掩模制造装置

技术领域

本发明涉及一种掩模制造装置，更具体地，涉及一种利用激光的掩模制造装置。

背景技术

诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航仪、游戏机等的多媒体电子装置可以包括用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括用于显示图像的多个像素，且像素中的每个可以包括生成光的发光元件和连接到发光元件的驱动元件。如此，显示面板可以通过在基板上堆叠各种功能层来形成。

可以通过利用掩模的图案化来提供构成显示面板的功能层，掩模具有限定有贯通部的敞口区域。此时，为了提高被图案化的功能层的沉积品质，需要对精密加工的掩模的制造方法和掩模制造设备进行技术开发。

发明内容

要解决的课题

本发明的目的在于提供一种用于制造可靠性提高的掩模的掩模制造装置。

本发明的目的在于提供一种用于制造能够实现精密的沉积加工的掩模的掩模制造装置。

解决方法

一实施例提供一种掩模制造装置，包括：台，支承对象掩模；以及光照射部，布置在所述台上，并且向所述对象掩模照射激光；其中，所述对象掩模包括：对象掩模片，包括前表面和后表面；以及掩模框架，包括与所述后表面面对的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述台包括：第一支承部，支承所述对象掩模片；以及第二支承部，支承所述掩模框架，其中，所述第一支承部和所述第二支承部能够在厚度方向上具有阶梯差。

所述第一支承部可以包括与所述对象掩模片的所述后表面或所述前表面面对的第一表面，所述第二支承部可以包括与所述掩模框架的所述下表面或所述上表面面对的第二表面，以及所述阶梯差可以在所述厚度方向上对应于所述第一表面与所述第二表面之间的距离。

所述第一支承部和所述第二支承部可以形成为一体。

所述第二支承部可以围绕所述第一支承部。

所述台可以包括所述第一表面面对所述对象掩模片的前表面的第一状态和所述第一表面面对所述对象掩模片的后表面的第二状态，以及在所述第一状态下，所述激光可以照射到所述对象掩模片的所述后表面上，且在所述第二状态下，所述激光可以照射到所述对象掩模片的所述前表面上。

在所述第一状态下的所述台还可以包括布置在所述第二支承部上的第三支承部，其中，所述第一支承部和所述第三支承部中的每个可以支承所述对象掩模片的所述前表面。

所述第三支承部的厚度可以与所述阶梯差相同。

所述第二支承部可以对应于所述第一状态和所述第二状态中的每个而在所述厚度方向上移动。

在所述第一状态下，所述第二支承部的所述第二表面可以在截面上与所述第一表面齐平，且所述第一支承部和所述第二支承部中的每个可以支承所述对象掩模片的所述前表面。

在所述第二状态下，所述第二支承部的所述第二表面可以在截面上与所述第一表面具有所述阶梯差，且所述第一支承部可以支承所述对象掩模片的所述后表面，且所述第二支承部可以支承所述掩模框架的所述下表面。

所述阶梯差可以在厚度方向上等于所述对象掩模片的后表面与所述掩模框架的下表面之间的高度差。

所述对象掩模片中可以限定有多个预备单元开口部，且所述光照射部可以在所述对象掩模片的所述前表面上沿着所述预备单元开口部的周边照射所述激光。

所述第一支承部可以包括静电卡盘和布置在所述静电卡盘上的绝缘层。

所述绝缘层可以接触所述对象掩模片。

所述第一支承部可以包括磁体和布置在所述磁体上的绝缘层。

所述激光可以包括飞秒脉冲激光和皮秒脉冲激光中的至少一种激光。

所述激光的波长可以包括在300nm以上、1100nm以下的波长范围。

本发明一实施例提供一种掩模制造装置，包括：台，支承对象掩模，所述对象掩模包括对象掩模片和结合于所述对象掩模片的掩模框架；以及光照射部，布置在所述台上，并且向所述对象掩模照射激光，其中，所述对象掩模片包括与所述掩模框架面对的后表面和与所述后表面相对的前表面，所述台包括支承所述对象掩模片的所述前表面的第一状态和支承所述对象掩模片的所述后表面的第二状态，在所述第一状态下，所述台包括支承所述对象掩模片的所述前表面的第一部分和与所述掩模框架重叠并且支承所述对象掩模片的所述前表面的第二部分，以及在所述第二状态下，所述台的所述第一部分与所述第二部分之间具有阶梯差。

所述阶梯差可以在截面上等于所述对象掩模片的所述后表面与所述掩模框架的所述下表面之间的高度差。

所述第一部分可以包括静电卡盘和磁体中的至少一种。

有益效果

根据本发明一实施例的掩模制造装置可以利用激光精密地加工掩模的敞口区域。

根据本发明一实施例的掩模制造装置可以在向掩模照射激光的过程中稳定地固定掩模。

根据本发明一实施例的掩模制造装置可以通过向掩模的两个表面照射激光来加工掩模，因此，掩模制造装置的可靠性和精度可以提高，并且可以制造阴影区域最小化的掩模。

附图说明

图1a是根据本发明一实施例的显示面板的平面图。

图1b是与图1a的线I-I’对应的根据本发明一实施例的显示面板的剖视图。

图2是根据本发明一实施例的掩模的分解透视图。

图3a和图3b是与预备掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据本发明一实施例的预备掩模的透视图。

图4a是与对象掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据本发明一实施例的掩模制造装置和对象掩模的透视图。

图4b是与对象掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据本发明一实施例的对象掩模的透视图。

图5a是与对象掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据本发明一实施例的掩模制造装置和对象掩模的透视图。

图5b是与图5a的线II-II’对应的根据本发明一实施例的掩模制造装置的剖视图。

图6a至图6c是根据本发明一实施例的掩模制造装置的台的剖视图。

图7a至图7c是示出根据本发明一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成预备单元开口部的一个步骤的剖视图。

图8a至图8d是示出根据本发明一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成凹陷部的一个步骤的剖视图。

图9是示出根据本发明一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成预备单元开口部的一个步骤的剖视图。

图10是示出根据本发明一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成凹陷部的一个步骤的剖视图。

图11a是示出根据本发明一实施例的利用通过掩模制造装置制造的掩模来执行的沉积工艺的一个步骤的剖视图。

图11b是与图11a的一个区域对应的放大剖视图。

附图标记的说明

MD：掩模制造装置 MK：掩模

MS：掩模片 FR：掩模框架

OPC：单元开口部 OP：开口部

P-MKa、P-MKb：对象掩模 P-MSa、P-MSb：对象掩模片

OPD：预备单元开口部 HFP：凹陷部

ST：台 SP1：第一支承部

SP2：第二支承部 SP3：第三支承部

LS：光照射部 ISL：绝缘层

ESC：静电卡盘 MGN：磁体

具体实施方式

本发明可以进行各种变更，且可以具有各种形态，将在附图中例示特定实施例，并在本文中进行详细说明。然而，这并不是要将本发明限定于特定的公开形态，并且应理解为包含包括在本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同及替代。

在本说明书中，当某一构成要素(或区域、层、部分等)被称为“在”另一构成要素“上”，或者“连接到”或“结合到”另一构成要素时，这意味着可以直接布置在/连接到/结合到另一构成要素上，或者它们之间也可以布置有第三构成要素。

相同的附图标记指代相同的构成要素。此外，在附图中，夸大了构成要素的厚度、比例和尺寸，以有效地说明技术内容。“和/或”包括相关联的构成要素可以限定的所有一个以上的组合。

“第一”、“第二”等术语用于描述多种构成要素，但上述构成要素不应受限于上述术语。上述术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素的目的。例如，在不超出本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。除非在上下文中另外明确指出，否则单数的表达包括复数的表达。

同时，“在……之下”、“在……下侧”、“在……之上”、“在……上侧”等术语用于描述在附图中所示的构成要素的相关关系。上述术语为相对的概念，且以附图中所示的方向为基准进行描述。

应该理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在表示说明书中所描述的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在，而不事先排除一个或多个其它的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在或增加的可能性。

除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应该解释为具有与它们在相关技术背景中的含义相一致的含义，且除非在本文中明确地如此定义，否则不应解释为理想化的或过于形式化的含义。

以下，参照附图对根据本发明一实施例的掩模制造装置进行说明。

图1a是根据一实施例的显示面板的平面图。图1b是与图1a的线I-I’对应的根据一实施例的显示面板的剖视图。

显示面板DP可以是根据电信号激活并且显示图像的面板。显示面板DP可以用于各种显示装置。例如，显示面板DP可以包括在诸如电视机、外部广告板等的大型装置以及诸如监视器、移动电话、平板计算机、导航仪、游戏机等的中小型装置中。

根据一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，并且不受特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光物质，且无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒等。以下，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。

图1a简略地示出了在第三方向DR3上观察的显示面板DP的平面图。参照图1a，显示面板DP可以包括多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B以及围绕多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的非发光区域NPXA。

此外，在本说明书中，第三方向DR3可以被定义为与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面交叉的方向。第三方向DR3可以实质上与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直地交叉。

可以基于与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的表面为基准限定各个部件或单元的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对(opposing)，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以实质上平行于第三方向DR3。

在本说明书中，沿着第三方向DR3限定的前表面与后表面之间的间隔距离可以对应于部件(或单元)的厚度。在本说明书中，“在平面上”的表达可以被定义为在第三方向DR3上观察的状态。在本说明书中，“在截面上”的表达可以被定义为在第一方向DR1或第二方向DR2上观察的状态。此外，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3所指示的方向是相对的概念，并且可以转换为不同的方向。

多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以包括第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B。第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B可以是在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的平面上彼此区分的区域。非发光区域NPXA可以布置在彼此相邻的第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B之间。

在一实施例中，第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B可以根据通过发光区域发射的光的颜色来区分。例如，第一发光区域PXA-R可以是发射红光的红色发光区域，第二发光区域PXA-G可以是发射绿光的绿色发光区域，以及第三发光区域PXA-B可以是发射蓝光的蓝色发光区域。

图1a示例性地示出了显示面板DP的发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B以条纹形态排列的情况。即，多个第一发光区域PXA-R、多个第二发光区域PXA-G和多个第三发光区域PXA-B中的每一者可以沿着第二方向DR2排列。此外，第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B可以沿着第一方向DR1依次交替地排列。

此外，第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的排列形态不限于图1a所示，且可以根据显示面板DP所需的显示品质的特性不同地设计提供第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的排列顺序、面积和形状。例如，第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的排列形态可以是

显示面板DP可以包括共同地形成于具有各种排列形态的多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B和非发光区域NPXA的至少一个功能层。在本实施例中，与多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B和非发光区域NPXA重叠的功能层可以被称为共同层。显示面板DP的共同层可以通过利用下述的掩模来形成。用于制造显示面板DP的掩模可以利用下述的根据本发明一实施例的掩模制造装置来制造。

图1b示例性地示出了与一个第一发光区域PXA-R、一个第二发光区域PXA-G和一个第三发光区域PXA-B对应的显示面板DP的截面。

参照图1b，显示面板DP可以包括基底层BS、电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示面板DP的显示元件层DP-ED可以包括多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3。

基底层BS可以提供形成电路层DP-CL的基底面。基底层BS可以包括玻璃、合成树脂或有机/无机复合材料等。基底层BS可以具有单层结构或多层结构。例如，多层结构的基底层BS可以包括合成树脂层和布置在合成树脂层之间的至少一个无机层。

电路层DP-CL可以包括连接于第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3的驱动元件和信号线等。电路层DP-CL可以包括构成像素的驱动电路的至少一个绝缘层、半导体图案和导电图案。可以在基底层BS上通过涂覆、沉积等的工艺形成绝缘层、半导体层和导电层之后，通过光刻工艺选择性地对半导体层和导电层进行图案化来形成电路层DP-CL。

显示元件层DP-ED可以布置在电路层DP-CL上。显示元件层DP-ED可以包括多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3、像素限定膜PDL和封装层TFE。发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的每个可以包括第一电极AE、空穴传输区域HTR、发光层EML-R、EML-G、EML-B、电子传输区域ETR和第二电极CE。

第一电极AE可以布置在电路层DP-CL上，并且可以电连接到电路层DP-CL的驱动元件。像素限定膜PDL中可以限定有暴露发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第一电极AE的一部分的发光开口部OH。第一电极AE的被像素限定膜PDL的发光开口部OH暴露的一部分可以分别对应于多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B。布置有像素限定膜PDL的区域可以对应于围绕多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B的非发光区域NPXA。

如图1b所示，在一实施例中，限定于像素限定膜PDL的发光开口部OH中可以分别布置有发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B。发光层EML-R、EML-G、EML-B可以设置为与发光开口部OH对应的图案形态。然而不限于此，且在一实施例中，发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B也可以设置为具有一体的形状的共同的层。

空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极CE可以设置为与发光元件ED-1、ED-2、ED-3重叠的共同层。空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极CE可以与多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B和非发光区域NPXA重叠地形成。

通过电路层DP-CL的晶体管，第一电压可以施加到第一电极AE，且共同电压可以施加到第二电极CE。注入到发光层EML-R、EML-G、EML-B的空穴和电子结合从而形成激子，并且当激子跃迁到基态时，发光元件ED-1、ED-2、ED-3可以发光。

封装层TFE可以布置在发光元件ED-1、ED-2、ED-3上。封装层TFE可以密封发光元件ED-1、ED-2、ED-3。封装层TFE可以包括用于提高发光元件ED-1、ED-2、ED-3的光学效率或保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3的多个薄膜。

封装层TFE可以包括至少一个无机膜和有机膜。无机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3免受湿气和/或氧气的影响。无机膜可以包括硅氮化物、硅氧化物或它们所组合的化合物。无机膜可以通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)形成。

有机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3免受诸如灰尘颗粒的杂质的影响。有机膜可以形成在无机膜上从而提供平坦表面。例如，有机膜可以覆盖存在于形成在有机膜下部的无机膜中的颗粒(particle)或弯曲。有机膜可以缓冲接触有机膜的层之间的应力。例如，有机膜可以包括丙烯酸系列树脂，但是有机膜的物质不限于上述示例。有机膜也可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆、喷墨工艺的溶液工艺形成。

共同地形成于显示面板DP的像素的共同层中的至少一个共同层可以通过下述的一实施例的掩模来沉积形成。例如，在图1b的显示面板DP中，空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极CE中的至少一个可以通过一实施例的掩模来沉积。不限于此，且显示面板DP的封装层TFE可以通过一实施例的掩模来沉积。以下，对一实施例的掩模进行说明。

图2是根据一实施例的掩模的分解透视图。参照图2，掩模MK可以包括掩模片MS和掩模框架FR。

如上所述，图2的掩模MK可以用于在对象基板的被沉积面上形成共同层。一实施例的掩模MK可以相当于敞口掩模(Open Mask)，敞口掩模用于在整个区域上形成以薄膜的方式设置的功能层。敞口掩模可以用于在大面积设置的一个对象基板上形成多个显示面板，且敞口掩模可以是用于在对象基板上沉积包括在多个显示面板中的每个中的功能层的掩模。

掩模框架FR可以支承掩模片MS。掩模框架FR可以在平面上具有环形状。因此，在掩模框架FR的内侧可以限定有贯通掩模框架FR的上表面FR-U和下表面FR-L的开口部OP。

虽然图2示出了四边形环形状作为掩模框架FR的形状的一个示例，但是不限于此。例如，掩模框架FR可以具有圆形环、多边形环等各种形状。掩模框架FR的形状可以对应于布置在掩模框架FR上的掩模片MS的形状。

掩模框架FR可以支承掩模片MS的边缘部分。掩模框架FR可以布置在掩模片MS的下部。即，掩模框架FR可以支承掩模片MS的后表面MS-R。不限于此，且掩模框架FR可以布置在掩模片MS的边缘的上部和下部并支承掩模片MS。

掩模框架FR可以包括金属。掩模框架FR可以由包括铁(Fe)和镍(Ni)中的至少一种的金属材料形成。例如，掩模框架FR可以包括铁和镍的合金。掩模框架FR可以包括不锈钢(SUS)或不胀钢(Invar)。

掩模片MS可以布置在掩模框架FR上。掩模片MS可以包括与掩模框架FR面对的后表面MS-R和与后表面MS-R相对的前表面MS-F。

掩模片MS可以包括多个单元开口部OPC。多个单元开口部OPC可以贯通掩模片MS的前表面MS-F和后表面MS-R而形成。多个单元开口部OPC可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2排列。图2示例性地示出了五个单元开口部OPC沿着第一方向DR1彼此间隔开地布置，且两个单元开口部OPC沿着第二方向DR2彼此间隔开地布置。然而，包括在掩模片MS中的单元开口部OPC的数量和排列不限于此。例如，包括在掩模片MS中的单元开口部OPC可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2中的任一方向排列。掩模片MS的单元开口部OPC可以与掩模框架FR的开口部OP重叠，且在沉积工艺中，沉积物质可以通过掩模片MS的单元开口部OPC沉积到对象基板上。

在平面上，掩模片MS的单元开口部OPC的形状可以具有四边形形状。然而，单元开口部OPC的形状不限于此，且可以根据沉积形成于对象基板的功能层的形状而具有各种形状。

掩模片MS可以具有沿着第一方向DR1和第二方向DR2延伸的板(plate)形状。掩模片MS可以包括围绕多个单元开口部OPC的延伸区域，使得多个单元开口部OPC彼此连接。如图2所示，在平面上，一实施例的掩模片MS可以具有四边形形状。然而，掩模片MS的形状不限于此，且可以根据提供被沉积面的对象基板的形状而具有各种形状。

掩模片MS可以包括金属。掩模片MS可以由包括铁(Fe)和镍(Ni)中的至少一种的金属材料形成。例如，掩模片MS可以包括铁和镍的合金。掩模片MS可以包括不锈钢(SUS)或不胀钢(Invar)。掩模片MS可以由与掩模框架FR相同的材料形成。然而，实施例不限于此。

在一实施例中，掩模片MS可以具有5ppm/℃以下的热膨胀系数。此外，掩模框架FR也可以具有与掩模片MS相似的热膨胀系数。因此，在沉积工艺中可以使掩模片MS的热变形最小化，并且可以改善形成在对象基板上的沉积层的沉积品质。

一实施例的掩模MK可以通过下述的本发明一实施例的掩模制造装置来制造。一实施例的掩模MK可以利用激光来制造以提高单元开口部OPC的加工精度。本发明一实施例的掩模制造装置可以包括用于激光加工的光照射部和用于在光照射步骤中稳定地支承掩模的台。以下，对一实施例的用于制造掩模的掩模制造装置和利用制造装置的掩模制造步骤进行说明。

图3a和图3b是与预备掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据一实施例的预备掩模的透视图。

预备掩模P-MK可以是与提供到本发明的掩模制造装置以形成单元开口部OPC之前的步骤对应的掩模。即，提供到掩模制造装置的对象掩模可以是掩模片和掩模框架相结合的状态，且预备掩模P-MK可以对应于彼此结合之前的掩模片和掩模框架。此外，在本说明书中，预备掩模和对象掩模可以用作对与掩模的制造步骤对应的一个形态的掩模进行区分的术语。

参照图3a，预备掩模P-MK可以包括框架FR和预备掩模片P-MS。预备掩模片P-MS可以是在结合到框架FR之前以板形状提供的掩模片。预备掩模片P-MS可以被提供到框架FR上。在平面上，预备掩模片P-MS的大小可以小于框架FR的大小。因此，如图3a所示，预备掩模片P-MS在结合到框架FR之前可以被拉伸以对应于掩模框架FR的大小。

参照图3b，被拉伸的预备掩模片P-MS可以安置在掩模框架FR上。然后，被拉伸的预备掩模片P-MS可以通过焊接部件AD固定在掩模框架FR上。被拉伸的预备掩模片P-MS的后表面MS-R的与掩模框架FR重叠的部分可以结合到掩模框架FR的上表面FR-U。

通过焊接彼此结合的掩模片P-MSa(参照图4a)和掩模框架FR可以被提供到掩模制造装置MD(参照图4a)以便之后形成单元开口部OPC(参照图2)。通过本发明的掩模制造装置MD(参照图4a)，可以制造形成有单元开口部OPC(参照图2)的图2的掩模MK。

此外，在本说明书中，为了便于说明，结合于掩模框架的、形成单元开口部之前的掩模片可以被称为对象掩模片，且彼此结合的掩模框架和对象掩模片可以被称为对象掩模。

图4a是与对象掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据一实施例的掩模制造装置和掩模的透视图。图4b是根据一实施例的与对象掩模的制造步骤对应的对象掩模的透视图。

参照图4a，一实施例的掩模制造装置MD可以包括光照射部LS和台ST。

为了在对象掩模片P-MSa中形成单元开口部OPC(参照图2)，对象掩模P-MKa可以被提供到掩模制造装置MD的台ST上。在一实施例中，单元开口部OPC(参照图2)可以通过向对象掩模片P-MSa的前表面MS-F和后表面MS-R分别照射激光来形成。因此，根据掩模制造步骤，对象掩模片P-MSa的由激光照射的表面可以改变，并且对象掩模片P-MSa的由台ST支承的支承面可以改变。

对象掩模P-MKa可以包括彼此结合的掩模框架FR和对象掩模片P-MSa。对象掩模片P-MSa的后表面MS-R上可以限定有与单元开口部OPC(参照图2)的形成位置对应的单元开口区域OPD-L。

一实施例的台ST的形态可以根据对象掩模P-MKa的制造步骤而变化。根据对象掩模P-MKa的制造步骤，对象掩模P-MKa的由台ST支承的支承面可以不同，并且台ST的形态可以与对象掩模P-MKa的由台ST支承的支承面对应地变形。台ST可以包括根据与对象掩模P-MKa的支承面对应地变形的形态来区分的第一状态和第二状态。然而，不限于此，一实施例的掩模制造装置MD可以包括根据对象掩模P-MKa的制造步骤来分别以不同的形态设置的单独的台。

一实施例的台ST的形状可以根据对象掩模片P-MSa的由台ST支承的支承面而改变。对象掩模片P-MSa可以在台ST上设置成对象掩模片P-MSa的后表面MS-R朝上。因此，布置在对象掩模片P-MSa的后表面MS-R上的掩模框架FR的下表面FR-L也可以朝上。

在这种情况下，台ST可以支承对象掩模片P-MSa的前表面MS-F，且这可以对应于第一状态的台ST。图4a示例性地示出了根据一实施例的第一状态的台ST。

台ST可以包括支承对象掩模P-MKa的上表面，以使布置在台ST上的对象掩模P-MKa能够平坦地设置在光照射部LS下方。对象掩模P-MKa的由台ST支承的支承面可以对应于对象掩模片P-MSa的实质上平坦的前表面MS-F，并且因此，第一状态的台ST的上表面可以接触对象掩模片P-MSa的前表面MS-F，并且可以包括没有阶梯差的平坦的表面。

光照射部LS可以布置在台ST上。光照射部LS可以向对象掩模片P-MSa照射激光。根据掩模的制造步骤，从光照射部LS照射的激光的强度、波长和种类可以改变，且为了区分，将照射到对象掩模片P-MSa的后表面MS-R的激光称为第一激光L1。

光照射部LS可以向单元开口区域OPD-L的边界上照射第一激光L1。通过第一激光L1，在对象掩模片P-MSa中可以形成贯通对象掩模片P-MSa的后表面MS-R和前表面MS-F的图4b的预备单元开口部OPD。

图4b是示出在第一激光L1照射到单元开口区域OPD-L的边界上之后，形成多个预备单元开口部OPD的对象掩模P-MKb的透视图。对象掩模片P-MSb可以包括多个预备单元开口部OPD。预备单元开口部OPD可以对应于在形成图2的单元开口部OPC的过程中所产生的、中间步骤的开口部。因此，预备单元开口部OPD的形状和大小可以与最终形成的单元开口部OPC不同。

预备单元开口部OPD可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2排列。预备单元开口部OPD中的每个可以与将最终形成的单元开口部OPC的位置对应地形成。

图5a是与对象掩模制造步骤中的一个步骤对应的根据一实施例的掩模制造装置和掩模的透视图。图5b是与图5a的线II-II′对应的根据一实施例的掩模制造装置的剖视图。

参照图5a，图4b的对象掩模P-MKb可以被提供到掩模制造装置MD中，以沿着预备单元开口部OPD的周边形成凹陷部。因此，图2的单元开口部OPC可以对应于形成为一体的预备单元开口部OPD和凹陷部。

对象掩模P-MKb可以在台ST上设置成对象掩模P-MKb的前表面MS-F朝上。因此，布置在对象掩模P-MKb的后表面MS-R上的掩模框架FR的下表面FR-L可以面对台ST。在通过光照射部LS执行的第一激光L1照射步骤完成之后，对象掩模P-MKb可以通过掩模制造装置MD所包括的另外的驱动装置翻转180度并被提供到台ST上。

在这种情况下，台ST可以支承对象掩模片P-MSb的后表面MS-R和掩模框架FR的下表面FR-L，且这可以对应于第二状态的台ST。图5a和图5b示出了根据一实施例的第二状态的台ST。

对象掩模P-MKb的由台ST支承的支承面可以对应于对象掩模片P-MSb的后表面MS-R和掩模框架FR的下表面FR-L，且对象掩模片P-MSb的后表面MS-R与掩模框架FR的下表面FR-L之间可以在厚度方向(例如，第三方向DR3)上具有阶梯差。因此，第二状态的台ST可以具有与被支承的对象掩模P-MKb的支承面对应地具有阶梯差的形状。由此，台ST可以在光照射部LS下方平坦且稳定地提供对象掩模P-MKb。

台ST可以包括第一支承部SP1和第二支承部SP2。在本说明书中，第一支承部SP1可以被称为台ST的第一部分，且第二支承部SP2可以被称为台ST的第二部分。第一支承部SP1可以与对象掩模片P-MSb重叠，且第二支承部SP2可以与掩模框架FR重叠。

第一支承部SP1可以包括与对象掩模片P-MSb的后表面MS-R面对的第一表面S1-I。第一支承部SP1可以接触对象掩模片P-MSb，并且可以支承对象掩模片P-MSb。第二支承部SP2可以包括与掩模框架FR的下表面FR-L面对的第二表面S2-I。第二支承部SP2可以接触掩模框架FR，并且可以支承掩模框架FR。

在平面上，第一支承部SP1的形状可以是四边形形状。然而，第一支承部SP1的形状不限于此，且第一支承部SP1的形状可以根据被支承的对象掩模片P-MSb的形状而不同地变形。

第二支承部SP2可以与第一支承部SP1相邻地布置。第二支承部SP2可以围绕第一支承部SP1。图5a示出了围绕第一支承部SP1的四个边的第二支承部SP2。然而，不限于此，第二支承部SP2可以包括多个子支承部，多个子支承部中的每个沿着第一支承部SP1的边缘延伸。第二支承部SP2的形状可以对应于由第二支承部SP2支承的掩模框架FR的形状而不同地变形。

第一支承部SP1和第二支承部SP2可以包括彼此相同的物质。然而，不限于此，第一支承部SP1和第二支承部SP2可以包括彼此不同的物质。

第一支承部SP1和第二支承部SP2可以在第三方向DR3上具有阶梯差。对此，将参照在第二方向DR2上观察的图5b的剖视图具体地说明。参照图5b，在截面上，第一支承部SP1的第一表面S1-I和第二支承部SP2的第二表面S2-I可以具有距离差D2。以下，上述距离差D2将被称为阶梯差D2。

第一支承部SP1与第二支承部SP2之间的阶梯差D2可以对应于对象掩模片P-MSb的由第一支承部SP1支承的后表面MS-R与掩模框架FR的由第二支承部SP2支承的下表面FR-L之间的高度差D1。上述阶梯差D2可以与对象掩模片P-MSb的后表面MS-R与掩模框架FR的下表面FR-L之间的高度差D1实质上相同。

由此，第一支承部SP1和第二支承部SP2可以在保持对象掩模片P-MSb的前表面MS-F平坦的同时稳定地支承对象掩模P-MKb。例如，通过第一支承部SP1和第二支承部SP2，对象掩模片P-MSb的前表面MS-F的平坦度可以保持在0至300μm，优选地，可以保持在0至100μm。这里，平坦度越接近0意味着越保持与平面平行的形状。

第二支承部SP2可以结合于第一支承部SP1。第二支承部SP2可以结合于第一支承部SP1并沿着第三方向DR3移动。通过使第二支承部SP2移动，可以调整第二支承部SP2的位置，以使阶梯差D2等于对象掩模片P-MSb的后表面MS-R与掩模框架FR的下表面FR-L之间的高度差D1。然而，不限于此，第二支承部SP2可以结合于第一支承部SP1并且固定。

此外，参照图5b，对象掩模P-MKb可以包括作为对象掩模片P-MSb和掩模框架FR结合的部分的焊接部WP。焊接部WP可以通过图3b所示的利用焊接部件AD的焊接步骤形成在对象掩模片P-MSb和掩模框架FR接触的部分中。焊接部WP可以包括金属氧化物。

再次参照图5a，在对象掩模P-MKb的前表面MS-F上沿着预备单元开口部OPD的周边可以限定有凹陷区域HF-L。凹陷区域HF-L可以对应于将在后续工艺中形成的凹陷部的形成位置。

光照射部LS可以向对象掩模P-MKb的前表面MS-F上照射激光，且将该激光称为第二激光L2。光照射部LS可以向沿着预备单元开口部OPD的周边限定的凹陷区域HF-L上照射第二激光L2。通过第二激光L2，在对象掩模片P-MSb中可以形成凹陷部，凹陷部与预备单元开口部OPD形成为一体并且其一部分从对象掩模片P-MSb的前表面MS-F朝向后表面MS-R凹陷。以下将参照附图对此进行详细说明。

第二激光L2的强度、波长范围等可以与第一激光L1不同。然而，不限于此，第二激光L2的强度或波长范围可以与第一激光L1相同。

第一支承部SP1和第二支承部SP2具有与对象掩模P-MKb的支承面对应的形状，从而能够平坦地在光照射部LS下方提供对象掩模片P-MSb。由此，可以在向对象掩模片P-MSb的前表面MS-F照射第二激光L2的过程中提高激光加工的精度，且本发明的掩模制造装置MD可以制造可靠性提高的掩模。

图6a至图6c是根据一实施例的掩模制造装置的台的剖视图。除了台ST的构成之外，上述的说明同样适用于图6a至图6c所示的各个构成。以下，省略对相同构成的重复说明，并以差异为中心进行说明。

参照图6a，第一支承部SP1和第二支承部SP2可以形成为一体。即，第一支承部SP1和第二支承部SP2可以一体地连接，而没有结合第一支承部SP1和第二支承部SP2的单独的结合体。因此，台ST的构成可以简化。

参照图6b，第一支承部SP1可以包括静电卡盘ESC和绝缘层ISL。静电卡盘ESC可以产生静电力，且第一支承部SP1可以通过静电力将对象掩模片P-MSb平坦且稳定地固定在第一支承部SP1上。

静电卡盘ESC可以包括多个第一电极EL1和多个第二电极EL2。第一电极EL1和第二电极EL2可以沿着一个方向交替地布置。第一电极EL1和第二电极EL2可以接收彼此不同极性的电压。第一电极EL1可以连接到电源PS的具有正极性的第一端子，且第二电极EL2可以连接到电源PS的具有负极性的第二端子。

当电源PS施加到第一电极EL1和第二电极EL2时，第一电极EL1可以具有正极性，并且第二电极EL2可以具有负极性。然而，这是示例性的，也可以是第一电极EL1具有负极性，并且第二电极EL2具有正极性。

通过具有彼此不同极性的第一电极EL1和第二电极EL2，可以产生静电力。通过由静电卡盘ESC产生的静电力，对象掩模片P-MSb可以固定在第一支承部SP1上。通过静电力的吸引力，对象掩模片P-MSb可以被吸附并固定在绝缘层ISL的上表面。

绝缘层ISL可以布置在静电卡盘ESC与对象掩模片P-MSb之间。绝缘层ISL可以使对象掩模片P-MSb与静电卡盘ESC之间绝缘。绝缘层ISL可以在工艺过程和从台ST分离对象掩模P-MKb的过程中保护对象掩模片P-MSb。在这种情况下，上述的第一支承部SP1的第一表面S1-I可以被定义为绝缘层ISL的上表面。

参照图6c，第一支承部SP1可以包括本体BO、磁体MGN和绝缘层ISL。磁体MGN可以布置在本体BO上。本体BO可以支承磁体MGN。然而，不限于此，且磁体MGN可以插入到本体BO的内部。图6c简略地示出了一体的磁体MGN。然而，不限于此，且磁体MGN可以设置为多个并沿着一个方向排列。

磁体MGN可以产生磁力，且对象掩模片P-MSb可以通过磁力平坦且稳定地固定在第一支承部SP1上。通过磁力的吸引力，对象掩模片P-MSb可以被吸附并固定在绝缘层ISL的上表面。

绝缘层ISL可以布置在磁体MGN与对象掩模片P-MSb之间。绝缘层ISL可以使对象掩模片P-MSb与磁体MGN绝缘。绝缘层ISL可以防止在从台ST分离对象掩模P-MKb的过程中对象掩模片P-MSb由于磁体MGN的磁力而损坏。在这种情况下，上述的第一支承部SP1的第一表面S1-I可以被定义为绝缘层ISL的上表面。

图7a至图7c是示出根据一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成预备单元开口部的一个步骤的剖视图。图8a至图8d是示出根据一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成凹陷部的一个步骤的剖视图。上述的说明可以同样适用于各个构成，并将以差异为中心进行说明。

本发明一实施例的台ST可以与所支承的对象掩模的支承面对应地变形形态，并且可以根据台ST的形态包括第一状态S1和第二状态S2。图7a示出了从第二状态S2变形为第一状态S1的台ST的实施例。

参照图7a，第二支承部SP2可以沿着厚度方向移动，且通过使第二支承部SP2移动，可以调整第一支承部SP1的第一表面S1-I与第二支承部SP2的第二表面S2-I之间的阶梯差D2。在截面上，第二状态S2的台ST可以包括彼此具有阶梯差D2的第二支承部SP2和第一支承部SP1。当第二状态S2的台ST变形为第一状态S1时，第二支承部SP2可以沿着第三方向DR3向上移动。因此，第一支承部SP1与第二支承部SP2之间的阶梯差D2可以减小。

通过使第二支承部SP2移动，台ST可以从图7a的第二状态S2变形为图7b的第一状态S1的台ST。提供到第一状态S1的台ST上的对象掩模P-MKa的对象掩模片P-MSa可以是上述的预备单元开口部OPD形成之前的掩模片。为了在对象掩模片P-MSa中形成预备单元开口部OPD，对象掩模P-MKa可以被提供到第一状态S1的台ST上。

在第一状态S1的台ST中，第一支承部SP1的第一表面S1-I与第二支承部SP2的第二表面S2-I可以在截面上齐平。即，第一支承部SP1的第一表面S1-I和第二支承部SP2的第二表面S2-I可以提供在截面上彼此齐平且平坦的表面。

对象掩模P-MKa可以在台ST上设置成对象掩模片P-MSa的前表面MS-F面对第一支承部SP1的第一表面S1-I和第二支承部SP2的第二表面S2-I。因此，对象掩模片P-MSa的后表面MS-R可以面对光照射部LS，并且可以被光照射部LS加工。

第一状态S1的台ST可以提供在截面上第一表面S1-I和第二表面S2-I齐平的第一支承部SP1和第二支承部SP2，从而稳定地支承对象掩模片P-MSa的前表面MS-F。第一状态S1的台ST可以在通过光照射部LS执行的激光加工期间使对象掩模片P-MSa不倾斜而保持平坦。因此，通过光照射部LS执行的激光加工的精度和准确性可以提高。

为了形成预备单元开口部OPD，光照射部LS可以向对象掩模片P-MSa的后表面MS-R照射第一激光L1。第一激光L1可以被提供为脉冲激光。第一激光L1可以具有飞秒(10

图7c简略地示出了形成预备单元开口部OPD的一个步骤中的对象掩模P-MKa的截面。参照图7c，通过第一激光L1可以在对象掩模片P-MSa中形成贯通对象掩模片P-MSa的前表面MS-F和后表面MS-R的预备单元开口部OPD。根据第一激光L1照射的区域，可以在一个对象掩模片P-MSa中形成多个预备单元开口部OPD。

在截面上，预备单元开口部OPD可以具有梯形形状。预备单元开口部OPD的宽度可以随着接近对象掩模片P-MSa的由第一激光L1直接照射的后表面MS-R而增大。因此，预备单元开口部OPD的宽度可以随着从对象掩模片P-MSa的后表面MS-R接近前表面MS-F而减小。然而，预备单元开口部OPD的截面形状可以根据激光加工条件而改变，并且不限于图中所示。

图8a简略地示出了用于在通过第一激光L1形成预备单元开口部OPD之后形成凹陷部HFP(参照图8c)的一个步骤中的对象掩模P-MKb和台ST的截面。参照图8a，在预备单元开口部OPD形成之后，可以从第一状态S1的台ST分离对象掩模P-MKb。

第一状态S1的台ST可以通过使第二支承部SP2移动而变形为第二状态S2的台ST。第二支承部SP2可以向下移动，以在第一支承部SP1的第一表面S1-I与第二支承部SP2的第二表面S2-I之间形成阶梯差D2(参照图7a)。第二支承部SP2可以向下移动成第一表面S1-I和第二表面S2-I之间的阶梯差D2(图7a)与将由台ST支承的对象掩模片P-MSb的后表面MS-R和掩模框架FR的下表面FR-L之间的高度差实质上相同。

图8b简略地示出了对象掩模P-MKb设置在第二状态S2的台ST上以通过光照射部LS进行激光加工的一个步骤中的截面。图8a的对象掩模P-MKb可以旋转，以使对象掩模片P-MSb的后表面MS-R面向台ST。然后，如图8b所示，对象掩模P-MKb可以安置在第二状态S2的台ST上。然而，不限于此，对象掩模P-MKb可以通过移动装置被提供到第二状态S2的单独的台ST上。

第二状态S2的台ST可以包括支承对象掩模片P-MSb的第一支承部SP1和支承掩模框架FR的第二支承部SP2。第一支承部SP1的第一表面S1-I可以面对并且支承对象掩模片P-MSb的后表面MS-R。第二支承部SP2的第二表面S2-I可以面对并且支承掩模框架FR的下表面FR-L。因此，对象掩模片P-MSb的前表面MS-F可以面对光照射部LS，并且可以被光照射部LS加工。

第一支承部SP1的第一表面S1-I与第二支承部SP2的第二表面S2-I之间的阶梯差可以与对象掩模片P-MSb的将由第一支承部SP1支承的后表面MS-R和掩模框架FR的将由第二支承部SP2支承的下表面FR-L之间的高度差实质上相同。由此，第二状态S2的台ST可以在保持对象掩模片P-MSb的前表面MS-F平坦的同时稳定地支承对象掩模P-MKb。

第二状态S2的台ST可以在通过光照射部LS执行的激光加工期间使对象掩模片P-MSb和掩模框架FR不倾斜而保持平坦。因此，通过光照射部LS执行的激光加工的精度和准确性可以提高。

为了形成凹陷部HFP(参照图8c)，光照射部LS可以向对象掩模片P-MSb的前表面MS-F照射第二激光L2。第二激光L2可以被提供为脉冲激光。第二激光L2可以具有飞秒(10

第二激光L2可以是诸如强度、波长或脉冲宽度的条件与第一激光L1不同的激光。通过第一激光L1形成的预备单元开口部OPD的形成条件和通过第二激光L2形成的凹陷部HFP的形成条件可以彼此不同，并且因此，第二激光L2的强度、波长或脉冲宽度可以与第一激光L1不同。然而，不限于此，第二激光L2可以是与第一激光L1相同的激光。

图8c示意性地示出了用于形成凹陷部HFP的一个步骤的对象掩模P-MKb的截面。参照图8c，通过第二激光L2，可以形成从对象掩模片P-MSb的前表面MS-F凹陷的凹陷部HFP。根据第二激光L2照射的区域，可以在一个对象掩模片P-MSb中形成多个凹陷部HFP。

光照射部LS可以沿着预备单元开口部OPD的周边照射第二激光L2以形成凹陷部HFP。光照射部LS可以将第二激光L2照射成凹陷部HFP和预备单元开口部OPD形成为一体。形成为一体的凹陷部HFP和预备单元开口部OPD可以被定义为上述的单元开口部OPC。即，单元开口部OPC可以被定义为凹陷部HFP和预备单元开口部OPD结合而形成的一体的开口空间。

图8d简略地示出了利用本发明的掩模制造装置制造完成的掩模MK的截面。完成单元开口部OPC的形成的对象掩模片P-MSb可以被称为掩模片MS。掩模MK可以包括形成有单元开口部OPC的掩模片MS和掩模框架FR，且这可以对应于图2所示的掩模MK。利用本发明的掩模制造装置制造完成的掩模MK可以用于制造显示面板DP的沉积工艺。

参照图8d，单元开口部OPC可以限定成从掩模片MS的前表面MS-F贯通到后表面MS-R。在沉积过程中，沉积物质可以通过单元开口部OPC沉积到被沉积面。掩模片MS的与凹陷部HFP重叠的部分可以从掩模片MS的前表面MS-F朝向后表面MS-R凹陷。即，掩模片MS的与凹陷部HFP重叠的部分的厚度可以小于掩模片MS的不与单元开口部OPC重叠的其它部分的厚度。

由于凹陷部HFP，限定在掩模片MS的前表面MS-F上的单元开口部OPC的宽度可以大于限定在掩模片MS的后表面MS-R上的单元开口部OPC的宽度。然而，单元开口部OPC在截面上的形状不必限于图中所示，且可以根据掩模制造工艺条件而改变。

本发明一实施例的掩模制造装置可以利用激光来加工单元开口部。利用激光的单元开口部的形成工艺可以精密地调节单元开口部的形状、大小和位置，并且可以提高加工精度。因此，通过一实施例的掩模制造装置制造的掩模的可靠性可以提高。

此外，在一实施例的掩模MK中，由于利用激光形成单元开口部OPC，所以可能出现由激光导致的加工痕迹。例如，由激光导致的加工痕迹可表现为水纹形态等。然而，由激光导致的加工痕迹不限于此，且可以与通过湿法蚀刻(wet-etching)加工单元开口部的情况区分地观察到激光的痕迹。此外，掩模片MS的由单元开口部OPC暴露的开口的侧表面上可以形成氧化物层。即，开口的侧表面上可以形成构成掩模片MS的金属材料的氧化物层。

图9是示出利用根据一实施例的掩模制造装置在对象掩模片中形成预备单元开口部的一个步骤的剖视图。图10是示出根据一实施例的利用掩模制造装置在对象掩模片中形成凹陷部的一个步骤的剖视图。图9所示的步骤可以对应于图7b所示的步骤，且图10所示的步骤可以对应于图8b所示的步骤。

图9和图10示出了包括第一状态S1和第二状态S2的根据另一实施例的台ST的截面。上述的说明可以同样适用于图9和图10所示的构成，并且将以差异为中心进行说明。

参照图9，第一状态S1的台ST还可以包括第三支承部SP3。第三支承部SP3可以布置在第二支承部SP2上。第三支承部SP3可以支承对象掩模片P-MSa的前表面MS-F的与第三支承部SP3重叠的部分。

第三支承部SP3可以包括与第二支承部SP2的第二表面S2-I相对并且与对象掩模片P-MSa的前表面MS-F面对的第三表面S3-I。在截面上，第一支承部SP1的第一表面S1-I可以与第三支承部SP3的第三表面S3-I齐平。第三支承部SP3的厚度可以与第一表面S1-I和第二表面S2-I之间的阶梯差实质上相同。

第三支承部SP3可以包括与第二支承部SP2相同的物质。然而，不限于此，第三支承部SP3可以包括与第二支承部SP2不同的物质。

第二支承部SP2可以固定结合于第一支承部SP1。或者，第二支承部SP2可以与第一支承部SP1形成为一体。第三支承部SP3可以填充第二支承部SP2与第一支承部SP1之间的阶梯差，从而使台ST向对象掩模P-MKa提供平坦的上表面。

图9的第三支承部SP3可以是可从第二支承部SP2分离的构成。因此，参照图10，第二状态S2的台ST可以对应于第三支承部SP3从第二支承部SP2分离的状态。由此，台ST可以具有阶梯差，使得与对象掩模P-MKb的由台ST支承的支承面对应。上述的关于第二状态S2的台ST的说明可以同样适用于图10的台ST。

图11a是简略地示出根据一实施例的利用通过掩模制造装置制造的掩模执行的沉积工艺的一个步骤的剖视图。图11b是与图11a的区域AA对应的放大剖视图。

通过上述的掩模制造装置MD制造的掩模MK可以用于沉积工艺。参照图11a，可以在掩模MK上布置作为沉积工艺对象的对象基板P-SUB。对象基板P-SUB的被沉积面可以面对掩模MK的掩模片MS的前表面MS-F。对象基板P-SUB可以对准布置成在对象基板P-SUB上需要沉积的区域与掩模MK的单元开口部OPC重叠。

沉积源可以布置在掩模MK的下部。通过沉积源蒸发的沉积物质DM可以朝向掩模片MS的后表面MS-R蒸发，并且可以通过单元开口部OPC沉积到对象基板P-SUB的被沉积面。

具体地，参照图11b，沉积物质DM可以沉积在对象基板P-SUB的被沉积面上从而形成沉积图案DPA。虽然图11b示出了一个单元开口部OPC，但是沉积图案DPA可以与掩模MK的单元开口部OPC对应地形成为多个沉积图案DPA。

如上所述，沉积图案DPA可以对应于包括在显示面板DP(参照图1b)中的共同层(例如，空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR、第二电极CE、绝缘层)中的至少一个共同层。然而，不限于此，且只要是在显示面板DP(参照图1b)中所包括的构成中的设置为共同层的构成而不是针对每个单独像素图案化的构成，就可以相当于根据一实施例的沉积图案DPA。

根据一实施例，一个对象基板P-SUB可以具有相比于一个显示面板DP更大的面积。可以通过一个对象基板P-SUB制造多个显示面板DP。通过一实施例的掩模MK形成在一个对象基板P-SUB上的多个沉积图案DPA可以分别对应于多个显示面板DP的共同层。然而，不限于此，且可以根据显示面板DP的大小由一个对象基板P-SUB制造一个显示面板DP。

一实施例的单元开口部OPC可以在保护对象基板P-SUB的表面的同时改善沉积品质。根据单元开口部OPC的形状，在对象基板P-SUB的沉积区域与未沉积区域之间的边界处可以形成阴影。根据一实施例的单元开口部OPC通过包括限定沉积区域的预备单元开口部OPD和从预备单元开口部OPD延伸并敞开的凹陷部HFP，可以使在沉积区域中的阴影区域的形成最小化。此外，可以增加掩模片MS中的沉积区域的面积比例。因此，可以减少通过掩模MK制造的显示面板DP的缺陷或死空间。

根据一实施例的掩模制造装置可以利用激光在掩模片中形成单元开口部。根据一实施例的掩模制造装置的台的形状可以与由台支承的对象掩模的支承面对应地变形形态，并且可以在激光加工期间使对象掩模稳定且平坦地设置在光照射部下方。因此，可以提高激光加工的精度和准确性，并且一实施例的掩模制造装置可以提供可靠性提高的掩模。

以上参照本发明的优选实施例进行了说明，但本领域技术人员将可以理解，在不脱离权利要求书中所记载的本发明的思想及技术领域的范围内，可以对本发明进行各种修改及变更。

因此，本发明的技术范围不限于说明书的详细说明中所记载的内容，而应由权利要求书来确定。