对与存储器器件相关联的接收器的训练程序

本专利申请要求于2019年8月12日提交的迈尔(Mayer)等人的发明名称为“对与存储器器件相关联的接收器的训练程序(TRAINING PROCEDURE FOR RECEIVERS ASSOCIATEDWITH A MEMORY DEVICE)”的美国专利申请第16/538,329号以及于2018年8月21日提交的迈尔等人的发明名称为“对与存储器器件相关联的接收器的训练程序”的美国临时专利申请第62/720,817号的优先权，所述专利申请中的每个专利申请都被转让给本申请的受让人，并且所述专利申请中的每个专利申请都明确地通过引用以其整体并入本文。

背景技术

以下总体上涉及一种包含至少一个存储器器件的系统，并且更具体地涉及一种对与存储器器件相关联的接收器的训练程序。

存储器器件被广泛地用于将信息存储在各种电子器件中，如计算机、无线通信器件、相机、数字显示器等等。信息是通过对存储器器件的不同状态进行编程来存储的。例如，二进制器件可以存储两种状态中的一种，所述两种状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它器件中，可以存储多于两种状态。为了存取存储的信息，器件的组件可以读取或感测存储器器件中的至少一种所存储状态。为了存储信息，器件的组件可以写入或编程存储器器件中的状态。

存在各种类型的存储器器件，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪速存储器、相变存储器(PCM)等。存储器器件可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在没有外部电源的情况下也可以持续延长的时间段维持其所存储逻辑状态。易失性存储器器件(例如，DRAM)可能随着时间的推移而失去其所存储状态，除非通过外部电源对其进行周期性刷新。

存储器器件可以包含用于与系统内其它器件(例如，控制器)传送信息的各种通道。训练程序可以用于配置接收器以确保数据在存储器器件与其它组件之间有效且高效地传送。

附图说明

图1展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的系统的实例。

图2展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的存储器管芯的实例。

图3展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的眼图的实例。

图4展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的流程图的实例。

图5A和5B展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的眼图的实例。

图6A和6B展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的眼图的实例。

图7展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的电路图的实例。

图8展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的器件的框图。

图9至12示出了展示根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

对于一些存储器系统，训练程序可以用于调谐在主机器件与存储器器件之间传送数据的接收器。调谐接收器可以减少传输期间可能出现的误差。可以被调谐的接收器参数的实例可以包含参考电压和采样时间。由于不同的转换速率，串扰、占空比和/或脉冲串位置错配，跨不同的单位间隔和/或不同的符号或电平接收到的信号可能不同。调谐接收器的个体训练操作可以用于解决这些差异。

本文描述了用于执行训练程序的技术(例如，对与跨导电线传送的个体符号相关联的参考电压和/或采样时间进行的)。训练程序可以包含基线训练操作、一或多个个体训练操作，或两者。训练程序可以被配置成补偿可能出现在不同的符号、不同的单位间隔或两者处的信号的变化。例如，可以对第一单位间隔内的每个参考电压执行个体训练操作。这些个体训练操作可以允许第一单位间隔的低电平参考电压可独立于第二单位间隔的低电平参考电压、独立于第一单位间隔的高电平参考电压、或两者而定位。

在另一个实例中，可以对与参考电压相关联的采样时间执行个体训练操作。这些个体训练操作可以允许与第一单位间隔内的低电平参考电压相关联的采样时间可独立于与第一单位间隔内的高电平参考电压相关联的采样时间、第一单位间隔内的高电平参考电压、或两者而定位。另外，这些个体训练操作可以允许第一单位间隔内的采样时间可独立于其它单位间隔内的一或多个采样时间而定位。

下面在图1和2中的存储器系统的上下文中描述了本公开的特征。在图3至7中的上下文眼图、流程图和电路图中描述了本公开的特征。参考图8至12进一步展示并描述了本公开的这些特征和其它特征，所述特征包含涉及对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的装置图和流程图。

图1展示了根据本文所公开的各方面的利用一或多个存储器器件的系统100的实例。系统100可以包含外部存储器控制器105、存储器器件110以及将外部存储器控制器105与存储器器件110耦接的多个通道115。系统100可以包含一或多个存储器器件，但是为了便于描述，一或多个存储器器件可以被描述为单个存储器器件110。

系统100可以包含电子器件的各方面，如计算器件、移动计算器件、无线器件或图形处理器件。系统100可以是便携式电子器件的实例。系统100可以是计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可佩戴器件、互联网连接器件等的实例。存储器器件110可以是系统的组件，所述组件被配置成存储用于系统100的一或多个其它组件的数据。在一些实例中，系统100可以被配置用于使用基站或接入点与其它系统或器件进行双向无线通信。在一些实例中，系统100能够进行机器类型通信(MTC)、机器对机器(M2M)通信或器件对器件(D2D)通信。

系统100的至少部分可以是主机器件的实例。此类主机器件可以是使用存储器来执行处理的器件的实例，如计算器件、移动计算器件、无线器件、图形处理器件、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴器件、互联网连接器件、一些其它固定或便携式电子器件等。在一些情况下，主机器件可以指实施外部存储器控制器105的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可以被称为主机或主机器件。在一些实例中，系统100是图形卡。主机器件可以包含多个驱动器，并且多个驱动器耦接将主机器件与存储器器件连接的通道。训练程序可以用于调谐一或多个接收器以确保信息在组件之间有效且高效地传送。

在一些情况下，存储器器件110可以是独立的器件或组件，所述器件或组件被配置成与系统100的其它组件通信，并且提供物理存储器地址/空间以供系统100潜在地使用或引用。在一些实例中，存储器器件110可以被配置成与至少一或多种不同类型的系统100一起工作。系统100的组件与存储器器件110之间的信号传递可操作以支持调制信号的调制方案、用于传送信号的不同引脚设计、系统100和存储器器件110的不同封装、系统100与存储器器件110之间的时钟信令和同步、定时约定和/或其它因素。

存储器器件110可以被配置成存储用于系统100的组件的数据。在一些情况下，存储器器件110可以充当系统100的(例如，响应于由系统100通过外部存储器控制器105提供的命令并且执行所述命令的)从式器件。此类命令可以包含用于存取操作的存取命令，如用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令。存储器器件110可以包含两个或两个以上存储器管芯160(例如，存储器芯片)，以支持用于数据存储的期望的或指定的容量。包含两个或两个以上存储器管芯的存储器器件110可以被称为多管芯存储器或封装(也被称为多芯片存储器或封装)。

系统100可以进一步包含处理器120、基本输入/输出系统(BIOS)组件125、一或多个外围组件130以及输入/输出(I/O)控制器135。系统100的组件可以使用总线140彼此耦接或进行电子通信。

处理器120可以被配置成控制系统100的至少部分。处理器120可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件，或者可以是这些类型的组件的组合。在此类情况中，处理器120可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或片上系统(SoC)的实例以及其它实例。

BIOS组件125可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，所述软件组件可以初始化并且运行系统100的各种硬件组件。BIOS组件125还可以管理处理器120与系统100的各种组件之间的数据流，例如，外围组件130、I/O控制器135等。BIOS组件125可以包含存储在只读存储器(ROM)、闪速存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。

一或多个外围组件130可以是可以集成到系统100中或与所述系统一起集成的任何输入器件或输出器件或用于此类器件的接口。实例可以包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口或外围卡槽，如外围组件互连(PCI)或加速图形端口(AGP)插槽。一或多个外围组件130可以是如将被本领域普通技术人员理解为外围设备的其它组件。

I/O控制器135可以管理处理器120与一或多个外围组件130、输入器件145或输出器件150之间的数据传送。I/O控制器135可以管理未集成到系统100中或未与所述系统一起集成的外围设备。在一些情况下，I/O控制器135可以表示到外部外围组件的物理连接或端口。

输入145可以表示系统100外部的器件或信号，所述器件或信号可以向系统100或其组件提供信息、信号或数据。这可以包含用户接口或与其它器件的接口或其它器件之间的接口。在一些情况下，输入145可以是通过一或多个外围组件130与系统100介接或者可以由I/O控制器135管理的外围设备。

输出150可以表示系统100外部的器件或信号，所述器件或信号被配置成接收来自系统100或其组件中的任何组件的输出。输出150的实例可以包含显示器、音频扬声器、打印器件或印刷电路板上的另一处理器等。在一些情况下，输出150可以是通过一或多个外围组件130与系统100介接或者可以由I/O控制器135管理的外围设备。

系统100的组件可以由被设计成执行其功能的通用或专用电路系统构成。这可以包含被配置成执行本文所描述的功能的各种电路元件，例如，导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它有源或无源元件。

存储器器件110可以包含器件存储器控制器155以及一或多个存储器管芯160。每个存储器管芯160可以包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b和/或存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，网格)，其中每个存储器单元被配置成存储数字数据的至少一位。参照图2更详细地描述了存储器阵列170和/或存储器单元的特征。

存储器器件110可以是存储器单元的二维(2D)阵列的实例，或者可以是存储器单元的三维(3D)阵列的实例。例如，2D存储器器件可以包含单个存储器管芯160。3D存储器器件可以包含两个或两个以上存储器管芯160(例如，存储器管芯160-a、存储器管芯160-b和/或任何数量的存储器管芯160-N)。在3D存储器器件中，多个存储器管芯160-N可以堆叠在彼此顶部。在一些情况下，3D存储器器件中的存储器管芯160-N可以被称为叠层、级、层或管芯。3D存储器器件可以包含任何数量的经堆叠存储器管芯160-N(例如，两高、三高、四高、五高、六高、七高、八高)。与单个2D存储器器件相比，这可以增加可以定位在衬底上的存储器单元的数量，这进而可以降低生产成本或提高存储器阵列的性能，或两者。在一些3D存储器器件中，不同的叠层可以共享至少一条公共存取线，使得一些叠层可以共享字线、数位线和/或板线中的至少一条。

器件存储器控制器155可以包含被配置成控制存储器器件110的操作的电路或组件。如此，器件存储器控制器155可以包含使存储器器件110能够执行命令的硬件、固件和软件，并且可以被配置成接收、传输或执行与存储器器件110相关的命令、数据或控制信息。器件存储器控制器155可以被配置成与外部存储器控制器105、一或多个存储器管芯160或处理器120通信。在一些情况下，存储器器件110可以从外部存储器控制器105接收数据和/或命令。例如，存储器器件110可以接收指示存储器器件110将代表系统100的组件(例如，处理器120)存储某些数据的写入命令，或指示存储器器件110将向系统100的组件(例如，处理器120)提供存储于存储器管芯160中的某些数据的读取命令。在一些情况下，器件存储器控制器155可以结合存储器管芯160的本地存储器控制器165来控制本文所描述的存储器器件110的操作。器件存储器控制器155和/或本地存储器控制器165中包含的组件的实例可以包含用于解调从外部存储器控制器105接收的信号的接收器、用于调制信号并且将信号传输到外部存储器控制器105的解码器、逻辑、解码器、放大器、滤波器等。器件存储器控制器155和/或一或多个本地存储器控制器165可以用于执行训练程序以调谐与通道115耦接的接收器。控制器155、165可以实施包含如本文所描述的基线训练操作和个体训练操作的训练程序。

(例如，对于存储器管芯160为本地的)本地存储器控制器165可以被配置成控制存储器管芯160的操作。而且，本地存储器控制器165可以被配置成与器件存储器控制器155通信(例如，接收并且传输数据和/或命令)。本地存储器控制器165可以支持器件存储器控制器155来控制如本文所描述的存储器器件110的操作。在一些情况下，存储器器件110不包含器件存储器控制器155，并且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可以执行本文所描述的各种功能。由此，本地存储器控制器165可以被配置成与器件存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器105或处理器120通信。

外部存储器控制器105可以被配置成实现系统100的组件(例如，处理器120)与存储器器件110之间的信息、数据和/或命令的传送。外部存储器控制器105可以充当系统100的组件与存储器器件110之间的联络器，使得系统100的组件可能不需要知道存储器器件的操作的细节。系统100的组件可以向外部存储器控制器105呈现外部存储器控制器105满足的请求(例如，读取命令或写入命令)。外部存储器控制器105可以转换或翻译系统100的组件与存储器器件110之间交换的通信。在一些情况下，外部存储器控制器105可以包含生成公共(源)系统时钟信号的系统时钟。在一些情况下，外部存储器控制器105可以包含生成公共(源)数据时钟信号的公共数据时钟。在一些实例中，外部存储器控制器105可以用于执行训练程序以调谐与通道115耦接的接收器。外部存储器控制器105可以实施包含如本文所描述的基线训练操作和个体训练操作的训练程序。

在一些情况下，外部存储器控制器105或系统100的其它组件或本文所描述的其功能可以由处理器120实施。例如，外部存储器控制器105可以是由处理器120或系统100的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某种组合。虽然外部存储器控制器105被描绘为在存储器器件110的外部，但是在一些情况下，外部存储器控制器105或本文所描述的其功能可以由存储器器件110实施。例如，外部存储器控制器105可以是由器件存储器控制器155或一或多个本地存储器控制器165实施的硬件、固件或软件或其某种组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可以跨处理器120和存储器器件110分布，使得外部存储器控制器105的部分由处理器120实施，并且其它部分由器件存储器控制器155或本地存储器控制器165实施。同样，在一些情况下，在本文中归因于器件存储器控制器155或本地存储器控制器165的一或多种功能在一些情况下可以由外部存储器控制器105执行(与处理器120分开或包含在所述处理器中)。

系统100的组件可以使用多个通道115与存储器器件110交换信息。在一些实例中，通道115可以实现外部存储器控制器105与存储器器件110之间的通信。每个通道115可以包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。例如，通道115可以包含第一端子，所述第一端子包含外部存储器控制器105处的一或多个引脚或焊盘以及存储器器件110处的一或多个引脚或焊盘。引脚可以是系统100的器件的导电输入或输出点的实例，并且引脚可以被配置成充当通道的一部分。在一些情况下，端子的引脚或焊盘可以是到通道115的信号路径的一部分。另外的信号路径可以与用于在系统100的组件内路由信号的通道的端子耦接。例如，存储器器件110可包含信号路径(例如，存储器器件110或其组件内部的信号路径，如存储器管芯160内部的信号路径)，所述信号路径将信号从通道115的端子路由到存储器器件110的各种组件(例如，器件存储器控制器155、存储器管芯160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)。驱动器、接收器或两者可以用于跨通道115传送信号。在一些情况下，接收器的参考电压和/或采样时间可以被调谐以改善跨导电线的通信。可以实施包含基线训练操作和个体训练操作的训练程序以调谐接收器。

通道115(以及相关联的信号路径和端子)可以专用于传送特定类型的信息。在一些情况下，通道115可以是聚合通道，并且因此可以包含多个单独的通道。例如，数据通道190可以是x4(例如，包含四个信号路径)、x8(例如，包含八个信号路径)、x16(包含十六个信号路径)等。

在一些情况下，通道115可以包含一或多个命令和地址(CA)通道186。CA通道186可以被配置成在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送命令，所述命令包含与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。例如，CA通道186可以包含具有期望数据的地址的读取命令。在一些情况下，CA通道186可以注册在上升时钟信号边沿和/或下降时钟信号边沿上。在一些情况下，CA通道186可以包含八或九个信号路径。

在一些情况下，通道115可以包含一或多个时钟信号(CK)通道188。CK通道188可以被配置成在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送一或多个公共时钟信号。每个时钟信号可以被配置成在高状态与低状态之间调整(例如，振荡)并且协调外部存储器控制器105和存储器器件110的动作。在一些情况下，时钟信号可以是差分输出(例如，CK_t信号和CK_c信号)，并且可以相应地配置CK通道188的信号路径。在一些情况下，时钟信号可以是单端的。在一些情况下，时钟信号可以是1.5GHz信号。CK通道188可以包含任何数量的信号路径。在一些情况下，时钟信号CK(例如，CK_t信号和CK_c信号)可以为存储器器件110的命令和寻址操作或存储器器件110的其它系统范围操作提供定时参考。因此，时钟信号CK可以被不同地称为控制时钟信号CK、命令时钟信号CK或系统时钟信号CK。系统时钟信号CK可以由系统时钟生成，所述系统时钟可以包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。

在一些情况下，通道115可以包含一或多个数据(例如，DQ)通道190。数据通道190可以被配置成在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送数据和/或控制信息。例如，数据通道190可以传送待写入存储器器件110的信息(例如，双向的)或从存储器器件110读取的信息。数据通道190可以传送可以使用各种不同的调制方案(例如，NRZ、PAM4)调制的信号。

在一些情况下，通道115可以包含可以专用于其它目的的一或多个其它通道192。这些其它通道192可以包含任何数量的信号路径。

在一些情况下，其它通道192可以包含一或多个写入时钟信号(WCK)通道。虽然WCK中的‘W’可以名义上代表“写入”，但是写入时钟信号WCK(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)可以为存储器器件110的一般存取操作提供定时参考(例如，读取和写入操作的定时参考)。因此，写入时钟信号WCK也可以被称为数据时钟信号WCK。WCK通道可以被配置成在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送公共数据时钟信号。数据时钟信号可以被配置成协调外部存储器控制器105和存储器器件110的存取操作(例如，写入操作或读取操作)。在一些情况下，写入时钟信号可以是差分输出(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)，并且可以相应地配置WCK通道的信号路径。WCK通道可以包含任何数量的信号路径。数据时钟信号WCK可以由数据时钟生成，所述数据时钟可以包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。

在一些情况下，其它通道192可以包含一或多个误差检测码(EDC)通道。EDC通道可以被配置成传送误差检测信号(如校验和)以改善系统可靠性。EDC通道可以包含任何数量的信号路径。

通道115可以使用各种不同的架构将外部存储器控制器105与存储器器件110耦接。各种架构的实例可以包含总线、点到点连接、交叉开关、如硅中介件等高密度中介件或在有机衬底中形成的通道或其某种组合。例如，在一些情况下，信号路径可以至少部分地包含高密度中介件，如硅中介件或玻璃中介件。

可以使用各种不同的调制方案调制通过通道115传送的信号。在一些情况下，二进制符号(或二进制电平)调制方案可以用于调制在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送的信号。二进制符号调制方案可以是M进制调制方案的实例，其中M等于二。二进制符号调制方案的每个符号可以被配置成表示数字数据的一位(例如，符号可以表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含但不限于，不归零(NRZ)、单极编码、双极编码、曼彻斯特编码、具有两个符号的脉冲振幅调制(PAM)(例如，PAM2)和/或其它。

在一些情况下，多符号(或多电平)调制方案可以用于调制在外部存储器控制器105与存储器器件110之间传送的信号。多符号调制方案可以是M进制调制方案的实例，其中M大于或等于三。多符号调制方案的每个符号可以被配置成表示数字数据的多于一位(例如，符号可以表示逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。多符号调制方案的实例包含但不限于PAM4、PAM8等、正交振幅调制(QAM)、正交相移键控(QPSK)和/或其它。多符号信号(例如，PAM4信号)可以是使用调制方案调制的信号，所述调制方案包含用于编码多于一位的信息的至少三个级。多符号调制方案和符号可以替代性地被称为非二进制、多位或更高阶调制方案和符号。

图2展示了根据本公开的各个实例的存储器管芯200的实例。存储器管芯200可以是参考图1所描述的存储器管芯160的实例。在一些情况下，存储器管芯200可以被称为存储器芯片、存储器器件或电子存储器装置。存储器管芯200可以包含可编程为存储不同的逻辑状态的一或多个存储器单元205。每个存储器单元205是可编程的以存储两种或两种以上的状态。例如，存储器单元205可以被配置成一次存储一位数字逻辑(例如，逻辑0和逻辑1)。在一些情况下，单个存储器单元205(例如，多级存储器单元)可以被配置成一次存储多于一个位数字逻辑(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。

存储器单元205可以存储在电容器中表示可编程状态的电荷。在DRAM架构中，存储器单元205可以包含电容器，所述电容器包含用于存储表示可编程状态的电荷的介电材料。在其它存储器架构中，其它存储器件和组件是可能的。例如，可以采用非线性介电材料。

可以通过激活或选择存取线(如字线210和/或数位线215)来对存储器单元205执行如读取或写入等操作。在一些情况下，数位线215也可以被称为位线。在不失理解或操作的情况下，对存取线、字线和数位线或其类似物的引用是可互换的。激活或选择字线210或数位线215可以包含向相应的线施加电压。

存储器管芯200可以包含以网格状图案布置的存取线(例如，字线210和数位线215)。存储器单元205可以定位于字线210和数位线215的交叉点处。通过偏置字线210和数位线215(例如，向字线210或数位线215施加电压)，可以在所述字线和所述数位线的交叉点处对单个存储器单元205进行存取。

可以通过行解码器220或列解码器225来控制对存储器单元205的存取。例如，行解码器220可以从本地存储器控制器260接收行地址并且基于接收到的行地址激活字线210。列解码器225可以从本地存储器控制器260接收列地址并且可以基于接收到的列地址激活数位线215。例如，存储器管芯200可以包含标记为WL_1到WL_M的多条字线210和标记为DL_1到DL_N的多条数位线215，其中M和N取决于存储器阵列的大小。因此，通过激活字线210和数位线215，例如，WL_1和DL_3，可以对其交叉点处的存储器单元205进行存取。在二维或三维配置中，字线210和数位线215的交叉点可以被称为存储器单元205的地址。

存储器单元205可以包含逻辑存储组件，如电容器230和切换组件235。电容器230可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器230的第一节点可以与切换组件235耦接，并且电容器230的第二节点可以与电压电源240耦接。在一些情况下，电压电源240是地面，如Vss。在一些情况下，电压电源240可以是与板线驱动器耦接的板线的实例。切换组件235可以是晶体管或选择性地在两个组件之间建立或解除建立(例如，停止)电子通信的任何其它类型的开关器件的实例。

可以通过激活或去激活切换组件235来实现选择或取消选择存储器单元205。电容器230可以使用切换组件235与数位线215进行电子通信。例如，当切换组件235被去激活时，电容器230可以与数位线215隔离，并且当切换组件235被激活时，电容器230可以与数位线215耦接。在一些情况下，切换组件235可以是或包含晶体管，并且其操作可以通过向晶体管栅极施加电压来控制，其中晶体管栅极与晶体管源极之间的电压差可以大于或小于晶体管的阈值电压。在一些情况下，切换组件235可以是或包含p型晶体管或n型晶体管。字线210可以与切换组件235的栅极进行电子通信并且可以基于将电压施加到字线210来激活/去激活切换组件235。

字线210可以是与可以用于对存储器单元205执行存取操作的存储器单元205进行电子通信的导电线。在一些架构中，字线210可以与存储器单元205的切换组件235的栅极进行电子通信，并且可以被配置成控制存储器单元的切换组件235。在一些架构中，字线210可以与存储器单元205的电容器的节点进行电子通信，并且存储器单元205可以不包含切换组件。

数位线215可以是使存储器单元205与读出组件245连接的导电线。在一些架构中，存储器单元205可以在存取操作的部分期间选择性地与数位线215耦接。例如，存储器单元205的字线210和切换组件235可以被配置成耦接和/或隔离存储器单元205的电容器230和数位线215。在一些架构中，存储器单元205可以与数位线215进行(例如，恒定的)电子通信。

读出组件245可以被配置成检测存储于存储器单元205的电容器230上的状态(例如，电荷)，并且基于所存储状态来确定存储器单元205的逻辑状态。在一些情况下，由存储器单元205存储的电荷可能小。如此，读出组件245可以包含用于放大由存储器单元205输出的信号的一或多个读出放大器。读出放大器可以在读取操作期间检测数位线215的电荷中的微小变化，并且可以基于检测到的电荷产生对应于逻辑态0或逻辑态1的信号。在读取操作期间，存储器单元205的电容器230可以向其对应的数位线215输出信号(例如，释放电荷)。信号可以使数位线215的电压改变。读出组件245可以被配置成将跨数位线215从存储器单元205接收到的信号与参考信号250(例如，参考电压)进行比较。读出组件245可以基于比较来确定存储器单元205的所存储状态。例如，在二进制信令中，如果数位线215的电压比参考信号250的电压高，则读出组件245可以确定存储器单元205的所存储状态是逻辑1，并且如果数位线215的电压比参考信号250的电压低，则读出组件245可以确定存储器单元205的所存储状态是逻辑0。读出组件245可以包含用于检测和放大信号中的差异的各种晶体管或放大器。存储器单元205的检测到的逻辑状态可以通过列解码器225以输出255的形式输出。在一些情况下，读出组件245可以是另一组件(例如，列解码器225、行解码器220)的一部分。在一些情况下，读出组件245可以与行解码器220或列解码器225进行电子通信。

本地存储器控制器260可以通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225和读出组件245)来控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些情况下，行解码器220、列解码器225和读出组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260共同定位。本地存储器控制器260可以被配置成从外部存储器控制器105(或参考图1所描述的器件存储器控制器155)接收命令和/或数据，将命令和/或数据翻译成可以由存储器管芯200使用的信息，对存储器管芯200执行一或多个操作，并且响应于执行所述一或多个操作而将数据从存储器管芯200传送到外部存储器控制器105(或器件存储器控制器155)。本地存储器控制器260可以生成行地址信号和列地址信号以激活目标字线210和目标数位线215。本地存储器控制器260还可以生成并控制在对存储器管芯200的操作期间使用的各种电压或电流。通常，本文所讨论的所施加的电压或电流的振幅、形状或持续时间可以被调整或改变，并且对于在操作存储器管芯200中所讨论的各种操作可以不同。本地存储器控制器260可以用于执行训练程序以调谐与通道耦接的接收器，所述通道在多个器件(如主机器件和存储器器件)之间运行。本地存储器控制器260可以实施包含如本文所描述的基线训练操作和个体训练操作的训练程序。

在一些情况下，本地存储器控制器260可以被配置成对存储器管芯200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器管芯200的存储器单元205可以被编程为存储期望的逻辑状态。在一些情况下，可以在单个写入操作期间编程多个存储器单元205。本地存储器控制器260可以标识目标存储器单元205，对所述目标存储器单元执行写入操作。本地存储器控制器260可以标识与目标存储器单元205(目标存储器单元205的地址)进行电子通信的目标字线210和目标数位线215。本地存储器控制器260可以激活目标字线210和目标数位线215(例如，向字线210或数位线215施加电压)以对目标存储器单元205进行存取。本地存储器控制器260可以在写入操作期间向数位线215施加第一信号(例如，电压)以便将第一状态(例如，电荷)存储于存储器单元205的电容器230中，并且所述第一状态(例如，电荷)可以指示期望的逻辑状态。为了接收写入命令，可以使用如本文所描述的基线训练程序和/或个体训练程序对存储器器件的接收器进行调谐。

在一些情况下，本地存储器控制器260可以被配置成对存储器管芯200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，读出操作)。在读取操作期间，可以确定存储于存储器管芯200的存储器单元205中的逻辑状态。在一些情况下，可以在单个读取操作期间读出多个存储器单元205。本地存储器控制器260可以标识目标存储器单元205，对所述目标存储器单元执行读取操作。本地存储器控制器260可以标识与目标存储器单元205(目标存储器单元205的地址)进行电子通信的目标字线210和目标数位线215。本地存储器控制器260可以激活目标字线210和目标数位线215(例如，向字线210或数位线215施加电压)以对目标存储器单元205进行存取。目标存储器单元205可以响应于偏置存取线而将信号传送到读出组件245。读出组件245可以放大信号。本地存储器控制器260可以激活读出组件245(例如，锁存读出组件)，并且由此将从存储器单元205接收到的信号与参考信号250进行比较。基于所述比较，读出组件245可以确定存储于存储器单元205上的逻辑状态。本地存储器控制器260可以将存储于存储器单元205上的逻辑状态传送到外部存储器控制器105(或器件存储器控制器155)作为读取操作的一部分。为了接收存储器管芯200的输出，可以使用如本文所描述的基线训练程序和/或个体训练程序对主机器件的接收器进行调谐。

在一些存储器架构中，对存储器单元205进行存取可以降低或破坏存储于存储器单元205中的逻辑状态。例如，在DRAM架构中执行的读取操作可以使目标存储器单元的电容器部分地或完全地放电。本地存储器控制器260可以执行重新写入操作或刷新操作以将存储器单元返回到其原始逻辑状态。本地存储器控制器260可以在读取操作之后将逻辑状态重新写入目标存储器单元。在一些情况下，重新写入操作可以被认为是读取操作的部分。另外地，激活如字线210等单个存取线可以干扰存储于与所述存取线进行电子通信的一些存储器单元中的状态。因此，可以对可能未经存取的一或多个存储器单元执行重新写入操作或刷新操作。

图3展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的眼图300的实例。在一些实例中，眼图300可以展示参考图1和2所描述的系统100或存储器管芯200的各方面的实施方案。

眼图300展示了眼图的特征以及个体化训练程序可以如何改进存储器器件中的读出技术。眼图300示出了作为实例的四态脉冲振幅调制(PAM4)信令的两个单位间隔305-a和305-b。眼图300示出了可以(例如，跨导体)传送的四种不同的电平或符号。有时，在本文可以使用首字母缩略词“UI”来指代单位间隔。为了生成眼图300，示波器或其它计算器件可以根据单位间隔305对数字信号进行采样。单位间隔305可以通过与经测量信号的传输相关联的时钟来定义。在一些实例中，示波器或其它计算器件可以在单位间隔期间测量信号的电压电平以形成迹线310。噪音和其它的因素可以导致从信号测量的迹线310与一组理想函数偏离。迹线的变化可以表示数据线上可以被接收器检测到的各种可能的信号。

在一些实例中，通过叠加多个迹线310，可以确定关于经测量信号的各种特性。例如，眼图300可以用于标识通信信号的不同特性，如抖动、串扰、电磁干扰(EMI)、信号丢失、信噪比(SNR)、其它特性或其组合。闭眼可以指示有噪声的和/或不可预测的信号。

眼图300的‘眼’可以指迹线310之间的空间。随着信号朝着四个电平中的一个电平汇聚，电平之间的区域可能不含迹线310，这可以被称为眼图300的眼。为了在解码信号时区分不同电平，参考电压315、320、325可以定位于由迹线表示的不同电平之间。例如，低电平参考电压315可以定位于第一电平与第二电平之间；中电平参考电压320可以定位于第二电平与第三电平之间；并且高电平参考电压325可以定位于第三电平与第四电平之间。

在解码时，可以在采样时间330处将由迹线表示的信号与参考电压315、320、325进行比较，所述采样时间可以特定于每个单位间隔305。与参考电压315、320、325和每个采样时间330相关联的眼越小，检测中引入误差的可能性越大。例如，如果第一电平的信号无意地跨越低电平参考电压315，则可以检测到误差(例如，不正确的值)。在此类实例中，当实际上第一电平存在时，接收器可以确定第二电平是存在的。

在一些情况下，可以启动训练程序以修改整块单位间隔305的参考电压和/或采样时间。在此类训练程序中，可以一起调整单位间隔305的单个块中的所有的参考电压315、320、325、或单位间隔305的单个块中的所有采样时间330、或两者。尽管此类训练程序可以改善整块单位间隔内测量的接收器的整体性能，但是某些符号可能会经历误码率增加。因为不同的转换速率、串扰、占空比和/或脉冲串位置错配，数据眼的特性对于每个不同的符号或电平可以是不同的。

对个体符号执行训练程序的技术可以用于补偿可以以其它方式存在于不同符号中的独特变化。例如，可以在单个单位间隔305内对每个参考电压315执行个体训练操作。这些个体训练操作可以允许第一单位间隔305-a的低电平参考电压315可独立于第二单位间隔305-b的低电平参考电压315而定位和/或可独立于中电平参考电压320或高电平参考电压325而定位。在其它实例中，可以对与每个参考电压315、320、325相关联的采样时间330执行个体训练操作。这些个体训练操作可以允许与第一单位间隔305-a内的低电平参考电压315相关联的采样时间330可独立于与第一单位间隔305-a内的中电平参考电压320或第一单位间隔305-a内的高电平参考电压325相关联的采样时间330而定位。另外，这些个体训练操作可以允许第一单位间隔305-a中的采样时间330可独立于其它单位间隔(例如，第二单位间隔305-b)中的采样时间而定位。

图4展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的流程图400的实例。在一些实例中，流程图400可以展示参考图1和2所描述的系统100或存储器管芯200的各方面的实施方案。流程图400展示了一或多个训练程序，所述一或多个训练程序可以通过接收器执行以独立地配置参考电压、采样时间、其它参数或其组合。流程图400的功能可以通过主机器件或存储器器件以及其它实例来执行。

在框405处，与系统相关联的存储器器件可以被上电。在一些情况下，本文所描述的训练程序可以与对存储器器件上电一同出现。

在框410处，主机器件或存储器器件可以启动训练程序。在一些情况下，可以至少部分地基于确定存储器器件已经被激活(例如，在被去激活之后)而启动训练程序。在一些情况下，可以在不活动的时段、休眠、或睡眠状态之后或在其它情况下启动训练程序。在一些情况下，这些训练程序可以针对在主机器件与存储器器件之间延伸的每个导电路径或导电线而启动。例如，如果数据通道具有四条数据线(例如，x4)，则训练程序可以针对数据通道的四条数据线中的每条数据线而启动。

在框415处，主机器件或存储器器件的接收器可以接收一或多个训练序列(有时被称为训练脉冲串)。训练脉冲串可以包含使用一系列单位间隔传送的多个符号。在一些情况下，训练脉冲串可以包括一组确定的符号。例如，训练脉冲串可以包含使用八个连续单位间隔的八个符号的传输。在训练脉冲串期间传输的符号可以根据训练模式配置。例如，训练脉冲串的符号可以是所有相同类型的符号(例如，所有高电平符号、中高电平符号、中低电平符号或低电平符号)。在其它实例中，符号可以根据确定的信号模式进行组织(例如，模式可以包括以下符号：高、高、中、低、低、中、高、中)。

在一些实例中，精化每个参考电压和/或每个采样时间的训练程序可以具有至少两部分。在训练程序的第一部分期间，主机器件或存储器器件可以训练至少一些参考电压(如果不是所有参考电压一起的话)和/或至少一些采样时间(如果不是所有采样时间一起的话)。在第一部分期间，主机器件或存储器器件可以为每个参考电压标识基线参考电压或对参考电压的基线调整。另外地或替代性地，主机器件或存储器器件可以为训练脉冲串中的每个采样时间标识基线采样时间或对采样时间的基线调整。在训练程序的第二部分期间，主机器件或存储器器件可以训练个体参考电压、个体采样时间、或两者。程序在第二部分期间可以使用一或多个在第一部分期间已经标识的基线。以此方式，要进行个体训练操作的时间量可以减少。实际上，基线训练操作可以用作参考电压和/或采样时间的粗略的精化，并且个体训练操作可以用于提供个体参考电压和/或个体采样时间的精细的精化。

在框420处，主机器件或存储器器件可以执行一或多个基线训练操作。基线训练操作的实例可以包含基线参考电压训练操作和基线定时训练操作。

在425处，主机器件或存储器器件可以执行基线参考电压训练操作以为在一系列单位间隔期间使用的多个参考电压标识基线电平偏移。在一些情况下，基线偏移可以应用于所述一系列单位间隔内的每个参考电压，而在其它情况下，基线偏移可以应用于所述一系列单位间隔内的参考电压的子集。如上文所讨论的，参考电压可以用于区分不同符号候选项。通过将接收的信号与参考电压进行比较，主机器件和存储器器件可以被配置成确定信号是第一符号候选项(或在第一符号候选项以下)还是第二符号候选项(或在第二符号候选项以下)。符号候选项可以指与参考电压相关联的符号的假设。通过将信号与参考电压进行比较，接收器可以将两个符号候选项之一标识为由信号表示的可能的符号。在多符号信号(例如，PAM4)中，多个参考电压可以用于确定单位间隔的实际符号。

在一些情况下，为了标识基线电平偏移，主机器件或存储器器件可以调整参考电压中的一或多个参考电压直到出现误差。例如，主机器件或存储器器件可以预先知道哪些符号在训练脉冲串中。主机器件或存储器器件可以调整(例如，增加)参考电压中的一或多个参考电压直到一或多个误差随参考电压中的至少一个出现。误差可以是这样的情况，当接收器实际上预期符号是不同于第一符号的第二符号时，接收器将符号标识为第一符号。当误码率满足阈值时，主机器件或存储器器件可以将误码率满足阈值时正在使用的参考电压的电压电平标识为参考电压的上界。阈值的实例可以是位误码率阈值。主机器件或存储器器件还可以降低参考电压直到一或多个误差随参考电压中的至少一个出现。当误码率满足阈值时，主机器件或存储器器件可以将误码率满足阈值时正在使用的参考电压的电压电平标识为参考电压的下界。

主机器件或存储器器件可以标识参考电压的上界与参考电压的下界之间的通过点(pass point)(例如，中点)。在一些实例中，基线电平偏移可以表示参考电压的原始电平与参考电压的通过点之间的差，所述通过点通过基线电压训练操作标识。为了将参考电压移动到基线值，基线电平偏移可以应用于原始参考电压值。

在一些情况下，参考电压的上界与参考电压的下界之间的差被称为通过窗口(pass window)。基线电平偏移可以被配置成将参考电压定位于在通过窗口内标识的通过点处。

在430处，主机器件或存储器器件可以执行基线定时训练操作以为在一系列单位间隔期间使用的多个采样时间标识基线定时偏移。在一些情况下，基线定时偏移可以应用于所述一系列单位间隔内的每个采样时间。采样时间可以指单位间隔期间将信号与一或多个参考电压进行比较的时间。有时单位间隔的采样时间可以影响在读取由接收器通过导电路径接收到的信号时检测到的误差的数量。

在一些情况下，为了标识基线定时偏移，主机器件或存储器器件可以为一系列单位间隔内的至少一些单位间隔(如果不是每个单位间隔的话)立刻调整采样时间。主机器件或存储器器件可以为采样时间标识通过点。如果没有标识通过点，则主机器件或存储器器件可以重复所述程序但以较低速度进行。主机器件或存储器器件可以调整采样时间直到误差出现。例如，主机器件或存储器器件可以预先知道哪些符号在训练脉冲串中。主机器件或存储器器件可以调整(例如，增加)采样时间直到一或多个误差随一个单位间隔内的至少一个采样时间出现。当误码率满足阈值时，主机器件或存储器器件可以将误码率满足阈值时正在使用的采样时间标识为采样时间的上界。主机器件或存储器器件可以调整(例如，减少)采样时间直到一或多个误差随一个单位间隔内的至少一个采样时间出现。当误码率满足阈值时，主机器件或存储器器件可以将误码率满足阈值时正在使用的采样时间标识为采样时间的下界。

主机器件或存储器器件可以标识采样时间的上界与采样时间的下界之间的通过点(例如，中点)。基线定时偏移可以表示采样时间的原始定时与采样时间的通过点之间的差，所述通过点通过基线定时训练操作标识。为了将采样时间移动到基线值，基线定时偏移可以应用于原始采样时间。

在435处，主机器件或存储器器件可以执行一或多个个体训练操作以精化参考电压和/或锁存时间。在一些情况下，个体训练操作可以使用基线偏移中的一或多个基线偏移(例如，基线电平偏移、基线定时偏移、两种偏移、其它偏移)作为训练操作的起始点。个体训练操作的实例可以包含一或多个个体参考电压训练操作和一或多个个体定时训练操作。

在440处，主机器件或存储器器件可以执行一或多个个体电平训练操作。个体电平训练操作可以用于为特定单位间隔内的特定参考电压标识个体电平偏移。作为实例，第一个体电平训练操作可以用于为在第一单位间隔305-a内发现的第一参考电压315确定第一个体化电平偏移，并且第二个体电平训练操作可以用于为在第二单位间隔305-b内发现的第一参考电压315确定第二个体化电平偏移。类似地，第一个体电平训练操作可以用于为第一单位间隔305-a内发现的第一参考电压315确定第一个体化电平偏移，并且第二个体电平训练操作可以用于为第一单位间隔305-a内发现的第二参考电压320确定第二个体化电平偏移。

在一些情况下，个体电平训练操作可以用于为多个参考电压确定电平偏移。例如，个体电平训练操作可以用于为单个单位间隔内的至少一些参考电压或每个参考电压(例如，参考电压315、320和325)标识公共电平偏移。通过单个个体电平偏移服务的多个参考电压可以是任何单位间隔内的参考电压的任何组合。

可以用类似于基线电平训练操作的方式执行个体电平训练操作。在此类情况下，个体电平训练操作可以为所讨论的参考电压标识上界和下界并且可以标识上界与下界之间的通过点。个体电平训练操作可以包含基线电平训练操作的其它特征。

在445处，主机器件或存储器器件可以执行一或多个个体定时训练操作。个体定时训练操作可以用于为特定单位间隔内的特定采样时间标识个体定时偏移。作为实例，第一个体定时训练操作可以用于确定与对第一单位间隔305-a内发现的第一参考电压315进行采样相关联的第一个体化定时偏移，并且第二个体定时训练操作可以用于确定与对第一单位间隔305-a内发现的第二参考电压320进行采样相关联的第二个体化定时偏移。类似地，第一个体定时训练操作可以用于确定与对第一单位间隔305-a内发现的第一参考电压315进行采样相关联的第一个个体化定时偏移，并且第二个体定时训练操作可以用于确定与对第二单位间隔305-b内发现的第一参考电压315进行采样相关联的第二个体化定时偏移。

在一些情况下，个体定时训练操作可以用于为多个采样时间确定定时偏移。例如，个体定时训练操作可以用于标识与对单个单位间隔内的至少一些参考电压或每个参考电压(例如，参考电压315、320和325)进行采样相关联的公共定时偏移。通过单个个体定时偏移服务的多个采样时间可以是与任何单位间隔内的任何参考电压相关联的采样时间的任何组合。

可以用类似于基线定时训练操作的方式执行个体定时训练操作。在此类情况下，个体定时训练操作可以为所讨论的采样时间标识上界和下界并且可以标识上界与下界之间的通过点。个体定时训练操作可以包含基线定时训练操作的其它特征。

在450处，主机器件和存储器器件可以在训练程序期间将反馈传输到传输器件(例如，主机器件或存储器器件)。在一些实例中，训练程序可以通过主机器件的外部存储器控制器来启动(例如，运行)。当正在训练的接收器是存储器器件的一部分时，存储器器件可以传输一或多个校验和或误差校正数据以指示何时出现误差。主机器件的外部存储器控制器可以使用校验和或误差校正数据来标识参考电压和/或采样时间的上界和下界，并且标识通过点和/或偏移(例如，基线电平偏移、基线定时偏移、个体电平偏移和/或个体定时偏移)。在一些实例中，训练程序的通过点、偏移和其它信息的确定可以通过存储器器件(例如，器件存储器控制器或一或多个本地存储器控制器)执行。

在455处，主机器件或存储器器件可以基于训练程序的结果配置接收器或启动接收器的配置。例如，主机器件或存储器器件可以采取原始参考电压电平并且应用基线电平偏移或个体电平偏移，或两者。在一些情况下，个体电平偏移或个体定时偏移可能已经结合了基线偏移。在此类情况下，主机器件或存储器器件可以将个体偏移(例如，个体电平偏移或个体定时偏移)应用于原始值(例如，原始参考电压电平或个体采样时间)。在一些情况下，个体偏移可以表示个体电平或时间与基线电平或时间之间的差。在此类情况下，主机器件或存储器器件可以将个体偏移(例如，个体电平偏移或个体定时偏移)和基线偏移(例如，基线电平偏移或基线定时偏移)应用于原始值(例如，原始参考电压电平或个体采样时间)。

在一些情况下，可以并发地或同时地对一或多个导电路径(例如，数据线)执行电平训练。在一些情况下，可以并发地或同时地对一或多个导电路径(例如，数据线)执行定时训练。

图5A和5B展示了根据本公开的各方面的支持对与存储器器件相关联的接收器的训练程序的眼图500的实例。在一些实例中，眼图500可以展示参考图1和2所描述的系统100或存储器管芯200的各方面的实施方案。眼图500各自示出了训练程序的不同方面。第一眼图500-a示出了基线电平训练操作的实例，并且第二眼图500-b示出了个体电平训练操作的两个实例。眼图500示出了跨两个单位间隔505的二进制符号信号(例如，第一单位间隔505-a和第二单位间隔505-b)以简化描述。然而，本文所描述的原理可以被扩展为适用于跨多个单位间隔传输的二进制符号信号和/或跨多个单位间隔传输的多符号信号。

第一眼图500-a示出了基线电平训练操作可以如何影响用于区分第一单位间隔505-a和第二单位间隔505-b内的符号候选项的公共参考电压510。在基线电平训练操作期间，可以针对两个单位间隔调整公共参考电压510。例如，基线电平偏移可以应用于公共参考电压510，使得第一单位间隔505-a的参考电压可以与第二单位间隔505-b的参考电压相同。如此，第二单位间隔505-b内的条件可以防止公共参考电压510被定位在第一单位间隔505-a的理想位置上，反之亦然。

第二眼图500-b示出了两种个体电平训练操作可以如何影响用于区分第一单位间隔505-a和第二单位间隔505-b内的符号候选项的两个参考电压515和520。在第一个体电平训练操作期间，第一单位间隔505-a的参考电压515可以被调整。在第二个体电平训练操作期间，第二单位间隔505-b的参考电压520可以独立于参考电压515的调整而调整。在此类实例中，第一个体电平偏移可以应用于第一参考电压515，并且不同于第一电平偏移的第二个体电平偏移可以应用于第二参考电压520。以此类方式，每个单位间隔505-a、505-b的参考电压515、520可以独立于另一个参考电压被设置为理想位置。

图6A和6B展示了根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的眼图600的实例。在一些实例中，眼图600可以展示参考图1和2所描述的系统100或存储器管芯200的各方面的实施方案。眼图600各自示出了训练程序的不同方面。第一眼图600-a示出了基线定时训练操作的实例，并且第二眼图600-b示出了个体定时训练操作的两个实例。眼图600示出了跨单位间隔605的二进制符号信号以简化描述。然而，本文所描述的原理可以被扩展为适用于跨多个单位间隔传输的二进制符号信号和/或跨多个单位间隔传输的多符号信号。

第一眼图600-a示出了基线定时训练操作可以如何影响用于对信号进行采样并且将信号与单位间隔内的第一参考电压615和第二参考电压620两者进行比较的公共采样时间610。在基线定时训练操作期间，可以针对参考电压615、620调整公共采样时间610。例如，基线定时偏移可以应用于公共采样时间610，使得用于将信号与第一参考电压615进行比较的定时和用于将信号与第二参考电压620进行比较的时间相同。如此，与第一参考电压615相关联的眼的条件可以防止公共采样时间610被定位在与第二参考电压620相关联的眼的理想位置，反之亦然。

第二眼图600-b示出了两个个体定时训练操作可以如何影响采样以及将信号与在两个不同采样时间(例如，第一采样时间625和第二采样时间630)处的两个参考电压615和620进行比较。在第一个体定时训练操作期间，可以调整与第一参考电压615相关联的采样时间625。在第二个体定时训练操作期间，与第二参考电压620相关联的采样时间630可以独立于采样时间625的调整而调整。在此类实例中，第一个体定时偏移可以应用于采样时间625，并且不同于第一定时偏移的第二个体定时偏移可以应用于第二采样时间630。以此类方式，与单位间隔内的每个参考电压615、620相关联的采样时间625、630可以独立于另一个采样时间被设置为理想位置。

图7展示了根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的电路图700的实例。在一些实例中，电路图700可以实施参考图1和2所描述的系统100或存储器管芯200的各方面。电路图700示出了在主机器件或存储器器件处与单个导电线705(例如，DQ线并且有时被称为引脚)耦接的接收器。接收器可以被配置成确定在导电线705上传输的符号。接收器可以包含被配置成执行一或多个训练程序的组件，所述一或多个训练程序包含基线训练操作的(例如，电平、定时)、个体训练操作(例如，电平、定时)、或两者。

电路图700示出了用于单个导电线705的接收器的结构。类似结构可以用于系统中的其它导电线。

接收器可以包含两个级，所述级可以包含比较器级710和采样器级715。比较器级710可以包含被配置成将(例如，使用导电线705)接收到的信号与参考电压725进行比较的一或多个比较器720。在一些情况下，参考电压725可以是可调谐的。在一些情况下，比较器720可以具有差分输出。在一些情况下，比较器可以具有单端输出。

采样器级715可以包含被配置成锁存和/或存储比较器720的输出的一或多个锁存器730。锁存器730的输入可以与比较器720(差分或单端)的输出和采样时间735耦接。当采样时间信号注册激活命令时，锁存器730可以被激活并且可以将信号输出到控制器。采样时间735可以与特定参考电压相关联。在一些情况下，采样时间可以是可调谐的。控制器可以接收来自采样器级715中的每个锁存器730的信息。控制器可以使用来自锁存器730的信息以确定在单位间隔期间正跨导电线705传输的符号，或在一系列单位间隔期间正跨导电线705传输的多个符号。

接收器的电路图700示出了跨多个单位间隔并发地检测多个参考信号所需的组件。一些接收器可以被配置成同时地解码多个单位间隔。例如，如果信号的公共字长是八个符号，则接收器可以被配置成并发地解码八个单位间隔。为了实现这一点，可以将其它组件添加到接收器。另外，当可能被传输的符号的数量增加时，比较器和参考电压的数量可能也增加。

电路图700的第一行组件示出了与将接收到的信号与第一单位间隔(例如，参考图3所描述的第一单位间隔305-a)的高电平参考电压(例如，参考图3所描述的参考电压325)进行比较相关联的比较器级710和采样器级715。电路图700的第二行组件示出了与将接收到的信号与第二单位间隔(例如，参考图3所描述的第二单位间隔305-b)的高电平参考电压(例如，参考图3所描述的参考电压325)进行比较相关联的比较器级710和采样器基715。

尽管未示出，但是接收器可以包含针对接收器可以解码(例如，并发地解码)的每个单位间隔的另外的行。例如，如果接收器可以解码八个单位间隔(例如，并发地)，则可能存在八行与高电平参考电压(例如，参考图3所描述的参考电压325)相关联的组件。接收器可以被构建成一次解码任何数量的单位间隔。如此，可以存在任何数量的行的与高电平参考电压相关联的组件(例如，一行、两行、三行、四行、五行、六行、七行、八行等等)。

在电路图700中，每个参考电压725可以是可调谐的(例如，独立可调谐的)并且每个采样时间735可以是可调谐的(例如，独立可调谐的)。此类配置可以允许训练程序为特定单位间隔内的特定参考电压提供一或多个偏移(例如，电平偏移和/或定时偏移)。

与记录高电平参考电压相关联的结构可以被复制用于另外的参考电压。例如，电路图700中示出的第三行包含与中电平参考电压(例如，参考图3所描述的参考电压320)相关联的组件。与中电平参考电压相关联的组件和组件行可以用与高电平组件类似的方式配置，除了输入到比较器720的参考电压可能不同于高电平参考电压。

接收器可以被配置成使用任何数量的参考信号来解码信号。在一些实例中，跨导电线705传输的一或多个信号可以是一或多个PAM4信号。如此，可能存在三种不同的参考电压(例如，高、中和低)。上文所描述的结构和组件可以扩展为使用任何数量的参考电压和/或任何数量的单位间隔。

使每个参考电压725和每个采样时间735可独立地配置允许训练程序执行如上文所描述的个体电平训练操作和个体定时训练操作。例如，当执行基线电平训练操作时，接收器的至少一些参考电压725(如果不是所有参考电压的话)可以一起调整。当执行个体电平训练操作时，可以调整参考电压725中的一或多个参考电压(例如，同时地、并发地、并举地)。类似地，当执行基线定时训练操作时，接收器的至少一些采样时间735(如果不是所有采样时间的话)可以一起调整。当执行个体定时训练操作时，可以调整采样时间735中的一或多个采样时间(例如，同时地、并发地、并举地)。

在一些情况下，每个参考电压725和/或每个采样时间735可以不是独立地可调谐或可配置的。在一些情况下，参考电压725和/或采样时间735可以被分组为可配置集合(例如，独立地可配置集合)。例如，高电平参考电压(例如，参考图3所描述的参考电压325)对每个单位间隔可以不是独立地可调谐的，而是可以跨一些或所有单位间隔可调谐。当确实如此时，可以结合和/或重新布置电路图700中示出的组件。一组可配置变量的另一个实例可以是：单个单位间隔的采样时间735可以是可配置的，但是个体参考电压725内相关联的采样时间735可以不是独立地可配置的。出于调谐目的，可以将参考电压725和/或采样时间735的任何组合分组在一起。当确实如此时，可以结合和/或重新布置电路图700中示出的组件。

图8示出了根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的训练管理器805的框图800。训练管理器805的功能可以通过如参考图1和2所描述的控制器(例如，外部存储器控制器105、器件存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260或其组合)执行。训练管理器805可以包含接收器管理器810、基线电压训练管理器815、个体电压训练管理器820、个体训练管理器825、采样管理器830、误差管理器835、启动管理器840、基线定时训练管理器845和个体定时训练管理器850。这些模块中的每个模块可以与彼此(例如，通过一或多条总线)直接地或间接地通信。

接收器管理器810可以接收一系列单位间隔期间的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含所述符号集合中的一个符号。在一些实例中，接收器管理器810可以用第一电平偏移配置第一单位间隔内的第一参考电压，并且用第二电平偏移配置第二单位间隔内的第一参考电压。在一些实例中，接收器管理器810可以接收一系列单位间隔内的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含所述符号集合中的一个符号。

在一些实例中，接收器管理器810可以用第一定时偏移配置第一采样时间并且用第二定时偏移配置第二采样时间。在一些实例中，接收器管理器810可以用第三电平偏移配置第一单位间隔内的第二参考电压。在一些实例中，接收器管理器810可以接收一组训练脉冲串以为与所述系列中的个体单位间隔相关联的个体参考电压标识电平偏移，其中所述组中的单个训练脉冲串包含符号集合。在一些实例中，在训练程序期间接收一组训练脉冲串，每个训练脉冲串包含预定的符号集合，其中单个训练脉冲串包含符号集合。

基线电压训练管理器815可以标识与第一参考电压相关联的基线电平偏移以区分符号集合中的第一符号候选项和第二符号候选项。在一些实例中，基线电压训练管理器815可以将基线电平偏移应用于所述系列中的单位间隔的第一参考电压。在一些情况下，基线电平偏移包含初始值，并且第一电平偏移和第二电平偏移是基于初始值标识的。

在标识基线电平偏移之后，个体电压训练管理器820可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一参考电压标识第一电平偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第一参考电压标识第二电平偏移，第一电平偏移不同于第二电平偏移。

在标识基线电平偏移之后，个体训练管理器825可以为所述系列中的第一单位间隔内的第二参考电压标识第三电平偏移，第三电平偏移不同于第一电平偏移和第二电平偏移。

在第一单位间隔期间，采样管理器830可以基于第一电平偏移和第一参考电压对与第一参考电压相关联的第一比较器的第一输出进行采样。

误差管理器835可以调整第一单位间隔的第一参考电压。在一些实例中，误差管理器835可以基于调整第一参考电压来确定当解调符号集合中的一个符号时出现误差，其中第一电平偏移是基于确定误差出现而标识的。在一些实例中，误差管理器835可以传输出现误差的指示，其中第一电平偏移是基于传输指示而标识的。

在一些实例中，误差管理器835可以调整第一单位间隔的第一采样时间。在一些实例中，误差管理器835可以基于调整第一采样时间来确定当解调符号集合中的一个符号时出现误差，其中第一定时偏移是基于确定误差出现而标识的。在一些实例中，误差管理器835可以传输指示误差出现的校验和，其中第一定时偏移是基于传输校验和而标识的。

启动管理器840可以启动包含基线电平训练程序和一组个体电平训练程序的训练程序，其中接收符号集合是基于启动训练程序而进行的。在一些实例中，启动管理器840可以启动用于确定基线定时偏移和个体定时偏移的训练程序，其中接收符号集合是基于启动训练程序而进行的。在一些情况下，可以为通道的每个引脚启动训练程序。在一些情况下，可以为通道的每个数据引脚启动训练程序。

基线定时训练管理器845可以标识与采样时间相关联的基线定时偏移以便在所述一系列单位间隔期间进行锁存。在一些实例中，基线定时训练管理器845可以将基线定时偏移应用于所述系列中的单位间隔的采样时间。在一些情况下，基线定时偏移包含初始值，并且第一定时偏移和第二定时偏移基于初值标识。

在标识基线定时偏移之后，个体定时训练管理器850可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一采样时间标识第一定时偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第二采样时间标识第二定时偏移，第一定时偏移不同于第二定时偏移。在一些实例中，个体定时训练管理器850可以在第一单位间隔期间在第一时间处对与第一参考电压相关联的第一比较器的第一输出进行采样，所述第一时间基于第一采样时间和第一定时偏移。在一些实例中，个体定时训练管理器850可以在第一单位间隔期间在不同于第一时间的第二时间处对与第二参考电压相关联的第二比较器的第二输出进行采样，第二时间基于第一采样时间和第三定时偏移。

图9示出了展示根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的方法900的流程图。方法900的操作可以通过如本文所描述的控制器(例如，外部存储器控制器105、器件存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260或其组合)或其组件执行。例如，方法900的操作可以通过如参照图8所描述的训练管理器执行。在一些实例中，控制器可以执行用于控制控制器的功能元件执行下文所描述的功能的指令集。另外地或替代性地，控制器可以使用专用硬件来执行下文所描述的功能的各方面。

在905处，控制器可以接收一系列单位间隔期间的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含所述符号集合中的一个符号。在一些实例中，905的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

在910处，控制器可以标识与第一参考电压相关联的基线电平偏移以区分符号集合中的第一符号候选项和第二符号候选项。在一些实例中，910的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的基线电压训练管理器执行。

在915处，在标识基线电平偏移之后，控制器可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一参考电压标识第一电平偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第一参考电压标识第二电平偏移，第一电平偏移不同于第二电平偏移。在一些实例中，915的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的个体电压训练管理器执行。

在920处，控制器可以用第一电平偏移配置第一单位间隔内的第一参考电压并且用第二电平偏移配置第二单位间隔内的第一参考电压。在一些实例中，920的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

如本文所描述的装置可以执行一或多种方法，如方法900。装置可以包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，所述特征、构件或指令用于：接收一系列单位间隔期间的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含符号集合中的一个符号；标识与第一参考电压相关联的基线电平偏移以区分符号集合中的第一符号候选项和第二符号候选项；在标识基线电平偏移之后，为所述系列中的第一单位间隔内的第一参考电压标识第一电平偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第一参考电压标识第二电平偏移，第一电平偏移不同于第二电平偏移；以及用第一电平偏移配置第一单位间隔内的第一参考电压并且用第二电平偏移配置第二单位间隔内的第一参考电压。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于：在标识基线电平偏移之后，为所述系列中的第一单位间隔内的第二参考电压标识第三电平偏移，第三电平偏移不同于第一电平偏移和第二电平偏移；以及用第三电平偏移配置第一单位间隔内的第二参考电压。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于在第一单位间隔期间基于第一电平偏移和第一参考电压对与第一参考电压相关联的第一比较器的第一输出进行采样。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于：调整第一单位间隔的第一参考电压；以及基于调整第一参考电压来确定当解调符号集合中的一个符号时出现误差，其中第一电平偏移可以基于确定误差出现而标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于传输误差出现的指示，其中第一电平偏移可以基于传输指示而标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于启动包含基线电平训练程序和一组个体电平训练程序的训练程序，其中接收符号集合可以基于启动训练程序。

在本文所描述的方法或装置的一些实例中，可以为通道的每个引脚启动训练程序。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于接收一组训练脉冲串以为与所述系列中的个体单位间隔相关联的个体参考电压标识电平偏移，其中所述组中的单个训练脉冲串包含符号集合。

在本文所描述的方法或装置的一些实例中，基线电平偏移包含初始值，并且第一电平偏移和第二电平偏移可以基于初始值标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于将基线电平偏移应用于所述系列中的单位间隔的第一参考电压。

图10示出了展示根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的方法1000的流程图。方法1000的操作可以通过如本文所描述的控制器(例如，外部存储器控制器105、器件存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260或其组合)或其组件执行。例如，方法1000的操作可以通过如参照图8所描述的训练管理器执行。在一些实例中，控制器可以执行用于控制控制器的功能元件执行下文所描述的功能的指令集。另外地或替代性地，控制器可以使用专用硬件来执行下文所描述的功能的各方面。

在1005处，控制器可以启动包含基线电平训练程序和一组个体电平训练程序的训练程序。在一些实例中，1005的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的启动管理器执行。

在1010处，控制器可以基于启动训练程序来接收一系列单位间隔期间的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含所述符号集合中的一个符号。在一些实例中，1010的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

在1015处，控制器可以标识与第一参考电压相关联的基线电平偏移以区分符号集合中的第一符号候选项和第二符号候选项。在一些实例中，1015的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的基线电压训练管理器执行。

在1020处，在标识基线电平偏移之后，控制器可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一参考电压标识第一电平偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第一参考电压标识第二电平偏移，第一电平偏移不同于第二电平偏移。在一些实例中，1020的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的个体电压训练管理器执行。

在1025处，控制器可以用第一电平偏移配置第一单位间隔内的第一参考电压并且用第二电平偏移配置第二单位间隔内的第一参考电压。在一些实例中，1025的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

图11示出了展示了根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的方法800的流程图。方法800的操作可以通过如本文所描述的控制器(例如，外部存储器控制器105、器件存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260或其组合)或其组件执行。例如，方法800的操作可以通过如参照图8所描述的训练管理器执行。在一些实例中，控制器可以执行用于控制控制器的功能元件执行下文所描述的功能的指令集。另外地或替代性地，控制器可以使用专用硬件来执行下文所描述的功能的各方面。

在805处，控制器可以接收一系列单位间隔内的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含符号集合中的一个符号。在一些实例中，805的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

在810处，控制器可以标识与采样时间相关联的基线定时偏移以便在所述一系列单位间隔期间进行锁存。在一些实例中，810的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的基线定时训练管理器执行。

在815处，在标识基线定时偏移之后，控制器可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一采样时间标识第一定时偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第二采样时间标识第二定时偏移，第一定时偏移不同于第二定时偏移。在一些实例中，815的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的个体定时训练管理器执行。

在820处，控制器可以用第一定时偏移配置第一采样时间并且用第二定时偏移配置第二采样时间。在一些实例中，820的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

如本文所描述的装置可以执行一或多种方法，如方法1100。装置可以包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，所述特征、构件或指令用于：接收一系列单位间隔内的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含符号集合中的一个符号；标识与采样时间相关联的基线定时偏移以便在所述一系列单位间隔期间进行锁存；在标识基线定时偏移之后，为所述系列中的第一单位间隔内的第一采样时间标识第一定时偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第二采样时间标识第二定时偏移，第一定时偏移不同于第二定时偏移；以及用第一定时偏移配置第一采样时间并且用第二定时偏移配置第二采样时间。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于标识第一单位间隔内的不同于第一定时偏移的第三定时偏移，其中第一采样时间可以与第一单位间隔的第一参考电压相关联，并且第三采样时间可以与第一单位间隔的第二参考电压相关联。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于：在第一单位间隔期间在第一时间处对与第一参考电压相关联的第一比较器的第一输出进行采样，所述第一时间基于第一采样时间和第一定时偏移；以及在第一单位间隔期间在不同于第一时间的第二时间处对与第二参考电压相关联的第二比较器的第二输出进行采样，所述第二时间基于第一采样时间和第三定时偏移。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于：调整第一单位间隔的第一采样时间；以及基于调整第一采样时间来确定当解调符号集合中的一个符号时出现误差，其中第一定时偏移可以基于确定误差出现而标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于传输指示误差出现的校验和，其中第一定时偏移可以基于传输校验和而标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于启动用于确定基线定时偏移和个体定时偏移的训练程序，其中接收符号集合可以基于启动训练程序进行。

在本文所描述的方法或装置的一些实例中，可以为通道的每个数据引脚启动训练程序。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于在训练程序期间接收一组训练脉冲串，每个训练脉冲串包含预定的符号集合，其中单个训练脉冲串包含符号集合。

在本文所描述的方法或装置的一些实例中，基线定时偏移包含初始值，并且第一定时偏移和第二定时偏移可以基于初值标识。

方法或装置的一些实例可以进一步包含操作、特征、构件或指令，所述操作、特征、构件或指令用于将基线定时偏移应用于所述系列中的单位间隔的采样时间。

图12示出了展示根据本公开的各方面的支持对接收器的训练程序的方法1200的流程图。方法1200的操作可以通过如本文所描述的控制器(例如，外部存储器控制器105、器件存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器260或其组合)或其组件执行。例如，方法1200的操作可以通过如参照图8所描述的训练管理器执行。在一些实例中，控制器可以执行用于控制控制器的功能元件执行下文所描述的功能的指令集。另外地或替代性地，控制器可以使用专用硬件来执行下文所描述的功能的各方面。

在1205处，控制器可以启动用于确定基线定时偏移和个体定时偏移的训练程序。在一些实例中，1205的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的启动管理器执行。

在1210处，控制器可以基于启动训练程序来接收一系列单位间隔内的符号集合，所述系列中的每个单位间隔包含符号集合中的一个符号。在一些实例中，1210的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

在1215处，控制器可以标识与采样时间相关联的基线定时偏移以便在所述一系列单位间隔期间进行锁存。在一些实例中，1215的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的基线定时训练管理器执行。

在1220处，在标识基线定时偏移之后，控制器可以为所述系列中的第一单位间隔内的第一采样时间标识第一定时偏移并且为所述系列中的第二单位间隔内的第二采样时间标识第二定时偏移，第一定时偏移不同于第二定时偏移。在一些实例中，1220的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的个体定时训练管理器执行。

在1225处，控制器可以用第一定时偏移配置第一采样时间并且用第二定时偏移配置第二采样时间。在一些实例中，1225的操作的各方面可以通过如参考图8所描述的接收器执行。

应当注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，并且可以重新布置或以其它方式修改操作和步骤，并且其它实施方案是可能的。此外，可以组合所述方法中的两种或两种以上方法的各方面。

在一些实例中，装置或器件可以使用通用或专用硬件执行本文所描述的功能的各方面。装置或器件可以包含被配置成与数据总线耦接的引脚、与引脚耦接且被配置成接收一系列单位间隔内的符号集合的接收器、包含比较器级和采样器级的接收器。比较器级可以包含与引脚和第一参考电压耦接的第一比较器以及与引脚和不同于第一参考电压的第二参考电压耦接的第二比较器，第一比较器被配置成使用第一参考电压区分第一单位间隔期间的第一符号候选项和第二符号候选项，第二比较器被配置成使用第二参考电压区分第二单位间隔期间的第一符号候选项和第二符号候选项。采样器级可以包含与第一比较器耦接并且被配置成在第一单位间隔期间对第一比较器的输出进行采样的第一锁存器，和与第二比较器耦接并且被配置成在第二单位间隔期间对第二比较器的输出进行采样的第二锁存器。

在一些实例中，比较器级可以包含与引脚和第三参考电压耦接的第三比较器，第三比较器可以被配置成使用第三参考电压区分第一单位间隔期间的和第二符号候选项第三符号候选项。在一些实例中，采样器级可以包含与第三比较器耦接并且被配置成在第一单位间隔期间对第三比较器的输出进行采样的第三锁存器，其中第一锁存器被配置成在第一单位间隔期间的第一采样时间处对第一比较器的输出进行采样，并且第三锁存器被配置成在第一单位间隔期间的不同于第一采样时间的第二采样时间处对第三比较器的输出进行采样。

在一些实例中，接收器可以包含调谐到引脚的每个单位间隔内的每个参考电压的比较器和锁存器，比较器和锁存被配置成解调使用引脚接收到的多个符号。

在一些实例中，与每个经调谐比较器耦接的参考电压可独立于与接收器其它经调谐比较器耦接的其它参考电压调整。在一些实例中，每个经调谐锁存器的采样时间可独立于接收器的其它经调谐锁存器的其它采样时间调整。

可以使用各种不同的工艺和技术中的任何工艺和技术表示本文所描述的信息和信号。例如，可以贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些附图可以将多个信号展示为单个信号；然而，本领域的普通技术人员将理解的是，信号可以表示信号总线，其中总线可以具有各种位宽。

如本文所使用的，术语“虚拟地面”是指保持在大约零伏(0V)的电压下，但不直接与地面耦接的电路的节点。因此，在稳定状态下，虚拟地面的电压可以暂时波动并返回到大约0V。虚拟地面可以使用各种电子电路元件来实施，如由运算放大器和电阻器组成的分压器。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“虚拟接地的”意指连接到大约0V。

术语“电子通信”、“导电触点”、“连接”和“耦接”可以指组件之间的支持组件之间的信号流的关系。如果组件之间存在可以在任何时候支持组件之间的信号流的任何导电路径，则认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触、连接或耦接)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的器件的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触或连接或耦接)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或者所连接组件之间的导电路径可以是间接导电路径，所述间接导电路径可以包含中间组件，如开关、晶体管或其它组件。在一些情况下，例如，可以使用一或多个中间组件(如开关或晶体管)中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦接”是指从当前不能通过导电路径在组件之间传送信号的组件间开路关系移动到能够通过导电路径在组件之间传送信号的组件间闭路关系的状况。当如控制器等组件将其它组件耦接在一起时，所述组件引起允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离的”是指其中信号当前不能够在组件之间流动的组件间关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。例如，当开关断开时，由定位于两个组件之间的开关分离的两个组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器影响阻止信号使用先前允许信号流动的导电路径在组件之间流动的改变。

如本文所使用的，术语“基本上”意指所修饰的特性(例如，由术语基本上修饰的动词或形容词)不需要是绝对的，但是足够接近于实现特性的优点。

如本文所使用的，术语“电极”可以指电导体，并且在一些情况下，可以用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电触点。电极可以包含提供位于存储器阵列的元件或组件之间的导电路径的迹线、引线、导电线、导电层等。

如本文所使用的，术语“短接”是指组件之间的关系，其中通过激活所讨论的两个组件之间的单个中间组件而在组件之间建立导电路径。例如，当两个组件之间的开关闭合时，短接到第二组件的第一组件可以与第二组件交换信号。因此，短接可以是使电荷能够在电子通信的组件(或线)之间流动的动态操作。

本文所讨论的包含存储器阵列的器件可以形成于如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些情况下，衬底是半导体晶圆。在其它情况下，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一种衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电性。可以在衬底的初始形成或生长期间通过离子注入或任何其它掺杂手段来执行掺杂。

本文所讨论的切换组件或晶体管可以表示场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端器件。所述端子可以通过导电材料例如金属连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的并且可以包括重掺杂的例如退化的半导体区域。源极和漏极可以通过轻掺杂的半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载流子是信号)，则FET可以被称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则FET可以被称为p型FET。可以通过绝缘栅极氧化物对沟道进行封盖。可以通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，分别将正电压或负电压施加到n型FET或p型FET可以使得沟道变成导电的。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可以“导通”或“激活”。当将小于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可以“断开”或“去激活”。

本文阐述的描述结合附图描述了实例配置并且不表示可以在权利要求的范围内实施的或处于权利要求的范围内的所有实例。本文所使用的术语“示范性”意指“充当实例(example、instance)或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例。”详细描述包含用于提供对所描述技术的理解的具体细节。然而，这些技术可以在没有这些具体细节的情况下实施。在一些实例中，以框图形式示出了众所周知的结构和器件以避免模糊所描述实例的概念。

在附图中，类似的部件或特征可以具有相同的附图标记。进一步地，可以通过在附图标记后用破折号和第二标记(所述第二标记在类似的部件之间进行区分)来区分相同类型的各组件。如果在说明书中仅使用了第一附图标记，则所述描述适用于在不考虑第二附图标记的情况下具有相同的第一附图标记的类似组件中的任一个。

可以使用各种不同的工艺和技术中的任何工艺和技术表示本文所描述的信息和信号。例如，可以贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。

结合本文的公开描述的各种说明性块和模块可以用被设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但替代地，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微处理器、或状态机。处理器还可以被实施为计算器件的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。

本文所描述的功能可以以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，则可以将功能作为计算机可读媒体上一或多个指令或代码存储或传输。其它实例和实施方式在本公开和所附权利要求的范围内。例如，由于软件的性质，可以使用由服务器执行的软件、硬件、固件、硬接线或其中任何项的组合实施上述功能。实施功能的特征还可以物理地位于各位置处，包含被分布从而使得功能的各部分在不同的物理位置处实施。并且，如本文中(包含在权利要求中)所使用的，如在项目列表(例如，以如“…中的至少一个”或“…中的一或多个”等短语结尾的项目列表)中使用的“或”指示包含性列表，使得例如列表A、B或C中的至少一个意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。并且，如本文所使用的，短语“基于”不应解释为对条件闭集的引用。例如，被描述为“基于条件A”的示范性步骤可以在不脱离本公开的范围的情况下基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所使用的，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和包含促进计算机程序从一个地方传递到另一个地方的任何媒体的通信媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机访问的任何可用媒体。通过举例而不是进行限制，非暂时性计算机可读媒体可以包括RAM、ROM、电可擦除可编程序只读存储器(EEPROM)、压缩盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置或者可以用于以指令或数据结构形式承载或存储期望程序代码手段并且可以被通用或专用计算机或通用或专用处理器访问的任何其它非暂时性媒体。并且，任何连接都被适当地称为一种计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或如红外、无线电和微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或如红外、无线电和微波等无线技术包含在媒体的定义中。如本文所使用的盘或碟，包含CD、激光碟、光碟、数字通用碟(DVD)、软磁碟、和蓝光碟，其中盘通常磁性地再生数据，而碟用激光光学地再生数据。上述内容的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文的描述以使本领域技术人员能够进行或使用本公开。对于本领域的技术人员而言，对本公开的各种修改将是显而易见的，并且在不脱离本公开的范围的情况下，可以将本文定义的一般性原理应用于其它变体。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是要符合与本文公开的原理和新颖特征相一致的最广泛范围。