具有修复结构的电致发光显示器

技术领域

本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器。具体地，本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器，其中缺陷像素不被处理为暗(或黑色)像素而是连接(或迂回(detoure))到正常操作的相邻像素。

背景技术

近来，已经开发了各种类型的显示器，诸如阴极射线管(CRT))、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器根据其独特的特性和目的用于显示诸如计算机、移动电话、银行存取款装置(ATM)和车辆导航系统之类的各种产品的图像数据。

特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器具有诸如视角和颜色实现程度的优异光学性能，使得其应用领域逐渐拓宽并且作为图像显示装置受到关注。由于这些优点，电致发光显示器作为用于实现4K超高分辨率显示器至8K分辨率显示器的最合适显示器而受到关注。随着分辨率的增加，像素的尺寸变得更小，并且像素中的发光区域的尺寸也变得更小。当电致发光显示器的像素的尺寸变小时，需要尽可能地确保发光区域的尺寸。为此，应用顶部发光型结构。

另外，随着分辨率增加，由于像素中的元件之间的电连接性或者一个或更多个元件本身的缺陷，像素缺陷的出现频率增加。当像素有缺陷时，可以考虑暗点处理，或者可以考虑用于连接到相邻正常像素的修复方法。修复元件包括用于断开发光元件与缺陷驱动元件之间的连接的切割部分，以及用于绕过缺陷驱动元件并连接到相邻正常驱动元件的焊接部分。

发明内容

对于顶部发光型的超高分辨率电致发光显示器，可以减小发光区域以确保用于放置修复元件的区域。这是因为激光照射区域被配置成不与发光区域交叠，以便在用于修复的激光照射工序期间不损坏设置在发光区域中的发光元件。

换句话说，当修复元件被设置成不与发光区域交叠时，在像素区域内需要用于修复元件的额外区域，因此可能在像素区域内减小发光区域。因此，提高分辨率受到限制。因此，对于具有顶部发光型和超高分辨率结构的电致发光显示器，需要开发能够解决由于需要修复元件而导致的分辨率限制问题的新修复结构。

为了解决上述问题，本公开的目的是提供一种电致发光显示器，其中修复元件与发光区域交叠以实现超高分辨率。本公开的另一目的是提供一种具有修复元件的电致发光显示器，该修复元件与发光区域交叠并且不损坏设置在所述发光区域内的发光元件。本公开的另一目的是提供一种具有修复结构的电致发光显示器，该修复结构能够通过照射具有适于施加到半导体层的低能级的激光而同时进行切割工序和焊接工序。

本公开的另外的优点和特征以及方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在阅读以下描述后将变得显而易见或者可以通过实践本公开而获知。本文提供的发明构思的目的和其它优点，本公开发明构思的其它特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或可从其得出的结构、其权利要求书以及附图来实现和获得。

为了实现本公开的上述目的，根据本公开的电致发光显示器包括：基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；像素，所述像素包括薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的发光元件，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层和与所述半导体层交叠的栅极；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述半导体层之间；以及修复元件，所述修复元件与所述发光元件交叠，所述修复元件包括：修复线，所述修复线电连接到所述薄膜晶体管的所述漏极并设置在所述基板与所述缓冲层之间，所述修复线包括位于所述基板上的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；以及修复电极，所述修复电极将所述修复线电连接到所述薄膜晶体管的所述漏极，所述修复电极位于所述缓冲层和所述栅极绝缘层上，其中，所述修复电极和所述栅极绝缘层与所述修复线交叠。

在一个实施方式中，电致发光显示器包括：第一像素，所述第一像素位于基板上，所述第一像素包括第一开关薄膜晶体管、连接到所述第一开关薄膜晶体管的第一驱动薄膜晶体管和连接到所述第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件；第二像素，所述第二像素位于所述基板上，所述第二像素包括第二开关薄膜晶体管、连接到所述第二开关薄膜晶体管的第二驱动薄膜晶体管和连接到所述第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件；以及修复元件，所述修复元件与所述第一发光元件和所述第二发光元件交叠，所述修复元件包括：修复线，所述修复线从所述第一像素延伸到所述第二像素，所述修复线具有倒锥形形状；第一修复电极，所述第一修复电极连接到所述第一驱动薄膜晶体管的驱动漏极，所述第一修复电极与所述第一开关薄膜晶体管的栅极设置在同一层处并且具有与所述第一开关薄膜晶体管的栅极相同的材料，并且所述第一修复电极与所述修复线的第一端交叠；以及第二修复电极，所述第二修复电极连接到所述第二驱动薄膜晶体管的驱动漏极，所述第二修复电极与所述第二开关薄膜晶体管的栅极设置在同一层处并且具有与所述第二开关薄膜晶体管的栅极相同的材料，并且所述第二修复电极与所述修复线的第二端交叠；以及缓冲层和栅极绝缘层，所述缓冲层和所述栅极绝缘层设置在所述修复线与所述第一修复电极之间以及所述修复线与所述第二修复电极之间。

在一个实施方式中，电致发光显示器包括：第一像素，所述第一像素被配置成发射光，所述第一像素包括第一开关薄膜晶体管、连接到所述第一开关薄膜晶体管的第一驱动薄膜晶体管和连接到所述第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件；第二像素，所述第二像素是有缺陷的并且不能发射光，所述第二像素包括第二开关薄膜晶体管、连接到所述第二开关薄膜晶体管的第二驱动薄膜晶体管和连接到所述第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件；第一修复线，所述第一修复线在不电连接到所述第一像素的情况下延伸到所述第一像素而不延伸到所述第二像素；第一修复电极，所述第一修复电极连接到所述第一像素的所述第一驱动薄膜晶体管并且在所述第一修复电极不电连接到所述第一修复线的情况下与所述第一修复线交叠；第二修复线，所述第二修复线延伸到所述第二像素但不延伸到所述第一像素，并且电连接到所述第二像素；第二修复电极，所述第二修复电极连接到所述第二驱动薄膜晶体管和所述第二修复线，所述第二修复电极与所述第二修复线交叠；以及缓冲层和栅极绝缘层，所述缓冲层和所述栅极绝缘层包括：第一部分，所述第一部分设置在所述第一修复线与所述第一修复电极之间，并且具有第一接缝区域，所述第一接缝区域的厚度比所述缓冲层和所述栅极绝缘层的所述第一部分的与所述第一修复线交叠的其它区域薄；以及第二部分，所述第二部分设置在所述第二修复线与所述第二修复电极之间，并且具有第二接缝区域，所述第二接缝区域的厚度比所述缓冲层和所述栅极绝缘层的所述第二部分的与所述第二修复线交叠的其它区域薄，其中，所述第一修复电极的一部分位于所述第一接缝区域中，使得所述缓冲层和所述栅极绝缘层的所述第一部分位于所述第一修复线与所述第一修复电极之间，从而防止所述第一修复电极连接到所述第一修复线，并且其中，所述第二修复电极的一部分位于所述第二接缝区域中，并且所述第二修复电极的该部分与所述第二修复线之间的物理连接穿过所述第二接缝区域，以将所述第二修复线和所述第二修复电极的位于所述第二接缝区域中的该部分连接在一起。

根据本公开的电致发光显示器包括与所述发光元件的发光区域交叠的修复元件。因此，不存在由所述修复元件导致的分辨率约束问题，因此容易实现超高分辨率。另外，用于修复缺陷像素的切割工序和焊接工序使用266nm的波段激光以低能量进行。即使修复元件与发光元件交叠地设置，切割工序和焊接工序也可以用具有低能量的激光同时进行。因此，与修复元件交叠的发光元件不会被修复工艺中产生的热能损坏。本公开可以提供具有修复结构的超高分辨率电致发光显示器。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且附图被包含在本申请中并构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器的示意性结构的平面图。

图2是例示根据本公开的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。

图3是例示根据本公开的一个实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。

图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

图5是例示根据本公开的一个实施方式的具有修复结构的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构的平面图。

图6A是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之前的焊接部分和切割部分的结构。

图6B是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的结构。

图7是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构。

图8是例示根据本公开的另一实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。

图9是沿着图8中的线IV-IV’的截面图，例示了根据本公开的另一实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

图10是例示在根据本公开的另一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的截面图。

图11A至图11E是例示根据本公开的另一实施方式的开口孔的各种形状的平面图。

图12是沿着图8中的线IV-IV’的截面图，例示了根据本公开的另一实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的形式来实施，不应解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开可以足够清楚和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的受保护范围由权利要求及其等同物限定。

在附图中例示以便描述本公开的各种示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅通过示例的方式给出。因此，本公开不限于所示的细节。除非另有说明，否则在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的要点的情况下，可能省略此类已知功能或配置的详细描述。

现在将详细参照本公开的示例性实施方式，在附图中例示出了本发明的示例性实施方式的示例。在可能的情况下，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。在说明书中，应当注意，在其它附图中已经用于表示相同元件的相同附图标记在可能的情况下用于该元件。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的必要配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的用语应理解如下。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一部分。除非另有说明，否则单数形式的用语可以包括复数形式。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，元件也被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“上”、“上方”、“下方”和“紧接着”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括其间没有接触的情况。如果提到第一元件定位在第二元件“上”，这并不意味着在图中第一元件必须定位在第二元件上方。相关对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此，第一元件被定位在第二元件“上”的情况包括在图中或在实际配置中第一元件被定位在第二元件“下方”的情况以及第一元件被定位在第二元件“上方”的情况。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

应当理解，尽管可以在本文中使用用语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些用语的限制。这些用语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)之类的用语。这些用语仅用于将元件与其它元件区分开，并且这些用语不限制元件的性质、次序、顺序或数量。当一个元件被描述为“链接”、“联接”或“连接”到另一元件时，除非另有说明，否则该元件可以直接连接到该另一元件，或者间接连接到该另一元件。应当理解，其它元件可以“插置”在可以连接或联接的每个元件之间。

应当理解，用语“至少一个”包括与任一个项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件当中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件的所有组合。

如本领域技术人员能够充分理解的那样，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以不同地彼此互操作并且在技术上驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以按照互相依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。在对每个附图的元件指定附图标记时，即使相同的部件在不同的附图中示出，它们也可以尽可能具有相同的附图标记。为了便于描述，附图中所示的元件的比例具有与实际不同的比例，其不限于附图中所示的比例。

在下文中，参照附图，将详细解释本公开。图1是例示根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。

参照图1，电致发光显示器包括基板110、选通(或扫描)驱动器200、数据焊盘部分300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和定时控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料之类的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于表示静止图像或视频图像的区域的显示区域AA可以被限定为基板110的大部分中间区域，但是不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或选通线)、多条数据线和多个像素。像素中的每个像素可以包括多个子像素。子像素中的每个子像素分别包括扫描线和数据线。

作为不表示视频图像的区域的非显示区域NDA可以与显示区域AA邻近地设置，或至少部分地围绕显示区域AA。例如，非显示区域NDA可以限定在基板110的围绕全部或部分显示区域AA的周边区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置选通驱动器200和数据焊盘部分300。

选通驱动器200可以根据从定时控制器500接收的选通控制信号来向扫描线提供扫描(或选通)信号。选通驱动器200可以形成在基板110上的显示区域AA的任何一个外部处的非显示区域NDA处，作为GIP(面板内选通驱动器)类型。GIP类型是指选通驱动器200直接形成在基板110上。

数据焊盘部分300可以根据从定时控制器500接收的数据控制信号来向数据线提供数据信号。数据焊盘部分300可以被制成驱动器芯片并安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附接在基板110上的显示区域AA的任一外部处的非显示区域NDA处，作为TAB(带式自动接合)类型。

源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号来将数字视频数据转换成模拟数据电压，然后向数据线提供模拟数据电压。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以被安装在柔性膜430上，作为COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型。

柔性膜430可以包括将数据焊盘部分300连接到源极驱动IC 410的多条第一链接线以及将数据焊盘部分300连接到电路板450的多条第二链接线。柔性膜430可以使用各向异性导电膜附接在数据焊盘部分300上，使得数据焊盘部分300可以连接到柔性膜430的第一链接线。

电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括被实现成驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

定时控制器500可以通过电路板450的线路电缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号来生成用于控制选通驱动器200的操作定时的选通控制信号和用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以向选通驱动器200提供选通控制信号，并且向源极驱动IC 410提供源极控制信号。根据产品类型，定时控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并安装在基板110上。

图2是例示根据本公开的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。图3是例示根据本公开的一个实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

参照图2至图4，发光显示器的一个像素P可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD来限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被提供有用于驱动发光二极管OLE的高电平电压。

例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在扫描线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅极SG、开关源极SS和开关漏极SD。如图3所示，开关栅极SG可以连接到扫描线SL，或者是扫描线SL的一部分。开关源极SS可以连接到数据线DL，并且开关漏极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过将数据信号提供给驱动薄膜晶体管DT，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到驱动通过开关薄膜晶体管ST所选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅极DG、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD。例如，开关漏极SD可以经由穿过覆盖驱动栅极DG的中间绝缘层ILD的漏极接触孔DH来连接到驱动栅极DG。驱动源极DS可以连接到驱动电流线VDD，并且驱动漏极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极ANO。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极DG与发光二极管OLE的阳极ANO之间。在图3和图4中，为了避免附图的复杂性，没有示出存储电容Cst。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD的驱动栅极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流到发光二极管OLE的电流量。

图4示出了薄膜晶体管ST和DT形成为顶栅结构。顶栅意指栅极SG和DG形成在半导体层SA和DA上或上方。例如，在顶栅结构中，半导体层SA和DA首先形成在基板110上，并且栅极SG和DG形成在覆盖半导体层SA和DA的栅极绝缘层GI上。然而，其不限于此。作为另一示例，根据本公开的电致发光显示器可以具有底栅结构。在底栅结构中，栅极可以首先形成在基板上，然后半导体层形成在覆盖栅极的栅极绝缘层上。

另外，对于图4所示的顶栅结构，可以在栅极SG和DG上沉积中间绝缘层ILD。数据线DL、源极SS和DS、漏极SD和DD以及驱动电流线VDD设置在中间绝缘层ILD上。

发光二极管OLE可以包括阳极ANO、发光层EL和阴极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流量来发射光。在发光二极管OLE中，发射的光量通过由驱动薄膜晶体管DT控制的电流来控制，从而可以调节电致发光显示器的亮度。发光二极管OLE的阳极ANO连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD，并且阴极CAT连接到被提供低电位电压的低电源线VSS。换句话说，可以通过低电平电压与由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE。

钝化层PAS沉积在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上方。在一个实施方式中，钝化层PAS由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料制成。平坦化层PL沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以是用于使其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的不均匀(或不平坦)表面平坦化的膜层。为了使不均匀表面状况均匀化，平坦化层PL可以由有机材料制成。钝化层PAS和平坦化层PL具有使驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD的部分暴露的像素接触孔PH。

阳极ANO形成在平坦化层PL上。阳极ANO经由像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD。根据发光二极管OLE的发光类型，阳极ANO可以具有不同的结构。例如，在光被发射到设置基板110的方向的底部发光型中，阳极ANO可以由透明导电材料制成。例如，在光被发射到与基板110相反的方向的顶部发光型中，阳极ANO可以由具有优异光反射率的金属材料制成。

在本公开中，顶部发光型适合于实现超高分辨率。根据一个实施方式，在顶部发光型中，阳极ANO在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大面积。在这种情况下，薄膜晶体管ST和DT可以设置成在阳极ANO下方与阳极ANO交叠。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL也可以与阳极ANO部分交叠。在图3中，为了避免附图的复杂性，阳极ANO被示为不与线交叠。

堤部BA形成在阳极ANO上。堤部BA可以覆盖阳极ANO的周边区域，并且暴露阳极ANO的中间部分的大部分。阳极ANO的通过堤部BA暴露的区域可以被限定为像素的发光区域。

在顶部发光型中，薄膜晶体管ST和DT可以设置成与发光区域交叠。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分可以与发光区域交叠。

发光层EL沉积在阳极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积在整个显示区域AA上，以覆盖阳极ANO和堤部BA。在实施方式中，发光层EL可以包括垂直层叠的两个或更多个发光层，用于组合并发射白光。例如，发光层EL可以包括用于组合第一颜色光和第二颜色光以发射白光的第一发光层和第二发光层。

在另一实施方式中，发光层EL可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任一者，用于提供在像素处分配的彩色光。在这种情况下，发光层EL可以被设置成在由堤部BA限定的每个发光区域内被隔离。另外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或发光时间的功能层。

阴极CAT以与发光层EL表面接触的方式沉积在发光层EL上。阴极CAT以与设置在所有像素处的发光层EL连接的方式沉积成覆盖基板110的整个表面。对于顶部发光型，在一个实施方式中，阴极CAT可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。

根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器还可以包括修复元件RP。修复元件RP可以是在不使缺陷像素变暗的情况下使任何缺陷像素像正常像素一样操作的配置。

修复元件RP可以包括修复线RL和修复电极RT。修复线RL可以具有设置在两个相邻的像素P1与P2之间的线段形状。修复线RL的一端可以设置在任一像素处，并且修复线RL的另一端可以设置在另一相邻的像素处。

修复线RL可以首先形成在基板110上。特别地，修复线RL可以具有双层结构。例如，修复线RL可以包括彼此顺序层叠的第一金属层LS1和第二金属层LS2。在一个实施方式中，修复线RL在截面图中可以具有倒锥形形状。例如，第一金属层LS1可以具有第一宽度，并且第二金属层LS2可以具有比第一宽度宽的第二宽度。结果，修复线RL在截面图中可以具有例如“T”形状的倒锥形结构。然而，其不限于此。在其它实施方式中，第一金属层LS1可以具有与第二金属层LS2的宽度相同的宽度。

修复线RL被层叠在基板110的整个表面上的缓冲层BUF覆盖。在这种情况下，可以在由于倒锥形结构而具有阶梯差的修复线RL的两侧形成接缝区域。接缝区域可以通过将缓冲层BUF沉积得比其它部分更薄来形成。

半导体层SA和DA形成在缓冲层BUF上。半导体层SA和DA被层叠在基板110的整个表面上的栅极绝缘层GI覆盖。缓冲层BUF的接缝区域可以在栅极绝缘层GI处被反映(或再现)，因为栅极绝缘层GI沉积得比其它部分更薄。栅极SG和DG分别以与半导体层SA和DA交叠的方式形成在栅极绝缘层GI上。修复电极RT包括与栅极SG和DG相同的材料，并与栅极SG和DG设置在同一层处。即使当第一金属层LS1具有与第二金属层LS2相同的宽度时，也可以形成接缝区域，因为缓冲层BUF和栅极绝缘层GI以比其它部分更薄的方式沉积在第二金属层LS2的两侧上。

修复电极RT可以具有从第一端延伸到第二端的短段形状，其中第一端与连接到阳极ANO的驱动漏极DD连接，并且第二端与修复线RL的一端交叠。修复电极RT的与修复线RL交叠的第二端层叠在接缝区域的端部部分上，使得接缝区域的端部部分被修复电极RT的第二端覆盖。由于修复电极RT在填充接缝区域的同时被层叠，因此修复电极RT与修复线RL之间的分离距离在接缝区域处比其它部分明显短(或近)。

栅极SG和DG以及修复电极RT被层叠在基板110的整个表面上的中间绝缘层ILD覆盖。源极SS和DS、漏极SD和DD、数据线DL和驱动电流线VDD形成在中间绝缘层ILD上。中间绝缘层ILD可以具有暴露修复电极RT的第一端的修复接触孔RH。驱动漏极DD延伸到修复电极RT的第一端，然后经由修复接触孔RH连接到修复电极RT。

在修复电极RT上，修复屏蔽层SHL还可以包括与驱动漏极DD相同的材料，并且与设置在中间绝缘层ILD上的驱动漏极DD形成在同一层处。修复屏蔽层SHL可以具有完全覆盖修复电极RT的与修复线RL的一端交叠的第二端的岛状。修复屏蔽层SHL可以是金属层，用于防止或至少减少当修复线RL的一端和修复电极RT的第二端被焊接时产生的热传递到设置在其上的发光二极管OLE。

钝化层PAS沉积在具有源极SS和DS、漏极SD和DD、数据线DL、驱动电流线VDD和修复屏蔽层SHL的基板110上方。平坦化层PL沉积在钝化层PAS上。

修复线RL的一端与修复电极RT的第二端交叠或设置有修复屏蔽层SHL的区域可以被限定为焊接部分WD。焊接部分WD可以设置成与开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA邻近。与焊接部分WD邻近的开关半导体层SA可以被限定为切割部分CU。然而，其不限于此。切割部分CU可以限定或设置在驱动薄膜晶体管DT的一部分处。

根据本公开的修复元件可以切断缺陷像素的阳极与连接到阳极的薄膜晶体管之间的连接性，并且可以使得连接到正常工作的相邻像素的驱动薄膜晶体管。参照图5至图7，将解释当出现缺陷像素时通过迂回或连接到正常像素来恢复或修复缺陷的结构。

图5是例示根据本公开的一个实施方式的具有修复结构的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构的平面图。图6A是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之前的焊接部分和切割部分的结构。图6B是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的结构。图7是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构。

根据本公开的电致发光显示器可以包括以矩阵方式排列在基板110上的多个像素P。例如，如图5所示，第一像素P1和第二像素P2可以设置成彼此邻近。第一像素P1可以具有第一阳极ANO1，并且第二像素P2可以具有第二阳极ANO2。由于薄膜晶体管与像素P1和P2中的每个像素中包括的线之间的关系与上述相同，因此将不重复详细描述。

修复元件RP可以包括修复线RL、第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。修复线RL可以跨第一像素P1到第二像素P2设置。第一修复电极RT1可以设置在第一像素P1处，并且第二修复电极RT2可以设置在第二像素P2处。

第一修复电极RT1可以与连接到设置在第一像素P1处的第一阳极ANO1的第一驱动漏极DD1连接。具体地，第一修复电极RT1的第一端可以经由形成在覆盖第一修复电极RT1的中间绝缘层ILD处的第一修复接触孔RH1来连接到第一驱动漏极DD1。在截面图中，第一修复电极RT1的第二端可以与修复线RL交叠，在该第一修复电极RT1的第二端与修复线RL之间具有缓冲层BUF和栅极绝缘层GI。

第二修复电极RT2可以与连接到设置在第二像素P2处的第二阳极ANO2的第二驱动漏极DD2连接。具体地，第二修复电极RT2的第一端可以经由形成在覆盖第二修复电极RT2的中间绝缘层ILD处的第二修复接触孔RH2来连接到第二驱动漏极DD2。在截面图中，第二修复电极RT2的第二端可以与修复线RL交叠，在该第二修复电极RT2的第二端与修复线RL之间具有缓冲层BUF和栅极绝缘层GI。

修复线RL的一端可以与第一修复电极RT1的第二端交叠，并且修复线RL的另一端可以与第二修复电极RT2的第二端交叠。如上所述，在形成于缓冲层BUF和/或栅极绝缘层GI中的接缝区域处，第一修复电极RT1和第二修复电极RT2比其它区域更靠近修复线RL。因此，即使当使用例如266nm波段的具有低能量的激光时，修复线RL也可以被熔化并物理地且电地连接到第一修复电极TR1和第二修复电极RT2。

另外，当使用在例如266nm波段的具有低能量的激光时，可以切断半导体层SA和DA。通过将具有低能量的相同激光照射到焊接部分WD和切割部分CU，可以同时执行焊接工序和切割工序。

例如，第一像素P1可以是正常像素，并且第二像素P2可以是缺陷像素。由于在开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT中发生缺陷，因此缺陷像素可能处于阳极ANO不能被正常驱动的状态。出现缺陷的第二像素P2可以变暗。这是用于禁用开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT的方法，开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT是用于驱动设置在第二像素P2中的第二阳极ANO2的元件。这里，可以通过切割开关半导体层SA或驱动半导体层DA的最靠近基板110定位的部分来禁用薄膜晶体管ST或DT。

本公开提供一种将缺陷像素的阳极连接到相邻正常像素的驱动薄膜晶体管而不是使缺陷像素变暗的方法和/或结构。为此，如图5所示，可以将激光照射到设置在发生缺陷的第二像素P2中的开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA的一部分，从而切割开关半导体层SA。这里，在一个实施方式中，可以使用在266nm波段的具有低能量的激光。当使用在1064nm波段的具有高能量的激光时，热能太高并且可能对设置在开关半导体层SA上方的发光二极管OLE造成损害。

另外，在266nm波段的具有低能量的激光可以照射到第一像素P1中的第一焊接部分WD1，在第一焊接部分WD1中，第一修复电极RT1的第二端与修复线RL的一端彼此交叠。结果，修复线RL的该端熔化，然后穿过厚度比其它区域薄的接缝区域，从而物理地且电地连接到设置在修复线RL上的第一修复电极RT1的第二端。

此外，在266nm波段的具有低能量的激光可以照射到第二像素P2中的第二焊接部分WD2，在第二焊接部分WD2中，第二修复电极RT2的第二端与修复线RL的另一端彼此交叠。结果，修复线RL的另一端熔化，然后穿过厚度比其它区域薄的接缝区域，从而物理地且电地连接到设置在修复线RL上的第二修复电极RT2的第二端。

结果，在发生缺陷的第二像素P2中，被配置成操作用于驱动第二阳极ANO2的驱动薄膜晶体管DT的开关薄膜晶体管ST被禁用。此外，第二阳极ANO2经由修复元件RP连接到设置在第一像素P1中的第一驱动漏极DD1。因此，第二像素P2处于与第一像素P1相同的操作状态，并且因此可以显示与P1相同的颜色，从而避免了缺陷像素的变暗。

由于根据本公开的修复元件RP可以用于通过连接到相邻正常像素来修复要驱动的缺陷像素，而不是使缺陷像素变暗，因此可以防止或至少减少由于缺陷像素引起的图像质量的劣化。特别地，由于缺陷像素与相邻正常像素相同地操作，所以观看者保持不知道显示器具有任何缺陷问题。因此，通过提供修复高分辨率显示装置的可能性，可以在制造期间实现更高的产量。进一步避免了有缺陷的显示装置仅因极少的缺陷而被取消资格或被淘汰。

在根据本公开的电致发光显示器中，使用在例如266nm波段的具有低能量的激光来修复缺陷像素。由于根据本公开的电致发光显示器具有顶部发光型，所以焊接部分WD和切割部分CU二者设置成与阳极ANO交叠，并且特别是与发光区域交叠。利用该结构，例如，如果从基板110的下表面照射在现有技术中主要用于焊接的1064nm波长的激光，则高能量可能对发光二极管OLE产生不利影响。也就是说，即使可以进行修复工艺，发光二极管OLE也可能被损坏然后破裂。

然而，在根据本公开的电致发光显示器中，其特征在于，适合于切割半导体层SA和DA的在266nm波段的激光用于焊接工序。也就是说，用于对切割部分CU中的半导体层进行切割的具有低能量的激光也用于连接焊接部分WD中的金属修复电极RT和修复线RL。

由于修复线RL具有倒锥形结构，因此接缝区域形成在修复线RL的覆盖修复线RL的缓冲层BUF和栅极绝缘层GI以比其它区域薄的厚度沉积的侧边缘处。在接缝区域处，栅极绝缘层GI上的修复电极RT1和RT2与修复线RL的距离比其它区域短。结果，即使使用266nm的低能量激光，修复线RL也可以熔化，并且修复线RL可以通过接缝区域物理地且电地连接到修复电极RT1和RT2。也就是说，切割工序和焊接工序可以使用相同的激光在单个工序中进行，而不是这些工序使用不同的激光在分开的工序中进行。

在没有接缝区域的情况下，当利用266nm波段的具有低能量的激光在焊接部分WD处进行焊接工序时，修复线RL可能熔化，但是熔化的部分可能不会穿过覆盖修复线RL的缓冲层BUF和栅极绝缘层GI。结果，修复线RL可能不会连接到修复电极RT1和RT2。

参照图6A，266nm波长的具有低能量的激光可以照射到焊接部分WD和切割部分CU。这里，激光束可以照射在设置在基板110上的修复线RL和开关半导体层SA上。具体地，在修复线RL上，用激光照射包括接缝区域的区域。结果，如图6B所示，开关半导体层SA在切割部分CU处通过热能被熔化和切割。由于不存在直接交叠在开关半导体层SA上的金属材料，所以激光能量可以不影响其它层。在一些情况下，开关栅极和开关源极可能与开关半导体层SA部分交叠。然而，即使当开关栅极和开关源极熔化并且彼此连接时，半导体层也被切割并且其连接性被破坏，使得开关薄膜晶体管被禁用。

此外，在图6B的焊接部分WD处，当修复线RL熔化时，修复线RL的熔化部分穿过厚度比其它区域薄的接缝区域，然后修复线RL连接到设置在其上的修复电极RT1和RT2。由于缓冲层BUF和栅极绝缘层GI在接缝区域处非常薄，因此即使利用低热能，修复线RL也可以熔化并穿过接缝区域。

参照图7，开关半导体层SA在切割部分CU处被切割，并且设置在具有缺陷的第二像素P2中的发光二极管OLE可以与开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT断开连接。然而，在焊接部分WD处，修复线RL可以连接到第二修复电极RT2。此外，即使在图7中未示出，修复线RL也可以如图5所示连接到第一修复电极RT1。因此，第二阳极ANO2被连接成通过第一修复电极RT1、修复线RL和第二修复电极RT2由第一驱动漏极DD1驱动。

在下文中，参照图8至图10，将描述本公开的另一实施方式。图8是例示根据本公开的另一实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。图9是沿着图8中的线IV-IV’的截面图，例示了根据本公开的另一实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。图10是例示在根据本公开的另一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的截面图。

参照图8，本公开的另一实施方式可以与利用图3解释的实施方式相同，但存在一些差异。不同点在于，可以在修复线RL的两端处的与修复电极RT1和RT2交叠的部分处形成开口孔OH。开口孔OH可以是用于防止或至少减少缓冲层BUF和栅极绝缘层GI膨胀并由此防止或至少减少对层叠在其上的阳极ANO和发光层EL的损坏的元件。膨胀可能是由于在焊接工序期间施加的热能集中在修复线RL与修复电极RT1和RT2交叠的部分处而导致的。

在下文中，将参照附图对其进行简要描述。由于使用与图3和图4中相同的附图标记的相同元件的描述不重复进行，所以如有需要，描述可以参照图3至图7。

参照图8，根据本公开的另一实施方式的电致发光显示器包括修复元件RP。修复元件RP可以包括修复线RL和修复电极RT。修复线RL可以具有设置在两个相邻像素P1与P2之间的线段形状。修复线RL可以具有设置在一个像素处的一端和设置在另一像素处的另一端。

修复线RL可以首先形成在基板110上。特别地，修复线RL可以具有双层结构。例如，修复线RL可以包括顺序层叠的第一金属层LS1和第二金属层LS2。在一个实施方式中，修复线RL在截面图中可以具有倒锥形结构。例如，第一金属层LS1可以具有第一宽度，并且第二金属层LS2可以具有比第一宽度宽的第二宽度。因此，修复线RL在截面图中可以具有例如“T”形状的倒锥形形状。然而，其不限于此。第一金属层LS1的宽度可以与第二金属层LS2的宽度相同。

修复线RL可以被层叠在基板110的整个表面上的缓冲层BUF覆盖。在这种情况下，在由于倒锥形结构而具有高度差(level difference)的修复线RL的两侧，可以形成其中缓冲层BUF以比其它区域薄的厚度层叠的接缝区域。在第一金属层LS1的宽度和第二金属层LS2的宽度相同的情况下，也可以在第二金属层LS2的两侧边缘中形成其中缓冲层BUF和栅极绝缘层GI形成为比其它区域薄的接缝区域。

半导体层SA和DA形成在缓冲层BUF上。半导体层SA和DA可以由层叠在基板110的整个表面上方的栅极绝缘层GI覆盖。在缓冲层BUF的接缝区域，栅极绝缘层GI可以以比其它区域薄的厚度层叠，使得接缝区域可以在栅极绝缘层GI上再现。栅极SG和DG以与半导体层SA和DA交叠的方式形成在栅极绝缘层GI上。此外，修复电极RT与栅极SG和DG形成在同一层上并且由相同的材料形成。

修复电极RT可以具有短线段形状，包括第一端和第二端，第一端与连接到分配给一个像素P的阳极ANO的驱动漏极DD连接，第二端从所述第一端延伸以与修复线RL的一端交叠。修复电极RT的与修复线RL交叠的第二端可以形成为完全覆盖接缝区域。由于修复电极RT可以形成为填充接缝区域，因此在接缝区域处修复电极RT与修复线RL之间的距离可以比其它区域的该距离明显短。

栅极SG和DG以及修复电极RT可以由层叠在基板110的整个表面上方的中间绝缘层ILD覆盖。源极SS和DS、漏极SD和DD、数据线DL和驱动电流线VDD形成在中间绝缘层ILD上。中间绝缘层ILD可以具有暴露修复电极RT的第一端的一部分的修复接触孔RH。驱动漏极DD可以延伸到修复电极RT的第一端，使得其可以经由修复接触孔RH连接到修复电极RT。

此外，修复屏蔽层SHL还可以与设置在修复电极RT上的中间绝缘层ILD上的驱动漏极DD形成在同一层处并且由与该驱动漏极DD相同的材料形成。修复屏蔽层SHL可以具有完全覆盖修复电极RT的与修复线RL的另一端交叠的第二端的岛状。修复屏蔽层SHL可以是金属层，用于防止或至少减少当修复线RL的一端和修复电极RT的第二端焊接时产生的热(或热能)传递到设置在其上的发光二极管OLE。

修复线RL的一端与修复电极RT的第二端彼此交叠或设置有修复屏蔽层SHL的部分可以被限定为焊接部分WD。焊接部分WD可以设置成与开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA邻近。与焊接部分WD邻近的开关半导体层SA可以被限定为切割部分CU。然而，其不限于此。切割部分CU可以限定在驱动薄膜晶体管DT的一部分处。

特别地，在焊接部分WD处，分别在修复线RL的两端处形成开口孔OH。当利用激光将热(或热能)施加到焊接部分WD时，热能可以通过金属更快速地集中。因此，热能可以集中在开口孔OH周围的修复线RL的边缘(例如，周边)处，使得相对低的热能可以集中到开口孔OH。

结果，即使利用少量热能，修复线RL也可以熔化，然后焊接到设置在其上的修复电极RT。此外，由于热能不集中到开口孔OH，所以可以减少热能到位于开口孔OH上方的元件中的传递。也就是说，根据本公开的电致发光显示器的特征在于发光二极管OLE和修复电极RT彼此交叠，使得施加到修复电极RT的热不会损坏发光二极管OLE。

根据本公开，修复线RL的一端可以与第一修复电极RT1的第二端交叠，并且修复线RL的另一端可以与第二修复电极RT2的第二端交叠。如上所述，在缓冲层BUF和/或栅极绝缘层GI的接缝区域，第一修复电极RT1和第二修复电极RT2可以以比其它区域薄的厚度形成。因此，即使当使用在266nm波段的具有低能量的激光时，修复线RL也可以被熔化，然后物理地且电地连接到第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。

另外，通过使用在266nm波段的具有低能量的激光，可以切断半导体层SA和DA。因此，可以通过将具有低能量的相同激光照射到焊接部分WD和切割部分CU来进行焊接工序和切割工序。

266nm波长的具有低能量的激光可以照射在焊接部分WD和切割部分CU。这里，激光(LASER)可以照射到设置在基板110上的修复线RL和开关半导体层SA。特别地，激光被照射到靠近接缝区域设置的开口孔OH的周边。结果，如图10所示，在切割部分CU处，开关半导体层SA可以通过热能被熔化和切割。由于不存在与开关半导体层SA直接交叠的金属材料，所以激光能量可以不影响其它层。在一些情况下，开关栅极和开关源极可以与开关半导体层SA部分交叠。然而，即使当开关栅极和开关源极熔化并且彼此连接时，半导体层也被切割并且其连接性被破坏，使得开关薄膜晶体管被禁用。

此外，在焊接部分WD处，当修复线RL熔化时，修复线RL的熔化部分穿过厚度比其它区域薄的接缝区域，然后修复线RL连接到设置在其上的修复电极RT1和RT2。由于缓冲层BUF和栅极绝缘层GI在接缝区域处非常薄，因此即使利用低热能，修复线RL也可以熔化并穿过接缝区域。

在下文中，参照图11A至图11E，将描述根据本公开的另一实施方式的形成在修复线RL的两端处的各种形状的开口孔OH。图11A至图11E是例示根据本公开的另一实施方式的开口孔的各种形状的平面图。根据本公开的另一实施方式的开口孔OH可以具有各种形状中的任一种。例如，开口孔OH可以具有圆形形状、矩形形状、六边形形状或其它多边形形状。此外，开口孔OH可以具有在修复线RL的端部处与修复电极RT的某端部交叠的形状。

例如，如图11A至图11E所示，开口孔OH可以具有如图11A所示的圆形形状、如图11B所示的椭圆形形状、如图11C所示的矩形形状之类的多边形形状、如图11D所示的星形形状、如图11E所示的十字形状和其它各种形状中的任一种。图11A至图11E中的阴影部分是修复电极RT与修复线RL的除了形成在端部处的开口孔OH之外的部分交叠的部分。阴影部分是其中修复线RL和修复电极RT熔化然后通过使用激光的修复工艺接合的区域。

在下文中，参照图12，将解释本公开的另一实施方式。图12是沿着图8中的线IV-IV’的截面图，例示了根据本公开的另一实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

根据图12所示的另一实施方式的电致发光显示器可以与图9所示的电致发光显示器基本相同。差异的特征可以在于，形成在焊接部分WD中的开口孔OH形成在修复线RL的两端，以及形成在与修复线RL交叠的修复电极RT处。

利用这种结构，即使当使用较低能量的激光时，修复线RL也可以在焊接部分WD处熔化，从而可以非常容易地与修复电极RT连接。图12的使用与图9的附图标记相同的附图标记的元件基本相同。因此，可以不重复相同的描述，并且参照图9的描述可以容易地理解相同的描述。

在本公开的上述示例中描述的特征、结构、效果等包括在本公开的至少一个示例中，并且不限于仅一个示例。此外，在至少一个示例中解释的特征、结构、效果等可以由本公开所属领域的技术人员关于其它示例进行组合和变型来实现。因此，与这种组合和变型相关的内容应被解释为包括在本公开的范围内。

对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的本公开的修改和变型。根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所赋予的等同范围的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。