支承单元和包括该支承单元的基板处理装置

相关申请的交叉引用

本申请请求分别于2019年7月2日递交韩国知识产权局的第10-2019-0079203号韩国专利申请，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种支承单元以及包括该支承单元的基板处理装置。

背景技术

通过将中性气体加热至非常高的温度或使该中性气体经受强电场或射频(radiofrequency,RF)电磁场来产生等离子体，并且该等离子体是指含有离子、电子和自由基的物质的电离气态。半导体元件制造工艺可以包括使用等离子体的蚀刻工艺和灰化工艺等。通过等离子体中含有的离子和自由基与基板的碰撞，执行使用等离子体处理基板、诸如晶圆的工艺。

通常，使用等离子体用于处理基板的装置包括电极和下电极，以便将气体激发成等离子体。例如，如图1所示，使用等离子体用于处理基板的常规装置包括支承基板的静电卡盘1。静电卡盘1包括下电极2、绝缘构件3和导电构件4。导电构件4为接地的。下电极2与RF棒(RF rod)5耦合。下电极2与RF棒5电连接。RF棒5与电源6连接。电源6将RF功率施用至RF棒5。即，RF棒5将RF功率施用至下电极2。通常，基板支承在下电极2上。即，下电极2可以允许等离子体在基板上方产生。RF电流流过连接至电源6的RF棒5。RF电流沿着RF棒5的表面流动。电场的散布(dispersion)发生在区域A中，在该区域A中RF棒5与下电极2彼此接触。由于电场的散布，当从上方观察时，传递至下电极2的RF电流不同地传递到下电极2的区域。因此，在基板上方不均匀地产生电场。因此，在基板上方产生的等离子体的均匀性降低，这导致处理基板的效率下降。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的支承单元，以及包括该支承单元的基板处理装置。

此外，本发明构思的实施方案提供了一种用于最小化在电极板与电源棒(powersupply rod)彼此连接的区域中的电场散布的支承单元，以及包括该支承单元的基板处理装置。

另外，本发明构思的实施方案提供了一种用于提供调节基板上方产生的等离子体密度中的额外控制因素的支承单元，以及包括该支承单元的基板处理装置。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方案，一种支承单元，其设置在使用等离子体用于处理基板的装置中，所述支承单元包括：介电板，所述基板放置在所述介电板上；电极板，其设置在所述介电板的下方；电源棒，其将功率施用至所述电极板；以及凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，并且所述凸缘与所述电源棒间隔开。

根据一实施方案，所述凸缘可以为接地的。

根据一实施方案，所述凸缘可以设置成围绕所述电源棒的一部分、并且可以通过升降构件在上下方向上移动。

根据一实施方案，所述升降构件可以包括：气缸，其包括凸轮轴(cam shaft)，所述凸轮轴在第一方向上为可移动的；以及滚轮轴(roller shaft)，其与所述凸轮轴接触，并且所述滚轮轴通过所述凸轮轴的移动、在与所述第一方向不同的第二方向上为可移动的。

根据一实施方案，所述凸缘可以与所述滚轮轴耦合。

根据一实施方案，所述升降构件可以包括：齿条，其与致动器连接，所述齿条在第一方向上为可移动的；以及小齿轮(pinion)，其与所述齿条接合，所述小齿轮通过所述齿条的移动、在与所述第一方向不同的第二方向上为可移动的。

根据一实施方案，所述升降构件还可以包括：升降轴，其连接至所述小齿轮，并且所述升降轴在所述第二方向上延伸；并且所述凸缘可以与所述升降轴连接。

根据一实施方案，所述齿条可以具有相对于所述第一方向向上倾斜的形状。

根据一实施方案，所述升降构件可以包括：电机，其包括驱动轴；成对锥齿轮，其与所述驱动轴连接；以及升降轴，其通过所述成对锥齿轮的旋转、在上下方向上移动。

根据一实施方案，所述凸缘可以具有在顶部和底部处敞开的圆柱形形状。

根据一实施方案，所述凸缘可以包括第一主体和第二主体，所述第二主体从所述第一主体的下端、在侧向方向上延伸。

根据一实施方案，所述凸缘可以由导电材料形成。

根据一示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将气体供应到所述处理空间中；和等离子体源，其从所述气体产生等离子体。所述支承单元包括：介电板，所述基板放置在所述介电板上；电极板，其设置在所述介电板的下方；电源棒，其将功率施用至所述电极板；以及凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，并且所述凸缘与所述电源棒间隔开。

根据一实施方案，所述腔室可以为接地的，且所述凸缘可以与所述腔室电连接。

根据一实施方案，所述腔室和所述凸缘可以由导电材料形成。

根据一实施方案，所述凸缘可以设置成围绕所述电源棒的一部分、并且可以通过升降构件在上下方向上移动。

根据一实施方案，所述装置还可以包括控制所述支承单元的控制器，所述控制器可以控制所述升降构件，以根据通过所述等离子体处理的所述基板所需的蚀刻速率、来调节所述凸缘的上表面与所述电极板的下表面之间的距离。

根据一实施方案，当增加对于通过所述等离子体处理的所述基板的所述蚀刻速率时，所述控制器可以控制所述升降构件，以增加所述凸缘的所述上表面和所述电极板的所述下表面之间的所述距离。

附图说明

参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：

图1是示出了设置在使用等离子体用于处理基板的装置中的静电卡盘的一部分的视图；

图2是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的视图；

图3是示出了图2的凸缘的视图；

图4是示出了图2的升降构件的视图；

图5示出了根据凸缘的存在或不存在、以及凸缘和电极板之间的距离的基板蚀刻速率；

图6是示出了图2的凸缘向上或向下移动的状态的视图；

图7是示出了根据本发明构思的另一实施方案的升降构件的视图；以及

图8是示出了根据本发明构思的又一实施方案的升降构件的视图。

具体实施方式

下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本发明构思的实施方案中，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，该详细描述被省略。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。

说明书中的术语“包含(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应组件，并且除非有相反的具体说明，否则不排除而是可能包括额外的组件。具体地，应当理解的是，术语“包含(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。

除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。

然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应被理解为受限于本文所陈述的实施方案。相反地，提供了这些实施方案，使得本发明构思将是彻底且完整的，并且这些实施方案将向本领域技术人员完全地传达本发明构思的范围。在附图中，为了清楚说明，放大了组件的尺寸。

在本发明构思的实施方案中，将描述使用等离子体用于蚀刻基板的基板处理装置。然而，不限于此，本发明构思适于用于通过将等离子体供应到腔室中来执行工艺的各种类型的装置。

图2是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的截面图。参照图2，基板处理装置10使用等离子体处理基板W。基板处理装置10包括腔室100、支承单元200、喷头(showerhead)单元300、气体供应单元400、等离子体源、衬垫(liner)单元500、挡板(baffle)单元600和控制器700。

腔室100在其中具有处理空间102，在该处理空间102中执行基板处理工艺。腔室100设置为封闭形状。腔室100可以由导电材料形成。例如，腔室100可由含金属的材料形成。腔室100可由铝质材料形成。腔室100可为接地的。腔室100具有在其底部中形成的排出孔104。排出孔104与排出管线151连接。排出管线151与泵(未示出)连接。在基板处理工艺中产生的反应副产物和腔室100的内部空间中停留的气体可通过排出管线151释放到外部。腔室100中的压力通过排出工艺降低至预定压力。可替代地，独立减压构件(separatepressure-reducing member)(未示出)可以设置成将处理空间102中的压力减小至预定压力。

加热器(未示出)设置在腔室100的壁中。加热器加热腔室100的壁。加热器与加热电源(未示出)电连接。加热器通过抵抗由加热电源施用的电流来产生热量。从加热器产生的热量被传递至内部空间中。处理空间102中的温度通过从加热器产生的热量而保持在预定温度。加热器以线圈形状的加热丝来实施。可以在腔室100的壁中设置多个加热器。

支承单元200位于腔室100中。支承单元200在处理空间102中支承基板W。支承单元200可以以静电卡盘实施，该静电卡盘使用静电力夹持基板W。支承单元200包括介电板210、电极板220、下盖230、下支承构件240、环构件250、凸缘260和升降构件270。

基板W放置在介电板210上。介电板210具有圆形板形状。介电板210可由介电质形成。介电板210接收外部功率并在基板W上施加静电力。介电板210装备有静电电极211。静电电极211与夹持电源213电连接。夹持电源213包括直流(DC)电源。开关(未示出)可以安装在静电电极211和夹持电源213之间。静电电极211可通过接通/断开开关来与夹持电源213电连接。当开关接通时，DC电流施用至静电电极211。静电力通过施用至静电电极211的电流而作用在静电电极211和基板W之间。基板W可以通过静电力被夹持和/或固定至介电板210。

电极板220设置在介电板210的下方。电极板220的上表面可以与介电板210的下表面接触。电极板220可以具有圆形板形状。电极板220由导电材料形成。例如，电极板220可以由铝质材料形成。此外，在电极板220中可以形成用于将电极板220的温度控制到预定温度的流体通道(未示出)。冷却流体可以流过该流体通道。

电源棒221可以将功率施用至电极板220。电源棒221可以与电极板220电连接。电源棒221可以与下电源223连接。下电源223可以以产生高频功率的高频电源实施。该高频电源可以以RF电源实施。该RF电源可以为高偏置功率(bias power)RF电源。电源棒221从下电源223接收RF功率。与电源棒221电连接的电极板220可以用作下电极。电源棒221可以由导电材料形成。例如，电源棒221可由含金属的材料形成。电源棒221可以为金属棒。此外，电源棒221可以与匹配器(matcher)225连接。电源棒221可以通过匹配器225与下电源223连接。匹配器225可以执行阻抗匹配。

下盖230支承电极板220。下盖230可以设置成与电极板220的侧表面接触。下盖230可以设置成与电极板220的下表面的边缘区域接触。例如，下盖230可以具有在顶部和底部处敞开的圆柱形形状。此外，下盖230可以在其内侧上具有台阶(step)，使得电极板220由下盖230支承。下盖230可以由绝缘材料形成。

下支承构件240设置在下盖230的下方。下支承构件240设置在下盖230的下方，以支承下盖230。下支承构件240可以由导电材料形成。例如，下支承构件240可由含金属的材料形成。此外，下支承构件240可以与腔室100电连接。

环构件250设置在支承单元200的边缘区域上。环构件250具有环形状。环构件250可以设置成围绕介电板210的上表面的边缘区域。此外，环构件250可以设置成围绕介电板210的侧表面。此外，环构件250可以设置在下盖230的上表面上。环构件250可以设置为聚焦环。

凸缘260设置成围绕电源棒221。凸缘260可以设置成围绕电源棒221的一部分。即，凸缘260具有围绕电源棒221的形状。此外，凸缘260设置成与电源棒221间隔开。参照图3，凸缘260可以具有在顶部和底部处敞开的圆柱形形状。凸缘260可以包括第一主体261和第二主体262。第一主体261可具有在顶部和底部处敞开的圆柱形形状。第二主体262可以从第一主体261的下端、在侧向方向上延伸。当从上方观察时，第一主体261和第二主体262可具有环形状。凸缘260可以具有形成在其中的插入孔264。电源棒221的一部分可以插入到插入孔264中。

再次参照图2，凸缘260可以由导电材料形成。凸缘260可由含金属的材料形成。凸缘260可为接地的。例如，凸缘260可以与下支承构件240电连接。此外，下支承构件240可以与腔室100电连接。腔室100可为接地的。即，凸缘260可以通过与腔室100电连接而接地。

升降构件270可竖直地移动凸缘260。升降构件270可以通过竖直移动凸缘260来调节凸缘260的上表面和电极板220的下表面之间的距离。此外，升降构件270可以接收由控制器700输出的控制信号、并可以竖直移动凸缘260，控制器700将在下面进行描述。升降构件270可设置在下支承构件240中。

图4是示出了图2的升降构件的视图。参照图4，升降构件270可以包括气缸271、凸轮轴273、滚轮轴275、弹性主体277、和震动吸收销(shock-absorbing pin)279。气缸271可以包括凸轮轴273。凸轮轴273具有头的上表面为倾斜的形状。气缸271可以通过气压或液压在第一方向上移动凸轮轴273。然而，不限制于此，气缸271可以以各种已知的气缸来实施。滚轮轴275可以在其一端处具有滚轮。滚轮轴275设置有滚轮的一端可以与凸轮轴273接触。具体地，滚轮轴275设置有滚轮的一端可以与凸轮轴273的上表面接触。滚轮轴275的相对端可以与凸缘260耦合。凸轮轴273可以通过由气缸271施用的气压或液压沿着第一方向移动，并且与凸轮轴273接触的滚轮轴275可以在第二方向上移动，第二方向与第一方向不同。第二方向可以为垂直于第一方向的方向。当滚轮轴275在第二方向上移动时，可以竖直移动与滚轮轴275耦合的凸缘260。

弹性主体277可设置在凸缘260的下表面上。弹性主体277可以以弹簧实施。此外，震动吸收销279可以设置在下支承构件240上。震动吸收销279可以设置成对应于弹性主体277设置在凸缘260上的位置。弹性主体277和震动吸收销279可以防止凸缘260在竖直移动的情况下，与下支承构件240碰撞。

图5示出了根据凸缘的存在或不存在、以及凸缘和电极板之间的距离的基板蚀刻速率。参照图5，当从上方观察时，可以根据距基板中心的距离，将基板分为中心区域C1、中间区域C2和边缘区域C3。图5示出了根据第一条件L1、第二条件L2和第三条件L3的通过等离子体的基板蚀刻速率。第一条件L1为未设置凸缘260的情况下的蚀刻速率。第二条件L2为设置凸缘260、并且凸缘260的上表面与电极板220的下表面以第一间距彼此间隔开的情况下的蚀刻速率。第三条件L3为设置凸缘260、并且凸缘260的上表面与电极板220的下表面以第二间距彼此间隔开的情况下的蚀刻速率。第一间距可以小于第二间距。

比较第一条件L1中的蚀刻速率和第二条件L2中的蚀刻速率，可以看出，第一条件L1中的中心区域C1、中间区域C2和边缘区域C3之间的蚀刻速率差异，大于第二条件L2中的中心区域C1、中间区域C2和边缘区域C3之间的蚀刻速率差异。即，当设置凸缘260时，在凸缘260的上表面与电极板220的下表面之间产生电场。所产生的电场以相对小的间距产生。即，凸缘260的上表面与电极板220的下表面之间产生的电场，干扰电场在电源棒221与电极板220彼此连接的区域中的散布。因此，在电极板220上方形成了相对均匀的电场，并且电极板220上方产生的等离子体密度变得均匀。由于基板上方产生的等离子体密度变得均匀，因此对于基板的蚀刻速率也变得均匀。

比较第二条件L2中的蚀刻速率与第三条件L3中的蚀刻速率，可以看出，第二条件L2中的蚀刻速率低于第三条件L3中的蚀刻速率。根据本发明构思的实施方案，如图6所示，可以通过升高或降低凸缘260来调节对于基板的蚀刻速率。当竖直移动凸缘260时，凸缘260与电极板220之间的间距改变。即，调节了凸缘260与电极板220之间的阻抗，并且改变了阻抗的相位(phase)。因此，可以调节对于基板的蚀刻速率。控制器700可以控制升降构件270，以根据通过等离子体处理的基板所需的蚀刻速率来调节凸缘260的上表面与电极板220的下表面之间的距离。例如，当增加对于通过等离子体处理的基板的蚀刻速率时，控制器700可以控制升降构件270，以增加凸缘260的上表面和电极板220的下表面之间的距离。即，本发明构思的实施方案可以提供能够调节对于基板的蚀刻速率的额外因素。

再次参照图2，喷头单元300可以分散从上方供应的气体。此外，喷头单元300可以允许由气体供应单元400供应的气体均匀地供应到处理空间102中。喷头单元300包括喷头310和气体分布板320。

喷头310设置在气体分布板320下方。喷头310从腔室100的顶部向下间隔开预定距离。喷头310位于支承单元200的上方。在喷头310与腔室100的顶部之间形成有预定空间。喷头310可以以具有恒定厚度的板形形状设置。可以对喷头310的底表面进行阳极化处理，以防止由等离子体引起的电弧。喷头310的截面可具有与支承单元200相同的形状和截面面积。多个气体供应孔312形成在喷头310中。气体供应孔312可以穿过喷头310的上表面和下表面竖直地形成。

喷头310可以由通过与等离子体反应产生化合物的材料形成，该等离子体是从由气体供应单元400供应的气体产生的。例如，喷头310可以由通过与离子反应产生化合物的材料形成，该离子在等离子体中含有的离子中具有最高电负性。例如，喷头310可由含硅(Si)的材料形成。

气体分布板320设置在喷头310的顶部上。气体分布板320可以从腔室100的顶部向下间隔开预定距离。气体分布板320可以扩散从上方供应的气体。气体引入孔322可以形成在气体分布板320中。气体引入孔322可以形成在对应于上述的气体供应孔312的位置中。气体引入孔322可以与气体供应孔312连接。从喷头单元300上方供应的气体可以依序穿过气体引入孔322和气体供应孔312，并可以供应到喷头310的下方。气体分布板320可含有金属材料。气体分布板320可为接地的。气体分布板320可以通过接地而用作上电极。

绝缘环380设置成围绕喷头310和气体分布板320的外周。绝缘环380可以整体以圆环形状设置。绝缘环380可以由非金属材料形成。

气体供应单元400将气体供应到腔室100中。由气体供应单元400供应的气体可以被等离子体源激发成等离子体。由气体供应单元400供应的气体可以为含氟的气体。例如，由气体供应单元400供应的气体可以为四氟化碳。

气体供应单元400包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储存器430。气体供应喷嘴410安装在腔室100的顶部的中心部中。气体供应喷嘴410具有形成在其底部中的注射口(injection opening)。工艺气体通过注射口供应到腔室100中。气体供应管线420连接气体供应喷嘴410和气体储存器430。气体供应管线420将存储在气体储存器430中的工艺气体供应至气体供应喷嘴410。在气体供应管线420中安装有阀421。阀421开启或关闭气体供应管线420并调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流速。

等离子体源将腔室100中的工艺气体激发成等离子体。在本发明构思的实施方案中，电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma,CCP)源用作等离子体源。电容耦合等离子体源可以在腔室100中包括上电极和下电极。上电极和下电极可以在腔室100中设置在竖直方向上，从而彼此平行。相对的电极之一可以施用RF功率，另一个可以为接地的。在相对的电极之间的空间中可形成电场，并且供应到该空间中的工艺气体可被激发成等离子体。通过使用等离子体执行处理基板W的工艺。根据一实施方案，上电极可以设置为喷头单元300、而下电极可以设置为电极板220。可以将RF功率施用至下电极，且上电极可以为接地的。可替代地，可以将RF功率施用至上电极和下电极。因此，上电极和下电极之间产生电场。所产生的电场将腔室100中的工艺气体激发成等离子体。

衬垫单元500防止腔室100的内壁和支承单元200在工艺期间被损坏。衬垫单元500防止工艺期间产生的杂质沉积在腔室100的内壁上和支承单元200上。衬垫单元500包括内衬(inner liner)510和外衬(outer liner)530。

外衬530设置在腔室100的内壁上。外衬530具有在顶部和底部处敞开的空间。外衬530可以具有中空的圆柱形形状。内衬530可以具有对应于腔室100的内表面的半径。外衬530沿腔室100的内表面设置。

外衬530可以由铝质材料形成。外衬530保护腔室100的内表面。在工艺气体被激发的工艺中，可能在腔室100的内部发生电弧放电。电弧放电对腔室100造成损坏。外衬530保护腔室100的内表面，从而防止腔室100的内表面被电弧放电损坏。

内衬510设置为围绕支承单元200。内衬510具有环形状。内衬510设置成围绕介电板210、电极板220、下盖230和下支承构件240。内衬510可以由铝质材料形成。内衬510保护支承单元200的外表面。

挡板单元600位于腔室100的内壁和支承单元200之间。挡板单元600具有环形状。挡板单元600具有形成在其中的多个通孔。供应到腔室100中的工艺气体穿过挡板单元600的通孔，并通过排出孔104释放。工艺气体的流动可以根据挡板单元600的形状和通孔的形状来控制。

控制器700可以控制基板处理装置10。控制器700可以控制基板处理装置10，使得基板处理装置10执行处理基板W的工艺。控制器700可以控制基板处理装置10，使得基板处理装置10执行使用等离子体处理基板W的工艺。例如，控制器700可以控制基板处理装置10，使得气体供应单元400供应工艺气体、且等离子体源激发由气体供应单元400供应的气体。此外，控制器700可以控制升降构件270。例如，控制器700可以控制升降构件270，使得升降构件270竖直移动凸缘260。另外，控制器700可以控制升降构件270，以根据通过等离子体处理的基板W所需的蚀刻速率、来调节凸缘260的上表面与电极板220的下表面之间的距离。例如，当增加对于通过等离子体处理的基板W的蚀刻速率时，控制器700可以控制升降构件270，以增加凸缘260的上表面和电极板220的下表面之间的距离。

图7是示出了根据本发明构思的另一实施方案的升降构件的视图。参照图7，升降构件280可以包括齿条281、小齿轮283、致动器285、升降轴286、弹性主体287和震动吸收销289。齿条281可与致动器285连接。致动器285可以为气缸。气缸可以为由气压或液压驱动的气缸。然而，不限制于此，致动器285可以以能够移动齿条281的各种已知设备实施。齿条281可以与致动器285连接、并且可以在第一方向上移动。齿条281的上表面可以具有倾斜形状。小齿轮283可以与齿条281接合。此外，小齿轮283可以通过齿条281的移动而在第二方向上移动，该第二方向与第一方向不同。第二方向可以为垂直于第一方向的方向。小齿轮283可以与在第二方向上延伸的升降轴286的一端连接。升降轴286的相对端可以与凸缘260的下表面连接。当致动器285在第一方向上移动齿条281时，小齿轮283在第二方向上移动。当小齿轮283在第二方向上移动时，升降轴286在第二方向上移动。当升降轴286在第二方向上移动时，凸缘260可以在第二方向上移动，例如竖直方向。弹性主体287和震动吸收销289可以与上述弹性主体277和震动吸收销279相同或类似。因此，将省略其详细描述。

图8是示出了根据本发明构思的又一实施方案的升降构件的视图。参照图8，升降构件290可以包括电机291、成对锥齿轮293、升降轴295和轴承296。电机291可以包括驱动轴292。电机291可以是步进电机(stepping motor)。然而，不限制于此，电机291可以以各种已知的设备来实施。电机291的驱动轴292可以与驱动锥齿轮293连接。该成对锥齿轮293可以将驱动轴292绕面对第一方向的轴的旋转运动改变为绕面对第二方向的轴的旋转运动。第二方向可以为垂直于第一方向的方向。升降轴295可以插入到驱动锥齿轮293中。升降轴295的一端可以插入到设置在凸缘260的下表面上的轴承296中。升降轴295可以具有形成在其外圆周表面上的螺纹。当电机291旋转驱动轴292时，该成对锥齿轮293旋转。当该成对锥齿轮293旋转时，插入到驱动锥齿轮293中的升降轴295可以竖直移动。因此，凸缘260可以竖直移动。弹性主体297和震动吸收销299可以与上述弹性主体277和震动吸收销279相同或类似。因此，将省略其详细描述。

如上所述，根据本发明构思的实施方案，支承单元和基板处理装置可以允许基板被有效地处理。

此外，支承单元和基板处理装置可以最小化电场在电极板与电源棒彼此连接的区域中的散布。

另外，支承单元和基板处理装置可以提供调节基板上方产生的等离子体密度中的额外控制因素。

本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。

以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实施本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行在本发明构思的特定应用和目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。

虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。