一种触控面板及制备方法、显示装置
文献发布时间:2023-06-19 12:07:15
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控面板及制备方法、显示装置。
背景技术
近年来,触控技术在各种尺寸的显示设备上的应用越来越广泛,触控显示面板作为一种新型的人机交互输入方式的显示面板,与传统的显示器、键盘和鼠标输入的方式相比,触摸屏的输入更为简单、直接、方便。
为实现显示装置的触摸功能,通常需要在显示装置内引入触控电极,不同的触控电极之间相互绝缘,相邻的触控电极之间需要设置跨桥进行连接,受到工艺限制,在实际制备过程中,需要进行多次金属沉积及光刻、刻蚀才能实现,生产周期较长,工艺流程复杂,生产效率低。
因此,亟需一种新的触控面板制备方法、触控面板及显示装置。
发明内容
本发明实施例提供了一种触控面板及制备方法、显示装置,以实现工艺简单、生产效率高的触控面板。
第一方面,本发明实施例提供了一种触控面板的制备方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成依次远离所述衬底的第一结构层和第二结构层;所述第一结构层和所述第二结构层形成有地下通道结构;所述地下通道结构包括依次连通的第一通道开口、中间通道和第二通道开口;所述第一结构层形成有中间通道;所述第二结构层形成第一通道开口和第二通道开口,且所述第一通道开口和第二通道开口之间形成桥状结构;
在所述第二结构层上沉积导电层;所述导电层经过所述第一通道开口和所述第二通道开口渗入所述中间通道;
对所述导电层进行图案化处理,以形成相互绝缘的第一电极、第二电极,且使位于所述桥状结构背离所述衬底一侧的所述导电层形成第一连接部,相邻的所述第一电极通过所述第一连接部电连接,相邻的所述第二电极通过由所述中间通道内的所述导电层形成的第二连接部电连接。
第二方面,本发明实施例还提供了一种触控面板,触控面板为采用本发明任意实施例提供的触控面板制作方法所制备的触控面板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:触控面板,所述触控面板为本发明任意实施例提供的触控面板。
本发明中的触控面板制备方法,在衬底上设置依次远离衬底的第一结构层和第二结构层,并通过第一结构层和第二结构层形成地下通道结构,第一结构层形成地下通道结构中的中间通道,第二结构层形成有地下通道结构中的第一通道开口和第二通道开口,还形成有第一通道开口和第二通道开口之间的桥状结构,第一通道开口、中间通道和第二通道开口连通,则中间通道上形成有桥状结构,进而在第二结构层上沉积导电层以形成绝缘的第一电极和第二电极时,导电层能够同时沉积到桥状结构上和中间通道内,并实现通道上下两层导电层的绝缘,桥状结构上可形成第一连接部,中间通道内形成第二连接部,相邻第一电极通过第一连接部连接,相邻第二电极通过第二连接部连接。在触控面板的制备过程中,仅需要进行一次导电层的沉积和图案化工艺,即可形成横纵交叉的互容触控电极结构,减少了互容触控电极结构所需的导电层沉积成型以及图案化处理的次数,结构简单,简化了工艺制程,节省耗材,并有效提高触控面板的生产效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种触控面板的制备方法的流程示意图;
图2是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第一结构层和第二结构层的结构示意图;
图3是图2沿线段a-a’的剖面结构示意图;
图4是图2中第一结构层的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种在第二结构层上沉积导电层的剖面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种触控面板的结构示意图;
图7是图6中触控面板沿线段b-b’的剖面结构示意图;
图8是本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图;
图9是图8中触控面板沿线段c-c’的剖面结构示意图;
图10是本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图;
图11是本发明实施例提供的另一种触控面板的制备方法的流程示意图;
图12是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第一层第一光刻胶的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第二层第一光刻胶的结构示意图;
图14是本发明实施例提供的一种在导电层上形成第二光刻胶的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一种导电层图案化的结构示意图;
图16是本发明实施例提供的一种在第二光刻胶上形成平坦化层的结构示意图;
图17是图6中触控面板沿线段b-b’的另一种剖面结构示意图;
图18是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本发明实施例提供了一种触控面板的制备方法,图1是本发明实施例提供的一种触控面板的制备方法的流程示意图,如图1所示,本实施例的触控面板的制备方法包括如下步骤:
S101、提供衬底。
S102、在衬底上形成依次远离衬底的第一结构层和第二结构层;第一结构层和第二结构层形成有地下通道结构;地下通道结构包括依次连通的第一通道开口、中间通道和第二通道开口;第一结构层形成有中间通道;第二结构层形成第一通道开口和第二通道开口,且第一通道开口和第二通道开口之间形成桥状结构。
图2是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第一结构层和第二结构层的结构示意图,图3是图2沿线段a-a’的剖面结构示意图,参考图2和图3,首先提供衬底11,并在衬底11上通过第一结构层12和第二结构层13形成地下通道结构14。地下通道14包括依次连通的第一通道开口131、中间通道121和第二通道开口132。如图4所示,图4是图2中第一结构层的结构示意图,本实施例中,中间通道121设置于第一结构层12,如图2所示,第一通道开口131和第二通道开口132均设置于第二结构层13,则在第二结构层13的第一通道开口131和第二通道开口132之间形成桥状结构133,并且如图2所示,在平行于衬底11所在平面内,桥状结构133位于中间通道121的上方,并横跨中间通道121的宽度方向的两侧。
S103、在第二结构层上沉积导电层;导电层经过第一通道开口和第二通道开口渗入中间通道。
在图2和图3所示的第一结构层12和第二结构层13上沉积导电层,如图5所示,图5是本发明实施例提供的一种在第二结构层上沉积导电层的剖面结构示意图。导电层15是全面积制备在上述衬底11、第一结构层12和第二结构层13上的,导电层15可以是铝、钛铝钛等金属,也可以是氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)等导电氧化物,只要导电性能满足触控要求即可。本实施例中,导电层15可通过溅射法沉积形成,对于第一结构层12和第二结构层13形成的地下通道结构14,形成导电层15的导电靶材的溅射原子会沉积在桥状结构133的上表面以及地下通道结构14的下侧。导电层15在地下通道结构14内沉积的原理是阴影shadow效应,溅射原子到达地下通道结构14内的方式有多种。例如,第一种:溅射原子间的碰撞或磁场引发的离子碰撞导致部分溅射原子斜入射到桥状结构133下的中间通道121并沉积;第二种:撞击到第一通道开口131或第二通道开口132的侧壁13a以及中间通道121的侧壁12a的溅射原子,可反弹落入桥状结构133之下的中间通道121内。
S104、对导电层进行图案化处理,以形成相互绝缘的第一电极、第二电极,且使位于桥状结构背离衬底一侧的导电层形成第一连接部,相邻的第一电极通过第一连接部电连接,相邻的第二电极通过由中间通道内的导电层形成的第二连接部电连接。
图6是本发明实施例提供的一种触控面板的结构示意图,图7是图6中触控面板沿线段b-b’的剖面结构示意图。对导电层15进行图案化处理,以形成相互绝缘的第一电极151和第二电极152,第一电极151、第二电极152中的一者为触控驱动电极,另一者为触控感应电极,两者相配合以实现触控面板的互电容触控,确定触控位置。
桥状结构133背离衬底11一侧的导电层可刻蚀形成第一连接部153,渗入至中间通道121内的导电层形成第二连接部154,相邻第一电极151可通过桥状结构133上的第一连接部153连接,相邻第二电极152可通过中间通道121内的第二连接部154连接。第一连接部153和第二连接部154分别设置于桥状结构133的相背离的两侧,相互之间电绝缘从而不会相互干涉影响,有效避免第一电极151和第二电极152之间存在短路或者信号干扰等问题。并且本实施例中,通过一次导电层15沉积成型以及图案化处理,即可形成第一电极151、第二电极152、第一连接部153、第二连接部154,即采用互电容触控电极的触控面板,而现有技术中的互电容触控电极的触控面板需要进行两次导电层的沉积和图案化处理,其中一次导电层的沉积和图案化处理用于形成触控电极,另一次导电层的沉积和图案化处理用于形成连接触控电极的跨线层,相比于上述现有技术,本实施例通过一次导电层的沉积和图案化处理,既可以形成桥状结构133上下两层金属的绝缘,以制备横纵交叉的互容触控电极结构,有效简化了工艺流程,减少了所需的导电层15沉积成型以及图案化处理的次数,节省制程与耗材。
可选的,第二连接部154的延伸方向和桥状结构133的延伸方向相交,具体的,第二连接部154的延伸方向和桥状结构133的延伸方向相垂直,以便于和相邻的第二电极152连接,避免和第一电极151发生干涉。
本发明中的触控面板制备方法,在衬底上设置依次远离衬底的第一结构层和第二结构层,并通过第一结构层和第二结构层形成地下通道结构,第一结构层形成地下通道结构中的中间通道,第二结构层形成有地下通道结构中的第一通道开口和第二通道开口,还形成有第一通道开口和第二通道开口之间的桥状结构,第一通道开口、中间通道和第二通道开口连通,则中间通道上形成有桥状结构,进而在第二结构层上沉积导电层以形成绝缘的第一电极和第二电极时,导电层能够同时沉积到桥状结构上和中间通道内,并实现通道上下两层导电层的绝缘,桥状结构上可形成第一连接部,中间通道内形成第二连接部,相邻第一电极通过第一连接部连接,相邻第二电极通过第二连接部连接。在触控面板的制备过程中,仅需要进行一次导电层的沉积和图案化工艺,即可形成横纵交叉的互容触控电极结构,减少了互容触控电极结构所需的导电层沉积成型以及图案化处理的次数,结构简单,简化了工艺制程,节省耗材,并有效提高触控面板的生产效率。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图8是本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图,图9是图8中触控面板沿线段c-c’的剖面结构示意图。可选的,在中间通道121的延伸方向X上,可依次设置多个桥状结构133;第二结构层13在相邻两个桥状结构133之间形成有第三通道开口134;第三通道开口134与中间通道121连通,以使导电层15经过第三通道开口134渗入中间通道121。
本实施例中,中间通道121沿延伸方向X延伸设置,在形成第二结构层13时,沿中间通道121的延伸方向X上,可在第一通道开口131和第二通道开口132之间依次形成多个桥状结构133,桥状结构133的延伸方向Y与中间通道121的延伸方向X相交,桥状结构133沿延伸方向Y横跨中间通道121。同时在相邻两个桥状结构133之间形成第三通道开口134,如图8所示,在平行于衬底11的平面内,中间通道121因为第三通道开口134的设置,增大了导电材料沉积面积,便于导电层15经过第三通道开口134渗入中间通道121,有效避免中间通道121内沉积的导电层较薄甚至断路的问题,使得最终形成的第二连接部154的导电性能良好,提高第二电极152的连接良率,有效避免第二电极152的断路,提高触控面板的触控性能,提高触控面板的品质。
继续参考图8和图9,可选的,每个桥状结构133背离衬底11一侧的导电层均15可形成第一连接部153;相邻的第一电极151通过多个第一连接部153电连接。
在对导电层15图案化处理的过程中,可将每个桥状结构133远离衬底11的一侧的导电层15刻蚀形成第一连接部153,则横跨中间通道121设置有多条第一连接部153,则相邻的第一电极151可通过多个第一连接部153电连接,相当于增大相邻的第一电极151之间的第一连接部153的设置宽度,降低第一连接部153的阻值,增大相邻的第一电极151的连接良率。此外,当连接相邻第一电极151的多个第一连接部153中,存在一条第一连接部153断裂时,相邻第一电极151还可以通过其他第一连接部153连通,完成触控信号的传输,有效增强触控面板的可靠性,提高触控面板的生产良率。
需要注意的是,可将每个桥状结构133上的第一连接部153均用于连接相邻的第一电极151,如图8所示,当设置了两个桥状结构133,可将两个桥状结构133上的第一连接部153均用作相邻的第一电极151之间的连接线,当然,可以选择中间通道121上所有第一连接部153中的多个第一连接部153,实现相邻的第一电极151之间的电连接。如图10所示,图10是本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图,当设置三个桥状结构133,每个桥状结构133上均形成有第一连接部153,可选择其中的两条第一连接部153连接相邻的第一电极151,剩余的第一连接部153可悬空设置,本实施例对相邻的第一电极151连接第一连接部153的条数不进行特殊限定。
本实施例可通过多种方法形成设置有多个地下通道结构14的第一结构层12和第二结构层13,在一些可选的实施例中,如图11所示,图11是本发明实施例提供的另一种触控面板的制备方法的流程示意图,本实施例的触控面板的制备方法可以包括如下步骤:
S201、提供衬底。
可选的,在衬底上形成依次远离衬底的第一结构层和第二结构层之前,还可以包括:在衬底上形成缓冲层;缓冲层的材料为有机材料。而现有技术中,缓冲层一般为无机材料,本实施例中在衬底上形成有机材料构成的缓冲层,便于应用于柔性产品时不易发生断裂,可靠性更高。
S202、在衬底上涂覆第一层第一光刻胶,并曝光出中间通道区。
本实施例通过两次曝光和一次显影形成地下通道结构,上述第一结构层和第二结构层的材料可以均为光刻胶,具体的,如图12所示,图12是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第一层第一光刻胶的结构示意图,在衬底11上可涂覆第一层第一光刻胶122,并曝光出中间通道区121a。
S203、在衬底上涂覆第二层第一光刻胶,并曝光出第一通道开口区和第二通道开口区。
将第一光刻胶122进行曝光处理后,如图13所示,图13是本发明实施例提供的一种在衬底上形成第二层第一光刻胶的结构示意图,在第一层第一光刻胶122背离衬底11的一侧形成第二层第一光刻胶135,并对第二层第一光刻胶135进行曝光,曝光出第一通道开口区131a和第二通道开口区132a。
S204、同时对两层第一光刻胶进行显影;中间通道区形成中间通道,第一层第一光刻胶形成第一结构层;第二通道开口区形成第二通道开口,第一通道开口区形成第一通道开口,第二层第一光刻胶形成第二结构层。
同时对第一层第一光刻胶122和第二层第一光刻胶135进行显影,则第一层第一光刻胶122的中间通道区121a的光刻胶材料被去除,形成中间通道121,第二层第一光刻胶135的第一通道开口区131a的光刻胶材料被去除,形成第一通道开口区131,同理,第二通道开口区132a形成第二通道开口132,第一通道开口区131、中间通道121和第二通道开口132依次连通形成图3所示的地下通道结构14。参考图3,至此,显影后的第一层第一光刻胶122形成第一结构层12,显影后的第二层第一光刻胶135形成第二结构层13。本实施例直接利用光刻胶形成以桥状结构133为界的上、下隔绝通道,并将残余的光刻胶作为触控面板的膜层,不需要将光刻胶进行去除,在节约触控面板的制作材料的同时,极大地节省了触控面板的制程工艺。
上述步骤S202~S204即为“步骤S102:在衬底上形成依次远离衬底的第一结构层和第二结构层”的一种实现方式。上述通过两层第一光刻胶形成第一结构层和第二结构层的方式为实现地下通道结构的一种优选方式,在本实施例的另一示例中,继续参考图3,本实施还可以通过其他有机或无机材料形成第一结构层12和第二结构层13,可通过干法刻蚀在第二结构层13形成第一通道开口131和第二通道开口132,之后通过第一通道开口131和第二通道开口132对第一结构层12进行湿法刻蚀,以形成中间通道121。此外,还可以通过其他干法刻蚀或湿法刻蚀工艺形成上述第一结构层12和第二结构层13,本实施例对地下通道结构的具体形成工艺不进行特殊限定。
S205、在所述第二结构层上沉积导电层;所述导电层经过所述第一通道开口和所述第二通道开口渗入所述中间通道。
S206、在导电层远离衬底的一侧涂覆图案化的第二光刻胶。
S207、对未被第二光刻胶覆盖的导电层进行刻蚀,以形成第一电极、第二电极、第一连接部以及第二连接部。
上述步骤S206~S207即为“步骤S104:对导电层进行图案化处理”的一种实现方式。如图14所示,图14是本发明实施例提供的一种在导电层上形成第二光刻胶的结构示意图,在导电层15远离衬底11的一侧涂覆一整层的第二光刻胶16,并曝光出待图案化部分161,并在显影后去除待图案化部分161,便于后续根据图案化的第二光刻胶16对导电层15进行刻蚀,形成图15所示的结构,图15是本发明实施例提供的一种导电层图案化的结构示意图,形成第一连接部153,以及图6中示出的第一电极151、第二电极152以及第二连接部154。
可以理解的是,光刻胶又称光致刻蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。在本实施例中,第二光刻胶16能够保护导电层15不被刻蚀,因而导电层15上所涂覆的第二光刻胶16的图案形状和成型第一电极151、第二电极152、第一连接部153的形状相对应,在对未被第二光刻胶16所覆盖的导电层15进行刻蚀后,可以将残留的第二光刻胶16剥离掉,以减小触控面板的厚度,也可以将残留的第二光刻胶16保留,起到保护第一电极151、第二电极152和第一连接部153的作用,本实施例以保留残留的第二光刻胶16的方案进行示意说明。
如图14和图15所示,可选的,对未被第二光刻胶16覆盖的导电层15进行刻蚀,可以包括:对沉积于桥状结构133的侧壁的导电层16进行刻蚀。将位于桥状结构133的侧壁的第二光刻胶16进行曝光和显影后,露出沉积于桥状结构133的侧壁的导电层16,将桥状结构133的侧壁上的导电层16刻蚀掉后,形成图15所示的第一连接部153,本实施例将沉积于桥状结构133的侧壁的导电层16进行刻蚀,有利于进一步增加第一连接部153和第二连接部154之间的间距,避免第一连接部153和第二连接部154之间产生黏连,并有效避免第一连接部153和第二连接部154之间触控信号的干扰,提高触控面板的触控性能。
可选的,在形成第二光刻胶16时,第二光刻胶16的涂覆方向平行于桥状结构133的延伸方向,便于第二光刻胶16流入地下通道结构14中,便于第二光刻胶16进入地下通道结构14,尤其可进入桥状结构133和导电层15之间的间隙区域内,防止第二光刻胶16在涂覆过程中出现断膜的情况,便于实现后续导电层的精准刻蚀,提高触控面板的品质。
S208、在第二光刻胶远离衬底的一侧形成平坦化层。
图16是本发明实施例提供的一种在第二光刻胶上形成平坦化层的结构示意图,可选的,对导电层15进行图案化处理之后,还可以包括:在第二光刻胶16远离衬底11的一侧形成平坦化层17。本实施例将第二光刻胶16作为触控面板的一部分,既能够有效节省触控面板的耗材成本,对图案化的导电层15进行保护,又能够节省一道去除第二光刻胶16的工艺,加快触控面板的制作进程。可选的,本实施例中第二光刻胶16的材料可以与第一光刻胶的材料相同,也可以不同,本实施例对此不进行特殊限定。
本实施例提供的触控面板的制备方法,采用双层第一光刻胶形成地下通道结构,仅采用两次曝光一次显影工艺即可形成上、下两层隔绝通道,制程精简,并其第一光刻胶作为触控面板的膜层结构,有效节省了触控面板的耗材成本。另外,用于将导电层图案化的第二光刻胶也可以作为触控面板的膜层结构,进一步节省触控面板的耗材。
上述实施例示出了保留残余第二光刻胶,以节省耗材和工艺制成的制作方案,在本实施例的另一具体示例中,也可以将第二光刻胶进行去除,具体的,依次参考图14、图15和图7,对导电层15进行图案化处理,还可以包括:如图14所示,在导电层15远离衬底11的一侧涂覆图案化的第二光刻胶16;如图15所示,对未被第二光刻胶16覆盖的导电层15进行刻蚀,以形成第一电极、第二电极、第一连接部153以及第二连接部;通过剥离液剥离第二光刻胶16,形成图7所示结构,以降低触控面板的总体厚度。之后,可在导电层15远离衬底11的一侧形成平坦化层等,从而形成触控面板。需要注意的是,图案化的导电层15会露出第二层第一光刻胶135的部分区域,则在对第二光刻胶16进行去除时,需要保证第二层第一光刻胶135不被去除,本实施例可限定第一光刻胶为负性光刻胶,第二光刻胶16为正性光刻胶,则将第二光刻胶16进行剥离的剥离液无法剥离第一光刻胶,从而对第二层第一光刻胶135进行保护,防止第二层第一光刻胶135被损坏,进而对地下通道结构14进行保护。
继续参考图7,可选的,设定中间通道的延伸方向X为第一方向;沿第一方向X上,标记第一通道开口131远离第二通道开口132的一侧的边界L1,与第二通道开口132远离第一通道开口131一侧的边界L2之间的距离为第一间距d1;标记中间通道121沿第一方向X上的边界之间(边界L3和边界L4)的距离为第二间距d2;第一间距d1大于第二间距d2。
本实施例中的第一通道开口131的边界L1指的是第一通道开口131的侧壁13a上距离第二通道开口132最远的位置,同理,第二通道开口132的边界L2指的是第二通道开口132的侧壁13a上距离第一通道开口131最远的位置,第一通道开口131的边界L1与第二通道开口132的边界L2之间的距离为第一间距d1,第一间距d1为第一通道开口131和第二通道开口132之间跨越的总宽度。中间通道121的边界L3和边界L4之间的第二间距d2为沿第一方向X上,中间通道121的侧壁12a之间的最大距离,第二间距d2为中间通道121跨越的总宽度。本实施例中,第一通道开口131和第二通道开口132之间跨越的总宽度,大于中间通道121跨越的总宽度,便于溅射原子通过第一通道开口131和第二通道开口132进入中间通道121,防止中间通道121沉积的导电层15出现断裂的情况,也便于沿通道开口和中间通道121之间的坡度,在通道开口的侧壁13a和中间通道121的侧壁12a上沉积导电层15,避免在沉积过程中出现导电层15成膜不连续的问题,提高触控性能和触控面板制作良率。
继续参考图4和图7,可选的,中间通道121可以包括平行于衬底11的底面12b和围绕底面12b设置的侧壁12a;在沿垂直于衬底11所在平面的方向上,中间通道121的截面状态为倒梯形或类倒梯形;在垂直于衬底11且与中间通道121的延伸方向X平行的第一平面P1内,中间通道121的底面12b与侧壁12a之间的夹角范围θ为110°~180°。
中间通道121可以包括平行于衬底11的底面12b和围绕底面12b设置的侧壁12a,在垂直于衬底11的平面内,中间通道121的截面状态为倒梯形或类倒梯形,示例性的,如图7所示,图7为触控面板在垂直于衬底11的平面内的截面结构,可知,中间通道121在该平面内的截面状态为倒梯形T或类倒梯形。另外,图7为图6沿线段a-a’剖面图,线段a-a’的延伸方向与中间通道121的延伸方向X平行,则图7即为第一平面P1内触控面板的截面结构,中间通道121的底面12b与侧壁12a之间的夹角范围θ可以为110°~180°,底面12b与侧壁12a之间具有较大的坡度角,便于溅射原子通过第一通道开口131和第二通道开口132进入中间通道121,并有效防止导电层15在底面12b与侧壁12a之间成膜不连续的问题,提高触控面板制作良率。可选的,第一通道开口131和第二通道开口132的侧壁13a与衬底11之间的夹角范围与θ一致,便于通道开口的侧壁13a与中间通道121的侧壁12a坡度一致,进一步保证导电层成膜连续。
图17是图6中触控面板沿线段b-b’的另一种剖面结构示意图。可选的,桥状结构133靠近衬底11一侧的表面133a与中间通道121的靠近衬底11一侧的底面12b的距离d3范围可以为3μm~15μm。本实施中,桥状结构133靠近衬底11一侧的表面133a,与中间通道121的靠近衬底11一侧的底面12b的距离d3的取值范围为3μm~15μm,也即,在垂直于衬底11所在平面的方向上,中间通道121的高度取值范围3μm~15μm。需要说明的是,中间通道121的高度不宜过大,过大则会影响桥状结构133的结构强度,受力时容易出现桥状结构133损坏等问题,中间通道121的高度也不宜过小,过小则可能会导致后续工艺中导电层15无法完全渗入中间通道121内,导致中间通道121内的导电层15断路,无法形成第二连接部154连通相邻的第二电极152,可选的,桥状结构133靠近衬底11一侧的表面133a与中间通道121的靠近衬底11一侧的底面12b的距离d3可等于15μm。
继续参考图17,可选的,第一连接部153的厚度d4可以大于第二连接部154的厚度d5。请参阅图17,具体的,导电层15通常是通过溅射法沉积的,导电层15材料的溅射原子在到达地下通道结构14的方式有多种,例如,可以是由于溅射原子间的碰撞或磁场导致部分溅射原子斜入射到地下通道结构14并沉积,或者导电层15材料的溅射原子撞击到中间通道121的侧壁12a并反弹入中间通道121。因而,第二连接部154的厚度d5通常会小于在桥状结构133上正常沉积所形成的第一连接部153的厚度d4。需要说明的是,本实施例中第一连接部153的厚度d4可以为第一连接部153的平均厚度,第二连接部154的厚度d5可以为第二连接部154的平均厚度。
继续参考图16,可选的,第二连接部154靠近第二电极151位置处的厚度d51,可大于第二连接部154靠近第二连接部中心位置处的厚度d52。
需要说明的是,受到成型工艺的限制,第二连接部154各部分的厚度可能存在不一致的现象,越靠近中间通道121的中心处,所能渗入的导电层15材料越少,这部分的厚度也就越小,而越靠近第二电极152,所能渗入的导电层15材料越多,这部分的厚度也就越大。也就是第二连接部154靠近第二电极152处的厚度d51大于第二连接部154中心位置处的厚度d52,只要保证第二连接部154能够有效连接相邻的第二电极152即可。
基于同一构思,本发明实施例还提供一种触控面板,如图6至图10所示,图6至图10示出了几种触控面板的结构示意图,触控面板为采用本发明任意实施例可提供的触控面板的制备方法所制备的触控面板。
本发明中的触控面板,在衬底上设置依次远离衬底的第一结构层和第二结构层,并通过第一结构层和第二结构层形成地下通道结构,第一结构层形成地下通道结构中的中间通道,第二结构层形成有地下通道结构中的第一通道开口和第二通道开口,还形成有第一通道开口和第二通道开口之间的桥状结构,第一通道开口、中间通道和第二通道开口连通,则中间通道上形成有桥状结构,进而在第二结构层上沉积导电层以形成绝缘的第一电极和第二电极时,导电层能够同时沉积到桥状结构上和中间通道内,并实现通道上下两层导电层的绝缘,桥状结构上可形成第一连接部,中间通道内形成第二连接部,相邻第一电极通过第一连接部连接,相邻第二电极通过第二连接部连接。在触控面板的制备过程中,仅需要进行一次导电层的沉积和图案化工艺,即可形成横纵交叉的互容触控电极结构,减少了互容触控电极结构所需的导电层沉积成型以及图案化处理的次数,结构简单,简化了工艺制程,节省耗材,并有效提高触控面板的生产效率。
本发明实施例还提供了一种显示装置,如图18所示,图18是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,包括:触控面板1,触控面板1为上述任一实施例中的触控面板。本发明实施例提供的显示装置具有上述任一实施例中触控面板的技术方案所具有的技术效果,与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置可以为手机,也可以为任何具有显示功能的电子产品,包括但不限于以下类别:电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等,本发明实施例对此不作特殊限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
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