ALD喷淋组件及ALD镀膜设备

技术领域

本发明涉及ALD镀膜技术领域，特别是涉及一种ALD喷淋组件及ALD镀膜设备。

背景技术

原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)是一种利用衬底表面上前驱体的表面饱和反应所产生的化学吸附和脱附而形成单原子层的沉积技术，这项技术是将物质以单原子层的形式一层一层地沉积在衬底表面，并且通过控制反应周期数简单、精确地控制薄膜的厚度，形成不同厚度的原子层薄膜。

传统的ALD装置是将反应气体直接大量的导入反应腔室中，使得衬底或上一原子层沉浸在反应气体中，由于气体直接大量导入，容易造成反应气体与衬底或上一原子层接触不均匀，从而导致最终生成的原子层薄膜不均匀，质量较差。

发明内容

基于此，有必要针对传统的ALD装置声场的原子层薄膜质量较差的问题，提供一种能够提升生产的原子层薄膜的均匀性，提高产品质量的ALD喷淋组件及ALD镀膜设备。

一种ALD喷淋组件，包括：

基板，具有反应腔及与所述反应腔连通的开口所述反应腔用于容置待加工件；

盖板，密封连接于所述基板具有所述开口的一侧，且覆盖所述开口，所述盖板具有与所述反应腔连通的多个第一连通孔；

第一进气件，密封连接于所述盖板远离所述基板的一侧，且所述第一进气件具有至少两个进气腔及与所述进气腔连通的至少两个第一进气孔和第一出气口，两个所述进气腔沿与所述盖板平行且所述第二方向垂直的第三方向间隔设置，每一所述第一进气孔和每一所述第一出气口与对应的所述进气腔连通，所述第一进气孔用于向所述进气腔输入反应气体，所述第一出气口与每一所述第一连通孔连通，所述第一进气件朝向所述盖板的一侧具有第一连接槽，所述盖板朝向所述第一进气件的一侧具有与每一所述第一连通孔连通的第二连接槽，所述第一连接槽与所述第二连接槽对应并连通，以围合形成连接空间，所述第一出气口与所述连接空间连通；及

第一隔板，连接于所述盖板，且位于所述第二连接槽内，所述第一隔板用于将所述连接空间分隔成上层空间、下层空间及连通所述上层空间和所述下层空间的连通间隙，所述第一隔板开设有与所述下层空间连通的导通口，其中一所述第一出气口与所述上层空间连通，其中另一所述第一出气口与所述导通口连通。

通过设置上述的ALD喷淋组件，盖板密封连接于基板且覆盖开口，待加工件放置于反应腔内，反应气体从第一进气孔输入进气腔，进入进气腔内的反应气体从第一出气口排出，并通过多个第一连通孔进入以充满反应腔，反应腔内的反应气体与待加工件反应。

反应气体从第一进气孔进入进气腔后，进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间，经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时，从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔，进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性，从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀，使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀，提高了薄膜的质量。

在其中一个实施例中，所述ALD喷淋组件还包括至少三个调节脚，每一所述调节脚具有沿与所述盖板垂直的第一方向可往复移动的调节端，每一所述调节脚的所述调节端均连接于所述基板。

在其中一个实施例中，每一所述调节脚包括固定座及调节座，所述调节座螺纹连接于所述固定座，所述调节座与所述基板连接。

在其中一个实施例中，所述第一进气件具有顶壁及由所述顶壁的边缘向同一侧延伸的侧壁，所述顶壁和所述侧壁围合形成所述进气腔以及连通所述进气腔的所述第一出气口，所述第一进气孔开设于所述进气腔的侧壁，多个所述第一连通孔沿与所述盖板平行的第二方向间隔排布，所述进气腔的顶壁自开设所述第一进气孔的侧壁起沿所述第二方向延伸并逐渐接近所述盖板。

在其中一个实施例中，所述第一进气件或所述盖板设有多个第一匀流岛，多个所述第一匀流岛位于所述连接空间内，且在与所述盖板平行的第二方向上间隔排布，相邻的两个所述第一匀流岛之间形成连通所述第一匀流岛相对两侧空间的第一匀流通道，且所述第一出气口与多个所述第一连通孔分别与所述第一匀流岛相对两侧的空间连通。

在其中一个实施例中，所述第一进气件设有多个所述第一匀流岛，多个所述第一匀流岛位于所述上层空间内；

所述盖板还设有多个第二匀流岛，多个所述第二匀流岛位于所述下层空间内，且在所述第二方向上间隔排布，相邻的两个所述第二匀流岛之间形成连通所述第二匀流岛相对两侧空间的第二匀流通道。

在其中一个实施例中，所述反应腔包括依次连通的进气区、匀流区及反应区，所述进气区与多个所述第一连通孔连通；

所述盖板朝向所述基板的一侧或所述基板朝向所述盖板的一侧设有多个第三匀流岛，多个所述第三匀流岛在与所述盖板平行的第二方向上间隔排布，且位于所述匀流区，相邻的两个所述第三匀流岛形成连通所述进气区与所述反应区的第三匀流通道。

在其中一个实施例中，所述基板还开设有与所述反应腔连通的排气通道，所述排气通道贯穿所述基板远离所述盖板的另一侧；

所述基板开设所述开口的一侧还具有环形槽、进气槽及出气槽，所述环形槽与所述开口相错开，且所述开口位于所述环形槽围合形成的空间内；

所述反应腔包括依次连通的进气区、匀流区、反应区及排气区，所述进气槽分别与所述环形槽及所述进气区连通，所述出气槽分别与所述环形槽及所述排气区连通，所述盖板覆盖所述环形槽、所述进气槽、所述出气槽及所述开口。

在其中一个实施例中，所述基板还具有与所述反应腔连通的进料通道，所述进料通道远离所述反应腔的一端贯穿所述基板远离所述开口的另一侧，所述进料通道用于供所述待加工件进入所述反应腔内。

一种ALD镀膜设备，包括如上所述的ALD喷淋组件。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的ALD喷淋组件的结构示意图；

图2为本发明另一实施例提供的ALD喷淋组件的结构示意图；

图3为图2所示的ALD喷淋组件剖面结构示意图；

图4为图1及图2所示的ALD喷淋组件的调节脚的结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的ALD喷淋组件的剖面结构示意图；

图6为本发明一实施例提供的ALD喷淋组件的第一匀流岛的布置方式示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

如图1-图3所示，本发明一实施例提供的ALD喷淋组件100，包括基板10、盖板20及第一进气件30。

基板10具有反应腔11及与反应腔11连通的开口，开口位于基板10的一侧，反应腔11用于容置待加工件。

盖板20密封连接于基板10具有开口的一侧，且覆盖开口，盖板20具有与反应腔11连通的多个第一连通孔21。

第一进气件30密封连接于盖板20远离基板10的一侧，且第一进气件30具有进气腔31及与进气腔31连通的第一进气孔32和第一出气口33，第一进气孔32用于向进气腔31输入反应气体，第二出气口与每一第一连通孔21连通。

通过设置上述的ALD喷淋组件，盖板20密封连接于基板10且覆盖开口，待加工件放置于反应腔11内，反应气体从第一进气孔32输入进气腔31，进入进气腔31内的反应气体从第一出气口33排出，并通过多个第一连通孔21进入以充满反应腔11，反应腔11内的反应气体与待加工件反应。

反应气体从第一进气孔32进入进气腔31后，进气腔31会提供给反应气体一个缓冲空间，经过进气腔31缓冲后的气体分布更加均匀。同时，从第一出气口33排出的反应气体通过多个第一连通孔21进入反应腔11，进一步地提高了进入反应腔11内的反应气体的均匀性，从而确保了反应腔11内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀，使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀，提高了薄膜的质量。

需要说明的是，反应气体通过第一进气孔32进入进气腔31之后，反应气体会先充满该缓冲空间后再排出，从而提高了从第一出气口33排出的反应气体的均匀性。上述的待加工件可以是晶圆，当然也可以是需要进行ALD工艺的其它产品，在此不作限定。

同时需要解释的是，第一出气口33与多个第一连通孔21的连通，也就是说，当第一进气件30密封连接于盖板20时，第一出气口33在盖板20上的投影覆盖多个第一连通孔21的所在区域。

在本实施例中，盖板20的相对两侧分别与基板10及第一进气件30密封连接，且盖板20的分别朝向基板10及第一进气件30的相对两侧均开设有配合槽，两侧的配合槽均与多个第一连通孔21连通，且盖板20朝向第一进气件30一侧的配合槽与第一出气口33连通，盖板20朝向基板10一侧的配合槽与反应腔11连通。

请参阅图5，基板10还具有与反应腔11连通的进料通道13，进料通道13远离反应腔11的一端贯穿基板10远离开口的另一侧，进料通道13用于供待加工件进入反应腔11内。

需要进行说明的是，待加工件固定在卡盘的顶部，卡盘从进料通道13进入，卡盘的顶部位于反应腔11内，且卡盘与进料通道13之间密封，从而在卡盘将待加工件送入反应腔11之后将反应腔11密封。

请参阅图5，在一些实施例中，进料通道13内具有一台阶结构，卡盘卡持晶圆并带着晶圆从进料通道13进入时，卡盘与台阶结构密封抵接，晶圆则伸入反应腔11与反应气体进行反应，确保密封性，提高了反应气体与晶圆反应的效果，提高了生成的薄膜的质量。

具体地，进料通道13为圆形通道，进料通道13的直径可以根据卡盘和晶圆的尺寸进行设置，只需确保卡盘将晶圆推入反应腔后，卡盘与进料通道13密封抵接即可。

请参阅图1及图4，在一些实施例中，ALD喷淋组件还包括至少三个调节脚40，每一调节脚40具有沿与盖板20垂直的第一方向可往复移动的调节端，每一调节脚40的调节端均连接于基板10。

其中，盖板20呈板状，故垂直盖板20的方向就是垂直盖板20面积最大的表面的方向，具体到图2中，第一方向为Z方向，实际应用时为竖直方向。此外，盖板20与基板10是相互平行的。

如此，通过至少三个调节脚40支撑基板10，然后通过沿竖直方向调节调节端，以使基板10保持水平放置，而至少三个调节脚40可以形成稳定的多点支撑，确保支撑的稳定性。

实际应用中，调节脚40的数量为三个，三个调节脚40的调节端分别连接于基板10相异的三侧，以确保支撑的稳定性。具体地，基板10包括板体18及三个连接部19，板体18为矩形板，三个连接部19固定连接于板体18的三侧。

需要进行说明的是，图1和图2中的X方向、Y方向及Z方向相同，本实施例中为了提高支撑的稳定性，其中一连接部19固定连接于板体18在其长度方向的一侧，而另外两个连接部19则连接于板体18在其宽度方向的相对两侧。

在另一些实施例中，如图2所示，也可以设置更多的调节脚40，如六个，以确保支撑的稳定性。

请参阅图4，在一些实施例中，每一调节脚40包括固定座41及调节座42，调节座42螺纹连接于固定座41，使得在旋转调节座42的过程中调节座42相对固定座41沿第一方向往复移动，调节座42作为上述调节端与基板10连接。如此，可以通过转动调节座42，使得调节座42沿第一方向往复移动，从而将基板10调整至水平，提高了调整的精度。

进一步地，每一调节脚40还包括锁紧件43，锁紧件43连接于调节座42，以与调节座42围合形成固定位，锁紧件43用于将连接部19锁紧于固定位。

实际应用中，调节座42包括第一连接端421及第二连接端422，第一连接端421螺纹连接于固定座41，第二连接端422连接于第一连接端421远离固定座41的一端，且第二连接端422的径向尺寸小于第一连接端421，锁紧件43螺纹连接于第二连接端422，以与第一连接端421围合形成上述的固定位。

在将固定座41与其他的安装机构连接之后，只需要对调节座42进行调节即可实现高度的调节，而且锁紧件43也是连接于调节座42，无需对固定座41进行操作。同时，在基板10连接于调节座42之后，调节座42的第二连接端422突出于基板10，可以直接在基板10的上方操作，调节高度。如此，方便操作人员的安装和后续操作，并且提高空间的利用率。

具体地，锁紧件43为螺母，每一调节还包括第一垫圈和第二垫圈，第一垫圈和第二垫圈均套设于第二连接端422，且第一垫圈抵接于第一连接端421，第二垫圈抵接于锁紧件43，以避免锁紧件43锁紧时损坏连接部19。

请参阅图1，在一些实施例中，ALD喷淋组件还包括辅助支撑脚50，辅助支撑脚50连接于基板10，用于配合至少三个调节脚40支撑基板10。进一步地，辅助支撑脚50连接于基板10和盖板20。

需要进行说明的是，辅助支撑脚50的作用是辅助支撑基板10，以确保支撑的稳定性。在本实施例中，辅助支撑脚50的结构与调节脚40的结构相同，也是可以调节，但辅助支撑脚50同时连接于基板10和盖板20。在另一些实施例中，辅助支撑脚50也可以是其他结构，也可以仅与基板10连接，只要能实现对基板10进行支撑即可。

请参阅图3，在一些实施例中，第一进气件30具有顶壁及由顶壁的边缘向同一侧延伸的侧壁，该顶壁与该侧壁围合形成上述的进气腔31以及连通进气腔31的第一出气口33，第一进气孔32开设于进气腔31的侧壁。

进一步地，多个第一连通孔21沿与盖板20平行的第二方向间隔排布，而进气腔31的顶壁自开设第一进气孔32的侧壁起沿第二方向延伸并逐渐接近盖板20。

其中，第二方向与第一方向垂直，且第二方向为图2所示的X方向。

需要解释的是，相较于空间形状为长方体的腔体，从侧壁输入的反应气体会朝对侧流动，并在重力以及后续输入的反应气体的作用下缓慢朝下方流动，这样会导致腔体内反应气体的分布仍然存在不均匀的情况，例如腔体内靠近第一进气孔32的一侧与远离第一进气孔32的一侧，反应气体的量不同。

而本实施例中，相对第二方向倾斜设置的顶壁，对反应气体起引导作用，且引导反应气体流向盖板20，第一进气孔32输入的经过顶壁的引导流向盖板20，使得进气腔31内的反应气体分布更加均匀。

实际应用中，进气腔31的顶壁和盖板之间的最小距离小于第一进气孔32和盖板20之间的距离。结合图3解释，进气腔31的顶壁与盖板20之间的最小距离为顶壁的最左侧与盖板20之间的距离，该距离小于第一进气孔32与盖板20之间的距离。

同时，第一进气孔32与进气腔31是连通的，且第一进气孔32开设于进气腔31的侧壁，因此进气腔31的顶壁和盖板20之间的最大距离是大于第一进气孔32和盖板20之间的距离与第一进气孔32的直径之和的。如此，第一进气孔32输入的反应气体必然会沿着的进气腔31的顶部流动，且逐渐流向盖板20。

反应气体从进气腔31的右侧输入，反应气体为流体，部分反应气体会沿着进气腔31的顶壁流动到进气腔31的左侧，而还有一部分在进入进气腔31或者沿进气腔31的顶壁流动的过程中会向下流动。如此，可以确保进入进气腔31内的反应气体充满进气腔31，且进气腔31内左侧和右侧的反应气体分布均匀。

简单来说，部分反应气体沿着进气腔31的顶壁流动到左侧并流向盖板20，另一部分会直接流向盖板20，由于进气腔31左侧的高度较低，空间比进气腔31的右侧小，即使进气腔31内左侧的反应气体的总量小于进气腔31内右侧的反应气体的总量，但是进气腔31内左侧的反应气体的密度与进气腔31内右侧的反应气体的密度仍十分接近(可通过多次实现确定进气腔31的顶壁的倾斜程度，从而确保两侧反应气体的密度差在允许范围内)，即进气腔31内反应气体分布十分均匀。

请参阅图5，在一些实施例中，进气腔31、第一进气孔32及第一出气口33均包括至少两个，至少两个进气腔31沿盖板20平行的第三方向间隔设置，且每一第一进气孔32和每一第一出气口33与对应的进气腔31连通。

其中，第三方向与第二方向垂直，且第三方向为图2所示的Y方向，实际应用时，第二方向和第三方向为相互垂直的水平方向，而第一方向为竖直方向。

实际应用中，进气腔31沿第三方向的宽度小于基板10以及盖板20沿第三方向的长度，因此进气腔31的数量为两个，对应第一进气孔32和第一出气口33的数量为两个。

请参阅图5，在一些实施例中，第一进气件30朝向盖板20的一侧具有第一连接槽34，盖板20朝向第一进气件30的一侧具有与每一第一连通孔21连通的第二连接槽22，第一连接槽34与第二连接槽22对应并连通，以围合形成连接空间，第一出气口33与连接空间连通。

请参阅图5及图6，进一步地，第一进气件30或盖板20设有多个第一匀流岛35，多个第一匀流岛35位于连接空间内，且在第二方向上间隔排布，相邻的两个第一匀流岛35之间形成连通第一匀流岛35相对两侧空间的第一匀流岛通道351，且第一出气口33与多个第一连通孔21分别与第一匀流岛35相对两侧的空间连通。

多个第一匀流岛35为三个或三个以上的第一匀流岛35，可形成至少两条第一匀流通到，反应气体从第一出气口33进入连接空间内，然后经由至少两条第一匀流岛通道351流向第一匀流岛35的另一侧的空间，最后经过多个第一连通孔21进入反应腔11内，而经过多个第一匀流岛35形成的第一匀流岛通道351，反应气体实现匀流，即反应气体的均匀性进一步地提高。

请参阅图5，在一些实施例中，ALD喷淋组件还包括第一隔板61，第一隔板61连接于盖板20，且位于第二连接槽22内，用于将连接空间分隔成上层空间、下层空间以及连通上层空间和下层空间的连通间隙23，第一隔板61开设有与下层空间连通的导通口611。

进一步地，进气腔31、第一进气孔32及第一出气口33的数量均为两个，其中一第一出气口33直接与上层空间连通，其中另一第一出气口33与导通口611连通，从而与下层空间连通。

实际应用中，第一连接槽34沿第三方向上的宽度比第二连接槽22沿第三方向上的宽度小，其中一第一出气口33与第一连接槽34连通，其中另一第一出气口33贯穿第一进气件30开设第一连接槽34的一侧，且与第一连接槽34互不连通。

如此，在不设置第一隔板61的情况下，与第一连接槽34不连通的第一出气口33会直接与第二连接槽22连通，在设置第一隔板61的情况下，该第一出气口33会与导通孔连通。

在一些实施例中，多个第一匀流岛35设置于第一进气件30，且位于上层空间内，盖板20还设有多个第二匀流岛，多个第二匀流岛位于下层空间内，且在第二方向上间隔排布，相邻的两个第二匀流岛之间形成连通第二匀流岛相对两侧空间的第二匀流通道。

结合上述实施例，可以理解的是，在本实施例中，即通过两个进气腔31进行反应气体的输入，减缓反应气体输入进气腔31的速度，提高均匀性，同时也通过多个第一匀流岛35和多个第二匀流岛对两个进气腔31内输入的反应气体分别进行匀流处理，进一步地提高反应气体的均匀性。

实际应用中，多个第一匀流岛35设置于第一连接槽34内，多个第二匀流岛设置于第二连接槽22内。

请参阅图6，在一些实施例中，多个第一匀流岛35及多个第二匀流岛均呈弧形分布，以提高多个匀流岛对反应气体匀流处理的效果。具体地，多个第一匀流岛35和多个第二匀流岛形成的弧形朝反应气体输入的方向凸起，即图6中箭头所示方向为气流的方向，如此，以对反应气体起分散作用，使得反应气体分布的更加均匀。

在一些实施例中，每一第一匀流岛35靠近第一出气口33的一端在第二方向的宽度大于其靠近第一连通孔21的一端在第二方向上的宽度，每一第二匀流岛靠近第一出气口33的一端在第二方向的宽度大于其靠近第一连通孔21的一端在第二方向上的宽度，以提高匀流处理的效果。

需要进行说明的是，第一匀流岛35和第二匀流岛分别为设置于第一连接槽34和第二连接槽22内的凸起，且第一匀流岛35和第二匀流岛的均呈水滴形。

在一些实施例中，基板10还开设有与反应腔11连通的排气通道，排气通道贯穿基板10远离盖板20的另一侧，用于排出反应腔11内多余的反应气体。进一步地，反应腔11包括依次连通的进气区111、匀流区112、反应区113及排气区114，排气通道与排气区114连通。

实际应用中，排气通道包括两个，两个排气通道均与排气区114连通，且沿第二方向间隔排布。具体地，进气区111、匀流区112、反应区113及排气区114沿第三方向依次设置。

在一些实施例中，基板10开设开口的一侧还具有环形槽、进气槽及出气槽，环形槽与开口相错开，且开口位于环形槽围合形成的空间内，进气槽分别与环形槽及进气区111连通，出气槽分别与环形槽及排气区114连通，盖板20还覆盖环形槽、进气槽及出气槽。

如此，在盖板20盖合于基板10上之后，覆盖开口、环形槽、进气槽及出气槽，反应气体从多个第一连通孔21和/或多个第二连通孔101输入到进气区111后，部分反应气体会从进气槽进入环形槽内，最后从出气槽进入排气区114排出。进入环形槽内的反应气体会在基板10和盖板20之间形成一道气帘，而开口位于环形槽围合形成的空间内，从而提高盖板20盖合开口的密封性，避免外界气体进入，提高了反应气体与晶圆反应的效果，提高了生成的薄膜的质量。

在一些实施例中，喷淋组件还包括进气接头80，进气接头80与第一进气孔32连通，用于连接输入反应气体的设备。

进一步地，当第一进气孔32包括至少两个时，进气接头80包括至少两个，在第三方向上相邻的两个进气腔31对应的两个第一进气孔32分别贯穿第一进气件30沿第二方向的相对两侧，以方便设置进气接头80。

实际应用中，进气接头80还与第二进气孔连通，且第二进气孔包括至少两个时，设置形式相同。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。