一种提高850nm半导体激光功率密度的方法

技术领域

本发明涉及高功率半导体激光技术领域，特别涉及一种提高850nm半导体激光功率密度的方法。

背景技术

高功率半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于工业加工和军事领域。高功率半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能直接用于工业加工和军事领域。为了加快高功率半导体激光直接应用于工业加工和军事领域，提出了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，可有效地提高850nm半导体激光输出功率密度。

发明内容

本发明的目的在于提出一种提高850nm半导体激光功率密度的方法。

一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。

其特征在于：

850nm半导体激光单管模块（1）每个单管输出波长为850nm，输出功率高于5W。

准直镜（2）前后表面镀有191nm TiO

光纤（3）前后端面镀有191nm TiO

环形固定器（4）固定光纤，根据光纤的粗细确定相应尺寸。

空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。圆台外侧面（5-2）和圆台下底面（5-3）成45°角，圆台内侧面（5-4）和圆台下底面（5-3）成135°角，圆台上底面（5-1）和圆台下底面（5-3）镀有191nm TiO

聚焦镜（6）前后表面镀有191nm TiO

附图说明

图1是本发明具体实施方式的方法图。

图2是空心梯型圆台（5）的截面光路图。

具体实施方式

下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。

本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。

图1以单个方向上十个850nm半导体激光单管模块为例进行具体说明。十个850nm半导体激光单管模块（1）的每个850nm半导体激光单管模块通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）固定，再垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5-3）上，在空心梯型圆台（5）的圆台外侧面（5-2）发生全反射，全反射的光束再通过空心梯型圆台（5）的圆台内侧面（5-4）发生全反射，接着通过空心梯型圆台（5）的圆台上底面（5-1）输出。输出的十个光束再通过聚焦镜（6）实现提高850nm半导体激光功率密度的方法。