一种显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

Mini/Micro LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的有机发光二极管技术的显示亮度更高、发光效率更好、功耗更低。现有的Mini/Micro LED采用RGB三色LED，或者是采用蓝色LED结合量子点实现显示装置的彩色化显示；其中，采用蓝色LED结合量子点实现显示装置的彩色化显示，由于不采用红色LED，使成本低，并且发光效率高，并且量子点具有色域高，不随电流变化出现波长红移或者蓝移的现象。

但是目前的Mini/Micro LED还存在发光效率低、LED发光波长对电流的蓝移，巨量LED在转移以及键合过程中对精度要求高的问题；参照图1，示出现有的显示装置的一种背板，其中，背板包括基板01，以及设置在基板01上的多个电极N，其中，多个LED在转移以及键合时，需要将各个LED与背板上的P区域一一对应，此外，还需要将事先制备的LED的电极与电极N进行对位，因此，对LED转移以及键合时的精度要求很高。

发明内容

本发明提供一种显示装置及其制备方法，以解决采用现有显示装置存在发光效率低、LED发光波长对电流的蓝移，巨量LED在转移以及键合过程中对精度要求高的问题。

本发明第一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括：

背板；

功能模组，所述功能模组设置在所述背板上；所述功能模组包括：第一薄膜层，所述第一薄膜层包括多个阵列排列的第一导电体；第一电极层，所述第一电极层设置在所述第一薄膜层背离所述背板的一面，包括多个与所述第一导电体一一对应排列的第二导电体；功能层，所述功能层设置在所述第一电极层背离所述第一薄膜层的一面；第二电极层，所述第二电极层设置在所述功能层背离所述第一电极层的一面。

可选地，所述背板包括：

第一基板，以及设置在所述第一基板上的第三电极层；所述第三电极层包括：阳极和阴极；所述第一基板包括：发光区和所述发光区四周的非发光区；所述阳极设置在所述发光区，所述阴极设置在所述非发光区；

则所述功能模组还包括：第四电极层；所述第四电极层设置在在所述第二电极层背离所述背板的一面以及所述阴极背离所述第一基板的一面；

其中，所述第一薄膜层的各个所述第一导电体与所述阳极对应接触。

可选地，所述功能模组包括：多个功能组件；多个所述功能组件阵列排布；

则所述背板包括：

第二基板，以及设置在所述第二基板上的第五电极层；

所述第五电极层包括：阳极和阴极；所述第二基板划分有多个第一区域和第二区域；所述第二区域设置在所述第一区域之间；所述第一区域内放置多个所述阳极；所述第二区域内放置所述阴极；

一个所述功能组件与一个所述第一区域对应设置。

可选地，一个所述阳极对应与多个所述第一导电体键合。

可选地，相邻所述功能组件之间设置有平坦层；所述平坦层中设置有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔从所述平坦层背离所述背板的一面连通至所述阴极背离所述第二基板的一面，所述第二通孔从所述平坦层背离所述背板的一面连通至所述功能组件的所述第二电极层的边缘位置；

所述第一通孔中以及所述第二通孔中设置接触电极，所述第一通孔中的接触电极与所述第二通孔中的接触电极在所述平坦层背离所述背板的一面连接。

可选地，所述功能组件的所述第二电极层的边缘位置设置连接电极；

相邻所述功能组件之间设置有平坦层；所述平坦层中设置第三通孔，所述第三通孔中设置导线，所述导线连接所述连接电极和所述阴极。

可选地，所述第一薄膜层包括：第一薄膜子层和第二薄膜子层；所述第一薄膜子层设置在所述第二薄膜子层和所述第一电极层之间；所述第一薄膜子层的材料包括：氧化铟锡；所述第二薄膜子层的材料包括：金属导电材料。

可选地，还包括：胶层；

所述胶层设置在所述背板与所述功能层之间，所述第一导电体穿过所述胶层，与所述背板键合。

可选地，还包括：

彩膜层；所述彩膜层设置在所述功能模组背离所述背板的一面。

本发明第二方面提供一种显示装置的制备方法，应用于上述任意一项所述显示装置的制备，所述方法包括，

制备功能模组；所述制备功能模组包括：

制备LED晶片；所述LED晶片包括：缓冲层、第一电极层、第二电极层以及功能层；所述第二电极层设置在所述缓冲层上，所述功能层设置在所述第二电极层和所述第一电极层之间；

在所述第一电极层背离所述功能层的一面形成第一薄膜层；

在所述第一薄膜层背离所述LED晶片的一面形成多个掩膜球体，各个所述掩膜球体呈阵列排列；

以所述掩膜球体为掩膜体，对所述第一薄膜层进行刻蚀，得到多个与所述掩膜球体呈一一对应排列的第一导电体；

去除所述掩膜球体，然后对所述第一电极层进行刻蚀，得到多个与所述第一导电体一一对应的第二导电体；

制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合。

所述在所述第一薄膜层背离所述LED晶片的一面形成多个掩膜球体，各个所述掩膜球体呈阵列排列，包括：

在所述第一薄膜层背离所述LED晶片的一面平铺一层球体；

对各个所述球体进行灰化减小，得到多个阵列排列的掩膜球体。

可选地，所述制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合，包括：

制备背板；所述背板包括：第一基板，以及设置在所述第一基板上的第三电极层；所述第三电极层包括：阳极和阴极；所述第一基板包括：发光区和所述发光区四周的非发光区；所述阳极设置在所述发光区，所述阴极设置在所述非发光区；

将各个所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体和所述阳极键合。

可选地，将各个所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体和所述阳极键合之后，还包括：

去除所述缓冲层，在所述第二电极层背离所述背板的一面以及所述阴极背离所述第一基板的一面形成第四电极层。

可选地，所述制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合的步骤之前，还包括：

将所述功能模组进行分割，分割成多个功能组件；

则所述制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合，包括：

制备背板；所述背板包括：第二基板，以及设置在所述第二基板上的第五电极层；所述第五电极层包括：阳极和阴极；所述第二基板划分有多个第一区域和第二区域；所述第二区域设置在所述第一区域之间；所述第一区域内放置多个所述阳极；所述第二区域内放置所述阴极；

将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体和所述阳极键合；其中，一个所述功能组件对应一个所述第一区域。

可选地，所述制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合，包括：

在所述背板朝向所述第一导电体的一面涂覆液体胶；

将各个所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体背离所述功能层一面插入所述液体胶与所述阳极接触；

对所述液体胶进行固化，使所述液体胶形成胶层。

可选地，所述将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体和所述阳极键合之后，还包括：

去除所述缓冲层，在各个所述功能组件之间，以及所述第二电极层背离所述背板的一面形成平坦层；

在所述平坦层中形成第一通孔和第二通孔；所述第一通孔从所述平坦层背离所述背板的一面连通至所述阴极背离所述第二基板的一面，所述第二通孔从所述平坦层背离所述背板的一面连通至所述功能组件的所述第二电极层的边缘位置；

在所述第一通孔中以及所述第二通孔中形成接触电极，并且使所述第一通孔中的接触电极与所述第二通孔中的接触电极在所述平坦层背离所述背板的一面连接。

可选地，在所述制备背板的步骤之前，还包括：

提供第三基板，并将所述第一导电体朝向所述第三基板放置；

去除所述缓冲层，在每个功能组件中的第二电极层背离所述第三基板的一面的两侧制备连接电极；

则对所述液体胶进行固化之后，还包括：

在各个所述功能组件之间，以及所述第二电极层背离所述背板的一面形成平坦层；

在所述平坦层中形成第三通孔，并在所述第三通孔中设置导线，所述导线连接所述连接电极和所述阴极。

本发明实施例提供一种显示装置，包括：背板；功能模组，所述功能模组设置在所述背板上；所述功能模组包括：第一薄膜层，所述第一薄膜层包括多个阵列排列的第一导电体；第一电极层，所述第一电极层设置在所述第一薄膜层背离所述背板的一面，包括多个与所述第一导电体一一对应排列的第二导电体；功能层，所述功能层设置在所述第一电极层背离所述第一薄膜层的一面；第二电极层，所述第二电极层设置在所述功能层背离所述第一电极层的一面。在本发明实施例中，通过结合功能层与第一导电体，提高显示装置的发光效率，以及功能模组能够降低发光波长对电流的蓝移，此外，制备多个第一导电体作为电极，能够减少巨量的第一导电体在转移和键合时对精度要求高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种现有技术中背板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的第一种显示装置的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的第一种背板的俯视示意图；

图4是本发明实施例提供的一种第一薄膜层的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的第二种显示装置的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的第三种显示装置的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的第二种背板的俯视示意图；

图8是本发明实施例提供的第一种显示装置的制备方法的步骤流程图；

图9是本发明实施例提供的一种LED晶片的结构示意图

图10是本发明实施例提供的一种在LED晶片形成第一薄膜层后的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的另一种在LED晶片形成第一薄膜层后的结构示意图；

图12是本发明实施例提供的一种在第一薄膜层上形成球体的结构示意图；

图13是本发明实施例提供的一种对球体灰化减小后的结构示意图；

图14是本发明实施例提供的一种对第一薄膜层刻蚀后的结构示意图；

图15是本发明实施例提供的一种对第一电极层刻蚀后的结构示意图；

图16是本发明实施例提供的一种包括多个功能组件的结构示意图；

图17是本发明实施例提供的一种形成平坦层后的结构示意图；

图18是本发明实施例提供的一种制备连接电极后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图2，示出本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；其中，该显示装置包括：

背板10；

功能模组20，所述功能模组20设置在所述背板10上；所述功能模组20包括：第一薄膜层21，所述第一薄膜层21包括多个阵列排列的第一导电体211；第一电极层22，所述第一电极层22设置在所述第一薄膜层21背离所述背板10的一面，包括多个与所述第一导电体211一一对应排列的第二导电体221；功能层23，所述功能层23设置在所述第一电极层22背离所述第一薄膜层21的一面；第二电极层24，所述第二电极层24设置在所述功能层23背离所述第一电极层22的一面。

其中，参照图2，所述第一导电体211和对应位置的所述第二导电体221组成纳米柱状体Z。此外，在刻蚀第一电极层22形成多个第二导电体221时，也会刻蚀至功能层23，使功能层23朝向第一电极层22的一面包括多个功能体，每个功能体与第二导电体221一一对应，则纳米柱状体Z可以由第一导电体211和对应位置第二导电体221以及功能体组成。

在本发明实施例中，由于第一导电体阵列排布(周期性)排布，因此在键合过程中对键合精度要求低，有效降低了键合的难度。

具体的，参照图3，为背板的俯视图，此外，背板10可以是硅基背板或者玻璃基背板。

所述背板10包括：第一基板11，以及设置在所述第一基板11上的第三电极层12；所述第三电极层包括：阳极P和阴极N；所述第一基板11包括：发光区111和所述发光区111四周的非发光区112；所述阳极P设置在所述发光区111，所述阴极N设置在所述非发光区112。

在本发明实施例中，第一基板11可以是阵列基板。具体的，发光区111阵列排布多个阳极P，每个阳极P对应一个像素，已实现对单个像素的发光控制，其中，阳极P与外部电源的正极，以及第一薄膜层21的第一导电体211连接，阴极N与外部电源的负极，以及第二电极层24连接；则阳极P和阴极N实现对功能层23进行供电，使显示装置可以发光。

其中，阳极P和阴极N的材料是导电金属。

参照图2，所述功能模组20还包括：第四电极层24；所述第四电极层24设置在在所述第二电极层23背离所述背板10的一面以及所述阴极N背离所述第一基板11的一面；其中，所述第一薄膜层21的各个所述第一导电体211与所述阳极P对应接触。

参照图4，所述第一薄膜层21包括：第一薄膜子层2122和第二薄膜子层213；所述第一薄膜子层2122设置在所述第二薄膜子层213和所述第一电极层22之间；所述第一薄膜子层2122的材料包括：氧化铟锡；所述第二薄膜子层213的材料包括：金属导电材料。

具体的，参照图3，第一薄膜层21的材料为ITO(氧化铟锡)，其中ITO的作用是和第一电极层22形成欧姆接触。

此外，一种可选实施例中，参照图4，所述第一薄膜层21包括：第一薄膜子层212和第二薄膜子层213；其中，第一薄膜子层212的材料为ITO，ITO和第一电极层22形成欧姆接触，第二薄膜子层213的材料为金属导电材料，具体包括：Ti(钛)、Al(铝)或MO(钼)Cr、Pt、Au、Ni、Sn、Ag、Cu等单种或者多种叠层或者合金；其中，第二薄膜子层213的材料还可以是其他可以进行干法刻蚀的导电材料，在此不加以限定。第一薄膜子层212和第二薄膜子层213后续被刻蚀得到多个第一导电体211。进一步的，设置第二薄膜子层213能够提高第一薄膜层21的导电性。

进一步的，参照图2，一个所述阳极P对应与多个所述第一导电体211键合。具体的一个所述阳极P可以对应3-1000个所述第一导电体211键合，由于一个阳极对应多个第一导电体211，则在第一导电体211与阳极进行键合时，不需要一一对应，因此对键合精度要求较低。

参照图2，显示装置还包括，胶层40；所述胶层40设置在所述背板10与所述功能层20之间，所述第一导电体211穿过所述胶层40，与所述背板10键合。

在本发明实施例中，液体胶的材料为透明非导电性光学胶。其中，第一导电体211在液体胶中的部分相当于导电粒子，将阳极N的电流导向功能层23。此外，胶层40可固定第一导电体211和阳极N。

其中，胶层40还设置在阳极P和阴极N之间，或者相邻的阳极P之间。

此外，还包括，彩膜层30；所述彩膜层30设置在所述功能模组20背离所述背板10的一面。

在本发明实施例中，是通过第四电极层25连接阴极N和第二电极层24，避免现有技术在键合过程中，还需要进行阴极N的对位，因此本发明实施例能够进一步降低键合的精度，提高键合的效率。

本发明实施例提供的显示装置，将第二电极层24和第一电极层22设置在功能层23的两面，并且将第一电极层22以及第一薄膜层21刻蚀成纳米柱状体Z，能够精确的控制功能层23的发光位置，因此对第一导电体211和背板10键合的精度要求较低，可以使第一导电体211和背板10能够更高效的进行键合

实施例二

参照图5和图6，示出本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；其中，该显示装置包括：

背板10；

功能模组20，所述功能模组20设置在所述背板10上；所述功能模组20包括：第一薄膜层21，所述第一薄膜层21包括多个阵列排列的第一导电体211；第一电极层22，所述第一电极层22设置在所述第一薄膜层21背离所述背板10的一面，包括多个与所述第一导电体211一一对应排列的第二导电体221；功能层23，所述功能层23设置在所述第一电极层22背离所述第一薄膜层21的一面；第二电极层24，所述第二电极层24设置在所述功能层23背离所述第一电极层22的一面。

具体的，具体可以为第二电极层24的材料为N-GaN(N型氮化镓)；功能层(MQW)23的材料可以是量子阱发光材料，例如为InGaN(氮化铟镓)/GaN或者AlGaN/GaN；第一电极层22的材料为P-GaN(P型氮化镓)。

一种可选的实施例中，参照图5和图6，所述功能模组20包括：多个功能组件FG；多个所述功能组件FG阵列排布。

参照图7，则所述背板10包括：第二基板13，以及设置在所述第二基板13上的第五电极层14；所述第五电极层14包括：阳极P和阴极N；所述第二基板13划分有多个第一区域131和第二区域132；所述第二区域132设置在所述第一区域131之间；所述第一区域131内放置多个所述阳极P；所述第二区域132内放置所述阴极N；一个所述功能组件FG与一个所述第一区域131对应设置。

其中，每个功能组件FG在键合时只需要对应到对应的第一区域131即可，并不需要对每个LED(第一导电体)进行对应，因此，对功能组件FG的转移及键合的精度要求较低。

其中，第一区域131可根据需要设置多个阳极N。在本发明实施例中第二区域132可以是一个或者多个，在此不加以限定，阴极N作为公共电极。

其中，一种可选的实施例中，参照图5，相邻所述功能组件FG之间设置有平坦层50；所述平坦层50中设置有第一通孔51和第二通孔52；所述第一通孔51从所述平坦层50背离所述背板10的一面连通至所述阴极N背离所述第二基板13的一面，所述第二通孔52从所述平坦层50背离所述背板的一面连通至所述功能组件FG的所述第二电极层24的边缘位置；所述第一通孔51中以及所述第二通孔52设置接触电极60，所述第一通孔51中的接触电极60与所述第二通孔52中的接触电极60在所述平坦层50背离所述背板10的一面连接。

其中,第一通孔51和第二通孔52连通，方便后续在第一通孔51和第二通孔52中填充导电材料，连接第二电极层52和阴极N。

接触电极60的材料包括：Ti、Al、Ni、Au、Cr、Pt或Au中的一种。接触电极60的作用是与第二电极层24形成欧姆接触，电连接第二电极层24和阴极N。

参照图6，一种可选的实施例中，其中，所述功能组件FG的所述第二电极层24的边缘位置设置连接电极70；相邻所述功能组件FG之间设置有平坦层50；所述平坦层50中设置第三通孔53，所述第三通孔53中设置导线80，所述导线80连接所述连接电极70和所述阴极N。

其中，平坦层50的材料为透明树脂材料。

参照图4，所述第一薄膜层21包括：第一薄膜子层2122和第二薄膜子层213；所述第一薄膜子层2122设置在所述第二薄膜子层213和所述第一电极层22之间；所述第一薄膜子层2122的材料包括：氧化铟锡；所述第二薄膜子层213的材料包括：金属导电材料。

进一步的，参照图5和图6，一个所述阳极P对应与多个所述第一导电体211键合。

进一步的，参照图5和图6，显示装置还包括，胶层40；所述胶层40设置在所述背板10与所述功能层20之间，所述第一导电体211穿过所述胶层40，与所述背板10键合。

其中，胶层40还设置在阳极P和阴极N之间，或者相邻的阳极P之间。

此外，还包括，彩膜层30；所述彩膜层30设置在所述功能模组20背离所述背板10的一面。

在本发明实施例中，现有技术由于LED转移过程中存在精度问题，因此在设置量子点彩膜层CF时会出现漏光的问题，而在本发明实施例中，可以直接将量子点彩膜层与背板对应设置，对位准确率高，不存在漏光的问题，提高了显示装置的显示效果。

在本发明实施例中，是通过接触电极、或者连接电极和导线连接阴极N和第二电极层24，避免现有技术在键合过程中，还需要进行阴极N的对位，因此本发明实施例能够进一步降低键合的精度，提高键合的效率。

实施例三

参照图8，示出本发明实施例提供了一种显示装置的制备方法的步骤流程图，显示装置的制备方法具体包括如下步骤：

步骤101，制备功能模组；

其中，所述制备功能模组101包括：

子步骤1011，制备LED晶片；所述LED晶片包括：缓冲层25、第一电极层22、第二电极层24以及功能层23；所述第二电极层24设置在所述缓冲层23上，所述功能层23设置在所述第二电极层24和所述第一电极层22之间。

参照图9为LED(发光二极管)晶片W，所述步骤1011，包括：提供第四基板27；在所述第四基板27上形成所述缓冲层26；在所述缓冲层26背离所述第四基板27的一面形成所述第二电极层24；在所述第二电极层24背离所述缓冲层26的一面形成所述功能层23；在所述功能层23背离所述第二电极层24的一面形成所述第一电极层22，得到所述LED晶片W。

具体的，第四基板27是作为LED晶片W的衬底，第四基板27的材料包括：蓝宝石、硅或碳化硅。此外，还可以选择其他材料作为第四基板27的材料，在此不加以限定。然后可以采用化学气相沉积或者其他方式在第四基板27上依次形成缓冲层26、第二电极层24、功能层23和第一电极层22。

进一步的，缓冲层26的材料可以是氮化镓基材料，例如氮化镓或者AlGaN(氮化镓铝)；第二电极层24的材料为N-GaN(N型氮化镓)；功能层(MQW)23的材料可以是InGaN(氮化铟镓)/GaN或者AlGaN/GaN；第一电极层22的材料为P-GaN(P型氮化镓)。

子步骤1012，在所述第一电极层22背离所述功能层23的一面形成第一薄膜层21。

具体的，参照图10，第一薄膜层21的材料为ITO(氧化铟锡)，其中ITO的作用是和第一电极层22形成欧姆接触。

此外，一种可选实施例中，参照图11，所述第一薄膜层21包括：第一薄膜子层212和第二薄膜子层213；则所述子步骤1012，包括：在所述第一电极层22背离所述功能层23的一面形成第一薄膜子层212；在所述第一薄膜子层212背离所述第一电极层22的一面形成第二薄膜子层213。

其中，第一薄膜子层212的材料为ITO，ITO和第一电极层22形成欧姆接触，第二薄膜子层213的材料为金属导电材料，具体包括：Ti(钛)、Al(铝)或MO(钼)Cr、Pt、Au、Ni、Sn、Ag、Cu等单种或者多种叠层或者合金；其中，第二薄膜子层213的材料还可以是其他可以进行干法刻蚀的导电材料，在此不加以限定。第一薄膜子层212和第二薄膜子层213后续被刻蚀得到多个第一导电体211。进一步的，设置第二薄膜子层213能够提高第一薄膜层21的导电性。

子步骤1013，在所述第一薄膜层21背离所述LED晶片W的一面形成多个掩膜球体B1，各个所述掩膜球体B1呈阵列排列。

其中，参照图12-图13，所述子步骤1013，包括：在所述第一薄膜层21背离所述LED晶片W的一面平铺一层球体B2；对各个所述球体B2进行灰化减小，得到多个阵列排列的掩膜球体B1。

一种可选实施例中，参照图12，采用平铺子组装方式在第一薄膜层21背离所述LED晶片10的一面平铺一层球体B2，其中，球体B2的材料为SiO

一种可选实施例中，参照图13，掩膜球体B1是对球体B2进行灰化减小处理后得到的，其中，掩膜球体B1的材料与球体B2的材料相同，掩膜球体B1的直径范围为30nm-7μm，相邻掩膜球体B1之间的距离为10nm-5μm。其中，掩膜球体B1在第一薄膜层21上阵列排布。此外，掩膜球体B1的材料还可以是其他掩膜材料，在此不加以限定。

子步骤1014，以所述掩膜球体B1为掩膜体，对所述第一薄膜层21进行刻蚀，得到多个与所述掩膜球体B1呈一一对应排列的第一导电体211。

具体的，参照图14，采用干法刻蚀对第一薄膜层21进行刻蚀，得到多个第一导电体211。其中，第一导电体211与掩膜球体B1的接触面积，小于与第一电极层22的接触面积，具体的，第一导电体211的形状包括：圆锥体或者圆台体。此外，第一导电体211还可以是其他形状，在此不加以限定。

子步骤1015，去除所述掩膜球体，然后对所述第一电极层22进行刻蚀，得到多个与所述第一导电体211一一对应的第二导电体221。

其中，在对第一电极层22进行刻蚀时，可以刻蚀部分功能层23或者刻蚀功能层制第二电极层24，将功能层23刻蚀至包括多个功能体，功能体与第二导电体221一一对应设置；则所述第一导电体211和对应位置的所述第二导电体221组成纳米柱状体Z、或者第一导电体211和对应位置的第二导电体221以及功能体组成纳米柱状体Z。

参照图15，去除掩膜球体后，继续采用干法刻蚀对第一电极层22刻蚀，使第一电极层22刻蚀为多个第二导电体221，其中，第二导电体221的形状可以是圆柱或者棱柱。

在本发明实施例中，功能层23上具有多个纳米柱状体Z，进而能够更精确的控制显示装置发光。

在本发明实施例中，可根据实际情况以及需要对上述步骤的先后顺序进行调换，在此不加以限定。此外，采用任何方式制备得到图15所示的结构均在本发明的保护范围之内，在此不再赘述。

步骤102，制备背板10，然后将所述第一导电体211朝向所述背板10，使所述第一导电体211与所述背板10进行键合。

其中，背板10可以是阵列背板。参照图2、图5和图6，其中，步骤102之后还可以包括：去除第四基板27和缓冲层26。在功能模组20背离背板10的一面制备彩膜层30。

具体的，采用激光剥离技术去除第四基板27，采用干法刻蚀去除缓冲层26。

一种可选实施例，所述步骤102，包括：制备背板10，所述背板10包括：第一基板11，以及设置在所述第一基板11上的第三电极层12；所述第三电极层12包括：阳极P和阴极N；所述第一基板11包括：发光区111和所述发光区四周的非发光区112；所述阳极P设置在所述发光区111，所述阴极N设置在所述非发光区112；将各个所述第一导电体211朝向所述背板10，使所述第一导电体211和所述阳极P键合。

其中，制备的背板10的俯视图，具体参照图3，制备的显示装置的结构示意图具体参照图2。

将各个所述第一导电体211朝向所述背板10，使所述第一导电体211和所述阳极P键合之后，还包括：去除所述缓冲层26，在所述第二电极层24背离所述背板10的一面以及所述阴极N背离所述第一基板11的一面形成第四电极层25。

在本发明实施例中，在制备第四电极层25前，可采用等离子体灰化技术去除阴极N上的胶层40，然后制备第四电极层25，其中，第四电极层25的材料包括：ITO。其中，第四电极层25是以整层的方式平铺在第二电极层24背离功能层23的一面，用于与第二电极层24形成欧姆接触，第四电极层25的作用是连接阴极N与第二电极层24。

此外，在此还可以将第四电极层25替换成导线连接阴极N与第二电极层24，其中导线的功能与第四电极层25相同，在此不再赘述。

进一步的，在图2中，在制备完第四电极层25后，在第四电极层25背离背板10的一面形成量子点彩膜层30，其中，量子点彩膜层30包括黑矩阵31、透明量子点32、红光量子点33和绿光量子点34。其中，功能模组FG发出的光穿过透明量子点32发蓝光。

现有技术由于LED转移过程中存在精度问题，因此在设置量子点彩膜层30时会出现漏光的问题，而在本发明实施例中，可以直接将量子点彩膜层与发光区111对应设置，对位准确率高，不存在漏光的问题，提高了显示装置的显示效果，并且量子点彩膜层能够进一步的有效提升显示效果。

在本发明实施例中，参照图2，在键合过程中，只需要将功能模组与背板的发光区111进行对应，并不需要每个LED和对应阴极进行对应，因此能够降低键合精度的要求，提高转移和键合的效率。

在本发明实施例中，是在第一导电体211和阳极P键合之后，然后第四电极层25连接阴极N和第二电极层24，避免现有技术在键合过程中，还需要进行阴极N的对位，因此本发明实施例能够进一步降低键合的精度，提高键合的效率。

其他内容，参照实施例一，在此不再赘述。

另一种可选的实施例中，所述步骤102之前，还包括：将所述功能模组20进行分割，分割成多个功能组件FG。

具体的，通过光刻胶(PR)或者其他硬掩膜方式对缓冲层26、第二电极层24和功能层23进行刻蚀，刻蚀至第四基板27，将功能模组20分割成如图16所示的多块功能组件。

则步骤102包括：制备背板10；所述背板10包括：第二基板13，以及设置在所述第二基板13上的第五电极层14；所述第五电极层14包括：阳极P和阴极N；所述第二基板13划分有多个第一区域131和第二区域132；所述第二区域132设置在所述第一区域131之间；所述第一区域131内放置多个所述阳极P；所述第二区域132内放置所述阴极N；将所述第一导电体211朝向所述背板10，使所述第一导电体211和所述阳极P键合；其中，一个所述功能组件FG对应一个所述第一区域131。

具体的，制备的背板10的俯视图参照图7，制备得到的显示装置参照图5和图6。

此外，采用激光剥离技术将功能组件从第四基板27上剥离，然后以功能组件为单位，采用巨量转移技术对功能组件进行转移与键合。

其中，每个功能组件FG在键合时只需要对应到对应的第一区域131即可，并不需要对每个LED(第一导电体)进行对应，因此，对功能组件FG的转移及键合的精度要求较低。

其中，第一区域131可根据需要设置多个阳极N。在本发明实施例中第二区域132可以是一个或者多个，在此不加以限定，阴极N作为公共电极。

所述将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体和所述阳极键合之后，还包括：去除所述缓冲层26，在各个所述功能组件FG之间，以及所述第二电极层24背离所述背板10的一面形成平坦层50；在所述平坦层50中形成第一通孔51和第二通孔52；所述第一通孔51从所述平坦层50背离所述背板10的一面连通至所述阴极N背离所述第二基板13的一面，所述第二通孔52从所述平坦层50背离所述背板的一面连通至所述功能组件FG的所述第二电极层24的边缘位置；所述第一通孔51中以及所述第二通孔52设置接触电极60，所述第一通孔51中的接触电极60与所述第二通孔52中的接触电极60在所述平坦层50背离所述背板10的一面连接。

在本发明实施例中，是在第一导电体211和阳极P键合之后，然后形成接触电极连接阴极N和第二电极层24，避免现有技术在键合过程中，还需要进行阴极N的对位，因此本发明实施例能够进一步降低键合的精度，提高键合的效率。

再一种，参照图18和图6，在所述步骤102之前，还包括：提供第三基板80，并将所述第一导电体211朝向所述第三基板80放置；去除所述缓冲层26，在每个功能组件FG中的第二电极层24背离所述第三基板80的一面的两侧制备连接电极70；则对所述液体胶进行固化之后，还包括：在各个所述功能组件之间，以及所述第二电极层背离所述背板的一面形成平坦层50；在所述平坦层中形成第三通孔53，并在所述第三通孔53中设置导线60，所述导线60连接所述连接电极70和所述阴极N。

其中，第三基板80起到临时衬底的作用，第三基板80可以是玻璃基板。

在本发明实施例中，连接电极70以层的方式平铺在第二电极层的边缘位置，连接电极70与第二电极层24形成欧姆接触。其中，连接电极70的材料可以是Ti、Al、Ni、Au、Cr、Pt或Au等金属导电材料。

此外，在连接电极70与第二电极层24形成欧姆接触后，则可以在平坦层50中形成第三通孔53，导线90即可以实现连接电极70和所述阴极P的电连接，进而实现第二电极层24和阴极P的电连接。

进一步的，第三通孔53可以设置在平坦层50的任意位置，只要连通连接电极70和阴极P即可。

在本发明实施例中，是在第一导电体211和阳极P键合之后，然后形成连接电极70和导线90连接阴极N和第二电极层24，避免现有技术在键合过程中，还需要进行阴极N的对位，因此本发明实施例能够进一步降低键合的精度，提高键合的效率。

其中，参照图2、图5和图6，步骤102，在所述背板朝向所述第一导电体的一面涂覆液体胶：将各个所述第一导电体211朝向所述背板10，使所述第一导电体211背离所述功能层23一面插入所述液体胶与所述阳极P接触；对所述液体胶进行固化，使所述液体胶形成胶层40。

其他内容，参照实施例二，在此不再赘述。

发明实施例中提供一种显示装置的制备方法，包括：制备功能模组；所述制备功能模组包括：制备LED晶片；所述LED晶片包括：缓冲层、第一电极层、第二电极层以及功能层；所述第二电极层设置在所述缓冲层上，所述功能层设置在所述第二电极层和所述第一电极层之间；在所述第一电极层背离所述功能层的一面形成第一薄膜层；在所述第一薄膜层背离所述LED晶片的一面形成多个掩膜球体，各个所述掩膜球体呈阵列排列；以所述掩膜球体为掩膜体，对所述第一薄膜层进行刻蚀，得到多个与所述掩膜球体呈一一对应排列的第一导电体；去除所述掩膜球体，然后对所述第一电极层进行刻蚀，得到多个与所述第一导电体一一对应的第二导电体；制备背板，然后将所述第一导电体朝向所述背板，使所述第一导电体与所述背板进行键合。在本发明实施例中，通过结合功能层与第一导电体，提高显示装置的发光效率，以及功能层能够降低发光波长对电流的蓝移，此外，制备多个第一导电体作为电极，能够减少巨量的第一导电体在转移和键合时对精度要求高的问题。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置和结构的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。