覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺

技术领域

本发明涉及半固化片制备技术领域，尤其涉及一种覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺。

背景技术

覆铜板主要用于印刷电路板的制造，广泛用于手机、电脑、电视机等领域，覆铜板是由若干半固化片叠合并表面覆铜板压合而成，而半固化片由增强基材(如玻璃纤维布、浸渍绝缘纸等)通过浸渍上树脂胶液烘干等一系列工序制得。其中树脂胶液的配制需要大量使用丙酮、丁酮、环己酮、二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚等低闪点、高挥发、有毒致癌的溶剂，溶剂占比达30-50％。大量溶剂的使用对环境、人员、安全等方面极不友好，在处理过程中也存在高成本、低效率等问题。

现有技术中存在使用少量溶剂制备树脂胶液的工艺，然而，在使用上述方法制备树脂胶液的过程中会产生暴聚，从而导致系统存在安全隐患，现有的阻止反应过程中出现暴聚的方法包括添加阻聚剂和降低反应温度，然而，现有技术中无法根据实际情况有效调节阻聚剂的添加量和系统内的反应温度，从而导致在树脂胶液的制备过程中存在安全隐患并导致半固化片的制备效率降低。

发明内容

为此，本发明提供一种覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺，用以克服现有技术中无法针对性调节树脂胶液制备过程中阻聚剂添加量及温度导致的半固化片制备效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺，包括：

步骤a，向聚合反应釜内添加溶剂，选取指定重量份的共聚原料溶于溶剂中并向混有共聚原料的溶剂中添加对应量的引发剂，添加完成后聚合反应釜将混有引发剂和共聚原料的溶液加热至预设温度以制备苯乙烯-丙烯酸酯共聚物；

步骤b，将聚合反应釜将制备完成的所述苯乙烯-丙烯酸酯共聚物输出至搅拌釜并依次向搅拌釜内添加浸胶原料、无机填料和光引发剂，搅拌釜将上述原料搅拌均匀以制备浸胶液并在制备完成时持续搅拌浸胶液以使浸胶液熟化并通过持续搅拌将浸胶液的粘度调节至指定值；

步骤c，将所述搅拌釜中熟化完成的浸胶液输出至浸胶池并将玻璃纤维布浸渍至浸胶池内的浸胶液中；

步骤d，当所述玻璃纤维布浸渍完成时，将玻璃纤维布输送至固化单元，使用对辊刮除玻璃纤维布上的多余浸胶液并使用LED灯对玻璃纤维布进行照射以对玻璃纤维布进行初步固化以制备半固化片；

步骤e，将所述半固化片输送至补充固化箱以消除半固化片的内部应力；

在所述步骤a中，中控单元通过所述聚合反应釜内的浓度检测器检测聚合反应釜内苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度并根据单位时间内反应釜内苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度变化量计算反应釜内共聚原料的聚合速率V，若聚合速率V高于预设临界聚合速率V0，中控单元根据反应釜内共聚原料的聚合速率V与预设临界聚合速率V0的差值△V控制阻聚剂储罐向所述聚合反应釜内添加对应量的阻聚剂以降低聚合反应釜内原料的聚合速率，当完成单次阻聚剂添加操作时，中控单元控制浓度检测器重新检测共聚原料的聚合速率V’，若V’＞V0，中控单元根据V’与V0之间的差值△V’控制阻聚剂储罐向所述聚合反应釜内重新添加对应量的阻聚剂直至添加阻聚剂后的聚合原料的聚合速率低于预设临界聚合速率V0；

所述中控单元中设有预设最大阻聚剂添加次数N0和预设最大阻聚剂添加量M0，当中控单元控制所述阻聚剂储罐向所述聚合反应釜内添加阻聚剂时，中控单元实时记录所述阻聚剂储罐添加阻聚剂的次数N和添加的阻聚剂的总量M，当N＞N0或M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合物的聚合速率V”＞V0时，中控单元根据V”与V0之间的差值△V”将聚合反应釜的反应温度降低至指定值。

进一步地，所述中控单元中设有第一预设聚合速率差值△V1、第二预设聚合速率差值△V2、第一预设阻聚剂添加量M1和第二阻聚剂添加量M2，其中，0＜△V1＜△V2，M1＜M2；

当所述中控处理器判定所述聚合反应釜内聚合原料的聚合速率V＞V0时，中控处理器计算聚合速率差值△V，设定△V＝V-V0，计算完成后，中控单元将△V依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对，若△V≤△V1，中控单元将所述阻聚剂储罐向所述聚合反应釜添加的阻聚剂的量设置为M1，若△V1＜△V≤△V2，中控单元将所述阻聚剂储罐向所述聚合反应釜添加的阻聚剂的量设置为M2，若△V＞△V2，中控处理器判定无法通过阻聚剂对聚合反应釜内聚合原料的聚合速率进行调节并将所述聚合反应釜内的加热温度降低至对应值以降低聚合原料的聚合速率；当所述阻聚剂储罐向所述聚合反应釜内添加对应量的阻聚剂时，所述中控单元在添加阻聚剂后的预设时长ta时重新检测所述聚合反应釜内聚合原料的聚合速率V’。

进一步地，所述中控单元中还设有预设加热温度T0和预设加热温度最低值Tmin，当所述中控单元控制所述聚合反应釜对聚合反应釜内部的聚合原料进行加热时，中控单元将聚合反应釜的加热温度设置为T0，当所述聚合速率差值△V高于所述第二预设聚合速率差值△V2时，中控单元将聚合反应釜的加热温度调节至Tmin，调节完成后，中控单元实时检测聚合原料的反应速率v，当v＜V0时，中控单元逐渐增加聚合反应釜的温度直至v＝V0或聚合反应釜的加热温度T＝T0。

进一步地，所述中控单元中还设有第一预设加热温度调节量△T1、第二预设加热温度调节量△T2和第三预设加热温度调节量△T3，其中，△T1＜△T2＜△T3；当所述阻聚剂储罐添加阻聚剂的次数N＞N0或所述阻聚剂储罐添加的阻聚剂的总量M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合物的聚合速率V”＞V0时，所述中控单元计算添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合原料的聚合速率V”与所述预设临界聚合速率V0之间的差值△V”，设定△V”＝V”-V0，计算完成后，中控单元将△V”依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对，若△V”≤△V1，中控单元降低所述聚合反应釜的温度并将温度的降低量设置为△T1，若△V1＜△V”≤△V2，中控单元降低所述聚合反应釜的温度并将温度的降低量设置为△T2，若△V”＞△V2，中控单元降低所述聚合反应釜的温度并将温度的降低量设置为△T3；当所述中控模块完成对所述聚合反应釜的加热温度的调节时，中控单元在调节温度后的预设时长tb时重新检测检测所述聚合反应釜内聚合原料的聚合速率，若聚合原料的聚合速率仍高于所述预设临界聚合速率V0，则中控单元重新计算调节后聚合速率与预设临界聚合速率V0的差值，将该差值依次与△V1和△V2进行比对并根据比对结果重新调节所述聚合反应釜的加热温度直至温度调节后的聚合速率低于预设临界聚合速率V0。

进一步地，当所述中控单元根据所述△V”与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2的关系调节所述聚合反应釜的加热温度时，若调节后的聚合反应釜的加热温度T’＜Tmin时，中控单元将该次调节后的温度设置为Tmin并不再降低聚合反应釜的反应温度。

进一步地，所述中控单元中设有预设最大紫外吸收波峰Z0、第一预设照射波长C1和第二预设照射波长C2，其中，C1＜C2；当使用所述LED灯照射所述半固化片时，所述中控单元根据半固化片中浸胶液的最大紫外吸收波峰Z确定所述LED灯的照射波长，若Z≤Z0，中控单元将LED灯的照射波长设置为C1，若Z＞Z0，中控单元将LED灯的照射波长设置为C2。

进一步地，所述中控单元中还设有第一预设粘度Q1、第二预设粘度Q2和预设照射距离D0，其中，Q1＜Q2；当使用所述LED灯照射所述半固化片时，所述中控单元将LED灯与半固化片之间的垂直距离调节至D0并根据根据半固化片中浸胶液的粘度调节所述LED灯与半固化片之间的垂直距离，若Q1≤Q≤Q2，中控单元不调节LED灯与半固化片之间的垂直距离，若Q＜Q1，中控单元对LED灯的垂直位置进行调节以减小LED灯与半固化片之间的垂直距离，若Q＞Q2，中控单元对LED灯的垂直位置进行调节以增加LED灯与半固化片之间的垂直距离。

进一步地，所述中控单元根据所述LED灯的照射波长以及LED灯与半固化片之间的垂直距离计算LED灯对半固化片的辐照能量并根据辐照能量计算LED灯针对半固化片的照射时长。

进一步地，所述共聚原料包括苯乙烯、丙烯酸酯、苯和甲醇，所述引发剂为偶氮二异丁腈，所述溶剂为单体活性稀释剂，包括丙酮、丁酮、苯、甲醇、使用低官能度丙烯酸酯类中的一种或多种；所述丙烯酸酯包括甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异氰酸酯、甲基丙烯酸酯中的一种或多种。

进一步地，所述浸胶原料包括双酚A酚醛树脂、不饱和聚酯和咪唑；所述光引发剂为TPO、184、1173、1577、907、MBF、754中的一种或多种；所述无机填料为球形硅微粉、滑石粉、氢氧化铝、氢氧化镁中的一种或多种。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明通过使用中控单元实时检测单位时间内聚合反应釜内的苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度变化量，从而快速推算出聚合反应釜内聚合原料的反应速率并准确判断聚合原料内是否发生暴聚，通过根据聚合原料的实际反应速率实时调节阻聚剂的添加量或聚合反应釜的加热温度，通过逐次添加阻聚剂，能够逐渐将聚合原料的反应速率降低至预设区间内，能够在保证聚合原料反应安全性的同时，有效提高所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，所述中控单元中设有预设最大阻聚剂添加次数N0和预设最大阻聚剂添加量M0，当中控单元控制所述阻聚剂储罐向所述聚合反应釜内添加阻聚剂时，中控单元实时记录所述阻聚剂储罐添加阻聚剂的次数N和添加的阻聚剂的总量M，当N＞N0或M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合物的聚合速率V”＞V0时，中控单元根据V”与V0之间的差值△V”将聚合反应釜的反应温度降低至指定值，通过在阻聚剂的添加总量或添加次数达到预设值时直接调节聚合反应釜的温度，能够最大限度的防止暴聚的情况发生，从而在进一步提高聚合原料反应安全性的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，所述中控单元中设有第一预设聚合速率差值△V1、第二预设聚合速率差值△V2、第一预设阻聚剂添加量M1和第二阻聚剂添加量M2，当所述中控处理器判定所述聚合反应釜内聚合原料的聚合速率V＞V0时，中控处理器计算聚合速率差值△V、将△V依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对并根据比对结果添加对应量的阻聚剂，通过根据聚合原料的实际反应速率添加对应量的阻聚剂，在避免资源浪费的同时，能够有效将聚合原料的反应速率降低至预设区间内，从而在进一步提高聚合原料反应安全性的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设加热温度T0和预设加热温度最低值Tmin，当所述中控单元控制所述聚合反应釜对聚合反应釜内部的聚合原料进行加热时，中控单元将聚合反应釜的加热温度设置为T0，当所述聚合速率差值△V高于所述第二预设聚合速率差值△V2时，中控单元将聚合反应釜的加热温度调节至Tmin并在聚合原料的反应速率v＜V0时逐渐增加聚合反应釜的温度直至v＝V0或聚合反应釜的加热温度T＝T0，通过在聚合原料反应速率过高时直接降低反应温度，能够快速降低聚合原料的反应速率，从而避免聚合反应釜爆炸的情况发生，在进一步提高聚合原料反应安全性的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，所述中控单元中还设有第一预设加热温度调节量△T1、第二预设加热温度调节量△T2和第三预设加热温度调节量△T3，当所述阻聚剂储罐添加阻聚剂的次数N＞N0或所述阻聚剂储罐添加的阻聚剂的总量M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合物的聚合速率V”＞V0时，所述中控单元计算添加阻聚剂后聚合反应釜内聚合原料的聚合速率V”与所述预设临界聚合速率V0之间的差值△V”、将△V”依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对并根据比对结果对聚合反应釜的反应温度进行调节，通过根据聚合原料的实际反应速率选取对应的温度调节量，能够有效避免调节温度后聚合原料反应速率降低过高或过低的情况发生，在保证了浸胶液制备效率的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，若调节后的聚合反应釜的加热温度T’＜Tmin时，中控单元将该次调节后的温度设置为Tmin并不再降低聚合反应釜的反应温度，通过设置预设加热温度最低值Tmin，能够避免在温度调节过程中调节后的温度过低导致聚合原料不发生反应的情况发生，在进一步提高浸胶液制备效率的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

进一步地，通过使用补充固化箱对初步固化的半固化片机型补充固化，能够有效消除浸胶液在凝固时造成的应力过大导致半固化片内发脆易脱落的情况发生，在提高制备的半固化片质量的同时，进一步提高了所述工艺制备半固化版的效率。

附图说明

图1为使用本发明所述覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺的系统的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

请参阅图1所示，其为使用本发明所述覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备工艺的系统的结构示意图。本发明所述覆铜板用低溶剂光固化半固化片制备系统包括聚合反应釜1、搅拌釜2、浸胶池3、固化单元4、补充固化箱5和中控单元(图中未画出)。其中，所述聚合反应釜1用以装载聚合原料、对聚合原料加热以使其发生聚合反应以生成苯乙烯-丙烯酸酯共聚物，在聚合反应釜1内设有浓度检测器11，用以检测聚合反应釜1内苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度，在聚合反应釜1上还设有阻聚剂储罐12，用以储存阻聚剂；所述搅拌釜2与所述聚合反应釜1相连，用以接收所述聚合反应釜1输出的聚合完成的苯乙烯-丙烯酸酯共聚物并将苯乙烯-丙烯酸酯共聚物与浸胶原料、无机填料和光引发剂搅拌均匀以制备浸胶液；所述浸胶池3与所述搅拌釜2相连，用以接收和存储所述搅拌釜2输出的浸胶液；所述固化单元4与所述浸胶池3相连，用以对所述浸胶池3输出的浸渍完成的玻璃纤维布进行初步固化，固化单元4内包括用以去除玻璃纤维板表面多余浸胶液的对辊41和用以对浸胶液进行初步固化的LED灯42；所述补充固化箱5与所述固化单元4相连，用以对所述固化单元4输出的初步固化完成的半固化片进行补充固化；所述中控单元为一中控计算机，其分别与所述聚合反应釜1、浓度检测器11、阻聚剂储罐12、搅拌釜2和LED灯42相连，用以根据制备半固化片过程中的实际情况调节上述部件的运行参数。

请继续参阅图1所示，本发明使用上述系统制备半固化片的工艺包括以下步骤：

步骤a，向聚合反应釜1内添加溶剂，选取指定重量份的共聚原料溶于溶剂中并向混有共聚原料的溶剂中添加对应量的引发剂，添加完成后聚合反应釜1将混有引发剂和共聚原料的溶液加热至预设温度以制备苯乙烯-丙烯酸酯共聚物；

步骤b，将聚合反应釜1将制备完成的所述苯乙烯-丙烯酸酯共聚物输出至搅拌釜2并依次向搅拌釜2内添加浸胶原料、无机填料和光引发剂，搅拌釜2将上述原料搅拌均匀以制备浸胶液并在制备完成时持续搅拌浸胶液以使浸胶液熟化并通过持续搅拌将浸胶液的粘度调节至指定值；

步骤c，将所述搅拌釜2中熟化完成的浸胶液输出至浸胶池3并将玻璃纤维布浸渍至浸胶池3内的浸胶液中；

步骤d，当所述玻璃纤维布浸渍完成时，将玻璃纤维布输送至固化单元4，使用对辊41刮除玻璃纤维布上的多余浸胶液并使用LED灯42对玻璃纤维布进行照射以对玻璃纤维布进行初步固化以制备半固化片；

步骤e，将所述半固化片输送至补充固化箱5以消除半固化片的内部应力；

可以理解的是，本发明所述补充固化箱可以为远红外光照炉、热风式烘箱或其他种类设备，只要满足所述补充固化箱能够有效消除半固化片的内部应力即可。

具体而言，在所述步骤a中，中控单元通过所述聚合反应釜1内的浓度检测器11检测聚合反应釜1内苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度并根据单位时间内反应釜内苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的浓度变化量计算反应釜内共聚原料的聚合速率V，若聚合速率V高于预设临界聚合速率V0，中控单元根据反应釜内共聚原料的聚合速率V与预设临界聚合速率V0的差值△V控制阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1内添加对应量的阻聚剂以降低聚合反应釜1内原料的聚合速率，当完成单次阻聚剂添加操作时，中控单元控制浓度检测器11重新检测共聚原料的聚合速率V’，若V’＞V0，中控单元根据V’与V0之间的差值△V’控制阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1内重新添加对应量的阻聚剂直至添加阻聚剂后的聚合原料的聚合速率低于预设临界聚合速率V0；

所述中控单元中设有预设最大阻聚剂添加次数N0和预设最大阻聚剂添加量M0，当中控单元控制所述阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1内添加阻聚剂时，中控单元实时记录所述阻聚剂储罐12添加阻聚剂的次数N和添加的阻聚剂的总量M，当N＞N0或M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜1内聚合物的聚合速率V”＞V0时，中控单元根据V”与V0之间的差值△V”将聚合反应釜1的反应温度降低至指定值。

具体而言，本发明所述中控单元中设有第一预设聚合速率差值△V1、第二预设聚合速率差值△V2、第一预设阻聚剂添加量M1和第二阻聚剂添加量M2，其中，0＜△V1＜△V2，M1＜M2；

当所述中控处理器判定所述聚合反应釜1内聚合原料的聚合速率V＞V0时，中控处理器计算聚合速率差值△V，设定△V＝V-V0，计算完成后，中控单元将△V依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对，若△V≤△V1，中控单元将所述阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1添加的阻聚剂的量设置为M1，若△V1＜△V≤△V2，中控单元将所述阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1添加的阻聚剂的量设置为M2，若△V＞△V2，中控处理器判定无法通过阻聚剂对聚合反应釜1内聚合原料的聚合速率进行调节并将所述聚合反应釜1内的加热温度降低至对应值以降低聚合原料的聚合速率；当所述阻聚剂储罐12向所述聚合反应釜1内添加对应量的阻聚剂时，所述中控单元在添加阻聚剂后的预设时长ta时重新检测所述聚合反应釜1内聚合原料的聚合速率V’。

具体而言，本发明所述中控单元中还设有预设加热温度T0和预设加热温度最低值Tmin，当所述中控单元控制所述聚合反应釜1对聚合反应釜1内部的聚合原料进行加热时，中控单元将聚合反应釜1的加热温度设置为T0，当所述聚合速率差值△V高于所述第二预设聚合速率差值△V2时，中控单元将聚合反应釜1的加热温度调节至Tmin，调节完成后，中控单元实时检测聚合原料的反应速率v，当v＜V0时，中控单元逐渐增加聚合反应釜1的温度直至v＝V0或聚合反应釜1的加热温度T＝T0。

具体而言，本发明所述中控单元中还设有第一预设加热温度调节量△T1、第二预设加热温度调节量△T2和第三预设加热温度调节量△T3，其中，△T1＜△T2＜△T3；当所述阻聚剂储罐12添加阻聚剂的次数N＞N0或所述阻聚剂储罐12添加的阻聚剂的总量M＞M0且添加阻聚剂后聚合反应釜1内聚合物的聚合速率V”＞V0时，所述中控单元计算添加阻聚剂后聚合反应釜1内聚合原料的聚合速率V”与所述预设临界聚合速率V0之间的差值△V”，设定△V”＝V”-V0，计算完成后，中控单元将△V”依次与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2进行比对，若△V”≤△V1，中控单元降低所述聚合反应釜1的温度并将温度的降低量设置为△T1，若△V1＜△V”≤△V2，中控单元降低所述聚合反应釜1的温度并将温度的降低量设置为△T2，若△V”＞△V2，中控单元降低所述聚合反应釜1的温度并将温度的降低量设置为△T3；当所述中控模块完成对所述聚合反应釜1的加热温度的调节时，中控单元在调节温度后的预设时长tb时重新检测检测所述聚合反应釜1内聚合原料的聚合速率，若聚合原料的聚合速率仍高于所述预设临界聚合速率V0，则中控单元重新计算调节后聚合速率与预设临界聚合速率V0的差值，将该差值依次与△V1和△V2进行比对并根据比对结果重新调节所述聚合反应釜1的加热温度直至温度调节后的聚合速率低于预设临界聚合速率V0。

具体而言，当本发明所述中控单元根据所述△V”与所述第一预设聚合速率差值△V1和第二预设聚合速率差值△V2的关系调节所述聚合反应釜1的加热温度时，若调节后的聚合反应釜1的加热温度T’＜Tmin时，中控单元将该次调节后的温度设置为Tmin并不再降低聚合反应釜1的反应温度。

具体而言，本发明所述中控单元中设有预设最大紫外吸收波峰Z0、第一预设照射波长C1和第二预设照射波长C2，其中，C1＜C2；当使用所述LED灯42照射所述半固化片时，所述中控单元根据半固化片中浸胶液的最大紫外吸收波峰Z确定所述LED灯42的照射波长，若Z≤Z0，中控单元将LED灯42的照射波长设置为C1，若Z＞Z0，中控单元将LED灯42的照射波长设置为C2。

具体而言，本发明所述中控单元中还设有第一预设粘度Q1、第二预设粘度Q2和预设照射距离D0，其中，Q1＜Q2；当使用所述LED灯42照射所述半固化片时，所述中控单元将LED灯42与半固化片之间的垂直距离调节至D0并根据根据半固化片中浸胶液的粘度调节所述LED灯42与半固化片之间的垂直距离，若Q1≤Q≤Q2，中控单元不调节LED灯42与半固化片之间的垂直距离，若Q＜Q1，中控单元对LED灯42的垂直位置进行调节以减小LED灯42与半固化片之间的垂直距离，若Q＞Q2，中控单元对LED灯42的垂直位置进行调节以增加LED灯42与半固化片之间的垂直距离。

具体而言，本发明所述中控单元根据所述LED灯42的照射波长以及LED灯42与半固化片之间的垂直距离计算LED灯42对半固化片的辐照能量并根据辐照能量计算LED灯42针对半固化片的照射时长。

具体而言，本发明所述共聚原料包括30-70份苯乙烯、30-70份丙烯酸酯、80份苯和20份甲醇，所述引发剂为偶氮二异丁腈，所述溶剂为单体活性稀释剂，包括丙酮、丁酮、苯、甲醇、使用低官能度丙烯酸酯类中的一种或多种；所述丙烯酸酯包括甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异氰酸酯、甲基丙烯酸酯中的一种或多种。

作为本发明的优选实施例，本发明所述共聚原料选用50份苯乙烯、50份丙烯酸酯、80份苯和20份甲醇，在50℃环境下进行聚合反应以生成苯乙烯-丙烯酸酯共聚物。

具体而言，本发明所述浸胶原料包括双酚A酚醛树脂、不饱和聚酯和咪唑；所述光引发剂为TPO、184、1173、1577、907、MBF、754中的一种或多种；所述无机填料为球形硅微粉、滑石粉、氢氧化铝、氢氧化镁中的一种或多种。

具体而言，在制备本发明所述浸胶液时，选取苯乙烯-丙烯酸酯共聚物80-120份、双酚A酚醛树脂100-150份、不饱和聚酯0-100份、无机填料50-150份、咪唑0-3份以及光引发剂6份；作为本发明的优选实施例，在制备本发明所述浸胶液时，选用苯乙烯-丙烯酸酯共聚物100份、双酚A酚醛树脂120份、不饱和聚酯60份、无机填料120份、咪唑1份以及光引发剂6份，其中，光引发剂包括3份TPO和3份184。

本发明所提方案可以减少或去除覆铜板用半固化片在制作过程中溶剂用量，从而减少或消除半固化片在生产中的废气排放问题。另外，使用LED光固化的方式可以节省半固化片生产过程中70％以上热能。

本发明所制得半固化片在压合成覆铜板后热性能方面表现较佳，其中玻璃化转变温度Tg≥180℃，浮焊≥250s，浸焊≥180s。其他性能均能满足要求，抗剥(1安士铜箔)≥1.5N/mm，层间结合力≥1.0N/mm，介电常数Dk≤4.5。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。