有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法。

背景技术

目前，在大尺寸有机发光显示器中，为减少走线阻抗，背板一般采用金属铜作为金属走线。在顶栅薄膜晶体管中，通常将竖直方向上层间距离较远的遮光(Line Shied，LS)层和源漏极层作为金属走线用于信号传输，栅极层不作为走线。

其中，在顶发光大尺寸有机发光显示器中，背板一般采用反射金属层和氧化铟锡的层叠膜层。反射金属层的材料一般是银或铝，当然反射金属层的材料也可以采用其他反射率较高的反射金属。但是，其一，金属走线采用的铜稳定性差，暴露在外部环境时容易氧化，而且反射金属的蚀刻液对于铜有严重腐蚀；其二，反射金属层稳定性也不佳。因此金属走线和阳极都不能达到焊盘区引脚的可靠性需求。

因此，现有面板厂家一般在源漏极层上制作一层引脚层，引脚层的材料为耐铝酸或银酸的金属或氧化物，且引脚层采用的材料化学性质稳定。但是这样会增加一道光罩制程，从而增加成本。

因此，怎么在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层是现有面板厂家需要努力攻克的难关。

发明内容

本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法，可以解决现有的有机发光显示面板无法在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层的技术问题。

本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板，包括薄膜晶体管区和焊盘区，所述有机发光显示器件的阵列基板包括：

衬底层，所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一面上；

第一金属层，所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层，其中，所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上，所述第一金属层部分位于所述焊盘区；

层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述第一金属层远离所述衬底层的一面上，且覆盖所述第一金属层，且所述层间绝缘层上设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层；

第二金属层，所述第二金属层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上，且经所述第一通孔与所述第一金属层连接，所述第二金属层部分位于所述焊盘区；

第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第二金属层远离所述衬底层的一面上，且覆盖所述第二金属层，所述第二绝缘层上设置有第二通孔，所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层，以使所述第一金属层裸露。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层还包括第三金属子层，所述第三金属子层设置在所述第一金属子层和所述第二金属子层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层还包括粘接层，所述粘接层设置在所述第一金属子层靠近所述第一绝缘层的一面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二金属层包括第四金属子层和第五金属子层，所述第四金属子层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第五子金属层设置在所述第四子金属层远离所述衬底层的一面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一绝缘层包括间隔设置的栅极绝缘层和支撑层，所述栅极绝缘层位于所述薄膜晶体管区，所述支撑层位于所述焊盘区，所述栅极绝缘层设置在所述第一面上，所述支撑层设置在所述第一面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层包括间隔设置的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述薄膜晶体管区，所述第二部分位于所述焊盘区，所述第一部分位于所述栅极绝缘层远离所述衬底层一面上，所述第二部分位于所述支撑层远离所述衬底层的一面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层的厚度等于所述支撑层的厚度，所述第一部分的厚度等于所述第二部分的厚度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素发光层的材料为有机小分子发光材料，所述像素发光层的厚度为20纳米至50纳米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机发光显示器件的阵列基板还包括平坦层、第一挡墙和第二挡墙，其中，所述平坦层设置在所述第二绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第一挡墙设置在所述平坦层远离所述衬底层的一面上，且所述第一挡墙靠近所述第二通孔的一端延伸至所述第二绝缘层上，并覆盖所述平坦层，所述第二挡墙设置在所述第一挡墙远离所述衬底层的一面上。

本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板的制备方法，所述有机发光显示器件的阵列基板包括薄膜晶体管区和焊盘区，所述制备方法包括：

提供一衬底层，所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面；

在所述第一面上经一次光罩形成第一绝缘层和第一金属层，其中，所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上，所述第一金属层部分位于所述焊盘区；

在所述第一金属层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一金属层，并在所述层间绝缘层上形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层经所述第一通孔与所述第一金属层连接，所述第二金属层部分位于所述焊盘区；

在所述第二金属层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层，并在所述第二绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层，以使所述第一金属层裸露。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述第一面上一次形成第一绝缘层和第一金属层的步骤，还可为：

在所述第一面上经蚀刻工艺形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上经蚀刻工艺形成第一金属层。

在本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法中，第一金属层裸露，且第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层与第一绝缘层相连，所述第二金属子层与第二金属层相连。其中，第一金属子层化学性质稳定，具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀以及耐高温的特性，且导电性能良好。第二金属子层靠近第一绝缘层的一面具备良好的粘附性，不会产生膜层相互剥离的现象，且导电性能良好。因此，采用第一金属层来作为搭接金属，可以将外部信号经第二金属层传入阵列基板内部。而且第一金属层是通过一道光罩制程形成位于薄膜晶体管区的第一部分和位于焊盘区的第二部分，从而可以节省一道光罩。因此，采用第一金属层的第二部分作为引脚层，不仅可以满足引脚层的可靠性需求，还可以节约成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第一结构示意图。

图2为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第二结构示意图。

图3为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第三结构示意图。

图4为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第四结构示意图。

图5为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第五结构示意图。

图6为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第六结构示意图。

图7为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的第七结构示意图。

图8为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法的第一流程示意图。

图9为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法的第二流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。

本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

具体的，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第一结构示意图，本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10包括薄膜晶体管区10a和焊盘区10b，有机发光显示器件的阵列基板10包括衬底层101、第一绝缘层102、第一金属层103、层间绝缘层104、第二金属层105和第二绝缘层106。

其中，衬底层101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。第一绝缘层102设置在第一面101a上。第一金属层103包括第一金属子层1031和第二金属子层1032。第一金属子层1031设置在第一绝缘层102远离衬底层101的一面上，第二金属子层1032设置在第一金属子层1031远离衬底层101的一面上，第一金属层103部分位于焊盘区10b。

其中，层间绝缘层104设置在第一金属层103远离衬底层101的一面上，且覆盖第一金属层103，且层间绝缘层104上设置有第一通孔104a，第一通孔104a贯穿层间绝缘层104。第二金属层105设置在层间绝缘层104远离衬底层101的一面上，且经第一通孔104a与第一金属层103连接，第二金属层105部分位于焊盘区10b。第二绝缘层106设置在第二金属层105远离衬底层101的一面上，且覆盖第二金属层105，第二绝缘层106上设置有第二通孔106a，第二通孔106a依次贯穿第二绝缘层106和层间绝缘层104，以使第一金属层103裸露。

其中，在一种实施方式中，第一金属子层1031的材料为钼钛合金或钛，第二金属子层1032的材料为钼钛合金或钛。第一金属子层1031和第二金属子层1032的具体材料由有机发光显示器件的阵列基板10具体的工艺需求所确定。

其中，需要说明的，其一，钼的熔点为2996度，钼的沸点为5325度至5525度，因此，钼具备良好的耐热性。其二，钼的次外层的五个4d轨道以及最外层的一个5s轨道上电子均呈半弃满状态，因此，钼要丢掉七个或八个电子是极困难的。因此，钼的化学性质比较稳定，具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀的特性。其三，在0度的环境下，钼的电阻率为5.17×10

其中，需要说明的，由于第二金属子层1032裸露在外部环境中，且在形成第二金属子层1032之后还通过刻蚀工艺形成了第二金属层105。因此，第二金属子层1032需要具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀的特性以及良好的耐热性。第一金属子层1031与第一绝缘层102接触，因为，第一金属子层1031需要具备良好的粘附性，防止膜层之间发生相互剥离的现象。另外，第一金属层103是用于将外部信号经第二金属层105传至有机发光显示器件的阵列基板10内部，因此，第一金属子层1031和第二金属子层1032需要具备良好的导电性。

而钼钛合金和钼均具备良好的耐热性、耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀的特性、导电性和粘附性。因此第一金属子层1031的材料可以为钼钛合金或钛，第二金属子层1032的材料也可以为钼钛合金或钛。

其中，在一种实施方式中，第一金属子层1031的厚度为100埃至600埃，具体地，第一金属子层1031的厚度为100埃、150埃、200埃、280埃、360埃、480埃或600埃，其中，第一金属子层1031的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，第二金属子层1032的厚度为100埃至600埃，具体地，第一金属子层1031的厚度为100埃、150埃、200埃、280埃、360埃、480埃或600埃，其中，第二金属子层1032的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，衬底层101的材料为玻璃。

其中，需要说明的，因为衬底层101需要起到支撑的作用。因此，衬底层101需要选用硬度比较高的材料。

其中，在一种实施方式中，第一绝缘层102的材料为硅的氧化物，具体地，第一绝缘层102的材料为SiO或SiO

其中，在一种实施方式中，第一绝缘层102的厚度为1000埃至4000埃，具体地，第一绝缘层102的厚度为1000埃、1200埃、1400埃、1800埃、2200埃、2600埃、3300埃或4000埃，其中，第一绝缘层102的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，需要说明的，位于焊盘区10b的第一绝缘层102可以起到垫高位于焊盘区10b的第一金属层103的作用，有利于位于焊盘区10b的第一金属层103接入外部信号。另外，第一绝缘层102还可以起到绝缘的作用。

其中，在一种实施方式中，层间绝缘层104的材料为硅的氧化物，具体地，层间绝缘层104的材料为SiO或SiO

其中，在一种实施方式中，层间绝缘层104的厚度为2000埃至6000埃，具体地，层间绝缘层104的厚度为2000埃、2500埃、3000埃、3600埃、4200埃、5000埃或6000埃，其中，层间绝缘层104的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，第二绝缘层106的材料为硅的氧化物或硅的氮化物，具体地，第二绝缘层106的材料为SiO、SiO

其中，在一种实施方式中，第二绝缘层106的厚度为1000埃至5000埃，具体地，第二绝缘层106的厚度为1000埃、1500埃、2000埃、2600埃、3200埃、4000埃或5000埃，其中，第二绝缘层106的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

具体的，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第二结构示意图，图2提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图1提供的有机发光显示器件的区别在于：第一绝缘层102包括间隔设置的栅极绝缘层102a和支撑层102b。栅极绝缘层102a位于薄膜晶体管区10a，支撑层102b位于焊盘区10b，栅极绝缘层102a设置在第一面101a上，支撑层102b设置在第一面101a上。第一金属层103包括间隔设置的第一部分103a和第二部分103b。第一部分103a位于薄膜晶体管区10a，第二部分103b位于焊盘区10b，第一部分103a位于栅极绝缘层102a远离衬底层101的一面上，第二部分103b位于支撑层102b远离衬底层101的一面上。

其中，栅极绝缘层102a的厚度等于支撑层102b的厚度，第一部分103a的厚度等于第二部分103b的厚度。

其中，需要说明的，第一金属层103的第一部分103a就是有机发光显示器件的阵列基板10的栅极层。而第一部分103a和第二部分103b的材料以及厚度一致，因此可以通过一道光罩制程同时形成第一金属层103的第一部分103a和第二部分103b。从而可以节省一道光罩。而第一金属层103的第二部分103b还可以满足引脚层的可靠性需求，能作为搭接金属将外部信号经第二金属层105接入有机发光显示器件的阵列基板10内部。从而可以解决现有的有机发光显示面板无法在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层的技术问题。

其中，需要说明的，支撑层102b可以起到垫高第二部分103b的作用，有利于第二部分103b接入外部信号。另外，第一绝缘层102还可以起到绝缘的作用。

具体的，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第三结构示意图，图3提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图2提供的有机发光显示器件的区别在于：第一金属层103还包括第三金属子层1033，第三金属子层1033在第一金属子层1031和第二金属子层1032之间。

其中，需要说明的，因为第一金属层103需要将外部信号经第二金属层105传递至有机发光显示器件的阵列基板10内部。因此，需要具备良好的导电性。由于第三金属层1033位于第一金属子层1031和第二金属子层1032之间，因此不需要具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀以及耐高温的特性。因此，可以选用导电性能更好的金属来作为第三金属子层1033的材料。从而提高第一金属层103的导电性。

其中，在一种实施方式中，第三金属子层1033的材料为铝。当然，第三金属子层1033也可以选用其他导电性能更好的材料。

其中，在一种实施方式中，第三金属子层1033的厚度为3000埃至8000埃，具体地，第三金属子层1033的厚度为3000埃、3500埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃或8000埃，其中，第三金属子层1033的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

具体的，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第四结构示意图，图4提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图3提供的有机发光显示器件的区别在于：第一金属层103还包括粘接层1034，粘接层1034设置在第一金属子层1031靠近第一绝缘层102的一面上。

其中，需要说明的，粘接层1034与第一绝缘层102相接触。采用黏附性更好的粘接层1034作为与第一绝缘层102相接触的膜层。可以更好地达到防止膜层之间发生相互剥离现象的效果。

具体的，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第五结构示意图，图5提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图2提供的有机发光显示器件的区别在于：第二金属层105包括第四金属子层1051和第五金属子层1052，第四金属子层1051设置在层间绝缘层104远离衬底层101的一面上，第五金属子层1052设置在第四金属子层1051远离衬底层101的一面上。

其中，第四金属子层1051的材料为钼钛合金，第四金属子层1051的材料为铜。

其中，在一种实施方式中，第四金属子层1051的厚度为100埃至500埃，具体地，第四金属子层1051的厚度为100埃、150埃、200埃、260埃、320埃、410埃或500埃，其中，第四金属子层1051的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，第五金属子层1052的厚度为3000埃至8000埃，具体地，第五金属子层1052的厚度为3000埃、3500埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃或8000埃，其中，第五金属子层1052的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

具体的，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第六结构示意图，图6提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图2提供的有机发光显示器件的区别在于：有机发光显示器件的阵列基板10还包括平坦层107、第一挡墙108和第二挡墙109。平坦层107设置在第二绝缘层106远离衬底层101的一面上。第一挡墙108设置在平坦层107远离衬底层101的一面上，且第一挡墙108靠近第二通孔106a的一端延伸至第二绝缘层106上，并覆盖平坦层107。第二挡墙109设置在第一挡墙108远离衬底层101的一面上。

其中，平坦层107的材料为光刻胶系有机光阻材料或亚克力系有机光阻材料。

其中，在一种实施方式中，平坦层107的厚度为1.5微米至5微米，具体地，平坦层107的厚度为1.5微米、1.8微米、2.1微米、2.5微米、3微米、4微米或5微米，其中，平坦层107的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，第一挡墙108的材料为光刻胶系亲水性有机光阻材料。第二挡墙109的材料为疏水性有机光阻材料。

其中，在一种实施方式中，第一挡墙108的厚度为0.4微米至1微米，具体地，第一挡墙108的厚度为0.4微米、0.45微米、0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.85微米或1微米，其中，第一挡墙108的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，第二挡墙109的厚度为0.5微米至1.5微米，具体地，第二挡墙109的厚度为0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.9微米、1.1微米、1.35微米或1.5微米，其中，第二挡墙109的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，需要说明的，为了采用蒸镀工艺形成有机发光层。因此使第一挡墙108具备亲水性，第二挡墙109具备疏水性。

具体的，请参阅图7，图7为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板10的第七结构示意图，图7提供的有机发光显示器件的阵列基板10与图2提供的有机发光显示器件的区别在于：有机发光显示器件的阵列基板10还包括遮光层110、缓冲层111、半导体层112和有机发光层113。

其中，遮光层110和缓冲层111设置在衬底层101和层间绝缘层104之间。遮光层110设置在第一面101a上，且遮光层110位于薄膜晶体管区10a。缓冲层111设置在遮光层110远离衬底层101的一面上，且覆盖遮光层110。半导体层112设置在缓冲层111远离衬底层101的一面上，半导体层112位于薄膜晶体管区10a，栅极绝缘层102a位于半导体层112远离衬底层101的一面上。

第二金属层105包括间隔设置的第三部分105a、第四部分105b和第五部分105c。其中，第三部分105a和第四部分105b位于薄膜晶体管区10a，第五部分105c位于焊盘区10b。层间绝缘层104上设有间隔设置的第三通孔104b、第四通孔104c和第五通孔104d，第三通孔104b和第四通孔104c贯穿层间绝缘层104，第五通孔104d依次贯穿层间绝缘层104和缓冲层111。第二金属层105的第三部分105a经第三通孔104b与半导体层112的一端连接，第二金属层105的第四部分105b的一端经第四通孔104c与半导体层112的另一端连接，第二金属层105的第四部分105b的另一端经第五通孔104d与遮光层110连接，第二金属层105的第五部分105c经第一通孔104a与第一金属层103连接。

有机发光层113设置在平坦层107远离衬底层101的一面上。平坦层107上设置有第六通孔107a，第六通孔107a依次贯穿平坦层107和第二绝缘层106。有机发光层113经第六通孔107a与第二金属层105的第四部分105b连接。第二挡墙109上设置有第七通孔109a，第七通孔109a位于薄膜晶体管区10a。第七通孔109a依次第二挡墙109和第一挡墙108，以使有机发光层113裸露。

其中，遮光层110包括层叠设置的第一遮光子层和第二遮光子层，第一遮光子层设置在第一面101a上，第二遮光子层设置在第一遮光子层远离衬底层101的一面上。

其中，第一遮光子层的材料为钼钛合金，第二遮光子层的材料为铜。

其中，在一种实施方式中，第一遮光子层的厚度为100埃至500埃，具体地，第一遮光子层的厚度为100埃、150埃、200埃、260埃、320埃、410埃或500埃，其中，第一遮光子层的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，第二遮光子层的厚度为4000埃至8000埃，具体地，第二遮光子层的厚度为4000埃、4500埃、5000埃、5700埃、6400埃、7200埃或8000埃，其中，第二遮光子层的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

其中，在一种实施方式中，缓冲层111的材料为硅的氧化物或硅的氮化物，具体地，第二绝缘层106的材料为SiO、SiO

其中，在一种实施方式中，缓冲层111的厚度为2000埃至5000埃，具体地，缓冲层111的厚度为2000埃、2500埃、3000埃、3600埃、4200埃或5000埃，其中，缓冲层111的具体厚度由阵列基板10具体的工艺需求进行设置。

本申请提供的有机发光显示器件的阵列基板中，第一金属子层化学性质稳定，具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀以及耐高温的特性，且导电性能良好。第二金属子层靠近第一绝缘层的一面具备良好的粘附性，不会产生膜层相互剥离的现象，且导电性能良好。因此，采用第一金属层来作为搭接金属，可以将外部信号经第二金属层传入阵列基板内部。而且第一金属层是通过一道光罩制程形成位于薄膜晶体管区的第一部分和位于焊盘区的第二部分，从而可以节省一道光罩。因此，采用第一金属层的第二部分作为引脚层，不仅可以满足引脚层的可靠性需求，还可以节约成本。

具体的，请参阅图8，图8为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法的第一流程示意图。本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法包括：

201、提供一衬底层，所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面。

202、在所述第一面上经一次蚀刻工艺形成第一绝缘层和第一金属层，其中，所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上，所述第一金属层部分位于所述焊盘区。

其中，需要说明的，通过调整蚀刻制程工艺参数，从而可以通过一次蚀刻工艺形成第一金属层和第一绝缘层。

其中，需要说明的，需要调整蚀刻制程工艺参数，增大对第一金属子层的蚀刻选择比，从而避免第二金属子层被蚀刻。

其中，需要说明的，形成第一金属层和第一绝缘层采用的蚀刻工艺为干蚀刻工艺。

203、在所述第一金属层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一金属层，并在所述层间绝缘层上形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层。

204、在所述层间绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层经所述第一通孔与所述第一金属层连接，所述第二金属层部分位于所述焊盘区。

205、在所述第二金属层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层，并在所述第二绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层，以使所述第一金属层裸露。

其中，需要说明的，形成第二绝缘层采用的蚀刻工艺为湿蚀刻工艺。

具体的，请参阅图9，图9为本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法的第二流程示意图。本申请实施例提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法包括：

301、提供一衬底层，所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面。

302、在所述第一面上经蚀刻工艺形成第一绝缘层。

303、在所述第一绝缘层上经蚀刻工艺形成第一金属层，其中，所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上，所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上，所述第一金属层部分位于所述焊盘区。

304、在所述第一金属层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一金属层，并在所述层间绝缘层上形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层。

305、在所述层间绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层经所述第一通孔与所述第一金属层连接，所述第二金属层部分位于所述焊盘区。

306、在所述第二金属层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层，并在所述第二绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层，以使所述第一金属层裸露。

在本申请提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法中，第一金属子层化学性质稳定，具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀以及耐高温的特性，且导电性能良好。第二金属子层靠近第一绝缘层的一面具备良好的粘附性，不会产生膜层相互剥离的现象，且导电性能良好。因此，采用第一金属层来作为搭接金属，可以将外部信号经第二金属层传入阵列基板内部。而且第一金属层是通过一道光罩制程形成位于薄膜晶体管区的第一部分和位于焊盘区的第二部分，从而可以节省一道光罩。因此，采用第一金属层的第二部分作为引脚层，不仅可以满足引脚层的可靠性需求，还可以节约成本。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。