一种芯片老化测试系统及方法

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片老化测试系统及方法。

背景技术

目前，芯片老化测试一般是在对应的芯片管脚上串联一只合适的电阻，并施加需要的电压进行老化测试，通过监测该电阻的电流变化来反映芯片管脚的电流变化。芯片老化测试需将芯片置于常温、高温、低温等不同的环境下，让芯片运行于某个场景功能下，然后对芯片的性能进行检测。

对于温度变化敏感的芯片，其老化测试中芯片管脚的电流数据变化较大。比如光电芯片，其一部分管脚是类似光电二极管的电极(PD电极)，根据二极管的温度特性，温度每上升10度，二极管反偏电流变化一倍，例如，在常温下，对于1V的电压驱动，光电芯片的管脚电流值为10nA，若放置于85度的老化箱内，光电芯片的管脚电流将达到约200nA，相差20倍。

对于不同温度环境下的芯片老化测试，若选取同一种采样电阻进行电流采集，芯片管脚的电流差异将造成采样电阻的分压相差巨大，而采样电阻分压较大、芯片管脚的实际电压却较小，将达不到上电老化的目的。因此，对于不同环境温度下的芯片老化测试，需分别设计基于不同采样电阻的老化测试系统，但这样会增加测试系统的复杂度，影响测试效率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种芯片老化测试系统及方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种芯片老化测试系统，所述系统包括上位机、与所述上位机进行数据通信的控制板、以及与所述控制板连接的测试板；所述测试板包括至少一个待测试芯片；

所述上位机，用于确定测试温度，发送携带有所述测试温度的芯片老化指令至所述控制板；

所述控制板，用于基于所述芯片老化指令中包含的所述测试温度，切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻；还用于为所述待测试芯片供电，并采集所述目标采样电阻的电压数据，基于所述电压数据获得所述待测试芯片的测试结果；

所述控制板通过切换采样电阻通道接入阻值不同的采样电阻，所述阻值不同的采样电阻对应于不同测试温度范围的测试环境。

在本发明的一些实施例中，所述控制板包括至少一个采样电阻切换模块，所述采样电阻切换模块包括多个采样电阻以及与多个采样电阻电连接的至少一个开关；

所述采样电阻切换模块，用于通过所述开关的连通状态切换采样电阻通道，以接入阻值不同的目标采样电阻；

所述目标采样电阻与所述待测试芯片的待测试管脚串联。

在本发明的一些实施例中，所述阻值不同的目标采样电阻至少包括对应于第一测试温度范围的第一采样电阻、对应于第二测试温度范围的第二采样电阻、以及对应于第三测试温度范围的第三采样电阻；

所述第一测试温度范围的中位数大于所述第二测试温度范围的中位数，所述第二测试温度范围的中位数大于所述第三测试温度范围的中位数；所述第一采样电阻、所述第二采样电阻以及所述第三采样电阻的阻值大小依次减小。

在本发明的一些实施例中，所述控制板还包括控制模块、运算放大模块、模拟数字转换ADC模块和通信模块；其中，

所述通信模块，用于接收来自所述上位机的芯片老化指令，发送所述芯片老化指令至所述控制模块；

所述控制模块，用于解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制所述采样电阻切换模块切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻；

所述运算放大模块连接所述采样电阻切换模块，用于对所述目标采样电阻两端的电压进行放大；

所述ADC模块，用于采集所述目标采样电阻两端放大后的电压数据并传输至所述控制模块；

所述控制模块，还用于根据所述ADC模块发送的电压数据计算所述待测试芯片的待测试管脚的电流数据，并通过所述通信模块将所述电流数据传输至所述上位机。

在本发明的一些实施例中，当所述控制板包括多个采样电阻切换模块时，所述控制板还包括译码器输出模块；

所述译码器输出模块，用于根据待测试芯片的待测试管脚，输出对应的通道，以使与所述待测试管脚串联的目标采样电阻切换模块与所述运算放大模块电连接；所述多个采样电阻切换模块连接所述待测试芯片的不同管脚。

在本发明的一些实施例中，所述采样电阻切换模块包括第一开关、第二开关、与所述第一开关串联的第一电阻、以及与所述第二开关串联的第二电阻，其中，

在所述第一开关连通且所述第二开关未连通时，所述采样电阻切换模块接入所述第一电阻，所述第一电阻对应于第一测试温度范围；

在所述第一开关未连通且所述第二开关连通时，所述采样电阻切换模块接入所述第二电阻，所述第二电阻对应于第二测试温度范围；

在所述第一开关连通且所述第二开关连通时，所述采样电阻切换模块接入所述第一电阻与所述第二电阻并联后的电阻，所述第一电阻与所述第二电阻并联后的电阻对应于第三测试温度范围。

在本发明的一些实施例中，所述采样电阻切换模块还包括第三开关和第四开关，其中，所述采样电阻切换模块分别通过所述第三开关与所述第四开关并联在所述运算放大模块的两端；

所述第三开关和所述第四开关的控制端连接所述译码器输出模块的输出端；

位于不同采样电阻切换模块中的第三开关和第四开关连接所述译码器输出模块的不同输出端。

在本发明的一些实施例中，所述译码器输出模块采用三-八译码器或者四-十六译码器，或者，由多个译码器组合的多输出通道的译码器模块。

在本发明的一些实施例中，所述上位机，还用于保存并显示所述待测试芯片的测试相关数据。

第二方面，本发明实施例提供一种芯片老化测试方法，所述方法应用于本发明实施例所述的芯片老化测试系统，所述方法包括：

所述上位机确定测试温度，发送携带有所述测试温度的芯片老化指令至所述控制板；

所述控制板基于所述芯片老化指令中包含的所述测试温度切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻；

所述控制板为所述待测试芯片供电，并采集所述目标采样电阻的电压数据，基于所述电压数据获得所述待测试芯片的测试结果。

在本发明的一些实施例中，所述控制板基于所述芯片老化指令中包含的所述测试温度切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻，包括：

所述控制板接收来自所述上位机的芯片老化指令，解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻。

在本发明的一些实施例中，所述控制板为所述待测试芯片供电，并采集所述目标采样电阻的电压数据，基于所述电压数据获得所述待测试芯片的测试结果，包括：

所述控制板对所述目标采样电阻两端的电压进行放大，采集所述目标采样电阻两端放大后的电压数据，根据所述电压数据计算所述待测试芯片的待测试管脚的电流数据，并将所述电流数据传输至所述上位机。

本发明实施例提供的芯片老化测试系统包括上位机、与上位机进行数据通信的控制板、以及与所述控制板连接的测试板，其中，所述控制板根据测试温度，切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻，实现了对不同测试温度下芯片数据的自动采集测试需求，提高了测试效率并降低了测试成本。

附图说明

图1为本发明实施例一示出的一种芯片老化测试系统的结构示意图；

图2为本发明实施例二示出的一种芯片老化测试系统的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种采样电阻切换模块的结构示意图；

图4为本发明实施例三示出的一种芯片老化测试系统的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的译码器输出模块的连接关系示意图；

图6为本发明实施例提供的译码器输出模块与其中一个采样电阻切换模块连接的示意图；

图7为本发明实施例四实现一种芯片老化测试方法的流程示意图；

图8为本发明实施例五实现一种芯片老化测试方法的流程示意图。

具体实施方式

以下结合说明书附图及具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述。

图1是本发明实施例一示出的一种芯片老化测试系统的结构示意图，如图1所示，芯片老化测试系统100包括：上位机110、与所述上位机进行数据通信的控制板120、以及与所述控制板连接的测试板130；所述测试板130包括至少一个待测试芯片131。

所述上位机110，用于确定测试温度，发送携带有所述测试温度的芯片老化指令至所述控制板。

所述控制板120，用于基于所述芯片老化指令中包含的所述测试温度，切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻；还用于为所述待测试芯片131供电，并采集所述目标采样电阻的电压数据，基于所述电压数据获得所述待测试芯片131的测试结果。

所述控制板120通过切换采样电阻通道接入阻值不同的采样电阻，所述阻值不同的采样电阻对应于不同测试温度范围的测试环境。

所述上位机110与所述控制板120进行通信，可根据老化测试项目，选择需要的老化测试温度，生成带有测试温度信息的芯片老化指令并发送至所述控制板120。所述控制板120具有驱动电压输出端，所述测试板130通过所述驱动电压输出端连接所述控制板120，为安装在所述测试板130上的待测试芯片131供电。

所述控制板120通过切换采样电阻通道可在供电电路中接入阻值不同的采样电阻，例如阻值适用于高温、常温和/或低温等不同老化测试环境的采样电阻，以适应不同温度下芯片管脚的电流变化。所述控制板120根据所述芯片老化指令中的测试温度信息，切换采样电阻通道，从多种阻值不同的采样电阻中选择目标采样电阻，所述目标采样电阻适用于所述芯片老化指令中的测试温度。

作为一种可选的实施方式，所述待测试芯片131的测试结果包括电流数据，所述目标采样电阻与所述待测试芯片131的待测试管脚串联，控制板120采集所述目标采样电阻的电压数据，并基于所述电压数据和所述目标采样电阻的阻值得到所述待测试管脚的电流数据。控制板120将所述电流数据上传至上位机110，上位机110保持并显示所述待测试芯片131的电流数据。

本发明实施例中的芯片老化测试系统100包括上位机110、与所述上位机进行数据通信的控制板120、以及与所述控制板连接的测试板130，所述控制板120通过切换采样电阻通道接入阻值不同的采样电阻，解决了目前在不同老化温度下需分别设计不同采样电阻的芯片老化系统导致的测试效率低下、测试成本高的问题。

图2是本发明实施例二示出的一种芯片老化测试系统的结构示意图，如图2所示，在实施例一的基础上，芯片老化测试系统200中的控制板120包括：控制模块122、运算放大模块123、模拟数字转换(ADC，Analog to Digital Converter)模块124、通信模块125以及至少一个采样电阻切换模块121。

所述采样电阻切换模块121包括多个采样电阻以及与多个采样电阻电连接的至少一个开关，所述采样电阻切换模块121用于通过所述开关的连通状态切换采样电阻通道，以接入阻值不同的目标采样电阻。需要说明的是，所述目标采样电阻可以是单个电阻，也可以是串联或者并联多个电阻后形成的电阻单元。

所述通信模块125，用于接收来自所述上位机110的芯片老化指令，发送所述芯片老化指令至所述控制模块122。可选的，所述通信模块125采用max485通信芯片。

所述控制模块122，用于解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制所述采样电阻切换模块121切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻。所述目标采样电阻与所述待测试芯片131的待测试管脚串联，以采集通过所述待测试管脚的电流数据。

所述运算放大模块123连接所述采样电阻切换模块121，用于对所述目标采样电阻两端的电压进行放大。可选的，所述运算放大模块123采用常用的仪表差分运算放大器，其精度高，且能够有效消除共模信号干扰。

所述ADC模块124，用于采集所述目标采样电阻两端放大后的电压数据并传输至所述控制模块122。

所述控制模块122，还用于根据所述ADC模块124发送的电压数据计算所述待测试芯片131的待测试管脚的电流数据，并通过所述通信模块125将所述电流数据传输至所述上位机。所述控制模块122中存储有所述采样电阻切换模块121切换至不同采样电阻通道时接入的各目标采样电阻的阻值，在获取电压数据之后，除以存储的对应采样电阻的阻值得到待测试管脚的电流数据。

作为一种可选的实施方式，所述采样电阻切换模块121能接入的所述目标采样电阻至少包括对应于第一测试温度范围的第一采样电阻、对应于第二测试温度范围的第二采样电阻、以及对应于第三测试温度范围的第三采样电阻；其中，所述第一测试温度范围的中位数大于所述第二测试温度范围的中位数，所述第二测试温度范围的中位数大于所述第三测试温度范围的中位数；所述第一采样电阻、所述第二采样电阻以及所述第三采样电阻的阻值大小依次减小。

例如，所述第一测试温度范围为85～100℃，即高温老化测试的常见温度范围，所述第二测试温度范围为20～30℃，即常温老化测试的常见温度范围，所述第三测试温度范围为-20～0℃，即低温老化测试的常见温度范围，具体温度范围并不用于限定本发明的保护范围，这里不再赘述。对于温度变化敏感的芯片，比如光电芯片，其一部分管脚是类似光电二极管的电极，温度每上升10℃，二极管反偏电流将变化一倍，例如，在常温1V的电压驱动下，光电芯片的管脚电流值为10nA，而将其置于高温(85℃)老化箱内时，光电芯片的管脚电流将达到约200nA，电流变化达到20倍，此时若选取和常温老化测试时相同的采样电阻进行电流数据的采集，该采样电阻分压极大，会导致光电芯片的管脚两端的实际电压较小，达不到上电老化的目的。因此，在不同老化测试温度下，应采用不同阻值的采样电阻。

具体地，请参考图3，所述采样电阻切换模121包括第一开关Q1、第二开关Q2、与所述第一开关Q1串联的第一电阻R1、以及与所述第二开关Q2串联的第二电阻R2，其中，在所述第一开关Q1连通且所述第二开关Q2未连通时，所述采样电阻切换模块121接入所述第一电阻R1，即此情况下目标采样电阻为所述第一电阻R1，所述第一电阻R1对应于第一测试温度范围；在所述第一开关Q1未连通且所述第二开关Q2连通时，所述采样电阻切换模块121接入所述第二电阻R2，即此情况下目标采样电阻为所述第二电阻R2，所述第二电阻R2对应于第二测试温度范围；在所述第一开关Q1连通且所述第二开关Q2连通时，所述采样电阻切换模块121接入所述第一电阻R1与所述第二电阻R2并联后的电阻，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2并联后的电阻对应于第三测试温度范围。

可以理解，本实施方式中的第一电阻R1、第二电阻R2不限于单个电阻，当然，也可以采用更多开关和电阻以满足不同温度下的采样精度。

可选的，第一开关Q1和第二开关Q2均为MOS管。具体连接关系请参考图3，MOS管Q1、MOS管Q2的栅极(G极)分别连接控制模块122的第一控制极ctrl1和第二控制极ctrl2，所述第一控制极ctrl1和所述第二控制极ctrl2分别独立控制MOS管Q1和MOS管Q2的开断；MOS管Q1和MOS管Q2的漏极(D极)均连接电源VCC的正极，其中，所述电源VCC提供需要施加在所述待测试管脚上的老化电压；MOS管Q1的源极(S极)连接第一电阻R1的第一端，MOS管Q2的S极连接第二电阻R2的第一端，所述第一电阻R1的第二端和所述第二电阻R2的第二端则连接待测试芯片131的待测试管脚的正极，待测试管脚的负极连接电源VCC的负极(即接地)。MOS管Q1和MOS管Q2的D极还连接运算放大模块123的一端，第一电阻R1和第二电阻R2的第二端则连接运算放大模块123的另一端。

图4是本发明实施例三示出的另一种芯片老化测试系统的结构示意图，如图4所示，在实施例二的基础上，芯片老化测试系统300还包括译码器输出模块126，所述译码器输出模块126用于根据待测试芯片131的待测试管脚，输出对应的通道，以使与所述待测试管脚串联的目标采样电阻切换模块与所述运算放大模块123电连接；所述多个采样电阻切换模块121连接所述待测试芯片的不同管脚。

由于芯片管脚一般数量较多，所述芯片老化测试系统300可以包括多个采样电阻切换模块121，如图5所示的采样电阻切换模块1、2、……、n(n≥2)，不同的采样电阻切换模块121分别对不同管脚进行采样，例如，采样电阻切换模块1与待测试芯片131中的第1个管脚串联，采样电阻切换模块n与待测试芯片131中的第n个管脚串联。此时，不同采样电阻切换模块121通过译码器输出模块126共用一个运算放大模块123，间隔采集管脚1-n的老化测试数据，节省了硬件资源。

当所述芯片老化测试系统300包括多个采样电阻切换模块121时，作为一种可选的实施方式，图6是其中一个采样电阻切换模块121与运算放大模块123、译码器输出模块126的连接示意图。如图6所示，每一所述采样电阻切换模块121还包括第三开关Q3和第四开关Q4，并分别通过第三开关Q3和第四开关Q4并联在运算放大模块123的两端。

其中，第三开关Q3和第四开关Q4的控制端均连接译码器输出模块126的输出端，且位于不同采样电阻切换模块121中的第三开关Q3和第四开关Q4连接译码器输出模块126的不同输出端。译码器输出模块126通过控制位于不同采样电阻切换模块121中的第三开关Q3和第四开关Q4的开断，从多个采样电阻切换模块121中选择与运算放大模块123并联的目标采样电阻切换模块，所述目标采样电阻切换模块与所述待测试管脚串联。

结合图5和图6，本实施例中所述第三开关Q3和所述第四开关Q4均为MOS管，每个采样电阻切换模块121(1-n)中的MOS管Q3的S极均连接运算放大模块123的第一输入端，每个采样电阻切换模块121(1-n)中的MOS管Q4的S极均连接运算放大模块123的第二输入端；MOS管Q3的D极连接电源VCC的正极，MOS管Q4的D极连接待测试芯片131的管脚的正极，且位于不同采样电阻切换模块121中的MOS管Q4的D极连接不同管脚；MOS管Q3与MOS管Q4的G极连接译码器输出模块126的输出端。

可选的，译码器输出模块126采用三-八译码器或者四-十六译码器，或者由多个译码器组合的n个输出通道的译码器模块，具体可根据待测试芯片131的待测试管脚数量确定。

本发明实施例中的芯片老化测试系统300，一方面，通过采样电阻切换模块实现了在不同温度环境下选择合适的采样电阻对待测试芯片进行老化测试数据采集，提高了测试效率、降低了测试成本；另一方面，通过多个采样电阻切换模块连接待测试芯片的多个管脚，并利用译码器输出模块控制所述多个采样电阻切换模块与待测试管脚、运算放大模块的连通，实现了多个采样电阻切换模块共用一个运算放大模块，节约了硬件资源。

图7是本发明实施例四实现一种芯片老化测试方法的流程示意图，所述方法应用于上述实施例一至三中的任一实施例所示出的芯片老化测试系统。如图7所示，所述方法包括：

步骤401、所述上位机110确定测试温度，发送携带有所述测试温度的芯片老化指令至所述控制板120；

步骤402、所述控制板120基于所述芯片老化指令中包含的所述测试温度切换采样电阻通道，以接入阻值与所述测试温度匹配的目标采样电阻；

步骤403、所述控制板120为所述待测试芯片131供电，并采集所述目标采样电阻的电压数据，基于所述电压数据获得所述待测试芯片131的测试结果。

作为一种可选的实施方式，所述步骤402包括：所述控制板120接收来自所述上位机110的芯片老化指令，解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制切换模块切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻。

具体地，所述控制板120中的通信模块125接收来自所述上位机110的芯片老化指令，发送所述芯片老化指令至所述控制板120中的控制模块122；所述控制模块122解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制所述控制板120中的采样电阻切换模块121切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻。

所述步骤403包括：所述控制板120对所述目标采样电阻两端的电压进行放大，采集所述目标采样电阻两端放大后的电压数据，根据所述电压数据计算所述待测试芯片的待测试管脚的电流数据，并将所述电流数据传输至所述上位机110。

具体地，所述控制板120中的运算放大模块123对所述目标采样电阻两端的电压进行放大；所述控制板120中的ADC模块124采集所述目标采样电阻两端放大后的电压数据并传输至所述控制板120中的控制模块122；所述控制模块122根据所述ADC模块124发送的电压数据计算所述待测试芯片131的待测试管脚的电流数据，并通过所述控制板120中的通信模块125将所述电流数据传输至所述上位机110。

可选的，所述步骤402还可以包括：

所述控制板120根据待测试芯片131的待测试管脚，所述控制板120中的译码器输出模块126输出对应的通道，使得与所述待测试管脚串联的目标采样电阻切换模块与所述运算放大模块123电连接；

所述通信模块125接收来自所述上位机110的芯片老化指令，发送所述芯片老化指令至所述控制板120中的控制模块122；

所述控制模块122解析所述芯片老化指令，根据解析结果控制所述目标采样电阻切换模块切换采样电阻通道，以接入与所述测试温度匹配的目标采样电阻。

图8是本发明实施例五实现一种芯片老化测试方法的流程示意图，应用于实施例三所示出的芯片老化测试系统。如图8所示，所述方法包括：

步骤501、所述上位机110确定测试温度，发送携带有所述测试温度的芯片老化指令至所述控制板120；

步骤502、所述控制板120解析所述芯片老化指令，确定第一电压阈值和第二电压阈值；其中，所述第一电压阈值大于所述第二电压阈值；

步骤503、所述控制板120控制打开第x个管脚连接的第x个采样电阻切换模块的MOS管Q1，x＝1,2,…,n，接入的目标采样电阻为所述第一电阻R1；

步骤504、所述译码器输出模块126输出对应的第x个通道，所述第x个通道连接所述第x个采样电阻切换模块；

步骤505、所述运算放大模块123和所述ADC模块124采集电压数据，并发送至所述控制模块122；

步骤506、所述控制模块122判断所述电压数据是否大于所述第一电压阈值，若是，所述控制板120控制同时打开第x个采样电阻切换模块的MOS管Q1和MOS管Q2，并返回步骤505，否则执行步骤507；

步骤507、所述控制模块122判断所述电压数据是否小于所述第二电压阈值，若是，所述控制板120控制关闭第x个采样电阻切换模块的MOS管Q1，打开MOS管Q2，并返回步骤505，否则执行步骤508；

步骤508、所述控制板120根据所述第x个管脚对应的第x个采样电阻切换模块的接入的目标采样电阻的阻值以及对应的电压数据计算并存储第x个管脚的电流数据；

步骤509、判断第1-n个管脚的电流数据是否均采集完成，若是，执行步骤509，否则所述译码器输出模块126输出未完成采集的管脚对应的通道，回到步骤503；

步骤510、所述控制板120将存储的第1-n个管脚的电流数据上传至所述上位机110。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本申请所提供的几个方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。

本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。