掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法

文献发布时间:2023-06-19 11:24:21


一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法

技术领域

本发明涉及一种铁电薄膜材料的制备方法,尤其涉及一种BiFe

背景技术

多铁材料指同时具有铁电、铁磁(反铁磁)以及铁弹性中多于一种自发极化的材料体系。在这种材料中,电、磁以及弹性等序参量共存并形成磁电耦合等一系列有趣的物理现象。铁电、铁磁共存以及磁电耦合的思想基本来源于19世纪法国科学家Pierre Curie,但直到上个世纪30年代铁电性才在氢键类材料(KH

发明内容

本发明的目的在于克服现有BiFe

本发明采用的技术方案是:

一种BiFe

1、采用溶胶凝胶法制备BiFe

2、将BiFe

3、用脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

进一步地,所述的溶胶凝胶法制备BiFe

进一步地,所述的溶胶凝胶法制备BiFe

1、将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钴按1:1-x:x物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;

2、将柠檬酸按照{m

3、将溶液A缓缓加入溶液B(顺序不可调换,以使操作的整个过程保持柠檬酸溶液在体系中处于过量状态),充分均匀混合,得到溶液C,置入75-85℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

4、将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于95-105℃条件下缓慢水解、烘干4~5天,形成干凝胶,在380-420℃条件下去有机物、640-660℃退火,得到BiFe

进一步地,所述的乙二醇根据铋源材料、铁源材料、钴源材料的溶解情况来确定其用量,但硝酸铋的物质的量浓度不能低于1mol/L,即c

进一步地,所述的去离子水根据络合剂的溶解情况来确定其用量。

进一步地,所述的BiFe

1、将所述干燥的BiFe

2、用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中600-700℃高温煅烧2-2.5个小时,得到棕黑色BiFe

3、用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

4、将所述圆柱状靶材置于600-700℃马弗炉中快速退火7-8min,得到BiFe

进一步地,所述的脉冲激光沉积法将BiFe

1、将所述BiFe

2、当所述真空腔真空度达到5×10

3、设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

4、设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

5、设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1h后冷却至室温,制得BiFe

进一步地,所述的制得BiFe

进一步地,所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650±10℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

本发明采用以上技术方案制备出BiFe

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明;

图1为本发明BiFe

图2为本发明BiFe

图3为本发明BiFe

图4为本发明BiFe

图5为本发明BiFe

具体实施方式

如图1-5之一所示,本发明公开了一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钴按1:1-x:x物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;

1-2:将柠檬酸按照{m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中(顺序不可调换,以使操作的整个过程保持柠檬酸溶液在体系中处于过量状态),充分均匀混合,得到溶液C,置入75-85℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于95-105℃条件下缓慢水解、烘干4~5天,形成干凝胶,在380-420℃条件下去有机物、640-660℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将所述干燥的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中600-700℃高温煅烧2个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于600-700℃马弗炉中快速退火7-8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将所述BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为95-105nm/h;

所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

实施例1

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁按1:1物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L;

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入75℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于95℃条件下缓慢水解、烘干5天,形成干凝胶,在380℃条件下去有机物、650℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中650℃高温煅烧2.5个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为100nm/h左右;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率为50%。

实施例2

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍按1:0.98:0.02物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L。

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入80℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于100℃条件下缓慢水解、烘干5天,形成干凝胶,在400℃条件下去有机物、650℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中675℃高温煅烧2个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650-680℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为20kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1.2h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为95-105nm/h;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度为720℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率为48%。

实施例3

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍按1:0.96:0.04物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L。

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入85℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于105℃条件下缓慢水解、烘干4天,形成干凝胶,在420℃条件下去有机物、670℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中700℃高温煅烧2个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为680℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为100nm/h左右;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

实施例4

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍按1:0.94:0.06物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L。

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入80℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于100℃条件下缓慢水解、烘干5天,形成干凝胶,在380-420℃条件下去有机物、650℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中650℃高温煅烧2-个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为95-105nm/h;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

实施例5

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍按1:0.92:0.08物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L。

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入80℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于100℃条件下缓慢水解、烘干5天,形成干凝胶,在400℃条件下去有机物、650℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中650℃高温煅烧2个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1-1.2h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为100nm/h左右;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

实施例6

一种BiFe

1:采用溶胶凝胶法制备BiFe

1-1:将硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍按1:0.9:0.1物质的量之比进行准确称量,先后加入适量乙二醇中完全溶解得到溶液A;其中乙二醇根据硝酸铋、硝酸铁、乙酸镍的溶解情况来确定其用量,其中硝酸铋的物质的量浓度不低于1mol/L。

1-2:将柠檬酸按照m

1-3:将溶液A缓缓加入溶液B中,充分均匀混合,得到溶液C,置入80℃水浴锅水浴搅拌使其粘稠变黄,得到湿凝胶;

1-4:将湿凝胶置于鼓风干燥箱中,于100℃条件下缓慢水解、烘干5天,形成干凝胶,在400℃条件下去有机物、650℃退火,得到BiFe

2:将BiFe

2-1:将步骤1得到的BiFe

2-2:用坩埚盛放所述精细粉末B,置于马弗炉中650℃高温煅烧2个小时,得到棕黑色BiFe

2-3:用金属模具将所述粉末C压制成直径30mm,厚度介于2~3mm的圆柱状靶材,所用压强大小为25MPa;

2-4:将所述圆柱状靶材置于650℃马弗炉中快速退火8min,得到BiFe

3:用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上,得到BiFe

3-1:将BiFe

3-2:当所述真空腔真空度达到5×10

3-3:设置真空室FTO衬底温度为650℃,所述FTO衬底用挡板遮住;

3-4:设置脉冲激光器的电压为19kV,频率为1Hz进行预打,时间据靶材实际表面情况而定;

3-5:设置脉冲激光器的能量为350mJ,频率4Hz,移开所述挡板,开始沉积,沉积时间1.5h,沉积结束通入0.8atm氧气,并原位保温1-1.2h后冷却至室温,制得BiFe

上述步骤中,沉积时间根据所需制备薄膜的厚度进行调节,薄膜生长速率为95-105nm/h;所述的FTO衬底属于导电玻璃,软化温度不低于700℃,导电层电导率在650℃附近与常温状态下下降率不高于50%。

相关技术
  • 一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法
  • 一种镍掺杂铁酸铋薄膜体系材料的制备方法
技术分类

06120112910130