基板处理装置

本申请是申请日为2017年9月30日、申请号为201710914624.8、发明名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术

在半导体设备的制造中，对作为被处理基板的半导体晶圆(以下仅记载为晶圆)进行蚀刻处理、成膜处理等利用气体进行的处理。

以往，作为这种基板处理，大多使用一片一片地处理基板的单片式的处理装置，但基于提高生产率的观点，提出了如下一种基板处理装置：在一个腔室内配置多个被处理基板，一次对多片被处理基板实施规定的处理(例如，专利文献1)。

专利文献1中公开的基板处理装置在一个腔室内形成多个处理空间，在设置于各处理空间的基板载置台上载置被处理基板，向各处理空间独立地供给处理气体来进行处理，利用一个排气装置统一进行腔室内的排气。

在各处理空间内设置有作为压力计的电容压力计(capacitance manometer)，利用电容压力计监视各处理空间的压力。

专利文献1：日本特开2016-029700号公报

发明内容

但是，在各处理空间内设置有作为压力计的电容压力计的情况下，由于电容压力计的偏差而产生误差，难以确认准确的压力。

因此，想到以下办法：设置一个作为压力计的电容压力计，在进行压力的测量时，能够通过对从电容压力计连接于各处理空间的压力测定用配管的阀进行切换来监视多个处理空间的压力，但在该情况下，在监视压力的监视侧的处理空间与没有监视压力的非监视侧的处理空间中，电容压力计的压力测定用配管的容积不同，配管中残留的气体对工序造成的影响产生了差异。

因而，本发明的课题在于提供如下一种技术：在多个处理空间中对多个被处理基板进行处理的基板处理装置中，在用一个压力计监视多个处理空间的压力的情况下，能够在监视侧的处理空间与非监视侧的处理空间之间减轻配管中的残留气体对工序造成的影响。

为了解决上述问题，本发明的第一观点提供如下一种基板处理装置，该基板处理装置的特征在于，具备：多个处理部，该多个处理部分别对被处理基板实施基板处理；多个基板载置台，各基板载置台在各所述处理部中载置被处理基板；多个气体导入构件，该多个气体导入构件向各所述处理部的处理空间分别导入处理气体；共用的排气机构，其将所述多个处理部的多个所述处理空间内的气体统一排出，并且统一进行所述处理空间的压力控制；以及压力测量部，其利用压力计选择性地监视多个所述处理空间的某一处理空间的压力，其中，所述压力测量部具有：多个压力测量用配管，该多个压力测量用配管与多个处理空间连通；阀，其用于对所述多个压力测量用配管进行切换；以及虚设配管，其被设置为调整连通于所述多个处理空间中的要监视压力的监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述多个处理空间中的不监视压力的非监视侧的处理空间的配管的容积之差。

在上述第一观点中，能够构成为，在将所述处理部的个数设为n的情况下，对各所述处理空间连通一根所述压力测量用配管和n-1根所述虚设配管，在各所述压力测量用配管和各所述虚设配管中设置有阀，对于所述监视侧的处理空间，打开所述压力测量用配管的阀以使该处理空间与所述压力计连通，并且关闭所述虚设配管的阀，对于所述非监视侧的处理空间，打开某一个所述虚设配管的阀以使该处理空间与某一个所述虚设配管连通。在该情况下，所述压力测量用配管和所述虚设配管的总数以及在这些配管中设置的阀的总数是所述处理部的个数的平方。

本发明的第二观点提供如下一种基板处理装置，该基板处理装置的特征在于，具备：两个处理部，该两个处理部分别对被处理基板实施基板处理；两个基板载置台，各基板载置台在各所述处理部中载置被处理基板；两个气体导入构件，各气体导入构件向各所述处理部的处理空间分别导入处理气体；共用的排气机构，其将所述两个处理部的两个所述处理空间内的气体统一排出，并且统一进行所述处理空间的压力控制；以及压力测量部，其利用压力计选择性地监视两个所述处理空间中的某一个处理空间的压力，其中，所述压力测量部具有将两个所述处理空间与所述压力计相连接的两个压力测量用配管、被设置为分别连通于两个所述处理空间的两个虚设配管以及在所述两个压力测量用配管和所述两个虚设配管中分别设置的阀，对于两个所述处理空间中的要监视压力的监视侧的处理空间，打开所述压力测量用配管的阀以使该处理空间与所述压力计连通，并且关闭所述虚设配管的阀，对于两个所述处理空间中的不监视压力的非监视侧的处理空间，打开所述虚设配管的阀以使该处理空间与所述虚设配管连通，所述虚设配管被设置为，调整连通于所述监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述非监视侧的处理空间的配管的容积之差。

在上述第一观点和第二观点中，优选的是，所述虚设配管被设置为，使连通于所述监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述非监视侧的处理空间的配管的容积相同。另外，优选的是，所述虚设配管被设置为，使连通于所述监视侧的处理空间的配管路径的传导性与连通于所述非监视侧的处理空间的配管路径的传导性相同。

能够构成为，在各所述处理空间中，所述虚设配管连接于所述压力测量用配管。优选为，所述压力测量用配管从各所述处理部的所述气体导入构件的上方被插入到气体导入构件的中心。在该情况下，所述压力测量用配管的连通于所述处理空间的出口被设置为同心圆状。

所述压力测量用配管的连通于所述处理空间的出口同心圆状地设置在任意的半径位置。

在所述各处理空间中，所述气体导入构件形成多个与所述压力测量用配管对应的出口，对所述多个出口中的要利用从连通于所述处理空间的配管流出的残留气体进行期望的基板处理控制的出口连接所述压力测量用配管。

本发明的第三观点提供如下一种基板处理装置，该基板处理装置的特征在于，具备：多个处理部，该多个处理部分别对被处理基板实施基板处理；多个基板载置台，各基板载置台在各所述处理部中载置被处理基板；多个气体导入构件，该多个气体导入构件向各所述处理部的处理空间分别导入处理气体；共用的排气机构，其将所述多个处理部的多个所述处理空间内的气体统一排出，并且统一进行所述处理空间的压力控制；以及压力测量部，其利用共用的压力计选择性地监视多个所述处理空间的某一处理空间的压力，其中，所述压力测量部具有：多个压力测量用配管，该多个压力测量用配管与多个处理空间连通；以及阀，其用于对所述多个压力测量用配管中与所述共用的压力计连通的压力测量用配管进行切换。

根据本发明，在具有压力计，并利用压力计选择性地监视多个处理空间中的某一个处理空间的压力的压力测量部中，设置有虚设配管来调整连通于监视侧的处理空间的配管的容积与连通于非监视侧的处理空间连通的配管的容积之差，因此能够在监视侧的处理空间与非监视侧的处理空间之间减轻配管中的残留气体对工序造成的影响。另外，虚设配管被设置为使连通于监视侧的处理空间的配管的容积与连通于非监视侧的处理空间的配管的容积相同，由此能够进一步减轻配管中的残留气体对工序造成的影响。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的截面图。

图2是用于说明在图1的基板处理装置中监视处理空间S1的压力的情况下的连通于处理空间S1和S2的配管路径的图。

图3是用于说明在图1的基板处理装置中监视处理空间S2的压力的情况下的连通于处理空间S2和S1的配管路径的图。

图4是用于说明以往的基板处理装置的压力测量部的图。

图5是用于说明在图4的压力测量部中将处理空间S1设为监视侧、将处理空间S2设为非监视侧的情况下的连通于各处理空间的配管路径的图。

图6是说明从压力测量用配管朝向处理空间的配管出口的变形例的图。

图7是说明从压力测量用配管朝向处理空间的配管出口的其它变形例的图。

图8是概要性地表示本发明的其它实施方式所涉及的基板处理装置的截面图。

图9是用于说明在图8的基板处理装置中监视处理空间S12的压力的情况下的连通于处理空间S12、S13以及S11的配管路径的图。

10：腔室；11a、11b、111a、111b、111c：处理部；12a、12b、121a、121b、121c：气体导入构件；14：排气机构；15、115：气体测量部；16：控制部；61a、61b、161a、161b、161c：基板载置台；71a、71b：内壁；91a、91b：电容压力计(压力计)；92、171：压力测量用配管单元；92a、92b、171a、171b、171c：压力测量用配管；95、175、179：虚设配管单元；95a、95b、175a、175b、175c、179a、179b、179c：虚设配管；94a、94b、97a、97b、174a、174b、174c、178a、178b、178c、182a、182b、182c：阀；98a、99a、191：配管路径；98b、99b、192、193：虚设配管路径；100、200：基板处理装置；S1、S2、S11、S12、S13：处理空间；Wa、Wb、Wc：半导体晶圆。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本发明的实施方式。

<基板处理装置>

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的截面图。

本实施方式所涉及的基板处理装置对两片被处理基板同时供给规定的处理气体来进行规定的处理，例示供给蚀刻气体作为处理气体来对被处理基板进行蚀刻处理的情况。作为蚀刻处理，能够列举使用HF气体和NH

如图1所示，基板处理装置100具备密封构造的腔室10。腔室10例如由铝或铝合金形成，由腔室主体51和盖部52构成。腔室主体51具有侧壁部51a和底部51b，上部为开口，用盖部52封闭该开口。侧壁部51a和盖部52被密封构件51c密封，从而确保腔室10内的气密性。

在腔室10的内部设置有两个处理部11a、11b，在两个处理部11a、11b中分别设置有基板载置台61a、61b。作为被处理基板的晶圆Wa、Wb一片一片地以水平状态载置在基板载置台61a、61b上。在基板载置台61a、61b的上方设置有用于向腔室10内导入处理气体的气体导入构件12a、12b。气体导入构件12a、12b安装在盖部52的内侧。气体导入构件12a与基板载置台61a以及气体导入构件12b与基板载置台61b分别相向地设置。而且，以包围气体导入构件12a和基板载置台61a的方式设置有呈圆筒状的内壁71a，以包围气体导入构件12b和基板载置台61b的方式设置有呈圆筒状的内壁71b。内壁71a、71b以从盖部52的上壁内侧延伸到腔室主体51的底部51b的方式设置，内壁71a、71b的上部分别构成气体导入构件12a和12b的侧壁。气体导入构件12a与基板载置台61a之间的空间以及气体导入构件12b与基板载置台61b之间的空间被内壁71a、71b大致密封，来形成对晶圆Wa、Wb实施基板处理的互相独立的处理空间S1、S2。

在腔室主体51的侧壁部51a中设置有用于与外部之间输送晶圆W的搬入搬出口(未图示)，该搬入搬出口能够利用闸阀(未图示)打开和关闭。另外，在内壁71a、72b中也设置有搬入搬出口(未图示)，该搬入搬出口能够利用屏蔽件(未图示)打开和关闭。内壁71a、71b也可以被设置为能够在形成处理空间S1、S2的位置与基板载置台61a、61b的下方位置之间进行升降。

在腔室10的外部设置有：气体供给机构(未图示)，其向气体导入构件12a、12b供给气体；排气机构14，其排出腔室10内的气体；压力测量部15，其选择性地测量处理空间S1、S2的压力；以及控制部16，其控制基板处理装置100的各结构部。

基板载置台61a、61b分别被基块62支承。基块62被固定在腔室主体51的底部51b。在基板载置台61a、61b各自的内部设置有对晶圆W进行温度调节的温度调节器63。温度调节器63例如具备用于使温度调节用介质(例如水等)进行循环的管路，通过与在管路内流动的温度调节用介质进行热交换来进行晶圆W的温度控制。另外，在输送晶圆W时使用的多个升降销(未图示)以能够相对于晶圆的载置面突出和退避的方式设置在基板载置台61a、61b上。

气体导入构件12a、12b将来自气体供给机构的处理气体导入腔室10内来对处理部11a、11b供给处理气体。从气体供给机构例如供给氧化物蚀刻用的HF气体和NH

排气机构14具有与在腔室10的底部51b形成的排气口(未图示)连接的排气配管81，还具有设置于排气配管81的、用于控制腔室10内的压力的自动压力控制阀(APC)82和用于排出腔室10内的气体的真空泵83。排气口设置在内壁71a、71b的外侧，在内壁71a、71b的比基板载置台61a、61b靠下的部分形成有多个狭缝，使得能够利用排气机构14从处理部11a、11b两方排气。由此，利用排气机构14统一排出处理部11a、11b内的气体。另外，在处理部11a、11b中共享APC 82和真空泵83。

压力测量部15具有设置在腔室10的上方的、作为压力计的高压力用的电容压力计91a和低压力用的电容压力计91b以及压力测量用配管单元92。压力测量用配管单元92具有第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b，第一压力测量用配管92a从上方插入到气体导入构件12a的中心，第二压力测量用配管92b从上方插入到气体导入构件12b的中心。第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b的下端部到达气体导入构件12a和气体导入构件12b的底部的中心。

压力测量用配管单元92还具有直接连接电容压力计91a、91b的上端侧配管93，第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b从上端侧配管93分支。在第一压力测量用配管92a中设置有第一阀94a，在第二压力测量用配管92b中设置有第二阀94b。

另外，压力测量部15具有虚设配管单元95。虚设配管单元95具有连接于第一压力测量用配管92a的第一虚设配管95a、连接于第二压力测量用配管92b的第二虚设配管95b以及上端侧虚设配管96。上端侧虚设配管96的前端被堵塞。第一虚设配管95a和第二虚设配管95b从上端侧虚设配管部96分支。在第一虚设配管95a中设置有第三阀97a，在第二虚设配管95b中设置有第四阀97b。上端侧虚设配管96与上端侧配管93对应，第一虚设配管95a与第一压力测量用配管92a对应，第二虚设配管95b与第二压力测量用配管92b对应。此外，上端侧虚设配管96的前端也可以构成为能够安装压力确认用的电容压力计。

压力测量部15能够监视(测定)处理部11a的处理空间S1和处理部11b的处理空间S2中的任一方处理空间的压力，按照在处理部11a和处理部11b中进行的处理的处理制程预先将处理空间S1和S2中的一方处理空间决定为监视侧，将另一方处理空间决定为非监视侧。例如，在处理部11a和处理部11b这两个处理部中开始利用NH

在利用压力测量部15监视处理空间S1的压力时，设为在压力测量用配管单元92中打开第一阀94a而关闭第二阀94b的状态，以使电容压力计91a、91b与监视侧的处理空间S1连通，电容压力计91a、91b与非监视侧的处理空间S2阻断。此时，设为关闭虚设配管单元95的第三阀97a而打开第四阀97b的状态。由此，如图2所示，在监视侧的处理空间S1侧，以从第一压力测量用配管92a的面向处理空间S1的端部起经由第一压力测量用配管92a和上端侧配管93到达电容压力计91a的连接部分的方式形成涂黑表示的配管路径98a。另一方面，在处理空间S2侧，以从第二压力测量用配管92b的面向处理空间S2的端部起经由第二压力测量用配管92b、第二虚设配管95b以及上端侧虚设配管96到达虚设配管路径98b的上端的方式形成涂黑表示的虚设配管路径98b。

在利用压力测量部15测定处理空间S2的压力时，设为在压力测量用配管92中打开第二阀94b而关闭第一阀94a的状态，以使电容压力计91a、91b与监视侧的处理空间S2连通，电容压力计91a、91b与非监视侧的处理空间S1阻断。此时，设为关闭虚设配管单元95的第四阀97b而打开第三阀97a的状态。由此，如图3所示，在监视侧的处理空间S2侧，以从第二压力测量用配管92b的面向处理空间S2的端部起经由第二压力测量用配管92b和上端侧配管93到达电容压力计91a的连接部分的方式形成配管路径99a。另一方面，在非监视侧的处理空间S1侧，以从第一压力测量用配管92a的面向处理空间S1的端部起经由第一压力测量用配管92a、第一虚设配管95a以及上端侧虚设配管96到达虚设配管路径99b的上端的方式形成虚设配管路径99b。

此时，形成虚设配管单元95(第一虚设配管95a、第二虚设配管95b)，使得图2的配管路径98a和虚设配管路径98b为相同的配管容积，图3的配管路径99a和虚设配管路径99b为相同的配管容积。另外，优选形成虚设配管单元95以使配管路径98a和虚设配管路径98b为相同的传导性，配管路径99a和虚设配管路径99b为相同的传导性。最理想的是，配管路径98a和虚设配管路径98b呈相同的形状，配管路径99a和虚设配管路径99b呈相同的形状。

控制部16具有主控制部、输入装置(键盘、鼠标等)、输出装置(打印机等)、显示装置(显示器等)以及存储装置，其中，主控制部具备CPU，用于对基板处理装置100的各结构部例如气体供给机构的阀、流量控制器、排气机构14、压力测量部15以及温度调节器63等进行控制。而且，在存储装置中设置存储有处理制程的存储介质，由此主控制部基于从存储介质调出的处理制程来使基板处理装置100执行规定的动作。

<基板处理动作>

接着，对这种基板处理装置的基板处理动作进行说明。

将表面形成有蚀刻对象膜例如氧化硅膜的两片晶圆Wa、Wb搬入腔室10内的处理部11a和处理部11b，并分别载置在基板载置台61a和基板载置台61b上。然后，按照处理制程，压力测量部15对处理部11a的处理空间S1和处理部11b的处理空间S2中的一方处理空间的压力进行监视。

从气体供给机构供给例如Ar气体、N

在进行了这种压力调整之后，一边继续供给作为压力调整用气体而供给的Ar气体、N

此时，在压力测量部15的配管中残留有压力调整时的气体，该气体在蚀刻处理时被排出。

以往，没有考虑由蚀刻处理时的残留气体的排出对蚀刻特性造成的影响，在两个处理部11a、11b中共用地设置一个压力测量部的情况下，主要考虑配管的效率等，从而使用了如图4所示的压力测量部。即，以往的压力测量部15′具有高压力用的电容压力计91a和低压力用的电容压力计91b以及压力测量用配管单元92′，压力测量用配管单元92′的第一压力测量用配管92a′和第二压力测量用配管92b′分别被插入气体导入构件12a和气体导入构件12b的彼此接近的端部侧。另外，第一压力测量用配管92a′和第二压力测量用配管92b′从直接连接电容压力计91a、91b的上端侧配管93′分支。在第一压力测量用配管92a′中设置有第一阀94a′，在第二压力测量用配管92b′中设置有第二阀94b′。

在这种以往的压力测量部15′中，在将处理部11a的处理空间S1设为监视侧、将处理部11b的处理空间S2设为非监视侧的情况下，打开阀94a′而关闭阀94b′，但此时如在图5中涂黑表示的那样，连通于作为监视侧的处理空间S1的配管长度是第一压力测量用配管92a′和上段侧配管93′的总长度，与此相对地，连通于作为非监视侧的处理空间S2的配管长度是直到第二压力测量配管92b′的阀94b′为止的长度，两者的长度大不相同，连通于作为监视侧的处理空间S1的配管的容积与连通于处理空间S2的配管的容积大不相同。

在供给Ar气体、N

这种残留气体在蚀刻处理时被排出，但近来越来越要求高精度的蚀刻处理，并明确了这种残留气体的量的差对蚀刻处理造成影响。

另外，压力测量部15′的配管的向处理空间S1和S2连通的连通部分位于气体导入构件12a和12b的端部，因此也有可能由于残留气体的排出而导致蚀刻的面内均匀性降低。

因此，在本实施方式中，作为压力测量部15，设置具有第一虚设配管95a和第二虚设配管95b的虚设配管单元95，其中，第一虚设配管95a和第二虚设配管95b用于在连分别通于处理空间S1和S2的第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b中调整连通于处理空间S1和S2的配管容积。这样，通过设置第一虚设配管95a和第二虚设配管95b，能够调整连通于非监视时的处理空间的配管的容积，能够缓和蚀刻处理时的监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量之差。

此时，以从气体导入构件12a的上方面向处理空间S1的方式插入第一压力测量用配管92a，以从气体导入构件12b的上方面向处理空间S2的方式插入第二压力测量用配管92b，设为能够利用第一阀94a和第二阀94b将第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b打开和关闭，并且对第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b分别连接第一虚设配管95a和第二虚设配管95b，设为能够利用第三阀97a和第四阀97b将第一虚设配管95a和第二虚设配管95b打开和关闭。

具体地说，在将处理空间S1设为监视侧、将处理空间S2设为非监视侧的情况下，设为打开第一阀94a而关闭第二阀94b并且关闭第三阀97a而打开第四阀97b的状态。由此，如图2所示，以从第一压力测量用配管92a的面向处理空间S1的端部起经由第一压力测量用配管92a和上端侧配管93到达电容压力计91a的连接部分的方式形成配管路径98a，以从第二压力测量用配管92b的面向处理空间S2的端部起经由第二压力测量用配管92b、第二虚设配管95b以及上端侧虚设配管96到达虚设配管路径98b的上端的方式形成虚设配管路径98b。

另一方面，在将处理空间S2设为监视侧、将处理空间S1设为非监视侧的情况下，设为关闭第一阀94a而打开第二阀94b并且打开第三阀97a而关闭第四阀97b的状态。由此，如图3所示，以从第二压力测量用配管92b的面向处理空间S2的端部起经由第二压力测量用配管92b和上端侧配管93到达电容压力计91a的连接部分的方式形成配管路径99a，以从第一压力测量用配管92a的面向处理空间S1的端部起经由第一压力测量用配管92a、第一虚设配管95a以及上端侧虚设配管96到达虚设配管路径99b的上端的方式形成虚设配管路径99b。

而且，形成第一虚设配管95a和第二虚设配管95b，使得在将处理空间S1设为监视侧、将处理空间S2设为非监视侧的情况下，图2的配管路径98a和虚设配管路径98b为相同的配管容积，在将处理空间S2设为监视侧、将处理空间S1设为非监视侧的情况下，图3的配管路径99a和虚设配管路径99b为相同的配管容积，由此能够使监视侧的残留气体的量与非监视侧的残留气体的量相同，由于蚀刻处理时的监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量相同，因此能够抑制监视侧的处理空间的蚀刻处理与非监视侧的处理空间的蚀刻处理之间的偏差。

另外，第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b分别从上方插入到气体导入构件12a和气体导入构件12b的中心，因此其中的残留气体被排出到晶圆Wa、Wb的中心，能够减轻对蚀刻处理的面内均匀性造成的影响。

此外，第一压力测量用配管92a和第二压力测量用配管92b的配置位置并不限于气体导入构件12a和气体导入构件12b的中心，残留气体的排出位置只要是能够减轻对面内均匀性造成的影响的位置即可。例如，在残留气体的排出位置为中心、由于残留气体的排出而导致晶圆中心的蚀刻速率过于降低的情况下，也可以如图6所示那样使压力测量用配管92a(92b)的前端分支，在气体导入构件12a(12b)的底部的中心附近同心圆状地设置多个出口110。

另外，能够在蚀刻的控制中积极地利用压力测量部15的配管中残留的残留气体。具体地说，也可以设置由同心圆状的狭缝构成的出口或同心圆状地设置多个出口，使得向想要使蚀刻速率降低的半径位置处排出残留气体。例如，在想要使晶圆外周部的蚀刻速率降低的情况下，可以如图7所示那样从压力测量用配管92a(92b)分支出多个分支通路115，并在气体导入构件12a(12b)的底部的外周部设置由同心圆状的狭缝构成的出口116。另外，也可以同心圆状地设置多个出口116。

另外，在像这样在蚀刻控制中积极地利用残留气体的情况下，也可以在气体导入构件12a(12b)的底部的中心以及规定的半径位置的多个地方预先形成喷出口，并使用这些喷出口中的期望的喷出口。

<其它应用>

以上，按一个实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述一个实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行各种变形。

在上述实施方式中，对处理部为两个的情况进行了说明，但处理部也可以是三个以上。图8表示处理部为三个的情况下的实施方式。图8是概要图，仅表示主要部分。本实施方式的基板处理装置200具有三个处理部111a、111b、111c，这三个处理部用内壁进行分隔。在处理部111a、111b、111c中分别设置有基板载置台161a、161b、161c，在这些基板载置台上分别载置晶圆Wa、Wb、Wc。在基板载置台161a、161b、161c的上方分别设置有气体导入构件121a、121b、121c。在处理部111a中形成有处理空间S11，在处理部111b中形成有处理空间S12，在处理部111c中形成有处理空间S13。

压力测量部115具有作为压力计的高压力用的电容压力计91a和低压力用的电容压力计91b、压力测量用配管单元171、第一虚设配管单元175以及第二虚设配管单元179。

压力测量用配管单元171具有：被插入气体导入构件121a的中心并到达处理空间S11的压力测量用配管171a、被插入气体导入构件121b的中心并到达处理空间S12的压力测量用配管171b、被插入气体导入构件121c的中心并到达处理空间S13的压力测量用配管171c、将这些压力测量用配管相连结的共用配管172以及从共用配管172向上方延伸并直接连接电容压力计91a、91b的上端侧配管173。在压力测量用配管171a、171b、171c中分别设置有阀174a、174b、174c。

第一虚设配管单元175具有：连接于压力测量用配管171a的虚设配管175a、连接于压力测量用配管171b的虚设配管175b、连接于压力测量用配管171c的虚设配管175c、将这些虚设配管相连结的共用虚设配管176以及从共用虚设配管176向上方延伸的上端侧虚设配管177。在虚设配管175a、175b、175c中分别设置有阀178a、178b、178c。上端侧虚设配管177的前端被堵塞。此外，上端侧虚设配管177的前端也可以构成为能够安装压力确认用的电容压力计。

第二虚设配管单元179具有：连接于压力测量用配管171a的虚设配管179a、连接于压力测量用配管171b的虚设配管179b、连接于压力测量用配管171c的虚设配管179c、将这些虚设配管相连结的共用虚设配管180以及从共用虚设配管180向上方延伸的上端侧虚设配管181。在虚设配管179a、179b、179c中分别设置有阀182a、182b、182c。上端侧虚设配管181的前端被堵塞。此外，上端侧虚设配管181的前端也可以构成为能够安装压力确认用的电容压力计。

在这种基板处理装置200中利用压力测量部115例如对处理部111b的处理空间S12进行压力的监视的情况下，即在处理部111b的处理空间S12为监视侧、处理部111a、111c的处理空间S11、S13为非监视侧的情况下，如图9所示那样设为打开阀174b、178c、182a而关闭其它阀的状态。由此，在监视侧的处理空间S12侧，以从压力测量用配管171b的面向处理空间S12的端部起经由压力测量用配管171b、共用配管172以及上端侧配管173到达电容压力计91a的连接部分的方式形成涂黑表示的配管路径191。另外，在非监视侧的处理空间S13侧，以从压力测量用配管171c的面向处理空间S13的端部起到达压力测量用配管171c、虚设配管175c、共用虚设配管176、上端侧虚设配管177的方式形成涂黑表示的第一虚设配管路径192。并且，在另一个非监视侧的处理空间S11侧，以从压力测量用配管171a的面向处理空间S11的端部起到达压力测量用配管171a、虚设配管179a、共用虚设配管180、上端侧虚设配管181的方式形成涂黑表示的第二虚设配管路径193。

这样，通过设置第一虚设配管单元175和第二虚设配管单元179，能够调整连通于非监视时的处理空间的配管的容积，能够缓和蚀刻处理时的监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量之差。具体地说，形成第一虚设配管单元175和第二虚设配管单元179，以使图9的配管路径191、第一虚设配管路径192以及第二虚设配管路径193为相同的配管容积，因此能够使蚀刻处理时的监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量相同。

在处理空间S13为监视侧的情况下以及在处理空间S11为监视侧的情况下，也同样能够通过操作阀来利用第一虚设配管单元175、第二虚设配管单元179的功能来缓和蚀刻处理时的监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量之差。

在像这样处理空间为三个的情况下的实施方式中，与各处理空间连接的配管共计有三个，即一个压力测量用配管和两个虚设配管，在这些配管中分别设置开闭阀，因此配管的总数和阀的总数均为九。另外，在最初的实施方式的处理空间为两个的情况下的实施方式中，在各处理空间中，压力测量用配管和虚设配管各设置一个，即共计设置两个，在这些配管中分别设置阀，因此配管的总数和阀的总数均为四。

根据以上内容可知，当将处理部的个数设为n时，对各处理部连接一根压力测量用配管和(n-1)根虚设配管，将配管的总数和用于打开和关闭这些配管的阀的总数设为处理空间的个数的平方，由此不论在将哪一个处理空间设为监视侧的情况下均能够缓和监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量之差，能够使监视侧的处理空间的残留气体的排出量与非监视侧的处理空间的残留气体的排出量相同。

另外，在上述实施方式中，对使用HF气体和NH

另外，在上述一个实施方式中，作为被处理基板，以半导体晶圆为例进行了说明，但显而易见的是，根据本发明的原理，被处理基板并不限于半导体晶圆，也能够应用于其它各种基板的处理，这是不言而喻的。