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一种用于匀光的自适应光束整形装置

文献发布时间:2023-06-19 12:04:09


一种用于匀光的自适应光束整形装置

技术领域

本发明涉及激光光束强度分布调控,特别是一种用于匀光的自适应光束整形装置,其优点是使用简单、无需编程控制。

背景技术

光束整形技术已在激光加工、空间光通信、激光聚变等领域得到广泛应用,光束整形单元,作为一种光场调控器件,已成为相关激光系统的核心元件。从技术手段方面,目前主要分为被动型和主动型两大类。

被动型光束整形技术的特点是,光束整形元件设计制备完成后,该元件的光学调制量不可更改,目前主要有软边光阑、二元面板、微透镜阵列、CPP相位板、DPP相位板等。主动型光束整形技术的特点是,整形元件的光学调制量可以根据需求进行实时调整,通常具备可编程控制的功能,目前主要有液晶空间光调制器、变形镜、数字微镜器件、MEMS器件等。

所以主动型技术与被动型相比,在实时性、灵活性方面具有一定的优势,但是也存在以下问题:(1)由于主动型元件光学调制量的调整,需要通过接收外部信号实现,因此该类型元件通常需要与外部控制器相连接,目前主要通过PC机连接,增加了系统复杂度;(2)当需要实现预设的光束强度分布,比如均匀分布时,需要对主动型元件的透过率分布进行编程控制,通过设计与光学系统相对应的反馈控制算法,实现激光光强分布的均匀化输出,因此该实现过程相对复杂。

发明内容

本发明的目的是为了克服上述现有光束整形技术系统复杂、控制过程复杂的问题,提供一种用于匀光的自适应光束整形装置,该装置与现有的光束整形技术相比,具有使用简单、无需编程控制等优点,可用于激光加工、空间光通信、激光聚变等领域。

本发明的主要思想:

一种用于匀光的自适应光束整形装置,主要是通过选择对入射光波长具有光电导响应的光敏材料,并使光敏材料与液晶材料组成光敏响应器,由于光敏材料的电阻随入射光光强增大而减小,并且与液晶材料呈串联结构、两者总电压保持不变,因此液晶材料层呈现与入射光强度分布完全对应的电压分布。当通过后续的检偏器以后,该装置的透过率呈现与入射光强分布完全对应的分布,且强区的透过率低、弱区的透过率强,因此最终可使出射光均匀分布。

本发明的技术解决方案如下:

一种用于匀光的自适应光束整形装置,特征在于该装置包括半波片、起偏器、光敏响应器和检偏器,所述的光敏响应器的结构沿入射光入射方向依次是第一基板、第一透明导电膜、光敏材料、液晶材料、第二透明导电膜和第二基板,所述的第一透明导电膜和第二透明导电膜之间连接一台交流电源,所述的光敏材料的电导率随入射光光强的增大而增大,所述的液晶材料的折射率随入射光光强的变化而变化。

所述的光敏材料的厚度为10um-500um。

所述的液晶材料的厚度为10um-100um。

所述的交流电源的电压大小有效值可调范围为5V-50V,驱动频率可调范围为10Hz-1000Hz。

与现有的光束整形元件相比,本发明的显著优点在于:

不仅具有主动性,能适应不同光强分布的入射光,而且无需连接外部控制器,具有使用简单、无需编程控制的特点。

附图说明

图1是本发明一种用于匀光的自适应光束整形装置的结构示意图。

图2是本发明所述的光敏响应器(3)的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明的保护范围。先请参阅图1,图1是本发明用于匀光的自适应光束整形装置的结构示意图,由图可见,本发明用于匀光的自适应光束整形装置,包括半波片1、起偏器2、光敏响应器3和检偏器4,所述的光敏响应器3的结构沿入射光的入射方向依次是第一基板3a、第一透明导电膜3b、光敏材料3c、液晶材料3d、第二透明导电膜3e和第二基板3f,所述的第一透明导电膜3b和第二透明导电膜3e之间连接一台交流电源3g。所述的半波片1可以是石英半波片、聚合物半波片或液晶半波片。

所述的起偏器2可以是PBS立方体或吸收式偏振片。

所述的光敏响应器3的第一透明导电膜3b,可以是ITO导电膜或GaN导电膜。

所述的光敏响应器3的光敏材料3c满足:

①电导率随入射光光强增大;

②厚度为10um-500um。

所述的光敏响应器3的光致折变材料3d满足:

①折射率随加载电压变化而变化;

②厚度为10um-100um。

所述的光敏响应器3的第二透明导电膜3e,可以是ITO导电膜或GaN导电膜。

所述的光敏响应器3的交流电源3g的电压大小有效值可调范围为5V-50V,驱动频率可调范围为10Hz-1000Hz。

本发明一种用于匀光的自适应光束整形装置的使用方法:

利用CCD测试透过该装置后的激光光束强度分布,并按以下步骤调节交流电压3g的电压大小与频率:

①驱动频率固定为1000Hz,电压大小从5V开始逐渐增大至50V,并同时记录CCD上测到的激光光束强度分布,若中间出现光束强度均匀分布的状态,则记录此时的电压大小为V1,并使交流电源3g工作在(1000Hz,V1)状态;若中间未出现光束强度均匀分布的状态,进入步骤②。

②驱动频率固定为500Hz,电压大小从5V开始逐渐增大至50V,并同时记录CCD上测到的激光光束强度分布,若中间出现光束强度均匀分布的状态,则记录此时的电压大小为V2,并使交流电源3g工作在(500Hz,V2)状态;若中间未出现光束强度均匀分布的状态,进入步骤③。

③驱动频率固定为200Hz,电压大小从5V开始逐渐增大至50V,并同时记录CCD上测到的激光光束强度分布,若中间出现光束强度均匀分布的状态,则记录此时的电压大小为V3,并使交流电源3g工作在(200Hz,V3)状态;若中间未出现光束强度均匀分布的状态,进入步骤④。

④驱动频率固定为100Hz,电压大小从5V开始逐渐增大至50V,并同时记录CCD上测到的激光光束强度分布,当电压大小调节为V4时,CCD测到的激光光束强度呈均匀分布,使交流电源3g工作在(100Hz,V4)状态。

实施例1

入射光波长为460nm,结构图见图1,半波片1为460nm波段的石英半波片,起偏器2为460nm波段的PBS立方体,光敏响应器3的第一基板3a为20mm×20mm×3mm的K9玻璃,第一透明导电膜3b为ITO导电膜,光敏材料3c为20mm×20mm×0.5mm的硅酸铋(BSO)膜层或晶体,液晶材料3d为厚度10微米的平行、向列型液晶材料,第二透明导电膜3e为ITO导电膜,第二基板3f为20mm×20mm×3mm的K9玻璃。

实施例2

入射光波长为1550nm,结构图见图1,半波片1为1550nm波段的聚合物半波片,起偏器2为1550nm波段的PBS立方体,

光敏响应器3的第一基板3a为20mm×20mm×3mm的蓝宝石,第一透明导电膜3b为GaN导电膜,光敏材料3c为20mm×20mm×50um的硫化铅(PbS)膜层,液晶材料3d为厚度5微米的90度扭曲向列液晶材料,第二透明导电膜3e为ITO导电膜,第二基板3f为20mm×20mm×3mm的K9玻璃。

实施例3

实施例3与实施例2的不同点是光敏材料3c为20mm×20mm×10um的碲化铅(PbTe)膜层。

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技术分类

06120113149353