考原厂规格或根据实际需要调整。读干扰测试按照如下表2进行：

表2

“-40℃Program Read Disturb-40℃Best Read”表示在-40℃对Block进行写操作，将数据在某一温度下，读干扰一段时间，在-40℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“-40℃Program Read Disturb 85℃Best Read”表示在-40℃对Block进行写操作，将数据在某一温度下，读干扰一段时间，在85℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“85℃Program Read Disturb-40℃Best Read”表示在85℃对Block进行写操作，将数据在某一温度下，读干扰一段时间，在-40℃采用理论上的最好读电压读取数据。

“85℃Program Read Disturb 85℃Best Read”表示在85℃对Block进行写操作，将数据在某一温度下，读干扰一段时间，在85℃采用理论上的最好读电压读取数据。

综合各测试结果，在使用Best Read时，满足主控纠错能力和要求的读干扰规格的前提下，该NAND标温颗粒在宽温度条件下所能达到的最大擦写轮次。

结合前面获取的两个最大擦写轮次，从满足主控纠错能力和要求的数据保持规格的前提下，该NAND标温颗粒在宽温度条件下所能达到的最大擦写轮次，以及满足主控纠错能力和要求的读干扰规格的前提下，该NAND标温颗粒在宽温度条件下所能达到的最大擦写轮次中确定较小值，作为该NAND标温颗粒在宽温度条件下的最大擦写轮次。

这样，综合上述所有测试结果，初步得出该NAND标温颗粒在满足宽温环境条件、数据保存规格、读干扰规格等前提下，所能达到的最大擦写轮次。

在一实施方式中，所述方法还包括：

在所述第二温度范围下，获取所述目标NAND的模拟测试场景，根据所述模拟测试场景对所述目标NAND进行所述第二温度规格的性能测试，以得到所述目标NAND颗粒的超温度规格性能结果。

在本实施例中，模拟宽温使用真实场景，对擦写规格范围内的Block，随机叠加温变、数据保持测试、读干扰测试等模拟测试场景，测试NAND标温颗粒的宽温表现，以最终得出该NAND标温颗粒是否支持该宽温环境下使用，且满足各规格前提下，该NAND标温颗粒能达到的最大擦写轮次。

本实施例提供的NAND颗粒的处理方法，根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。这样，从符合第一温度规格的NAND颗粒中筛选得到符合第二温度规格的NAND颗粒，有效降低符合第二温度规格的NAND颗粒的研发周期及生产成本。

实施例2

本申请实施例提供了一种NAND颗粒的应用方法。

参见图2，NAND颗粒的应用方法包括步骤S201，下面对各步骤进行说明。

步骤S201，在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

在本实施例中，目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到，详情可以参见实施例1的相关描述，为避免重复，在此不做赘述。初始存储产品可以为固态硬盘(Solid State Disk，SSD)。由于目标存储产品上设置有目标NAND颗粒，目标NAND颗粒符合第二温度规格，故目标存储产品也符合第二温度规格，可以降低生产符合第二温度规格的存储产品的生产周期及成本。

在一实施方式中，所述方法还包括：

将所述目标NAND颗粒中位于品质薄弱区域的Die确定为符合第一温度规格的第一类Die；

将所述NAND颗粒中位于品质健壮区域的Die确定为第二温度规格的第二类Die。

示范性的，若目标NAND颗粒的Wafer上部分品质薄弱区域的Die作为符合第一温度规格的第一类Die，品质薄弱区域的Die可以为边缘(Edge)Die，该第一类Die不作为宽温颗粒使用，可作为标准温度颗粒使用。位于品质健壮区域的Die可以为除边缘Die之外的Die。第二类Die可作为宽温颗粒使用。

在一实施方式中，所述方法还包括：

根据筛块系数从所述目标NAND颗粒中筛选得到薄弱Block，将所述薄弱Block确定为坏Block或将所述薄弱Block的模式设置为高可靠性模式。

根据预先获得的筛块系数对生产阶段的目标NAND颗粒筛出薄弱(Weak)Block。也可以根据实验中发现的部分固定薄弱Block，直接在目标NAND颗粒中相应位置的Block标为坏Block，或，根据部分固定薄弱Block将目标NAND颗粒中相应位置的Block采用可靠性更高的模式(比如SLC)使用。

在一实施方式中，所述方法还包括：

在所述第二温度范围下，获取所述目标存储产品的模拟测试场景，根据所述模拟测试场景对所述目标存储产品进行所述第二温度规格的性能测试，以得到所述目标存储产品的超温度规格性能结果。

在本实施例中，模拟目标存储产品的超温度规格的使用真实场景进行测试，若目标存储产品的超温度规格性能结果较好，则将该目标存储产品作为质量合格的产品，若目标存储产品的超温度规格性能结果较差，则将该目标存储产品作为质量不合格的产品，以确保目标存储产品的质量。

此外，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的应用方法，在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。这样，目标存储产品为超温度规格产品，可以保障超温度规格的存储产品的质量和可靠性，降低超温度规格产品的生产周期及成本。

实施例3

此外，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的处理装置。

如图3所示，NAND颗粒的处理装置300包括：

筛选模块301，用于根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；

确定模块302，用于对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。

在一实施方式中，确定模块302，还用于在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行稳定性测试，得到各NAND颗粒的稳定度评价结果；

从多个所述NAND颗粒中确定稳定度评价结果属于预设稳定度范围的目标NAND颗粒。

在一实施方式中，确定模块302，还用于在所述第二温度范围下对各NAND颗粒进行高温写低温读、低温写高温读测试，得到各NAND颗粒的擦写读失败比例和多个页出错位计数，将各NAND颗粒的擦写读失败比例和多个页出错位计数确定为所述稳定度评价结果；

从多个所述NAND颗粒中确定擦写读失败比率小于等于预设失败阈值，和/或页出错位计数的差异小于等于设定差异阈值的目标NAND颗粒。

在一实施方式中，NAND颗粒的处理装置300还包括：

处理模块，用于在所述第二温度范围下对所述目标NAND颗粒的各Block进行高温写低温读、低温写高温读测试，得到所述目标NAND颗粒的各Block的出错位计数；

根据主控纠错能力及预设筛块系数从所述目标NAND颗粒的各Block中确定得到出错位计数大于预设出错位计数阈值的坏Block。

在一实施方式中，确定模块302，还用于将多个所述NAND颗粒划分为多个NAND颗粒组，将各NAND颗粒组分配对应的目标温度，各目标温度包括所述第二温度范围的端点温度；

将各NAND颗粒组的多个Block组分别分配对应的擦写轮次，各NAND颗粒的多个Block组根据各NAND颗粒的多个Block划分得到，各NAND颗粒的多个Block根据预设Block分布特征从各所述NAND颗粒组的各Die中筛选得到；

在各NAND颗粒的目标温度下，对各NAND颗粒的各Block进行对应擦写轮次的擦写磨损测试，对完成擦写磨损测试的各NAND颗粒的各Block分别进行高温写低温读、低温写高温读测试，得到各NAND颗粒的擦写读失败比例和多个页出错位计数。

在一实施方式中，处理模块，还用于在所述第二温度范围下，对完成擦写磨损测试的各NAND颗粒的各Block分别进行数据保存测试及读干扰测试，得到各NAND颗粒的各Block的数据保存测试结果及读干扰测试结果；

根据各NAND颗粒的各Block的数据保存测试结果及读干扰测试结果确定各NAND颗粒在所述第二温度范围下的最大擦写轮次。

在一实施方式中，处理模块，还用于在所述第二温度范围下，获取所述目标NAND的模拟测试场景，根据所述模拟测试场景对所述目标NAND进行所述第二温度规格的性能测试，以得到所述目标NAND颗粒的超温度规格性能结果。

本实施例提供的NAND颗粒的处理装置300可以实现实施例1所提供的NAND颗粒的处理方法，为避免重复，在此不再赘述。

本实施例提供的NAND颗粒的处理装置，根据Die覆盖特征从多个Lot中筛选符合第一温度规格的多个NAND颗粒；对各NAND颗粒进行第二温度规格的性能测试，根据测试结果从多个NAND颗粒中确定符合所述第二温度规格的目标NAND颗粒，所述第一温度规格的第一温度范围为所述第二温度规格的第二温度范围的真子集。这样，从符合第一温度规格的NAND颗粒中筛选得到符合第二温度规格的NAND颗粒，有效降低符合第二温度规格的NAND颗粒的研发周期及生产成本。

实施例4

此外，本申请实施例提供了一种NAND颗粒的应用装置。

如图4所示，NAND颗粒的应用装置400包括：

设置模块401，用于在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

在一实施方式中，NAND颗粒的应用装置400还包括：

第一处理模块，用于将所述目标NAND颗粒中位于品质薄弱区域的Die确定为符合第一温度规格的第一类Die；

将所述NAND颗粒中位于品质健壮区域的Die确定为第二温度规格的第二类Die。

在一实施方式中，NAND颗粒的应用装置400还包括：

第二处理模块，用于根据筛块系数从所述目标NAND颗粒中筛选得到薄弱Block，将所述薄弱Block确定为坏Block或将所述薄弱Block的模式设置为高可靠性模式。

在一实施方式中，NAND颗粒的应用装置400还包括：

第三处理模块，用于在所述第二温度范围下，获取所述目标存储产品的模拟测试场景，根据所述模拟测试场景对所述目标存储产品进行所述第二温度规格的性能测试，以得到所述目标存储产品的超温度规格性能结果。

本实施例提供的NAND颗粒的应用装置400可以实现实施例2所提供的NAND颗粒的应用方法，为避免重复，在此不再赘述。

本实施例提供的NAND颗粒的处理装置，在初始存储产品上设置目标NAND颗粒，得到符合第二温度规格的目标存储产品，所述目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。这样，目标存储产品为超温度规格产品，可以保障超温度规格的存储产品的质量和可靠性，降低超温度规格产品的生产周期及成本。

实施例5

此外，本申请实施例提供了一种存储产品，包括目标NAND颗粒，所述目标NAND颗粒根据实施例1提供的NAND颗粒的处理方法确定得到。

在本实施例中，存储产品可以为只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者终端中还存在另外的相同要素。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。